Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Усилитель на транзисторах 13002



Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ).

Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала – всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов – к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй – с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.


Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.


Источник (Source) Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.

У MJE13001A – от 10 до 15.
У MJE13001B – от 15 до 20.
У MJE13001C – от 20 до 25.
У MJE13001D – от 25 до 30.
У MJE13001E – от 30 до 35.
У MJE13001F – от 35 до 40.
У MJE13001G – от 40 до 45.
У MJE13001H – от 45 до 50.
У MJE13001I – от 50 до 55.
У MJE13001J – от 55 до 60.
У MJE13001K – от 60 до 65.
У MJE13001L – от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер

400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора – в корпусе TO-92 – 0.75 Вт, в корпусе TO-126 – 1.2 Вт без радиатора.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.

Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же – мощности рассеивания.

Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A – от 8 до 12.
У MJE13003B – от 12 до 18.
У MJE13003C – от 18 до 27.
У MJE13003D – от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 400

В.

Максимальный ток коллектора – постоянный 1,5 А, пульсирующий – 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – – не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 – 1.4 ватт,
TO-220 – 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 – 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L – 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Схема “зарядки” для телефона.

R1 – 1 Ом, 1Ватт.
R2 – 20 кОм.
R3 – 680 кОм.
R4 – 100 кОм.
R5 – 43 Ом.
R6 – 5,1 Ом.
R7 – 33 Ом.
R8 – 1 кОм.
R9 – 1,5 кОм.
C1 – 22 мФ,25в(оксидный).
C2 – 1 нФ, 400в.
C3 – 3,3 нФ, 1000в.
C4 – 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 – 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 – стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 – диод 1N407.
VD4 – диод 1N4937.
VD5 – индикаторный светодиод.
Транзистор – MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант – MJE13005(13005).

На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) – высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H – SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно – цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 – код

J6 сверху .
На рисунке ниже – цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц – не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 – от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 – от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 – от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА – – не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:


У транзисторов S9014 – 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H – 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 – 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H – 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 – 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H – 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 – 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H – 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в – не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в – не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 – STS9015.


На главную страницу

13003 транзистор характеристики, цоколевка, аналоги, datasheet

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003)  транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

Вид корпуса mje13003 (ТО-126)

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

13003 цоколевка

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельно допустимые режимы эксплуатации mje13003, mje13002

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Электрические параметры mje13003, mje13002 от Motorola

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

FBSOA у транзистора 13003

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

ВАХ при обратном смещении Э-Б у mje13003

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары  у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Транзисторы

MJE13003 и 13003. Вывод. Техническая спецификация.

Обозначение типа: 13003, MJE13003 .
Упаковка: ТО-252, ТО-220, Т0-251, ТО-126, ТО-92, ТО-92Л.

Внимание! MJE13003 в упаковках TO-92 и TO-126 может иметь различное расположение выводов (не так, как на первом изображении)!

Например:
MJE13003 and 13003 transistors. Another option Pinout.
Поэтому контакты каждого 13003 должны быть проверены мультиметром или тестером перед установкой.

Если транзистор неисправен таким образом, что местоположение его выводов не может быть указано мультиметром или тестеру, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором оно используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда посередине.
Таким образом, третий вывод – это базы .

Некоторые 13003 содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором. Их целью является защита транзистора от импульсов обратного напряжения, возникающих при он работает с индуктивной нагрузкой, обычно с обмоткой трансформатора.
13003 transistor with the diode between the collector and emitter.

Основные параметры 13003 (MJE13003).

Материал транзистора: Si
Полярность: NPN
Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре окружающей среды 25 ° без радиатора.(| T A | = 25 °)
1,1 Вт (TO-92 и TO-92L).
ТО-220 – 2 Вт.
ТО-252 и ТО-251 – 1,56 Вт.
ТО-126 – 1,4 Вт.

Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре коллектора, не превышающей 25 °, поддерживаемой радиатором. (| T c | = 25 °
ТО-126 – 20 Вт.
ТО-220 – 50 Вт.
ТО-252 и ТО-251 – 25 Вт.

