Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Транзистор 13001: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23.

Содержание

  1. Корпус и цоколевка
  2. Предназначение
  3. Характерные особенности
  4. Предельные эксплуатационные характеристики
  5. Электрические параметры
  6. Модификации и группы
  7. Аналоги
  8. Отечественное производство
  9. Зарубежное производство
  10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения.

Характерные особенности

  • Высокое пробивное напряжение: UCBO = 600 В.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 0,75 В при IC = 0,1 А
  • Высокая скорость переключений.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO600
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO6
Ток коллектора постоянный, АIC0,3
Ток коллектора импульсный, АICP 0,6
Ток базы постоянный, АIB0,04
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), ВтPC1
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), ВтPC10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Напряжение коллектор-база, ВUCBOIC = 100 мкА600
Напряжение коллектор-эмиттер, ВUCEO IC = 10 мА400
Напряжение эмиттер-база, ВUEBO IE = 10 мкА6
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 550 В10
Ток коллектора выключения, мАICEOUCB = 400 В10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 6,0 В10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)1 ٭IC = 50 мА, IB = 10 мА0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)2 ٭ IC = 100 мА, IB = 20 мА0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭IC = 50 мА, IB = 10 мА1
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 10 мА≥ 8
hFE (2) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 50 мА10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Модификации и группы

ТипPCUCBUCEUBEICTJfThFEГруппы по hFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,870040090,4150˃ 58…300,7 / 1,8 / 0,6TO-92T
13001-20,870040090,45150˃ 58…300,7 / 2,0 / 0,6TO-92T
13001-A0,860040090,5150˃58…300,7 / 2,5 / 0,6TO-92T
3DD130010,7560040070,2150˃85…26Группы A/B– / 1,5 / 0,3TO-92
3DD13001A10,860040090,25150˃515…300,8 / 1 / 1TO-92
3DD13001P0,660040090,17150˃515…301 / 3 / 1TO-92
3DD13001P10,660040090,2150˃515…301 / 3 / 1TO-92
3DD13001A10,860040090,25150˃515…301 / 3 / 1TO-92
ALJ13001160040070,2150˃810…4010 групп без обозначения– / 1,5 / 0,3TO-92
CD130010,950040090,51506 групп A/B/C/…/F– / 1,5 / 0,3TO-92
CS130010,7570048090,21508…30 4 группы без обозначенияTO-92
HMJE13001160040060,31508…36TO-92
MJ13001A0,62550040080,5150˃108…40TO-92
MJE130010,7560040070,2150˃810…7012 групп A/B/C…/LTO-92,
SOT-89
MJE13001A10,860040090,17150˃510…40– / 3 / 1,2TO-92
MJE13001A20,860040090,17150˃510…40– / 3 / 1,2TO-92L
MJE13001AH170048090,31505…30– / 2 / 0,8TO-92(S)
MJE13001B1160040090,2150˃510…40– / 3 / 0,6TO-92
MJE13001C1160040090,25150˃510…40– / 3 / 0,6TO-92
MJE13001C2160040090,25150˃510…40– / 3 / 0,6TO-92L
MJE13001DE1160040090,5150˃510…40– / 3 / 0,8TO-92
MJE13001E1160040090,45150˃510…40– / 3 / 0,6TO-92
MJE13001E2160040090,45150˃510…40– / 3 / 0,6TO-92L
MJE13001H170048090,181505…30TO-92(S)
MJE13001P0,7560040070,2150˃85…7012 групп A/B/C…/L– / 1,5 / 0,3TO-92
SBN130010,660040090. 515010…40– / 2 / 0,8TO-92
SXW1300196004000.58…70TO-92
SXW13001106004000.510…40TO-126
XW1300176004000,258…70TO-92
Исполнение SMD
MJD130010,370040080,2150˃810…406 групп A/B/C/…/F– / 2,4 / 0,9SOT-23
MJE13001A00,560040090,17150˃510…40– / 3 / 1,2SOT-23
MJE13001AT0,860040090,17150˃510…40– / 3 / 1,2SOT-89
MJE13001C00,6560040090,25150˃510…40– / 3 / 0,6SOT-23
MJE13001CT160040090,25150˃510…40– / 3 / 0,6SOT-89

Примечание. Маркировка:

  • MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
  • MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUBEICTJfThFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,870040090,415058…300,7 / 1,8 / 0,6TO-92
КТ538А0,760040090,512545TO-92
2Т506А/Б0,8800/600800/6005215017300,25 / 1,56 / 0,5TO-39
КТ8270А760040090,5125410TO-126

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUBEICTJfThFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
13001-00,860040090,515058…300,7 / 1,8 / 0,6TO-92
3DD6012A10,890050091,5150551 / 2 /1,5TO-92
BU103AH0,890060091,61505151 / 3 / 0,8TO-92
BU103DH0,880050091,61505201 / 3,5 / 0,8TO-92
BUJ10027007001150140,88 / 1,2 / 0,3TO-92
CS130029,9700480911508TO-92
CS130030,970048091,51508TO-92
KSB13003H1,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
KSB13003HR1,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
KTC3003HV1,190053091,51504201,1 / 3 / 0,7TO-92
MJE13002AHT1,285050091,515020TO-92(S)
MJE13003HT1,38505009215020TO-92
MJE13003J1190055091,5150510– / 6 / 1,2TO-92
MJE13003J1G190055091,5150510TO-92
MJE13003L1190053091,5150510– / 5 / 1,2TO-92
STD59151,190053091,51504201,1 / 4 / 0,7TO-92
STX6162,8980500121,5150250,2 / 5 / 0,65TO-92

Примечания:

  1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
  2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения UBE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы IC/IB = 5.

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания PC при увеличении температуры внешней среды Ta.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

Транзистор 13001: характеристики, цоколевка и аналоги

Биполярный, кремниевый n-p-n транзистор 13001, согласно сведениям, приведённым в технических характеристиках, предназначен для работы в высоковольтных и скоростных коммутационных схемах. Кроме этого его часто устанавливают в импульсных блоках питания и зарядных устройствах мобильных телефонов и планшетов. Он изготавливается на юго-востоке Азии и в Индии.

Распиновка

Цоколевка 13001 приводится в корпусе ТО-92, сделанном из пластика и имеющем гибкие выводы. Большинство производителей располагают ножки в таком порядке: эмиттер, коллектор, база. Но некоторые компании, например, Tiger Electronic и Micro Commercial Components, меняют порядок их следования на такой: база, коллектор, эмиттер. Поэтому перед установкой транзистора нужно быть осторожным и проверять назначение тестером.

Характеристики транзистора 13001

Описание технических характеристик 13001 начнём с предельно допустимых, как наиболее важных. Они показывают предельные возможности транзистора. Их измеряют при температуре +25°С. Вот они:

  • разность потенциалов между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = 600 В;
  • разность потенциалов между коллектором и эмиттером VCЕO (Uкэ max) = 400 В;
  • разность потенциалов между эмиттером и базой VЕВO (Uэб max) = 7 В;
  • коллекторный ток IC (Iк max) = 200 мА;
  • мощность PDк max) = 750 мВт;
  • предельная температура кристалла Tj = +150°С;
  • температура при которой он может работать Tstg = -55 … +150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению его электрических х-к. Они измерялись при температуре окружающего воздуха +25°С, если не указана другая.

Остальные параметры, важные при измерении, можно найти во соответствующей колонке таблицы.

Электрические х-ки 13001 (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б IC = -100 мкA, IE=0 V(BR)CВO 600 В
Пробивное напряжение К-Э IC=1 мA, IB=0 V(BR)CEО 400 В
Пробивное напряжение Э-Б IE= 10 мкA, IC=0 V(BR)EBO
7
В
Обратный ток коллектора V= 600 В, IE=0 ICВO 100 мкА
Обратный ток К-Э VCE= 400 В, IB=0 ICEО 200 мкА
Обратный ток эмиттера VEB = 7 В, IC=0 IEBO 100 мкА
Напряжение насыщения К-Э IC= 50 мA, IB = 10 мA V CE(sat) 0,5 В
Напряжение насыщения Б-Э IC= 50 мA, IB = 10 мA V ВE(sat) 1,2 В
Напряжение Б-Э IE=100 мА VBE 1,1 В
Выходная ёмкость на коллекторе VCB =-10В,I
E
=0, f=1 МГц
Cob 8 пФ
К-т усиления тока VCE = 20 В, Ic=20 мA hFE(1) 10 70
VCE = 10 В, Ic=0,25 мA hFE(2) 5
Граничная частота к-та передачи тока VCE=20 В, IC= 20 мA,

f=1 МГц

fT 8 МГц
Время закрытия транзистора IC=50 мA, IB1 = -IB2 = 5 мА,

Vcc = 45 В

tF 0,3 мкс
Время рассасывания. tS 1,5 мкс

Кроме этого производители делят транзисторы на 12 грумм в зависимости от h

FE (к-та усиления по току):

  • A: hFE от 10 до 15;
  • В: hFE от 15 до 20;
  • C: hFE от 20 до 25;
  • D: hFE от 25 до 30;
  • E: hFE от 30 до 35;
  • F: hFE от 35 до 40;
  • G: hFE от 40 до 45;
  • H: hFE от 45 до 50;
  • I: hFE от 50 до 55;
  • J: hFE от 55 до 60;
  • K: hFE от 60 до 65;
  • L: hFE от 65 до 70.

Аналоги

Полностью аналогичных транзисторов нет. Для замены обычно используют более мощные устройства: MJE13002, 13002, MJE13003, 13003, MJE13005, 13005, MJE13007, 13007, MJE13009, 13009. Однако они имеют более габаритный корпус и могут иметь другое расположение выводов. Среди российских аналогов 13001, можно назвать следующие: КТ538А и КТ8270А. Обязательно перепроверьте все параметры, так как все равно что то будет отличаться.

Производители

Перечислим основных производителей транзистора 13001:

  • Unisonic Technologies;
  • Tiger Electronic;
  • ARTSCHIP ELECTRONICS;
  • Nanjing International Group.

В магазинах встречается продукция следующих компаний:

  • Micro Commercial Components;
  • Shenzhen SI Semiconductors;
  • SEMTECH ELECTRONICS.

BHK21-pcDNA3.1-HC – CRL-13001 | АТСС

Делиться

CRL-13001

Работает на Биоз Подробнее о Биозе

Документация

Лист продукта

Сертификат анализа Скачать

Чтобы загрузить сертификат анализа для BHK21-pcDNA3. 1-HC ( CRL-13001 ), введите номер партии точно так, как он указан на этикетке продукта или в упаковочном листе.

Номер лота

Запрос сертификата анализа

Сертификат анализа для этой партии BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ) в настоящее время недоступен в Интернете. Заполните эту форму, чтобы запросить этот сертификат анализа.

Номер счета

Номер элемента АТСС

Номер лота

Адрес электронной почты

Ничего, мне не нужен этот сертификат анализа

Мы получили ваш запрос на этот сертификат анализа.

Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Вы можете найти номер своего счета в подтверждении заказа на продажу или в счете-фактуре заказа.

Сертификат происхождения Скачать

Чтобы загрузить сертификат происхождения для BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ), введите номер партии точно так, как он указан на этикетке продукта или в упаковочном листе.

Номер лота

Запрос сертификата происхождения

Сертификат происхождения для этой партии BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ) в настоящее время недоступен в Интернете. Заполните эту форму, чтобы запросить этот сертификат происхождения.

Номер счета

Артикул АТСС

Номер лота

Адрес электронной почты

Ничего, мне не нужен этот сертификат происхождения

Мы получили ваш запрос на этот сертификат происхождения. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Вы можете найти номер своего счета в подтверждении заказа на продажу или в счете-фактуре заказа.

Этот лист продукта недоступен в Интернете. Мы предоставляем этот лист продукта только клиентам, которые приобрели этот продукт уровня биобезопасности 3. Если вы приобрели этот продукт, обратитесь в службу технической поддержки LGC для получения данного описания продукта.

Скачать паспорт безопасности

Откройте паспорт безопасности для этого продукта, чтобы загрузить его.

Выберите язык ЯзыкАнглийский

ошибка

Отмена

Этот паспорт безопасности в настоящее время недоступен в Интернете. Нажмите кнопку ниже, чтобы получить дополнительную информацию о паспорте безопасности.

Проверьте информацию паспорта безопасности

высший уровень 2

Узнайте больше о безопасности информации об этом продукте

ATCC определяет уровень биобезопасности материала на основе нашей оценки риска в соответствии с текущим изданием Биобезопасность в микробиологических и биомедицинских лабораториях (BMBL) , Министерство здравоохранения и социальных служб США. Вы несете ответственность за понимание опасностей, связанных с материалом, в соответствии с политиками и процедурами вашей организации, а также любыми другими применимыми нормами, которые применяются вашими местными или национальными органами.

Клетки содержат последовательности ДНК цитомегаловируса (CMV)

Клетки содержат последовательности SV40

ATCC настоятельно рекомендует всегда использовать соответствующие средства индивидуальной защиты при обращении с флаконами. Для культур, требующих хранения в жидком азоте, важно отметить, что некоторые флаконы могут протекать при погружении в жидкий азот и будут медленно заполняться жидким азотом. При оттаивании превращение жидкого азота обратно в газообразную фазу может привести к взрыву флакона или срыву его крышки с опасной силой, создающей разлетающиеся осколки. Без необходимости ATCC рекомендует хранить эти культуры в паровой фазе жидкого азота, а не погружать в жидкий азот.

Необходимые продукты

Эти продукты жизненно важны для правильного использования этого предмета и были подтверждены как эффективные для поддержки функциональности. Если вы используете альтернативные продукты, это может повлиять на качество и эффективность продукта.

Общий

Характеристики

Информация об обращении

Спецификации контроля качества

История

Правовая оговорка

Разрешения и ограничения

Экспортный сертификат происхождения

Покупатели из Аргентины, Колумбии, Египта, Эфиопии, Германии, Греции, Индии, Иордании, Ливана, Перу, Катара, Саудовской Аравии, Испании и Объединенных Арабских Эмиратов
Для этого материала может потребоваться экспортный сертификат происхождения, полученный либо ATCC, либо экспедитором; вам не нужно предпринимать никаких действий для этого экспортного сертификата происхождения. Дополнительные сборы могут взиматься в результате получения этого экспортного сертификата происхождения; эти сборы будут применяться после того, как ваш заказ будет подтвержден, и наша служба поддержки клиентов свяжется с вами по этому товару. Мы не можем отправить этот товар, пока не получим этот экспортный сертификат происхождения. Экспортный сертификат происхождения будет включен в отгрузку для выполнения экспортных требований. Если вам нужна помощь с вашим заказом, обратитесь в нашу службу поддержки клиентов или к соответствующему дистрибьютору.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ О РАЗРЕШЕНИЯХ И ОГРАНИЧЕНИЯХ

Изображения

Каталожные номера

Работает на Биоз

Рекомендуемые цитаты

Хсу Л.В., Чанг С.К. Система экспрессии для получения рекомбинантного эритропоэтина человека, способ очистки секретируемого эритропоэтина человека и его применение.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *