13001 datasheet на русском: 13001 транзистор характеристики и его российские аналоги, цоколевка

Транзистор 13001: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

13001 — кремниевый, со структурой NPN, высоковольтный транзистор средней мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение — TO-92 (L, S, T), TO-126; а также исполнение SMD — SOT-89, SOT-23.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Модификации и группы
7. Аналоги
8. Отечественное производство
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в импульсных модулирующих устройствах общего назначения.

Характерные особенности

• Высокое пробивное напряжение: U_CBO = 600 В.
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 0,75 В при I_C = 0,1 А
• Высокая скорость переключений.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	UCBO	600
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А	IC	0,3
Ток коллектора импульсный, А	ICP	0,6
Ток базы постоянный, А	IB	0,04
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт	PC	1
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт	PC	10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Напряжение коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА	600
Напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 10 мА	400
Напряжение эмиттер-база, В	UEBO	IE = 10 мкА	6
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 550 В	10
Ток коллектора выключения, мА	ICEO	UCB = 400 В	10
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6,0 В	10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)1 ٭	IC = 50 мА, IB = 10 мА	0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)2 ٭	IC = 100 мА, IB = 20 мА	0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) ٭	IC = 50 мА, IB = 10 мА	1
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1) ٭	UCE = 10,0 В, IC = 10 мА	≥ 8
	hFE (2) ٭	UCE = 10,0 В, IC = 50 мА	10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Модификации и группы

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Группы по hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	˃ 5	8…30	–	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92T
13001-2	0,8	700	400	9	0,45	150	˃ 5	8…30	–	0,7 / 2,0 / 0,6	TO-92T
13001-A	0,8	600	400	9	0,5	150	˃5	8…30	–	0,7 / 2,5 / 0,6	TO-92T
3DD13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…26	Группы A/B	– / 1,5 / 0,3	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	–	0,8 / 1 / 1	TO-92
3DD13001P	0,6	600	400	9	0,17	150	˃5	15…30	–	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001P1	0,6	600	400	9	0,2	150	˃5	15…30	–	1 / 3 / 1	TO-92
3DD13001A1	0,8	600	400	9	0,25	150	˃5	15…30	–	1 / 3 / 1	TO-92
ALJ13001	1	600	400	7	0,2	150	˃8	10…40	10 групп без обозначения	– / 1,5 / 0,3	TO-92
CD13001	0,9	500	400	9	0,5	150	–	–	6 групп A/B/C/…/F	– / 1,5 / 0,3	TO-92
CS13001	0,75	700	480	9	0,2	150	–	8…30	4 группы без обозначения	–	TO-92
HMJE13001	1	600	400	6	0,3	150	–	8…36	–	–	TO-92
MJ13001A	0,625	500	400	8	0,5	150	˃10	8…40	–	–	TO-92
MJE13001	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	10…70	12 групп A/B/C…/L	–	TO-92, SOT-89
MJE13001A1	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 1,2	TO-92
MJE13001A2	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 1,2	TO-92L
MJE13001AH	1	700	480	9	0,3	150	–	5…30	–	– / 2 / 0,8	TO-92(S)
MJE13001B1	1	600	400	9	0,2	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C1	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001C2	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001DE1	1	600	400	9	0,5	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,8	TO-92
MJE13001E1	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	TO-92
MJE13001E2	1	600	400	9	0,45	150	˃5	10…40		– / 3 / 0,6	TO-92L
MJE13001H	1	700	480	9	0,18	150	–	5…30	–	–	TO-92(S)
MJE13001P	0,75	600	400	7	0,2	150	˃8	5…70	12 групп A/B/C…/L	– / 1,5 / 0,3	TO-92
SBN13001	0,6	600	400	9	0. 5	150	–	10…40	–	– / 2 / 0,8	TO-92
SXW13001	9	600	400	–	0.5	–	–	8…70	–	–	TO-92
SXW13001	10	600	400	–	0.5	–	–	10…40	–	–	TO-126
XW13001	7	600	400	–	0,25	–	–	8…70	–	–	TO-92
Исполнение SMD
MJD13001	0,3	700	400	8	0,2	150	˃8	10…40	6 групп A/B/C/…/F	– / 2,4 / 0,9	SOT-23
MJE13001A0	0,5	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 1,2	SOT-23
MJE13001AT	0,8	600	400	9	0,17	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 1,2	SOT-89
MJE13001C0	0,65	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	SOT-23
MJE13001CT	1	600	400	9	0,25	150	˃5	10…40	–	– / 3 / 0,6	SOT-89

Примечание. Маркировка:

• MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
• MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	700	400	9	0,4	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
КТ538А	0,7	600	400	9	0,5	125	4	5	–	TO-92
2Т506А/Б	0,8	800/600	800/600	5	2	150	17	30	0,25 / 1,56 / 0,5	TO-39
КТ8270А	7	600	400	9	0,5	125	4	10	–	TO-126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс	Корпус
13001-0	0,8	600	400	9	0,5	150	5	8…30	0,7 / 1,8 / 0,6	TO-92
3DD6012A1	0,8	900	500	9	1,5	150	5	5	1 / 2 /1,5	TO-92
BU103AH	0,8	900	600	9	1,6	150	5	15	1 / 3 / 0,8	TO-92
BU103DH	0,8	800	500	9	1,6	150	5	20	1 / 3,5 / 0,8	TO-92
BUJ100	2	700	700	–	1	150	–	14	0,88 / 1,2 / 0,3	TO-92
CS13002	9,9	700	480	9	1	150	–	8	–	TO-92
CS13003	0,9	700	480	9	1,5	150	–	8	–	TO-92
KSB13003H	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KSB13003HR	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
KTC3003HV	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 3 / 0,7	TO-92
MJE13002AHT	1,2	850	500	9	1,5	150	–	20	–	TO-92(S)
MJE13003HT	1,3	850	500	9	2	150	–	20	–	TO-92
MJE13003J1	1	900	550	9	1,5	150	5	10	– / 6 / 1,2	TO-92
MJE13003J1G	1	900	550	9	1,5	150	5	10	–	TO-92
MJE13003L1	1	900	530	9	1,5	150	5	10	– / 5 / 1,2	TO-92
STD5915	1,1	900	530	9	1,5	150	4	20	1,1 / 4 / 0,7	TO-92
STX616	2,8	980	500	12	1,5	150	–	25	0,2 / 5 / 0,65	TO-92

Примечания:

1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при трех значениях температуры кристалла и при соотношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Ограничение мощности рассеивания P_C при увеличении температуры внешней среды T_a.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Ограничительные кривые определены при в импульсном режиме при длительностях импульсов: 1 мс, 100 мс, 1с.

Транзистор 13001: характеристики, цоколевка и аналоги

Биполярный, кремниевый n-p-n транзистор 13001, согласно сведениям, приведённым в технических характеристиках, предназначен для работы в высоковольтных и скоростных коммутационных схемах. Кроме этого его часто устанавливают в импульсных блоках питания и зарядных устройствах мобильных телефонов и планшетов. Он изготавливается на юго-востоке Азии и в Индии.

Распиновка

Цоколевка 13001 приводится в корпусе ТО-92, сделанном из пластика и имеющем гибкие выводы. Большинство производителей располагают ножки в таком порядке: эмиттер, коллектор, база. Но некоторые компании, например, Tiger Electronic и Micro Commercial Components, меняют порядок их следования на такой: база, коллектор, эмиттер. Поэтому перед установкой транзистора нужно быть осторожным и проверять назначение тестером.

Характеристики транзистора 13001

Описание технических характеристик 13001 начнём с предельно допустимых, как наиболее важных. Они показывают предельные возможности транзистора. Их измеряют при температуре +25°С. Вот они:

• разность потенциалов между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = 600 В;
• разность потенциалов между коллектором и эмиттером V_CЕO (U_{кэ max}) = 400 В;
• разность потенциалов между эмиттером и базой V_ЕВO (U_{эб max}) = 7 В;
• коллекторный ток I_C (I_{к max}) = 200 мА;
• мощность P_D (Р_{к max}) = 750 мВт;
• предельная температура кристалла T_j = +150°С;
• температура при которой он может работать T_stg = -55 … +150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению его электрических х-к. Они измерялись при температуре окружающего воздуха +25°С, если не указана другая.

Остальные параметры, важные при измерении, можно найти во соответствующей колонке таблицы.

Электрические х-ки 13001 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б	IC = -100 мкA, IE=0	V(BR)CВO	600			В
Пробивное напряжение К-Э	IC=1 мA, IB=0	V(BR)CEО	400			В
Пробивное напряжение Э-Б	IE= 10 мкA, IC=0	V(BR)EBO	7			В
Обратный ток коллектора	VCВ = 600 В, IE=0	ICВO			100	мкА
Обратный ток К-Э	VCE= 400 В, IB=0	ICEО			200	мкА
Обратный ток эмиттера	VEB = 7 В, IC=0	IEBO			100	мкА
Напряжение насыщения К-Э	IC= 50 мA, IB = 10 мA	V CE(sat)			0,5	В
Напряжение насыщения Б-Э	IC= 50 мA, IB = 10 мA	V ВE(sat)			1,2	В
Напряжение Б-Э	IE=100 мА	VBE			1,1	В
Выходная ёмкость на коллекторе	VCB =-10В,I E =0, f=1 МГц	Cob			8	пФ
К-т усиления тока	VCE = 20 В, Ic=20 мA	hFE(1)	10		70
	VCE = 10 В, Ic=0,25 мA	hFE(2)	5
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=20 В, IC= 20 мA, f=1 МГц	fT	8			МГц
Время закрытия транзистора	IC=50 мA, IB1 = -IB2 = 5 мА, Vcc = 45 В	tF			0,3	мкс
Время рассасывания.		tS			1,5	мкс

Кроме этого производители делят транзисторы на 12 грумм в зависимости от h

FE (к-та усиления по току):

• A: h_FE от 10 до 15;
• В: h_FE от 15 до 20;
• C: h_FE от 20 до 25;
• D: h_FE от 25 до 30;
• E: h_FE от 30 до 35;
• F: h_FE от 35 до 40;
• G: h_FE от 40 до 45;
• H: h_FE от 45 до 50;
• I: h_FE от 50 до 55;
• J: h_FE от 55 до 60;
• K: h_FE от 60 до 65;
• L: h_FE от 65 до 70.

Аналоги

Полностью аналогичных транзисторов нет. Для замены обычно используют более мощные устройства: MJE13002, 13002, MJE13003, 13003, MJE13005, 13005, MJE13007, 13007, MJE13009, 13009. Однако они имеют более габаритный корпус и могут иметь другое расположение выводов. Среди российских аналогов 13001, можно назвать следующие: КТ538А и КТ8270А. Обязательно перепроверьте все параметры, так как все равно что то будет отличаться.

Производители

Перечислим основных производителей транзистора 13001:

• Unisonic Technologies;
• Tiger Electronic;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• Nanjing International Group.

В магазинах встречается продукция следующих компаний:

• Micro Commercial Components;
• Shenzhen SI Semiconductors;
• SEMTECH ELECTRONICS.

BHK21-pcDNA3.1-HC – CRL-13001 | АТСС

Делиться

CRL-13001 ^™

Работает на Биоз Подробнее о Биозе

Документация

Лист продукта

Сертификат анализа Скачать

Чтобы загрузить сертификат анализа для BHK21-pcDNA3. 1-HC ( CRL-13001 ), введите номер партии точно так, как он указан на этикетке продукта или в упаковочном листе.

Номер лота

Запрос сертификата анализа

Сертификат анализа для этой партии BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ) в настоящее время недоступен в Интернете. Заполните эту форму, чтобы запросить этот сертификат анализа.

Номер счета

Номер элемента АТСС

Номер лота

Адрес электронной почты

Ничего, мне не нужен этот сертификат анализа

Мы получили ваш запрос на этот сертификат анализа.

Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Вы можете найти номер своего счета в подтверждении заказа на продажу или в счете-фактуре заказа.

Сертификат происхождения Скачать

Чтобы загрузить сертификат происхождения для BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ), введите номер партии точно так, как он указан на этикетке продукта или в упаковочном листе.

Номер лота

Запрос сертификата происхождения

Сертификат происхождения для этой партии BHK21-pcDNA3.1-HC ( CRL-13001 ) в настоящее время недоступен в Интернете. Заполните эту форму, чтобы запросить этот сертификат происхождения.

Номер счета

Артикул АТСС

Номер лота

Адрес электронной почты

Ничего, мне не нужен этот сертификат происхождения

Мы получили ваш запрос на этот сертификат происхождения. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Вы можете найти номер своего счета в подтверждении заказа на продажу или в счете-фактуре заказа.

Этот лист продукта недоступен в Интернете. Мы предоставляем этот лист продукта только клиентам, которые приобрели этот продукт уровня биобезопасности 3. Если вы приобрели этот продукт, обратитесь в службу технической поддержки LGC для получения данного описания продукта.

Скачать паспорт безопасности

Откройте паспорт безопасности для этого продукта, чтобы загрузить его.

Выберите язык ЯзыкАнглийский

ошибка

Отмена

Этот паспорт безопасности в настоящее время недоступен в Интернете. Нажмите кнопку ниже, чтобы получить дополнительную информацию о паспорте безопасности.

Проверьте информацию паспорта безопасности

высший уровень 2

Узнайте больше о безопасности информации об этом продукте

ATCC определяет уровень биобезопасности материала на основе нашей оценки риска в соответствии с текущим изданием Биобезопасность в микробиологических и биомедицинских лабораториях (BMBL) , Министерство здравоохранения и социальных служб США. Вы несете ответственность за понимание опасностей, связанных с материалом, в соответствии с политиками и процедурами вашей организации, а также любыми другими применимыми нормами, которые применяются вашими местными или национальными органами.

Клетки содержат последовательности ДНК цитомегаловируса (CMV)

Клетки содержат последовательности SV40

ATCC настоятельно рекомендует всегда использовать соответствующие средства индивидуальной защиты при обращении с флаконами. Для культур, требующих хранения в жидком азоте, важно отметить, что некоторые флаконы могут протекать при погружении в жидкий азот и будут медленно заполняться жидким азотом. При оттаивании превращение жидкого азота обратно в газообразную фазу может привести к взрыву флакона или срыву его крышки с опасной силой, создающей разлетающиеся осколки. Без необходимости ATCC рекомендует хранить эти культуры в паровой фазе жидкого азота, а не погружать в жидкий азот.

Необходимые продукты

Эти продукты жизненно важны для правильного использования этого предмета и были подтверждены как эффективные для поддержки функциональности. Если вы используете альтернативные продукты, это может повлиять на качество и эффективность продукта.

Общий

Характеристики

Информация об обращении

Спецификации контроля качества

История

Правовая оговорка

Разрешения и ограничения

Экспортный сертификат происхождения

Покупатели из Аргентины, Колумбии, Египта, Эфиопии, Германии, Греции, Индии, Иордании, Ливана, Перу, Катара, Саудовской Аравии, Испании и Объединенных Арабских Эмиратов
Для этого материала может потребоваться экспортный сертификат происхождения, полученный либо ATCC, либо экспедитором; вам не нужно предпринимать никаких действий для этого экспортного сертификата происхождения. Дополнительные сборы могут взиматься в результате получения этого экспортного сертификата происхождения; эти сборы будут применяться после того, как ваш заказ будет подтвержден, и наша служба поддержки клиентов свяжется с вами по этому товару. Мы не можем отправить этот товар, пока не получим этот экспортный сертификат происхождения. Экспортный сертификат происхождения будет включен в отгрузку для выполнения экспортных требований. Если вам нужна помощь с вашим заказом, обратитесь в нашу службу поддержки клиентов или к соответствующему дистрибьютору.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ О РАЗРЕШЕНИЯХ И ОГРАНИЧЕНИЯХ

Изображения

Каталожные номера

Работает на Биоз

Рекомендуемые цитаты

Хсу Л.В., Чанг С.К. Система экспрессии для получения рекомбинантного эритропоэтина человека, способ очистки секретируемого эритропоэтина человека и его применение.