Напряжение пробоя на базе коллектора | V CBO |: 700 В.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | V CEO |: 400 V.

Напряжение пробоя на базе эмиттера | V EBO |: 7 V.

Максимальный непрерывный ток коллектора | I c макс. |: 1,5 A

. Максимальная температура соединения | T j | +150 C

. Частота перехода (f t ): 10 МГц (мин).

Напряжение насыщения коллектора-эмиттера | V CE |: 1 V (IC = 1A, I B = 0,25A), 3 V (IC = 1,5A, I B = 0,5A ).

Напряжение насыщения базового излучателя | V BE |: 1 V (IC = 0,5A, I B = 0,1A), 1,2 V (IC = 1A, I B = 0 , 25А).

Коэффициент передачи прямого тока | ч FE | : 14-57 .

Время хранения | t с |: 1 мкс.

Время спада | t F |: 0,7 мкс.

MJE13003 Лист данных (PDF) 13003 transistor with the diode between the collector and emitter.
Унисонические технологии.)

Распиновка, диаграммы, эквиваленты и технические данные

Конфигурация контактов

ПИН-код

ПИН-код

Описание

1

Коллектор

Ток течет через коллектор

2

База

Контролирует смещение транзистора

3

Излучатель

Ток вытекает через излучатель

BC547 Особенности транзистора

  • Биполярный NPN Транзистор
  • Усиление постоянного тока (h FE ) составляет 800 максимум
  • Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
  • Напряжение эмиттера
  • (V BE ) составляет 6 В
  • Базовый ток (I B ) составляет максимум 5 мА
  • Доступный в Пакете To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных, приведенной в конце этой страницы.

BC547 Эквивалентные транзисторы

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92 , 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

Краткое описание BC547

BC547 является NPN-транзистором , поэтому коллектор и эмиттер останутся открытыми (с обратным смещением), когда базовый контакт удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда на базовый контакт подается сигнал.BC547 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет мощность усиления транзистора. Максимальная величина тока, который может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключить нагрузки, которые потребляют более 100 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может позволить максимум 100 мА течь через коллектор и эмиттер.Эта ступень называется Область насыщения , и типичное напряжение, допустимое для коллектора-эмиттера (V CE ) или базового эмиттера (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы отключается, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки , а напряжение базового эмиттера может составлять около 660 мВ.

BC547 as Switch

Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше.Как уже говорилось, транзистор будет действовать как размыкающий переключатель во время прямого смещения и как замкнутый выключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что больше 5 мА, убьет Транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым контактом. Значение этого резистора (R B ) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

R B = V BE / I B

Где значение V BE должно быть 5 В для BC547 и базового тока (I B зависит от тока коллектора (I C ).Значение I B не должно превышать мА.

BC547 в качестве усилителя

A Транзисторы действуют как усилитель при работе в Active Region . Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим излучателем
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Общий базовый усилитель

Из вышеперечисленных типов распространенным типом излучателя является популярная и наиболее часто используемая конфигурация.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления постоянного тока транзистора можно рассчитать с помощью приведенных ниже формул

.

Прирост постоянного тока = ток коллектора (I C ) / базовый ток (I B )

Приложения

  • Модули драйвера, такие как драйвер реле, светодиодный драйвер и т. Д.
  • Модули усилителя, такие как аудио усилители, усилители сигнала и т. Д.
  • Дарлингтонская пара

2D модель компонента

Если вы проектируете PCD или Perf-плату с этим компонентом, то вам будет полезно узнать следующее изображение из таблицы данных, чтобы узнать тип и размеры упаковки.

BC547 Transistor 2D Model

,

Сделано в Китае Транзисторы 13002

транзисторов 13002

Описание продукта

Введение

1. LJ Марка
2. Образец бесплатный и в наличии

3. Сертификация: ISO9001, Reach, RoHS

Параметр

Параметр

0 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ЛАМП И БАЛЛАСТОВ P CW I C BV 900V BBC BBC BBC BBC CEO BV EBO h fe V CE (сб) футов ПОЛЯРНОСТЬ W мА мА мА мА V V V MIN MAX В CE (В) I C (мА) (В) I C (мА) I B (мА) МГц Стиль корпуса 13001 NPN 750 200 600 400 7 10 40 20 20 0.5 50 10 5 TO-92 13001B NPN 750 200 600 400 7 10 7 7 10 40 20 20 0,5 50 10 5 TO-92 13002 NPN 1250 1000 600 400 6 9 40 10 200 0.5 200 40 5 TO-126 13002 NPN 1250 1000 600 400 6 9 40 10 200 0,5 200 40 5 TO-251 3002B NPN 750 800 600 400 6 9 40 10 200 0.5 200 40 5 TO-92 13003 NPN 1250 1500 700 400 9 8 40 5 500 0.6 1000 250 5 TO-220 13003 NPN 2000 1500 700 400 9 8 40 5 500 0.6 1000 250 5 TO-126 13003B NPN 900 1500 700 400 9 20 40 10 400 3 1500 500 4 TO-92 13005 NPN 2000 4000 700 400 9 10 60 5 1000 2 4000 1000 5 TO-220 13007 NPN 2000 8000 700 400 9 8 40 5 2000 3 8000 2000 4 TO-220 13009 NPN 2000 12000 700 900 900 700 9 8 40 5 3000 1.5 8000 1600 4 TO-220 C2611 NPN 1000 200 600 400 7 10 40 20 20 0.6 100 20 5 TO-126 D2611 NPN 1000 200 600 400 7 10 40 20 20 0.6 100 20 5 К-126

преимуществом

Наше преимущество

1

Бесценный опыт обслуживания и получения доверия сотрудничества

2

Доступная цена и сделки по оптовой цене

3

Различные источники и стабильные поставки

4

4

Поставка всех видов электронных изделий

5

Обширный инвентарь и подготовка материалов

6

ISO 9001 / Reach / RoHS

Ориентированные на клиента и лучшие партнеры

8

Ежегодное посещение Taitronics

бизнес-срок

1.Срок исполнения заказа: нормальный в течение 3-5 дней. После оплаты!

2. Возможна отгрузка на судне (из порта в порт) и DHL, TNT, UPS, EMS и т. Д.

3. Условия оплаты: T / T Western Union доступен

4. 30% T / T депозит, 70 & T / T остаток выплачивается до доставки.

Возврат и замена

1. Мы предоставляем 30 дней гарантии.
2. Если товар, приобретенный в нашем магазине, не имеет совершенного качества, то есть он не работает в электронном виде в соответствии со спецификациями производителя, просто верните его нам для замены или возврата.
3. Если элементы неисправны, пожалуйста, сообщите нам в течение 3 дней с момента доставки.
4. Любые предметы должны быть возвращены в свое первоначальное состояние, чтобы претендовать на возврат денег или замену.
5. Покупатель несет ответственность за все транспортные расходы.

Информация о компании

LJ является профессиональным производителем диодов и транзисторов, продукция которого приветствуется в стране и за рубежом.

Почему выбирают LJ ?

1) Мы имеем дело со всеми диодами и транзисторами с опытом работы более 10 лет

2) Мы можем предоставить техническую поддержку для покупателей

3) Короткие сроки поставки и хорошая цена, высокое качество

4) Полный продукт Диапазон поможет вам сэкономить время и стоимость доставки

5) Мы можем предоставить бесплатных образцов

Какие вы можете получить от LJ ?

1) Хорошие цены могут сэкономить ваши затраты

2) Высокое качество может помочь вам избежать покупательского риска

3) Короткая поставка , техническая поддержка и сервисное обслуживание

4) Различные Продукты могут помочь вам сэкономить время на избранных поставщиках

Сертификация

, транзистор 13002, транзистор

13002.транзистор 13002, транзистор 13002, транзистор 13002, транзистор 13002, транзистор 13002

,

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *