Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Сервис объявлений OLX: сайт объявлений в Украине

Николаев, Центральный

Сегодня 01:39

Киев, Деснянский Сегодня 01:39

Тестор

Электроника » Прочая электроника

1 000 грн.

Договорная

Маневичи Сегодня 01:37

Винница, Ленинский Сегодня 01:37

Солонка Сегодня 01:37

Зарядно-диагностический прибор Т-1021

Мощное, простое в использовании, компактное, со встроенным фонариком зарядное устройство Т-1021 предназначено для зарядки и профилактики все типов аккумуляторных батарей.  

Режимы– «Автомат» и «Ручной» – с плавной регулировкой, допускает заряд глубоко разряженных АКБ от 0 V.

Посмотреть более подробную информацию по прибору, Вы можете в разделе «документация» – «инструкция».

Напряжение сети ≈ 180-240 V / 50 Гц
Номинальное напряжение АКБ 12 V
Емкость АКБ 3 а/ч – 90 а/ч
Вид АКБ стартерные, тяговые
Регулировка процесса заряда ручная, автоматическая
Вид заряда направленный, постоянный 
Ток заряда 0,1 А – 7,5 А
Индикация стрелочная «амперметр»
Ограничения по напряжению:
в режиме «Автомат» 14,6 V
в режиме «Ручной» 16,4 V
Потребляемая мощность 130  W
Питание фонаря 3 бат. типа ААА
от сети ≈220 V / 50 Гц
от АКБ 12 V
Защита от: перегрузки входного напряжения,
короткого замыкания выходных зажимов,
неправильного подключения к АКБ (переполюсовка),
перегрева элементов прибора, подключения источника
Эксплуатация при:
 Температуре от – 25ºС до + 50 ºС
 Атмосферном давление 740 – 770 мм рт.ст.
Относительной влажности до 80 %
Габаритные размеры 192*160*100 мм
Масса прибора 0,673 кг.

Автоматическое зарядное устройство / Приборы электропитания / Судовая электроника / «НПК Морсвязьавтоматика»

Автоматическое зарядное устройство
  • Описание
  • Характеристики
  • Файлы
  • Техподдержка

Автоматическое зарядное устройство АЗУ-105 предназначено для автоматического заряда аккумуляторных батарей судовой аппаратуры, а также иного промышленного и транспортного оборудования.

  • Габаритные и установочные размеры
  • Функциональная схема
  • Схема подключения
Общие характеристики
Габаритные размеры, мм 345,0×309,1×144,3 мм
Класс защиты IP 22
Предельная температура -55…+70 °С
Рабочая температура -15…+55 °С
Масса не более 7 кг
Монтаж настенный
Источники сигналов тревог – встроенные: контакт реле, звуковой сигнал, световой индикатор;
- внешние (подключаемые) устройства: БС-106 или БС-206, ПКБ-136
Электрические характеристики
Входное напряжение переменного тока частотой 50 (60) Гц 110 (99…121)* В; 220 (198…242)* B
Потребляемая мощность 690 Вт
Максимальная выходная мощность 600 Вт
Напряжение заряда постоянного тока 9. ..30 В
Ток заряда 0,2…20,0 А
Нормальная емкость заряжаемых АКБ до 200 А*ч
Время заряда АКБ не более 10ч
Погрешность измерения по току ±0,2 А
по напряжению ±0,2 В
Разрешение указателя по току 0,1 А
по напряжению 0,1 В
* Диапазон питающих напряжений

Устройство зарядное УЗ-ПА-6/12-6,3-УХЛЗ.1

Устройство зарядное
с автоматическим
отключением
УЗ-ПА-6/12-6,3-УХЛЗ. 1

Руководство по эксплуатации

Выборг 1991 г. 

ВНИМАНИЕ!

В устройстве отсутствует указанный на схеме переключатель SВ1 и кнопка   на лицевой панели. Обнуление счетчика таймера происходит автоматически при включении устройства в сеть. 

Устройство зарядное УЗ-ПА-6/12-6,3-УХЛЗ.1  соответствует всем требованиям, обеспечивающим безопасность жизни, здоровья потребителей и охрану окружающей среды, предотвращение причинения вреда имуществу потребителей, установленным в ГОСТ 2757.0-87. 

УВАЖАЕМЫЙ ПОКУПАТЕЛЬ!

Обращаем ваше внимание, что данное устройство производит заряд при наличии напряжения на аккумуляторной батарее не менее 4-х вольт.

Проверка работоспособности зарядного устройства

В условиях продажи зарядного устройства в магазине при отсутствии аккумулятора, а также у потребителя для проверки работоспособности зарядного устройства, допускается кратковременно использовать вместо аккумулятора батарею из сухих элементов общим напряжением не менее 4 В (удобнее всего использовать батарею 3336 типа «Планета-2» напряжение 4,5 В;  допускается использование последовательно включенных элементов 373 и 343 и др. по 1,5 В каждый – не менее 3-х элементов).
Проверку производить следующим образом:
1. Установить ручку в крайнее левое положение.
2. Подключить контактные зажимы зарядного устройства к выводам батареи, соблюдая полярность: «+» зажим устройства к «+» батареи; «-» зажим устройства к «-» батареи.
3. Включить зарядное устройство в сеть переменного тока напряжением 220 В, при этом на лицевой панели устройства загорится светодиод СЕТЬ.
4. Поворотом ручки по часовой стрелке убедиться в изменении тока (ток будет плавно увеличиваться). Это является критерием работоспособности устройства.

ПРИМЕЧАНИЕ. Во избежание преждевременного выхода проверочной батареи из строя рекомендуется проверку тока проводить не более 5 ÷ 10 с и величину тока устанавливать не более 3÷5 А

5. После проверки выведите ручку против часовой стрелки до отсутствия показаний зарядного тока.
Отключите зарядное устройство от сети и от батареи.

ОПЕЧАТКИ ПО ТЕКСТУ 

Стр. 3, 4-я      строка сверху

имеется

должно быть

… для разряда

. . . для заряда

Стр.   12,  рис.  2

Вид СПЕРЕДИ      Вид СЗАДИ

Вид СЗАДИ      Вид СПЕРЕДИ

1. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ

Устройство зарядное с автоматическим отключением УЗ-ПА-6/12-6,3-УХЛЗ-1 (в дальнейшем – устройство УЗ-ПА) предназначено для заряда 6 и 12-вольтовых стартерных аккумуляторных батарей, установленных на мотоциклах и автомобилях личного пользования.
Перед началом эксплуатации устройства УЗ-ПА необходимо изучить настоящее руководство, а также правила по уходу и эксплуатации аккумуляторной батареи.
Устройство УЗ-ПА имеет плавную установку зарядного тока, электронную схему защиты, обеспечивающую сохранность аккумуляторной батареи при перегрузках, коротких замыканиях и неправильной полярности подключения выходных зажимов. При этом защита выполнена таким образом: что на выходе зарядный ток появляется только в случае, если к выходным зажимам подключен источник напряжения (аккумуляторная батарея).
Устройство УЗ-ПА рассчитано на эксплуатацию в условиях умеренного климата при температуре окружающего воздуха от минус 10° С до плюс 40° С и относительной влажности до 98% при 25° С.

2.   ТЕХНИЧЕСКИЕ   ДАННЫЕ

Напряжение питающей сети

(220±22) В

Частота сети

(50 ±0,5) Гц

Диапазон установки тока заряда

от 0,5 до 6,3 А

Переменное напряжение для питания переносной автомобильной лампы

(36 ±3) В

Автоматическое отключение от аккумуляторной батареи

через (10,5±1) ч

Габаритные размеры, не более

240x175x85 мм

Масса, не более

4,2 кг

Потребляемая мощность, не более

145 Вт

3.    КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ

Устройство зарядное УЗ-ПА          1 шт.
Предохранитель ВП2Б-1В-4А          2 шт.
Руководство по эксплуатации        1 шт.
Упаковочная коробка                      1 шт.

4. ТРЕБОВАНИЯ ПО ТЕХНИКЕ БЕЗОПАСНОСТИ

При эксплуатации устройства УЗ-ПА не допускается:
1) замена предохранителя, а также ремонт устройства во включенном состоянии;
2) механическое повреждение изоляции сетевого шнура, проводов выходных зажимов, а также попадание на него химически активной среды (кислот, масел, бензина и т. д.)
В процессе заряда допускается превышение температуры корпуса устройства над температурой окружающей среды не более 60°С.

5.  УСТРОЙСТВО    ИЗДЕЛИЯ

Устройство УЗ-ПА представляет собой выпрямитель, с плавной установкой тока. Электрическая схема представлена на рис. 1.
С выводов 3,6 сетевого трансформатора TV1 напряжение поступает на 2-х-полупериодный управляемый выпрямитель, выполненный на тиристорах VS1 и VS2.
Выпрямленное напряжение подается на аккумуляторную батарею через контакты XI («плюс») и Х2 («минус»). Для контроля величины тока заряда служит индикатор тока РА1.
Для отключения цепи заряда от аккумулятора через (10,5 ±1) ч, управления работой тиристоров и установки необходимого тока заряда служит схема, собранная на транзисторах VT1, VT4, VТ8, VТ9, VТ10 и интегральной схеме (ДД1).
На транзисторе VТ1 выполнен формирователь импульсов с частотой 50 Гц, на интегральной схеме ДД1 – счетчик с импульсов, на транзисторах VТ8 и VТ10 – делитель частоты на 2, на транзисторе VТ6 – управляемый генератор (стабилизатор) тока.
При этом необходимый ток заряда устанавливается потенциометром RP1.
Генератор управляющих импульсов выполнен на транзисторах VТЗ, VТ7.
Транзистор VТ2 является усилителем этих импульсов по мощности.
На диоде VД1 выполнена схема защиты от короткого замыкания и переполюсовки выводов.
Схема на транзисторах VТ4 и VТ5 служит для переключения устройства в режим уменьшенного тока (через 6 – 8 часов ток уменьшится в 1,3  – 2,5 раза).
На диодах VД7 и VД8 собран выпрямитель питания схемы формирователя импульсов и счетчика. Диоды VД5 и VД6 запрещают подачу импульсов на управляющий электрод тиристора в момент, когда к тиристору приложено обратное напряжение.
Для индикации включения сети и конца заряда служат светодиоды VД2 и VД13.
С выводов 3 и 6 силового трансформатора снимается переменное напряжение 36 В.
Конструктивно устройство состоит из нижнего и верхнего корпуса, лицевой панели, радиатора, печатной платы с радиоэлементами и силового трансформатора.
На лицевой панели (рис. 2) расположены:
светодиод 1 (СЕТЬ), сигнализирующий о включении устройства в сеть;
индикатор тока 2 для контроля тока заряда;
ручка 4 для установки тока заряда;
светодиод 5, сигнализирующий об окончании цикла заряда.
На заднюю стенку устройства зарядного (рис. 2) вьнесен радиатор для охлаждения выпрямителя. На радиаторе установлены розетка 6 (~36У) для питания переносной лампы, электропаяльника и др.,  и предохранитель 7.
В нижнем корпусе устройства (рис. 3) имеется ниша 3, в которую укладывается сетевой шнур 1 и контактные зажимы 4.

6. ПОДГОТОВКА И ПОРЯДОК  РАБОТЫ

Вынуть из ниши (рис. 3) сетевой шнур и контактные зажимы.
Установить устройство устойчиво на ручку (подставку) 1 (рис. 4).
Установить ручку в крайнее левое положение.
Подключить контактные зажимы устройства к выводам аккумуляторной батареи, соблюдая полярность:
«+» зажима устройства к  «+» аккумуляторной батареи;
«-» зажима устройства к « – » аккумуляторной батареи.
Включить устройство в сеть переменного тока напряжением 220 В, при этом на лицевой панели загорится светодиод СЕТЬ.
Поворотом ручки установить по индикатору тока необходимый ток заряда.
При заряде аккумуляторной батареи ток заряда в первый момент может возрастать, а затем по мере заряда постепенно уменьшается, что является признаком увеличения ЭДС аккумуляторной батареи. Для улучшения режима заряда аккумулятора через 6 – 8 часов ток заряда автоматически уменьшится в 1,3 – 2,5 раза.
Через  (10,5±1) ч устройство автоматически отключается от аккумуляторной батареи, причем на лицевой панели   загорится  светодиод.
При непредвиденном отключении сети может нарушиться 10-часовой цикл заряда, это надо учитывать при подсчете времени заряда.
При заряде глубоко разряженных аккумуляторов цикл заряда следует повторить.

7.    ПРАВИЛА    ХРАНЕНИЯ

Зарядное устройство в заводской упаковке должно храниться в проветриваемых помещениях при температуре воздуха от + 1° до +40° С, относительной влажности до 80%, при отсутствии в воздухе газов и щелочей, паров кислот, вызывающих коррозию.

8. ВОЗМОЖНЫЕ НЕИСПРАВНОСТИ И МЕТОДЫ ИХ УСТРАНЕНИЯ

Устройство зарядное просто и надежно в   эксплуатации.
Однако, в практике имеются случаи, когда потребители из-за неправильного использования не могут получить необходимый зарядный ток и ошибочно считают это неисправностью зарядного устройства. Эти ошибки сведены в таблице 1. 

Перечень возможных неисправностей и методы их устранения

 

 

 

ТАБЛИЦА 1

Наименование неисправностей, внешнее проявление и дополнительные признаки

 

Вероятная причина

Метод  устранения

Примечание 

1. При подключении зарядного устройства к аккумуляторной батарее отсутствует показание зарядного тока

1. Ручка недостаточно    повернута по часовой    стрелке

1. Вращением    ручки установить необходимый ток

 

 

2. Плохой контакт между выходными зажимами «+» и «-» и выводами аккумуляторной батареи

2. Проверить состояние выводов. При необходимости зачистить их

 

 

3.  Перепутана  полярность при подключении зарядного      устройства к выводам аккумуляторной батареи

3. Проверить полярность и подключить согласно рис. 4

 

 

4. Выходные зажимы «+» и
«-» замыкаются между собой

4.  Разомкнуть   зажимы

 

 

5. Короткое замыкание в аккумуляторной батарее или она чрезмерно  разряжена, напряжение на ней менее 4В)

5. Проверить аккумуляторную батарею, если устройство  исправно

Проверить   устройство   следующим  образом:     подключить  к  выходным  зажимам соблюдая полярность («+» к «+», «-» к  «-») любой источник  постоянного напряжения не менее 4 В (заведомо исправную аккумуляторную батарею или батарею из сухих элементов): вращая ручку проверить   по     амперметру наличие тока. Если ток заряда есть, то устройство    исправно, неисправность 
 следует искать  в  заряжаемой  аккумуляторной  батарее

2. При подключении зарядного устройства к аккумуляторной батарее стрелка амперметра зашкаливает

1.   Ручка выведена   вправо до конца

1. Установить ток вращением  ручки

против  часовой стрелки

 

3. При включении зарядного   устройства    в сеть не горит светодиод СЕТЬ

1. Сгорел предохранитель

1. Заменить предохранитель

 

9. СВИДЕТЕЛЬСТВО О ПРИЕМКЕ

Устройство зарядное с автоматическим  отключением УЗ-ПА-6/12-6.3-УХЛ3.1, заводской №____ соответствует техническим условиям 15МО.081.043 ТУ и признано годным  для эксплуатации. 

Дата выпуска  ____     199       г.

Штамп ОТК

Представитель ОТК

10. ГАРАНТИЙНЫЕ ОБЯЗАТЕЛЬСТВА

Изготовитель гарантирует соответствие устройства требованиям технических условий при соблюдении условий эксплуатации, транспортирования и хранения.
Гарантийный срок эксплуатации устанавливается 24 месяца со дня продажи через розничную сеть.
В гарантийных талонах на устройство должны быть проставлены номер и штамп магазина, наименование торга и дата продажи.
С предложениями, пожеланиями, претензиями по качеству изготовления и гарантийному ремонту в течение срока гарантии обращаться по адресу: 188900, г. Выборг, ул. Данилова, 15, Приборостроительный завод, т. 2-25-67.

11. ЦЕНА

Артикул 1С5 – 7581792

12. СВЕДЕНИЯ О СОДЕРЖАНИИ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ

Золото – 0,0550491 г.
Серебро – 0,5789296 г.

Завод-изготовитель постоянно работает над улучшением качества изделия и оставляет за собой право вносить непринципиальные изменения в схему и конструкцию устройства без отражения их в данном описании.

 

Универсальное мобильное зарядное устройство (ЗУ) Upp от NASA

 

Есть видео. Компания Intelligent Energy анонсировала выпуск портативного автономного зарядного устройства Upp на водородных элементах. Это ЗУ, прототип которого использовался в течение 50 лет астронавтами NASA. Теперь устройство удалось уменьшить в размерах для зарядки смартфонов, планшетов и прочей мобильной электроники.

Главная особенность Upp – это отсутствие необходимости заряжать собственную батарею. Для передачи энергии в смартфон используются 2 части: ячейка, производящая зарядку и топливный элемент в виде сменного картриджа с водородом. Кроме экологичности это означает, что для зарядки своего смартфона достаточно взять в поход соответствующее количество сменных картриджей.

По утверждению разработчика, одного водородного картриджа достаточно для пятикратной зарядки батареи среднего смартфона. Грубо говоря, его должно хватить на неделю интенсивного использования. При этом не важно, светит ли солнце и есть ли у вас доступ к электросети или обычному магазину батареек.

Upp способен заряжать любые устройства с портом USB от смартфонов и планшетов до камер, игровых консолей и т.п. При этом в него встроены датчики, контролирующие уровень зарядки.

Действие зарядного устройства (ЗУ) базируется на комбинировании воздуха с водородом. Для этого нужно просто присоединить топливный элемент к активной ячейке. При получении электроэнергии появляется побочный продукт – водяной пар.

Интересным является возможность многократного использования сменных картриджей. То есть для повторной зарядки смартфона их следует просто пополнить водородом. Для удобства универсальное зарядное устройство будет поставляться с приложением, которое дает возможность спрогнозировать уровень его использования и ответит на часто задаваемые вопросы.

В настоящее время компания запускает продажу в странах Южной Африки, начиная с ЮАР. Первые пользователи смогут оценить продукт уже в декабре 2013 года. А увидеть его можно уже сегодня, на проходящей в ЮАР выставке AfricaCom (стенд А10).

На данный момент не данных о времени выхода ЗУ в свободную продажу и его стоимости. Но судя по тому, что изначально оно рассчитано на африканского пользователя и африканских операторов мобильной связи, которые будут предлагать его в качестве аксессуара в районах с нестабильными поставками электроэнергии, Upp не может стоить дорого.

Использованы материалы:
intelligent-energy.com/about-us/media-room/news/company-news/2013/11/12/intelligent-energy-launches-upptm-portable-power-for-your-connected-devices

Следить за выпуском:
beupp.com/whats-upp/#upp-app

Источник: www.mobipukka.ru

Внимание! Перед покупкой товаров или услуг внимательно читайте отзывы! – Производители могут изменять их без уведомления! – Поэтому характеристики верны на момент публикации материала (см. дату статьи).

 

 

МЫ ВКОНТАКТЕ:

 

зарядные устройства

                           СТАБИЛИЗАТОР ТОКА ДЛЯ ЗАРЯДКИ АККУМУЛЯТОРОВ

Если в вашем хозяйстве есть какие – либо аккумуляторные батареи – вы можете самостоятельно изготовить простые стабилизаторы тока для их зарядки.

Рассмотрим сначала фабричное зарядное устройство типа “Электроника” ЗУ-05: 

Как видно из принципиальной схемы – это устройство собрано по так называемой бестрансформаторной схеме с реактивным сопротивлением (конденсаторы С1 и С2). Данное устройство предназначено для заряда от 1 до 4 аккумуляторов стабильным током 130 миллиампер. Если исключить из схемы один из реактивных конденсаторов – ток заряда уменьшится в два раза и составит 65 миллиампер. Аккумуляторы подключаются параллельно стабилитронам с соблюдением полярности. Отдельно следует сказать о стабилитронах. Эти стабилитроны служат эквивалентами аккумуляторных элементов для того, чтобы можно было заряжать одновременно от 1 до 4 элементов без использования переключателя. Когда элемент вставлен в ЗУ – на нем падает некоторое напряжение (зависит от степени заряда аккумулятора), которое может колебаться от 0,8 до 1,5 вольт (меньшее значение – при разряженном аккумуляторе, большее – при полностью заряженном). Это напряжение меньше, чем напряжение стабилизации стабилитрона. Стабилитрон закрыт. Если в ячейку не вставлен аккумулятор – стабилитрон открывается и пропускает ток. В данной схеме следует применять конденсаторы, рассчитанные на использование в цепях переменного тока (в заводском варианте применены конденсаторы типа К73-17С на рабочее напряжение 250 вольт). Если на место этих конденсаторов ставить конденсаторы, рассчитанные на постоянное напряжение – минимальное рабочее напряжение этих конденсаторов следует выбирать не менее 600 вольт. Резистор R1 служит для разрядки конденсаторов после отключения ЗУ от сети и на работу устройства не влияет. Его номинал может быть от 300 до 820 килоом. Резистор R2 должен иметь мощность рассеяния не менее 1 ватта. Этот резистор обеспечивает питание индикаторного светодиода. Свечение этого светодиода говорит о том, что через аккумуляторы течет ток зарядки…

Перед включением зарядного устройства в сеть – подключите аккумуляторные элементы!  Эксплуатируя данное устройство следует помнить, что его выходные клеммы имеют электрический контакт с сетью. Нельзя касаться во время работы ЗУ к его выходных клеммам  – можно получить удар электрическим током!

Схема более сложного зарядного устройства приведена ниже: 

Стабилизатор представляет собой простое устройство для поддержания стабильного тока на выходе.

Рассмотрим подробно работу стабилизатора: Сетевое напряжение поступает на первичную обмотку трансформатора. Со вторичной обмотки снимается низкое напряжение для питания устройства. Напряжение выпрямляется при помощи диодного моста. Пульсации сглаживаются при помощи конденсатора С1. На элементах R1-VD1 собран стабилизатор напряжения для питания базовой цепи транзистора. При помощи переменного резистора R2 можно регулировать ток стабилизации. При подаче на базу транзистора определенного напряжения – на эмиттере транзистора появляется напряжение, практически равное напряжению смещения на базу (на самом деле напряжение на эмиттере будет несколько ниже – на величину падения на переходе База-Эмиттер). Это напряжение будет оставаться неизменным несмотря на изменение сопротивления в цепи коллектора транзистора (любой источник тока – аккумулятор или гальванический элемент – обладает определенным внутренним сопротивлением, поэтому его можно рассматривать в данной схеме, как сопротивление нагрузки в коллекторной цепи транзистора). По мере заряда аккумулятора  – его внутреннее сопротивление уменьшается, что может привести к значительному увеличению зарядного тока, если не предусмотреть мер по стабилизации тока.

Максимальный ток, который можно получить от такого стабилизатора – зависит от сопротивления резистора R3 в эмиттерной цепи и от напряжения на базе транзистора. Напряжение на базе транзистора в данном случае ограничено при помощи стабилизатора напряжения и не может быть более 3,3 вольта. Резистор в эмиттерной цепи выбран номиналом в 33 ома. Исходя из этих данных – максимальный зарядный ток не может быть более I = U/R  , то есть не более 3,3-0,7(падение напряжения на переходе транзистора)/33 = 78 миллиампер.

О деталях: трансформатор использован готовый – типа ТВК-110Л от лампового черно-белого телевизора. Он имеет три обмотки. Для наших целей нужно использовать обмотку с максимальным сопротивлением (сетевая обмотка) и намотанную толстым проводом (вторичная обмотка). На вторичной обмотке после выпрямления получаем напряжение около 20 вольт, поэтому рабочее напряжение конденсатора С1 должно быть не менее 25 вольт. Емкость этого конденсатора может быть в пределах 200…1000 микрофарад. Вместо стабилитрона КС133А можно применить КС433А. Не стоит использовать стеклянные стабилитроны (с буквой “Г”) – режим работы этой детали довольно жесткий – стеклянный стабилитрон может выйти из строя от перегрева. Переменный резистор может быть любого типа, номиналом от 750 ом до 3,3 килоом. Транзистор можно заменить на КТ829. Транзистор обязательно должен быть снабжён пластиной – теплоотводом, площадью не менее 50 квадратных сантиметров. В качестве теплоотвода можно применить медную или алюминиевую пластинку с размерами не менее, чем 5 на 5 сантиметров и толщиной не менее 1 миллиметра. Для уменьшения габаритов теплоотвода – пластинку можно согнуть, например в виде П-образной скобки. Здесь можно использовать и готовый теплоотвод промышленного производства с соответствующей площадью поверхности. Очень удобен  такой вариант, когда задняя стенка корпуса ЗУ изготовлена из металла и является теплоотводом для транзистора (только желательно в этом случае крепить транзистор к теплоотводу через изоляционную пластинку, например из слюды). Резистор R3 должен быть рассчитан на мощность рассеяния не менее 2 ватт. Приблизительно можно подсчитать мощность рассеивающуюся на этом резисторе по формуле P= U*I (падение напряжения на резисторе, умноженное на протекающий в его цепи ток), то есть 3,3(вольта)*0,1(ампера) = 0,33 (ватта). На самом деле, казалось бы, что можно применить резистор с мощностью 0,5 ватта, но при этом температура корпуса резистора будет более 100 градусов, что приведет к нагреву всего блока и, в конечном счете, к понижению надежности всей схемы.  Вместо диодного моста можно применить четыре отдельных диода на выпрямленный ток не менее 100 миллиампер, например типа КД105, КД208, Д226 и т.п. Измерительного прибора (А) может и не быть, если на ось переменного резистора надеть ручку – “клювик”  и произвести предварительно градуировку, используя, например, цифровой миллиамперметр типа DT830. Можно также изготовить стабилизатор тока на несколько фиксированных значений, равных 1/10 от ёмкости имеющихся у вас аккумуляторов, но тогда переменный резистор удобнее  заменить подстроечным и вместо резистора R3 использовать несколько штук, произведя предварительно их расчёт на требуемые величины тока стабилизации. Переключать резисторы (во избежании порчи транзистора) нужно так называемым “безобрывным” переключением, фрагмент схемы которого приведён ниже.  Вторую секцию переключателя в данном варианте удобно использовать и для коммутации сетевого напряжения (попросту говоря – использовать в режиме выключателя).  

Окончательно ток стабилизации подстраиваем при помощи резистора в цепи базы на одном из режимов. Точность поддержания тока на остальных режимах будет зависеть от точности выбора соответствующих резисторов.

Для стабилизации тока зарядки вполне можно использовать и микросхемы-стабилизаторы напряжения. Для примера ниже показана схема простого стабилизатора тока на микросхеме КР142ЕН12:

В данной схеме величина сопротивления резистора зависит от тока стабилизации схемы. Примерно величину этого резистора можно подсчитать по формуле (ВАЖНО! Сопротивление получим в Килоомах!!!).

Где In -ток нагрузки в Миллиамперах, 1,2 минимальное напряжение стабилизации данной микросхемы. Если использовать в качестве микросхемы, например 5-вольтовую КРЕН-ку, следует в формуле соответственно изменить данный коэффициент.

Данную схему удобно применить для питания мощных светодиодов… Только не следует забывать об эффективном теплоотводе от корпуса микросхемы, так как микросхема при работе существенно греется… Кстати – для приобретения теплоотводов могу порекомендовать неплохой Китайский сайт www.tinydeal.com  – здесь вы сможете найти недорогие  (правда и небольшие!) теплоотводы и другую полезную мелочь. Сайт работает с клиентами всего Мира, зарегистрированными в системе PayPal. Если вы испытываете затруднения с приобретением товаров на этом сайте – пишите мне на мой е-мэйл и я постараюсь вам помочь. В своей “помощи” я использую только предоплату и платежную систему QIWI. Имейте это ввиду (а также некоторый процент, получамый мною за посредничество).

Несколько слов об “малоомных” резисторах. Их можно получить либо из провода с высоким удельным сопротивлением (например – Нихром), либо путем параллельного соединения нескольких с большими номиналами. Если взять, к примеру, несколько “одноомных” резисторов и включить их в параллель, то получим общее сопротивление в N  раз меньшее, чем у первоисточников… Для примера: Имеем 5 резисторов по 15 Ом, включаем из в парралель  – получаем резистор с номиналом 15/5=3 Ома. При этом еще и суммируется максимальная мощность, которую можно рассеять на этих резисторах…

Для зарядки маломощных аккумуляторов также можно использовать и нетрадиционные источники энергии. Об использовании энергии солнца мы уже с вами беседовали (смотри ссылку). Также возможно использование “бесплатной” природной энергии ветра и воды…

Если задуматься –  для зарядки аккумуляторов можно использовать обычную радиотрансляционную сеть! Простейшая схема такого “девайса”  показана ниже:

Схема представляет собой двухполупериодный выпрямитель, нагруженный на батарею из четырех никель-кадмиевых аккумуляторов. Для исключения перезарядки аккумуляторов в качестве первого диода применен стабилитрон. В качестве второго диода использован светодиод – он также служит и для индикации режима заряда. Конденсатор в данной схеме должен быть на рабочее напряжение не менее 100 (лучше на 200) вольт!

Рисунок печатной платки приведен ниже:

Позже я расскажу вам, как использовать данный принцип в трансляционной радиоточке для приема радиостанции “Маяк”.

M адресов на чип. Микросхемы полупроводниковой памяти разработаны с определенной длиной слова (которая представляет собой количество 1-битных ячеек с одним и тем же адресом памяти). Количество данных, которые могут быть сохранены в микросхеме памяти, определяет количество бит. Посредством комбинации нескольких интегральных схем память может быть устроена для большей длины слова и / или большего адресного пространства, чем то, что изначально предлагается микросхемой.

Типы запоминающих устройств

Существует несколько различных типов запоминающих устройств, подходящих для программирования в Future Electronics.У нас есть многие из наиболее распространенных типов, которые классифицируются по нескольким параметрам, включая номинальное напряжение питания, температурный диапазон, организацию памяти, максимальное время доступа, плотность памяти, тип интерфейса, режим работы и тип упаковки, среди прочего. Наши параметрические фильтры позволят вам уточнить результаты поиска в соответствии с необходимыми спецификациями.

Устройства памяти от Future Electronics

Future Electronics предлагает широкий спектр программируемых запоминающих устройств от нескольких производителей.Как только вы решите, нужна ли вам SRAM с батарейным питанием, комбинированная флэш-память, DRAM, двухпортовая память, EEPROM, EPROM, FIFO, флэш-память, FRAM, MRAM, энергонезависимая SRAM, память PSD, статическая RAM или энергозависимая память, вы сможете выбрать один из их технических атрибутов, и результаты поиска будут сужены в соответствии с потребностями вашего конкретного приложения для запоминающего устройства.

Мы работаем с несколькими производителями, такими как Alliance Memory Inc, Cypress, Everspin Technologies, Greenliant, Macronix, Microchip, ON Semiconductor, Renesas Electronics, Simtek и STMicroelectronics, среди других.Вы можете легко уточнить результаты поиска по продуктам памяти, выбрав предпочитаемую марку памяти из списка производителей ниже.

Приложения для запоминающих устройств:

Все типы электронных устройств могут использовать полупроводниковые микросхемы памяти. Их можно найти во многих областях: ПК, цифровые камеры, ноутбуки, смарт-карты, аэрокосмические и военные системы, сотовые телефоны и смартфоны, цифровые музыкальные устройства и медиаплееры, цифровые камеры, базовые станции сотовой связи, решения для черного ящика, книги. считыватели, КПК, измерители мощности, системы безопасности и съемные запоминающие устройства, среди прочего.Флэш-технологии можно найти в BIOS компьютеров, картах PCMCIA, картриджах для видеоигр и модемах. Мосты, маршрутизаторы и коммутаторы используют память FIFO в коммуникациях и сетях для хранения пакетов данных, которые направляются к заданному месту назначения.

Выбор подходящего устройства памяти:

С помощью параметрического поиска FutureElectronics.com при поиске подходящих устройств памяти вы можете фильтровать результаты по категориям. У нас есть следующие категории запоминающих устройств:

  • SRAM с батарейным питанием
  • Combo Flash
  • DRAM
  • Dual Ports
  • EEPROM
  • EPROM
  • FIFO
  • Flash
  • FRAM
  • MRAM
  • Non Volatile SRAM
  • PSD (Программирование системных устройств)
  • Статическое ОЗУ
  • Энергозависимая память

После выбора категории памяти вы можете сузить их по различным атрибутам: номинальное напряжение питания, организация памяти, максимальное время доступа, плотность памяти и температура сорт, чтобы назвать несколько. Используя эти фильтры, вы сможете найти подходящую комбинированную флэш-память, DRAM, SRAM с питанием от аккумулятора, двухпортовую память, EPROM, FIFO, флэш-память, EEPROM, энергонезависимую SRAM, память PSD, FRAM, MRAM, энергозависимую память или статическую RAM. .

Устройства памяти в готовой к производству упаковке или в количестве для НИОКР

Если количество запоминающих устройств, которое вам требуется, меньше, чем полная катушка, мы предлагаем нашим клиентам несколько наших программируемых запоминающих устройств в лотке, тубусе или отдельных количествах, которые будут поможет вам избежать ненужных излишков.

Future Electronics также предлагает своим клиентам уникальную программу складских запасов, предназначенную для устранения потенциальных проблем, которые могут возникнуть из-за непредсказуемых поставок продуктов, которые могут содержать необработанные металлы, и продуктов с нестабильным или длительным сроком поставки. Поговорите с ближайшим отделением Future Electronics и узнайте больше о том, как вы и ваша компания можете избежать возможного дефицита.

Память Электроника | Delkin Devices

Электроника памяти – внутренние или внешние запоминающие устройства для вычислительных систем, которые используют электронику для записи и чтения данных – в значительной степени заменила запоминающие устройства на магнитной ленте, такие как жесткие диски.Электронная память лежит в основе флеш-памяти, которая используется в огромном количестве различных устройств и приложений. Сюда входит все, от потребительских мобильных телефонов и фотоаппаратов до высокотехнологичных промышленных систем на транспорте и в здравоохранении, которые обрабатывают критически важные данные. Двумя наиболее распространенными формами электронной памяти являются энергозависимая и энергонезависимая память. Оба они играют роль в современных вычислительных системах.

Энергозависимая и энергонезависимая память

Разница между энергозависимой и энергонезависимой памятью заключается в том, что происходит с данными при отключении питания от системы памяти. В энергозависимой памяти информация теряется при отключении питания. Пример энергозависимой памяти – DRAM. Энергонезависимая память – это память, которая продолжает хранить данные даже при отключении питания. Самая распространенная форма энергонезависимой памяти – это флэш-память. Для обоих типов памяти наличие и количество электронных зарядов или их отсутствие определяют, как данные читаются или записываются.

Флэш-память

Большинство дизайнеров и OEM-производителей, ищущих электронную память, ищут энергонезависимую флеш-память.Во флэш-памяти электронные заряды разного напряжения позволяют программировать и считывать данные с микросхем памяти. Существуют различные типы флэш-памяти, от флэш-памяти TLC, в которой три или более бита данных хранятся в каждой ячейке устройства памяти, до флэш-памяти SLC, в которой на каждую ячейку хранится один бит данных. Флэш-память SLC – это самый надежный, самый быстрый и долговечный вид флэш-памяти.

Проблемы с электроникой памяти

Электронная память считается намного более надежной, чем память на магнитной ленте. Тем не менее, это создает некоторые проблемы. Утечка между ячейками – одна из самых больших проблем, в то время как продолжительность жизни также может быть проблемой для такого типа памяти. Выбор подходящего класса для рассматриваемого устройства может смягчить эти проблемы.

Позвольте группе экспертов по продуктам Delkin помочь вам сориентироваться в выборе, когда дело касается электроники памяти. Свяжитесь с нами сегодня, чтобы получить дополнительную информацию о наших решениях для надежного хранения.

ЗАКАЖИТЕ ПРОМЫШЛЕННОЕ ФЛЕШ-ХРАНЕНИЕ DELKIN СЕГОДНЯ через нашего партнера по сбыту в Ньюарке.

Компьютерная память – типы компьютерной памяти и их приложения

Различные типы компьютерной памяти и их приложения

Как и человеческий мозг, цифровые устройства, такие как компьютер, микроконтроллер и смартфон, нуждаются в пространстве для хранения информации и инструкций, это пространство хранения называется памятью или «памятью компьютера», а строительный блок памяти называется ячейкой памяти. Проще говоря, память – это электронная схема или устройство, способное хранить информацию временно или постоянно.

Типы компьютерной памяти

Компьютерная память подразделяется на три основных типа; Кэш-память , Первичная память и Вторичная память .

Кэш-память

Кэш-память – это самый быстрый тип памяти, который действует как буфер для хранения временных данных между процессором и памятью данных. Он хранит необходимые данные, часто используемые ЦП, чтобы он мог легко получить к ним доступ.Это самый дорогой тип памяти, и он встроен в микросхему ЦП.

Первичная память:

Первичная память, или первичная память, или основная память – это тип компьютерной памяти, к которой ЦП напрямую обращается. Это позволяет процессору быстро извлекать и выполнять инструкции и команды, хранящиеся в этой памяти.

Первичная память хранит все необходимые данные при запуске, чтобы процессор мог использовать их, когда это необходимо для программного кода. В нем хранятся данные, которые часто используются ЦП. Это быстро и дорого, чем вторичная память с очень малой емкостью. Первичная память может хранить данные постоянно, например ROM , и временно, например RAM .

Основная память подразделяется на следующие два типа; RAM и ROM.

RAM (оперативная память)

RAM – это аббревиатура от Random Access Memory , и это тип первичной памяти, в которой хранится информация или данные, временно используемые процессором, пока система работает. Бег.Она также называется энергозависимой памятью, потому что содержимое данных, хранящихся в ее модулях, стирается при отключении питания. Таким образом, им нужен постоянный источник энергии для сохранения этой информации.

ОЗУ бывает еще двух типов, и они кратко описаны ниже;

DRAM (динамическое ОЗУ)

DRAM или Динамическое ОЗУ (динамическое оперативное запоминающее устройство) – это тип ОЗУ, в котором ячейка памяти компьютера, используемая для хранения битов данных, состоит из конденсатора и транзистора. Из-за тока утечки конденсатора ячейка не может сохранять информацию слишком долго. Следовательно, DRAM необходимо обновлять или перезаряжать через определенное время для сохранения данных.

Поскольку ячейка памяти DRAM состоит из одного транзистора, в одной микросхеме можно спроектировать больше ячеек памяти, чтобы увеличить плотность хранения DRAM. И цена за ячейку снижена, поэтому они недорогие.

Преимущества DRAM

Вот некоторые из преимуществ DRAM

  • Каждая ячейка памяти состоит только из одного транзистора, поэтому ее конструкция проста.
  • Плотность бит на кристалл выше.
  • Стоимость одного бита относительно невысока.
  • DRAM стоит недорого.
  • Низкое энергопотребление, поскольку данные хранятся в конденсаторе.

Связанный пост: Типы диодов и их применение – 24 типа диодов

Недостатки DRAM

Вот некоторые из недостатков DRAM;

  • Память энергозависима.
  • Ячейка должна обновляться с постоянной скоростью для сохранения данных.
  • Освежение требует дополнительной энергии.
  • Схема, необходимая для обновления, сложна.
  • DRAM работает относительно медленнее, чем SRAM

DRAM используется в качестве основной памяти. Это внешняя память, размещенная снаружи на материнской плате.

SRAM (статическая RAM)

SRAM или Static RAM – это еще один тип первичной памяти, в которой данные хранятся с помощью триггеров и защелок. Триггер представляет собой ячейку памяти SRAM и состоит из нескольких логических вентилей, состоящих из транзисторов.Нет тока утечки, поэтому его не нужно обновлять, в отличие от DRAM.

Каждая ячейка памяти, используемая для хранения одного бита данных, состоит из 6 транзисторов. Таким образом, цена за бит SRAM больше, чем у DRAM, и для хранения того же объема данных требуется больше физического пространства на кристалле. Следовательно, емкость SRAM ниже, чем DRAM.

Преимущества SRAM

Вот некоторые из преимуществ SRAM над DRAM

  • Отсутствует ток утечки, поэтому его не нужно обновлять.
  • Из-за отсутствия необходимости в обновлении. Время доступа быстрее.
  • Это внутренняя память, которая также увеличивает скорость его работы.
  • Не требует дополнительных схем для обновления.
  • Это относительно намного быстрее, чем DRAM.

Недостатки SRAM

  • Каждая ячейка состоит из 6 транзисторов, которым требуется больше места, чем DRAM.
  • Это дороже, чем DRAM.
  • Из-за большого физического пространства для каждого бита он имеет очень низкую емкость хранения.
  • Память энергозависима, т.е. данные стираются при отключении питания.
  • Он потребляет больше энергии, чем DRAM, из-за большого количества транзисторов и постоянного источника питания.

Похожие сообщения: Типы микросхем. Классификация интегральных схем и их ограничения

ROM (постоянное запоминающее устройство)

ROM или постоянное запоминающее устройство – это энергонезависимый тип первичной памяти, т.е. стираются при выключении питания.Эти данные хранятся во время производства и не могут быть изменены любым пользователем. Вот почему она называется постоянным запоминающим устройством .

ПЗУ работает медленнее, чем ОЗУ, поскольку ЦП не может получить доступ к своим данным. Данные сначала необходимо передать в ОЗУ, где ЦП может получить к ним доступ. Он содержит только необходимые инструкции по запуску системы.

Характеристики ПЗУ

  • Это энергонезависимая память или постоянная память.
  • В нем хранятся инструкции, касающиеся запуска (и программного кода) микроконтроллера или компьютера.
  • ЦП не может получить прямой доступ к своим данным.
  • Его можно записывать один раз и читать несколько раз.
  • Ему не требуется питание для хранения данных.
  • У него очень низкая пропускная способность.
  • Он медленнее, чем RAM
  • Он сравнительно дешевле, чем RAM

ПЗУ подразделяется на следующие типы:

PROM (программируемая память только для чтения)

PROM означает Programmable Read-only Память – это тип ПЗУ, в котором каждая ячейка памяти программируется после ее изготовления.Черные PROM изготавливаются во время производства, а затем программируются во время производства устройств, для которых они используются. Разница между ПЗУ и ППЗУ заключается в том, что ПЗУ программируется во время производства, а ППЗУ – после его изготовления.

Данные в каждой ячейке хранятся и поддерживаются предохранителем. Во время изготовления все предохранители целы и показывают «0». Предохранитель перегорает с помощью импульса высокого напряжения, который затем показывает «1». Таким образом, PROM программируется путем перегорания предохранителей для выбранных битовых ячеек, которые должны быть равны «1», с помощью специального программатора, называемого PROM Programmer.

Поскольку перегоревший или сгоревший предохранитель не подлежит восстановлению, их можно запрограммировать только один раз. И они могут быть прочитаны несколько раз, поэтому это постоянная память.

EPROM (стираемая программируемая постоянная память)

EPROM или также известная как EROM – это модифицированный тип PROM, который является энергонезависимой памятью. В отличие от PROM, данные EPROM можно стереть после того, как они запрограммированы, подвергнув их воздействию УФ (ультрафиолетового) источника света.

Ячейки изготовлены из транзистора с плавающим затвором, который программируется путем подачи высокого напряжения, которое создает лавинный разряд электронов для накопления их в электроде затвора.Благодаря изоляции затвора заряд не протекает и хранится постоянно. Этот процесс нельзя обратить вспять с помощью электричества, но воздействие ультрафиолетового излучения может рассеять заряд и стереть данные внутри.

Чипы EPROM имеют кварцевое окно для проникновения ультрафиолетового света, и они легко узнаваемы. Поскольку весь кристалл открыт, невозможно стереть какой-либо конкретный байт данных, но вся память очищается. Его нужно вынуть из схемы и поместить под УФ-лампу.Чтобы полностью стереть память, требуется несколько минут экспонирования.

EEPROM (электрически стираемая программируемая постоянная память)

EEROM означает электрически стираемая программируемая постоянная память и представляет собой тип PROM, отдельные байты которого можно стирать и перепрограммировать. Он разработан для замены функции УФ-стирания СППЗУ, и его можно стирать и перепрограммировать внутри схемы с помощью специальной схемы программирования.

Из-за однобайтовой работы они относительно медленнее, в то время как флэш-память, являющаяся типом EEPROM, специально разработана для обеспечения высокой скорости. Флэш-память имеет ограниченные циклы перепрограммирования около 10 КБ, в то время как последние модели EEPROM могут иметь 1 миллион циклов. EEPROM дороже, чем флэш-память, но у флэш-памяти есть недостаток в виде большого блока стирания.

Вторичная память

Вторичная память – это широкий термин, используемый для компьютерной памяти , которая используется для долговременного хранения данных.Это широко известно как хранилище системы. Это энергонезависимая память, в которой можно постоянно хранить данные без необходимости в источнике питания. ЦП не имеет прямого доступа к вторичной памяти. Данные сначала сохраняются в ОЗУ первичной памяти, к которой затем обращается ЦП.

Вторичная память также известна как внешняя память. Он имеет огромный объем дискового пространства с относительно низкой скоростью и дешевле, чем основная память. Он используется для хранения резервных копий.

Вторичная память подразделяется на фиксированную и съемную;

Фиксированная память

Вспомогательная память этого типа фиксируется внутри системы.Фиксированная память означает, что она не удаляется во время работы, это не означает, что она в буквальном смысле исправлена. Его можно удалить с помощью подходящего набора инструментов для модернизации или замены. Вот несколько примеров фиксированных воспоминаний; HDD (жесткий диск), SSD (твердотельный диск) и т. Д.

Съемная память

Этот тип вторичной памяти часто называют внешней или переносной памятью. Этот тип памяти или запоминающего устройства можно удалить, даже когда система работает.Для их удаления не требуется никаких специальных инструментов.

Они предлагают портативную форму памяти, которую можно переносить из одной системы в другую. В основном они используются в качестве устройств хранения резервных копий. Примерами съемных запоминающих устройств являются оптические диски, такие как компакт-диски, DVD-диски, диски Blu-ray и т. Д., Для чтения которых требуются оптические приводы, а также флеш-накопители, такие как USB-накопители, которые можно подключать к любому USB-порту.

Вторичная память может быть разделена на следующие типы памяти

Магнитная память

Магнитная память или магнитный носитель данных – это форма энергонезависимой вторичной памяти, в которой для хранения данных используется любой тип намагниченного носителя.Две магнитные полярности используются для обозначения «1» и «0» цифровых данных.

Головка движется по круговому вращающемуся магнитному диску и считывает данные в виде магнитных полярностей. Поскольку данные хранятся на магнитном носителе, они могут быть легко повреждены вблизи любого внешнего магнитного поля. Он также не выдерживает ударов при падении. Это относительно медленнее и дешевле, чем память твердотельного компьютера.

Это наиболее распространенный тип вторичной памяти, используемой почти в каждом компьютере и ноутбуке.Примеры магнитной памяти: жесткий диск, дискета и магнитные ленты.

Магнитная память может быть закреплена внутри, например, жесткие диски, переносная или съемная, например, гибкие диски и внешние жесткие диски, которые можно подключать через порт USB.

Оптическая память

Оптическая память или оптическая память, как следует из названия, представляет собой тип памяти, который хранит и считывает информацию с помощью света. Данные хранятся на съемном диске, называемом оптическим диском, а устройство, используемое для хранения и чтения данных, называется оптическим приводом.

Оптический привод оснащен острым лазерным лучом, который используется для хранения и чтения данных в виде меток на оптическом диске, который вращается внутри него. Раньше использовались оптические запоминающие устройства, предназначенные только для чтения, то есть мы могли только получить к ним доступ и не могли изменять содержимое диска. В настоящее время мы можем записывать их с помощью специальных дисководов.

Они дешевые, портативные и легкие. Примеры оптических запоминающих устройств: CD, DVD, Blu-ray и т. Д.

Твердотельная память SSD

Твердотельная память или твердотельный накопитель (SSD) – это электронное запоминающее устройство, которое постоянно хранит данные в электронной схеме. Нет движущихся частей, таких как вращающийся диск, магнитные диски или головки чтения-записи. Так что они устойчивы к любым ударам от падения.

Твердотельная компьютерная память использует флэш-память, которая очень быстрая, но дорогая, чем магнитная или оптическая память. Они используются в качестве устройства хранения резервных копий или для передачи данных из одной системы в другую.Они компактны, имеют небольшой размер и очень низкое энергопотребление.

SSD доступны как фиксированная внутренняя память, используемая в компьютерах и смартфонах, и как внешняя портативная память, такая как ручка или USB-накопители и карты памяти.

Похожие сообщения:

Что такое полупроводниковая память? | Основы электроники

Полупроводниковая память – это тип полупроводникового устройства, предназначенного для хранения данных. Мы можем использовать два электронных носителя данных: магнитный или оптический.

Магнитный накопитель:

  • Хранит данные в магнитной форме.
  • Подвержены влиянию магнитных полей.
  • Имеет большую емкость хранения.
  • Не использует лазер для чтения / записи данных.
  • Магнитные запоминающие устройства бывают; Жесткий диск, дискета, магнитная лента и т. Д.

Оптический накопитель:

  • Хранит данные оптически, использует лазер для чтения / записи.
  • Не подвержен влиянию магнитных полей.
  • Имеет меньше памяти, чем жесткий диск.
  • Доступ к данным высок по сравнению с дискетой.
  • Оптические запоминающие устройства: CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD и т. Д.

Также есть энергозависимая память. Это память, которая теряет свои данные при отключении питания, в то время как энергонезависимая память сохраняет данные даже без питания.

Типы полупроводниковой памяти

* RAM (оперативная память): позволяет чтение / запись сохраненного содержимого

* ROM (постоянное запоминающее устройство): разрешает только операцию чтения

Характеристики различных типов памяти

Параметр RAM ROM
Волатильность Не волатильность
SRAM DRAM FeRAM Маска ROM СППЗУ EEPROM ВСПЫШКА
Метод хранения данных Смещение напряжения Смещение напряжения
+
Обновить
Ненужное
Нет.операций чтения 10 миллиардов от
до
1 триллион, умноженный на
Кол-во перезаписей 0 раз 100 раз От 100000 до 1 миллиона раз От 10000 до 100000 раз
Пишите на подложке Возможно Возможно Возможно × × Возможно Возможно
Время чтения
Время записи
Стоимость долота
Большая емкость
Ячейка памяти

Хранится в схеме триггера

Поддерживает заряд в конденсаторе

Поляризация сегнетоэлектрического материала

Ионы, имплантированные в транзистор

Поддерживает заряд в плавающих воротах

Поддерживает заряд в плавающих воротах

Поддерживает заряд в плавающих воротах

ПамятьПоиск продукта

воспоминаний в цифровой электронике – классификация и характеристики

Если вы вспомните свои школьные годы, вы, возможно, поразитесь огромному количеству вещей, которые вам пришлось выучить и запомнить.Все мы изучали сложные математические и научные концепции. И мы забили себе мозг подробным описанием исторических фактов и цифр. И мы даже помещаем эти знания в свои бланки для ответов во время экзаменов. Объем информации, которую наш мозг может принять и хранить, просто фантастический. Точно так же в мире компьютеров существует концепция цифровой памяти , которая помогает им хранить данные.

В компьютерах память является наиболее важным компонентом для нормального функционирования любой системы – для хранения данных, выполнения вычислений, выполнения сложных операций и т. Д.Мы знаем, что почти вся наша информация и данные хранятся на жестком диске в процессоре. Жесткий диск / жесткий диск / жесткий диск имеет самый большой объем памяти в компьютерной системе. Но многие важные данные о вычислительном устройстве хранятся в том, что мы будем изучать в этой статье, известном как первичная память.

Спросите себя, имеет ли смысл обращаться к жесткому диску для каждого небольшого действия? Если нам нужно найти кусок простой информации, стоит ли заставлять компьютер просматривать гигабайты памяти только для одной второстепенной информации? Не снижает ли это эффективность системы? Разве не должно быть отдельных систем памяти, которые обрабатывают данные, критически важные для работы компьютера?

Это все отличные вопросы, и если эти мысли возникают у вас в голове, спасибо за ваш мыслительный процесс.Мы ответим на эти вопросы в этой публикации.

Основная и дополнительная память компьютера

Помимо жесткого диска, наш компьютер имеет два других типа памяти. Эти типы памяти используются для хранения небольших объемов памяти или часто используемых данных, к которым необходимо легко получить доступ.

Это решает проблему просмотра всего содержимого жесткого диска, а также экономит время и электроэнергию. Компьютерная память в основном бывает двух типов –

  • Первичная память (RAM и ROM) и
  • Вторичная память (жесткий диск, компакт-диск и т. Д.).).

Первичная память также известна как системная память , тогда как вторичная память называется хранилищем . Вторичная память физически расположена внутри отдельных запоминающих устройств, таких как жесткий диск или твердотельный накопитель (SSD).

Вторичная память подключается к компьютеру напрямую или по сети. Судя по их большим размерам, стоимость гигабайта вторичной памяти довольно низка. Однако скорость операций чтения / записи также значительно ниже.

Основная память расположена рядом с центральным процессором на материнской плате. Эта близость позволяет ЦП немедленно получать доступ к информации. Таким образом, процессор мгновенно реагирует на любую необходимую информацию без особых задержек. Это дорого, но очень быстро. Иерархия памяти

Оперативная память (RAM) является первичной энергозависимой, тогда как постоянная память (ROM) является первичной энергонезависимой.

Неустойчивый? Что такое энергозависимая память и энергонезависимая память?

Энергозависимая память – это память, в которой хранятся данные только при подаче питания на систему.Как только система теряет питание, все данные, находящиеся в памяти, удаляются. Напротив, энергонезависимая память – это память, которая не теряет содержимое памяти при отсутствии питания. Таким образом, если вы работаете над чем-то важным и может использоваться энергозависимая память, такая как ОЗУ, рекомендуется повторно сохранять ее. Если вы по ошибке закроете приложение или устройство неожиданно выключится из-за отключения электроэнергии, вы потеряете весь прогресс, над которым вы работали.

Под энергозависимой памятью есть два типа ОЗУ –

  • SRAM (статическая память с произвольным доступом) и
  • DRAM (динамическая память с произвольным доступом).

RAM

RAM ( Random-Access Memory ) – это тип энергозависимой памяти, которая помогает хранить и извлекать информацию на компьютере. Доступ к информации в ОЗУ осуществляется в произвольном порядке, т.е. случайным образом; отсюда и название – оперативная память.

Когда мы включаем компьютер, BIOS загружает в память части ОС и драйверы. Это позволяет процессору быстрее работать с инструкциями и ускоряет процесс загрузки.После загрузки ОС каждая программа, которую вы запускаете, сначала загружается в ОЗУ.

Поскольку оперативная память играет такую ​​важную роль, ее объем имеет большое значение.

Если на компьютере недостаточно памяти для загрузки ОС и обработки запущенных на нем программ, это повлияет на производительность и замедлит работу системы. Следовательно, чем больше объем памяти компьютера, тем больше программного обеспечения и программ он может запускать и повышать эффективность ПК.

Обычный компьютер обычно имеет около 8 ГБ ОЗУ. Новые системы могут похвастаться наличием до 64 ГБ. Если вы используете программы и программное обеспечение, которые занимают много места, например Adobe, Photoshop и т. Д., Вам может потребоваться более значительная оперативная память. Но даже если у вас достаточно памяти, но одновременно работает много программ, это может замедлить операцию выборки памяти из ОЗУ. Далее мы обсудим различные типы оперативной памяти.

Типы ОЗУ

SRAM

Статическое ОЗУ – это тип памяти с произвольным доступом, который сохраняет информацию до тех пор, пока на SRAM подается питание.Его не нужно периодически обновлять.

Но почему обозначено как « Static »? Это связано с тем, что данные хранятся статически, без необходимости обновления, то есть информация в памяти сохраняется в памяти до тех пор, пока подается питание.

SRAM обеспечивает более быстрый доступ к данным и стоит дороже, чем следующий тип оперативной памяти, которую мы будем обсуждать, – DRAM.

Когда мы хотим найти часть данных в любой памяти, требуется время, чтобы получить доступ к информации из памяти и вернуть статус ее доступности и данные (если они есть).Время, затраченное на это действие, называется Время доступа . SRAM имеет малое время доступа, составляющее около десяти наносекунд. SRAM с 6 полевыми МОП-транзисторами

Внутренняя структура SRAM состоит из шести транзисторов. Два транзистора, то есть транзистор 5 и 6, являются проходными транзисторами, которые подключены к разрядным шинам. Они используются во время операций чтения-записи для управления доступностью ячейки памяти. Остальные четыре транзистора (т.е.е. Транзисторы 1 , 2 , 3 и 4 ) образуют два перекрестно связанных инвертора. Таким образом, транзисторы , 1 и 2, , образуют одну пару КМОП-инверторов, а оставшиеся два транзистора, , 3 и 4, , образуют другую пару КМОП-инверторов. Из-за сложной архитектуры SRAM производство этой памяти стоит дороже. Теперь мы рассмотрим упрощенную схему. Упрощенная структура SRAM

Таким образом, SRAM хранит бит информации между этими двумя инверторами с перекрестной связью.Два стабильных состояния инверторов характеризуют 0 и 1. Если мы дадим вход для любого транзистора как 1, его выход будет равен нулю, таким образом действуя как вход для следующего инвертора, выход которого равен 1, и таким образом система остается работает до тех пор, пока присутствует питание.

У нас также может быть другая конфигурация системы только с четырьмя транзисторами в архитектуре. SRAM с 4 полевыми МОП-транзисторами

Единственное отличие в этой схеме состоит в том, что PMOS заменен резисторами с высоким импедансом. Таким образом, уменьшается количество используемых транзисторов.Единственным недостатком этой схемы является постоянное рассеивание мощности через резисторы, что приводит к нагреву системы и, таким образом, может ухудшить производительность и сократить срок службы SRAM.

Из-за сложной архитектуры и высокой стоимости производства оперативной памятью на большинстве материнских плат компьютеров является DRAM.

Применение SRAM

Из-за высокой скорости работы SRAM используется для кэш-памяти и как часть цифро-аналогового преобразователя на видеокартах.Он также встречается на компакт-дисках, принтерах, маршрутизаторах, DVD и цифровых камерах.

DRAM

Динамическое ОЗУ, также называемое DRAM, является наиболее распространенным типом ОЗУ в компьютере. Он называется «динамическим», потому что систему необходимо часто активировать или делать «динамической», чтобы она не теряла свою информацию. Но почему он теряет информацию? Давайте узнаем об этом в следующем разделе. Чипы DRAM имеют время доступа от 50 до 150 наносекунд, что немного больше по сравнению с SRAM.Структура DRAM

Ячейка памяти DRAM состоит из транзистора и конденсатора в интегрированной системе. Бит данных хранится в конденсаторе. Поскольку мы используем ячейку DRAM, транзистор имеет небольшую утечку. Таким образом, конденсаторы со временем медленно разряжаются, и информация, содержащаяся в них, может истощиться. Следовательно, DRAM необходимо периодически обновлять, чтобы поддерживать данные, которые в ней хранятся. Микросхема интегральной схемы DRAM состоит из десятков и миллиардов ячеек памяти DRAM.

Приложения DRAM

DRAM – это основная память в компьютерах и видеокартах.Он также используется во многих портативных устройствах и игровых консолях.

Типы DRAM?
  • Synchronous DRAM (SDRAM) – SDRAM «синхронизирует» скорость памяти вместе с тактовой частотой процессора. Таким образом, контроллер памяти (представляющий собой цифровую схему, управляющую потоком данных из и в основную память) знает точный тактовый цикл, к которому требуемые данные будут готовы. Таким образом, эффективность ЦП повышается, и он может выполнять гораздо больше инструкций за один раз.Типичная SDRAM работает на частотах до 133 МГц.
  • Rambus DRAM (RDRAM) – Rambus DRAM назван в честь компании Rambus, которая ее представила. Он в основном использовался для видеоигр и компьютерных видеокарт со скоростью передачи данных до 1 ГГц.
  • SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR SDRAM) – Пропускная способность этой памяти почти вдвое превышает пропускную способность SDRAM с одинарной скоростью передачи данных (SDR). Он работает по принципу «двойной накачки» – это позволяет передавать данные как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала.На смену этому типу памяти пришли DDR2, DDR3, DDR4 и совсем недавно DDR5 SDRAM.

ROM

ROM ( постоянная память ) – это тип энергонезависимой памяти, которая помогает хранить и извлекать информацию на компьютере. Как следует из названия, этот тип памяти позволяет использовать память только для чтения. Поскольку он энергонезависим, ему не требуется постоянный источник питания для сохранения данных, хранящихся в нем. ПЗУ доступно только для чтения и не может легко изменять данные; таким образом, он в основном используется для прошивки.

Что такое прошивка?

Микропрограммное обеспечение – это программа или наборы инструкций, встроенные в оборудование. В нем есть инструкции о том, как устройство работает и взаимодействует с другими аппаратными компонентами, подключенными к системе. Поскольку к этой информации не нужно постоянно вмешиваться, объем памяти, хранящейся в ПЗУ, невелик.

Это важные инструкции для системы, такие как загрузка ОС в ОЗУ, запуск аппаратной диагностики и т. Д. Чипы ПЗУ также имеют решающее значение для базовой системы ввода / вывода (BIOS), чтения-записи на периферийные устройства, данных менеджмент и др.и программируются до того, как они будут включены в компьютерную систему.

Раньше ПЗУ нужно было удалить и физически изменить, чтобы изменить содержимое памяти. Но теперь есть новые типы ПЗУ, которые позволяют переписывать инструкции ограниченным числом . Мы обсудим эти особые типы ПЗУ.

Какие бывают типы ПЗУ?

PROM

Программируемое постоянное запоминающее устройство (или PROM) – это тип ROM, который можно программировать только один раз после его изготовления.

После начального программирования никакая другая информация не может быть изменена, и информация, записанная в PROM, является постоянной. Эта память также описывается как FPROM (программируемая постоянная память только для чтения) или OTP (одноразовая программируемая память).

Эта память лучше подходит для создания прототипов и небольших приложений. Процесс программирования памяти PROM известен как запись. Чтобы записать информацию в PROM, нам нужно предоставить файл, содержащий необходимое содержимое, которое будет введено в PROM.Затем Gang Programmer / Gang Burner настраивает каждое соединение, как представлено в файле.

При первоначальном создании ППЗУ все биты в памяти читаются как бит 1. Мы также можем рассматривать это как плавкие соединения.

Если какой-либо бит необходимо изменить на 0, он либо вытравливается, либо прожигается в ИС, то есть необходимо пропустить большое количество тока там, где нам не требуется соединение, и, таким образом, перегорает предохранитель. При этом, если в программе возникает какая-либо ошибка или требуется обновление информации, с этим ничего нельзя поделать.Весь чип выбрасывается, и вместо этого изготавливается новый чип PROM, в который вводятся те же данные. Программатор банды PROM

EPROM

Другой тип ROM, который часто заменяет PROM, – это EPROM или Стираемая программируемая постоянная память. Эта система использует полевой МОП-транзистор в качестве основного программируемого компонента в схеме. Этот MOSFET имеет «плавающий затвор», что означает, что затвор еще не подключен.

Когда необходимо программировать чип, электроны вводятся в этот плавающий затвор с использованием высокого напряжения, заставляя текущие электроны «туннелировать» в затвор.После прекращения подачи высокого напряжения эти электроны больше не могут убегать, заряжая затвор и, следовательно, программирование завершено.

Когда мы говорим «стираемая», мы имеем в виду, что информация может быть перезаписана (до некоторой степени). Чтобы стереть данные, записанные в СППЗУ, захваченные электроны необходимо возбудить, чтобы они покинули затвор полевого МОП-транзистора. Для этого используется ультрафиолетовый свет для перепрограммирования.

Микросхема EPROM находится под УФ-светом на некоторое время, от 5 до 30 минут, после чего эту память можно перезаписать.EPROM имеет маленькое круглое кварцевое окошко, через которое ультрафиолетовые лучи попадают на чип. По этой причине СППЗУ также называют «оконным ПЗУ».

Запрограммированный СППЗУ может хранить запрограммированные в нем данные в течение минимум 10-20 лет. EPROM можно перепрограммировать только на ограниченное количество стирания, так как чрезмерное стирание повреждает слой SiO2 и делает EPROM ненадежным Чипы EPROM и устройство программирования

EEPROM

электрически стираемая программируемая постоянная память , также Известный как EEPROM или E 2 PROM, это еще один тип ROM, который широко используется в вычислительных системах.Этот тип ПЗУ не только программируется электронным способом, но и стирание информации в памяти выполняется электронным способом.

В отличие от микросхем PROM и EPROM, микросхемы памяти EEPROM не нужно снимать для программирования, что исключает любые возможные задержки при исправлении или обновлении данных, содержащихся в памяти.

Единственная проблема, которая возникает, это то, что все содержимое памяти нужно перезаписывать, а не выборочное стирание. Как и EPROM, эта память может быть запрограммирована только ограниченное количество раз, примерно несколько сотен раз.Современные EEPROM можно запрограммировать около нескольких миллионов раз.

EEPROM откалиброваны как массив транзисторов с плавающим затвором. Одним из типов EEPROM является флэш-память, в которой может выполняться выборочное обновление информации.

EEPROM в основном используется в цифровых потенциометрах, цифровых датчиках температуры и часах реального времени.

Флэш-память
  • Флэш-память – это энергонезависимая память, используемая для хранения и передачи информации между устройствами.
  • Это усовершенствованная версия памяти EEPROM, в которой данные могут быть запрограммированы электронным способом, а также удалены.
  • Во флэш-памяти данные можно стирать поблочно. В то время как в EEPROM данные можно стирать побайтно.
  • Кроме того, на практике флэш-память перезаписывается постоянно, тогда как память EEPROM перезаписывается редко.
  • Как и EEPROM, флэш-память также реализует транзисторы с плавающим затвором или MOSFET с плавающим затвором (FGMOS) во внутренней архитектуре.
  • Флэш-память похожа на стандартный MOSFET, за исключением того, что транзистор имеет два затвора, а не один.
  • Флэш-память разумнее покупать, чем обычная память EEPROM, и для нее не требуются батареи для твердотельного накопителя.
  • Имеет скоростное время доступа.
  • Он также обладает отличной устойчивостью к кинетическим ударам.
  • Эти карты памяти невероятно прочны и способны выдерживать сильное давление или экстремальные температуры.
  • Флэш-память часто используется в USB-накопителях, iPod, MP3-плеерах и многих других портативных электронных устройствах.

Типы флэш-памяти?
  • Флэш-память NOR
  • Флэш-память NAND

Флэш-память NOR соединяет отдельные ячейки памяти параллельно, обеспечивая произвольный доступ к данным. Флэш-память NAND вместо этого имеет меньше строк с FGMOS, соединенных вместе, чтобы увеличить плотность хранения ячейки памяти. Таким образом, NAND лучше подходит для последовательного произвольного доступа к данным.

Флэш-память, основанная на архитектуре NOR, хороша для быстрого чтения данных, но медленнее в функциях записи и стирания по сравнению с NAND-флеш-памятью.

Флеш-память NOR программирует данные побайтно, тогда как память NAND программирует данные в страницах, где каждая страница может иметь память размером 4 КБ.

Поскольку NOR работает с небольшим объемом памяти, для записи данных он потребляет больше энергии, чем флэш-память NAND. Иногда устройства, такие как цифровые фотоаппараты, включают в себя флэш-память как И-НЕ, так и ИЛИ-НЕ.

В чем разница между RAM и ROM? 99 – не требуется питание 9049 Скорость Приложение
Факторы RAM ROM
Характер работы Энергозависимая память – требуется питание Энергонезависимая память Быстро Не так быстро, как RAM
Емкость хранилища Высокая емкость, от 1 до 256 ГБ Низкая емкость около 4-8 МБ
Место, которое она занимает Данные RAM занимают много места ОЗУ занимает меньше места
Стоимость Более дорого Доступно
Данные Можно изменить в любое время Нельзя изменять / ограниченные изменения разрешены, но сделать их нелегко
Используется для хранения программных кодов, которые немедленно требуются ЦП Используется для хранения инструкций по загрузке кодирование или кодирование микропрограмм

В чем разница между SRAM и DRAM? происходит обновление схемы 507 Меньше места 750 904 Меньше места 9693 9693 9 Основная память
Факторы SRAM DRAM
Кол-во транзисторов 6 транзисторов 1 очевидный заряд
Скорость Достаточно быстро Сравнительно медленнее
Энергопотребление Низкое Высокое
Место занимает
Стоимость Дорогой Дешевый
Плотность Менее плотная Плотность
Приложение Кэш-память Основная память
9050
Факторы EPROM EEPROM
Среда стирания данных УФ-свет используется для стирания данных 9099 Электрический сигнал
Обновление выполняется Необходимость извлечения микросхемы EPROM для обновления данных Для чтения или стирания данных извлечение не требуется
Временная шкала технологии Это устаревшая технология. Это более новая технология.
Дизайн на корпусе Имеет прозрачное окошко из кристалла кварца сверху Память полностью заключена в непрозрачный корпус.
Предыдущее EPROM – это обновленная версия PROM. EEPROM – это обновленная версия EPROM.
Время стирания Удаление содержимого занимает около 15-20 минут. Удаление содержимого занимает всего около 5 мсек.
Метод программирования Для перепрограммирования СППЗУ используется метод инжекции горячих электронов. Эффект туннеля используется для программирования EEPROM.

Кэш-память

Кэш-память, также известная как CPU Memory , представляет собой быстродействующее статическое ОЗУ (SRAM), к которому процессор может получить более легкий доступ по сравнению с обычным RAM. Поскольку он разработан с использованием SRAM, он дороже.Это также быстрее, чем другие воспоминания.

Кэш-память обычно размещается вместе на том же кристалле, что и микропроцессоры компьютеров, при этом площадь кристалла слишком мала. Таким образом, размер кеш-памяти составляет лишь часть основной памяти, будучи сравнительно небольшим. Время доступа к кеш-памяти составляет всего один такт, тогда как для доступа к основной памяти требуется несколько тактов.

Что такое попадание в кэш и промах кеша?

Когда процессор должен получить доступ к адресу основной памяти для операций чтения / записи, мы сначала переходим к кэш-памяти и ищем копию местоположения.Если мы его обнаружим, то это попадание в кэш , и процессор может немедленно продолжить выполнение операций. Однако, если копия отсутствует, это называется промахом кэша , и мы должны сначала прочитать этот адрес (вместе с некоторыми соседними, в случае обращения в будущем) в кэш-память.

Вот пример сценария для понимания.

Допустим, вы хотите получить книгу в местной библиотеке. Вы встречаетесь с библиотекарем и спрашиваете, где взять книгу.Теперь возможны две вещи. Во-первых, библиотекарь сразу сообщает вам, где находится книга. Это своего рода попадание в кеш. Во-вторых, библиотекарь заходит в свою систему, проверяет отдел / полку, где вы его можете найти, и сообщает вам о местонахождении этой полки, возможно, упоминая также и соседние отделы. Это можно рассматривать как промах в кэше.

Какие бывают типы кэш-памяти?
  • Первичный кэш-память – Большая часть кеш-памяти расположена рядом с самим процессором ЦП на одном кристалле.Это называется первичным кешем.
  • Secondary Cache – Это можно рассматривать как расширение кэш-памяти, расположенной на отдельной микросхеме на материнской плате компьютера, но рядом с процессором.

Промышленные твердотельные накопители и память DRAM

Добро пожаловать в четвертый выпуск информационного бюллетеня ATP Quarterly Intelligence Newsletter, ежеквартального обзора инсайдерских новостей, обзоров рынка, новых продуктов и интересной информации о решениях ATP Electronics для флэш-памяти NAND и DRAM.

Подробнее

Добро пожаловать в третий выпуск ежеквартального обзора ATP, в котором вы будете получать ежеквартальные инсайдерские новости, аналитические обзоры рынка, информацию о новых продуктах и ​​интересную информацию об ATP Electronics ’ Решения для флэш-памяти NAND и DRAM.

Подробнее

Как член-учредитель партнерской программы Micron Technology Industrial Quotient (IQ), ATP тесно сотрудничает с Micron, чтобы раскрыть беспрецедентные возможности PLP, которые обеспечивают более высокую надежность и более длительный жизненный цикл, чтобы соответствовать и даже превосходить жесткие требования..

Подробнее

Добро пожаловать во второй выпуск ежеквартального обзора ATP, в котором вы будете получать ежеквартальные инсайдерские новости, аналитические обзоры рынка, информацию о новых продуктах и ​​интересную информацию об ATP Electronics ’ Решения для флэш-памяти NAND и DRAM.

Подробнее

Когда модули DRAM подвергаются воздействию пыли, химических загрязнителей, экстремальных температур и влаги, коррозия или короткое замыкание могут привести к неисправности.ATP использует конформное покрытие для защиты от загрязнений и повышения надежности модулей DRAM

Подробнее

Для поставщиков медицинских услуг стало первостепенной задачей оценить партнерство с поставщиками систем хранения, не только в краткосрочной перспективе для борьбы с текущим кризисом, но также предвидеть и планировать то, что должно произойти в постпандемическом новом мире.

Подробнее

Их невероятная мощь гремит не только на трассе, но и на улицах. Они работают с невероятной скоростью, а их гладкий дизайн впечатляет. Их называют суперкарами – порода автомобилей, предлагающих лучшие характеристики, передовые технологии и

Подробнее

микрон «Industrial Quotient» соответствует требованиям ATP «Industrial Only» Micron Technology, Inc., стратегический партнер ATP Electronics по выпуску своих микросхем на интегральных схемах (IC), недавно запустила партнерскую программу «Industrial Quotient» (IQ), цель которой – продвигать «дизайн таким образом, чтобы

Читать далее

ATP провела серию проверок надежности. тесты для демонстрации пригодности флэш-памяти NAND в режиме MLC и SLC в e.Предложения MMC для критически важных приложений, обеспечивая при этом достаточную плотность хранения и стабильную производительность в экстремальных средах.

Подробнее

Как работает флэш-память | HowStuffWorks

Есть несколько причин использовать флэш-память вместо жесткого диска:

  • У него нет движущихся частей, поэтому он бесшумный.
  • Обеспечивает более быстрый доступ.
  • Он меньше по размеру и легче.

Так почему бы нам просто не использовать флэш-память для всего? Потому что стоимость мегабайта для жесткого диска значительно ниже, а емкость значительно больше.

Твердотельная карта для гибких дисков (SSFDC), более известная как SmartMedia, изначально была разработана Toshiba. Доступны карты SmartMedia емкостью от 2 МБ до 128 МБ. Сама карта довольно маленькая, примерно 45 мм в длину, 37 мм в ширину и менее 1 мм в толщину.

Как показано ниже, карты SmartMedia чрезвычайно просты. Плоский электрод соединен с микросхемой флэш-памяти соединительными проводами . Микросхема флэш-памяти, плоский электрод и соединительные провода заделаны в смолу с использованием технологии, называемой формованным тонким корпусом (OMTP).Это позволяет объединить все в одном корпусе без необходимости пайки.

Модуль OMTP приклеен к базовой карте для создания самой карты. Электрод передает питание и данные к микросхеме флэш-памяти, когда карта вставляется в устройство. Зазубренный угол указывает на требования к питанию карты SmartMedia. Если смотреть на карту электродом вверх, если выемка находится на левой стороне, карте требуется 5 вольт. Если выемка находится на правой стороне, требуется 3.3 вольта.

Карты SmartMedia стирают, записывают и читают память небольшими блоками (с шагом 256 или 512 байт). Такой подход означает, что они обеспечивают быструю и надежную работу, позволяя вам указать, какие данные вы хотите сохранить. Они менее надежны, чем другие формы съемных твердотельных накопителей, поэтому вы должны быть очень осторожны при обращении с ними и их хранении. Из-за новых, меньших карт с большей емкостью хранения, таких как карты xD-Picture и карты Secure Digital, Toshiba практически прекратила производство карт SmartMedia, поэтому их теперь трудно найти.

Карты CompactFlash были разработаны Sandisk в 1994 году и отличаются от карт SmartMedia двумя важными способами:

  • Они толще.
  • Они используют микросхему контроллера.

CompactFlash состоит из небольшой печатной платы с микросхемами флэш-памяти и специальной микросхемы контроллера. Все они заключены в прочный корпус, который толще карты SmartMedia. Карты CompactFlash имеют ширину 43 мм и длину 36 мм, а также две толщины: карт типа I 3.3 мм, а Type II – 5,5 мм.

Карты CompactFlash поддерживают двойное напряжение и работают от 3,3 В или 5 В.

Увеличенная толщина карты позволяет увеличить емкость памяти по сравнению с картами SmartMedia. Размеры CompactFlash варьируются от 8 МБ до 100 ГБ. Встроенный контроллер может повысить производительность, особенно в устройствах с медленными процессорами.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *