Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | U |
0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
2n2905 отечественный аналог
Справочник радиолюбителя: взаимозаменяемость элементов, цветовая и кодовая маркировка, электронные самоделки. Книга состоит из двух логических частей. Первая часть книги — это справочник радиолюбителя по всему кругу применяемых электронных компонентов. Особое внимание уделено цветовой и кодовой маркировке радиодеталей, аналогам полупроводниковых приборов.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Электроника в нашем доме
- C5027 / 2SC5027 datasheet кремниевый n-p-n транзистор документация на русском
- ПОПУЛЯРНЫЙ СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ
- Транзисторы
- 2N2905 TO-39:
- ТРАНЗИСТОР 2N2905A TO92
- Таблица зарубежных аналогов
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Импортные пустые транзисторы полубочёнки аналоги советских транзисторов полубочёнков с позолотой
Электроника в нашем доме
Кашкаров А.
Популярный справочник радиолюбителя. Как заменить радиоэлементы? Как подобрать отечественные компоненты вместо зарубежных? Как быстро и просто подключить силовые оконечные коммутационные узлы?
Об этом и многом другом расскажет вам эта книга. Полезные справочные сведения помогут вам выбрать необходимые радиоэлементы, изучить возможные замены и отремонтировать с минимумом приборов сложную промышленную радиоаппаратуру, затратив на это всего несколько часов своего бесценного времени.
Книга снабжена полным глоссарием, пока не встречающимся в современной технической литературе. Целью книги является популяризация радиолюбительства. Кладезь информации в простом доступном изложении будет интересен широкому кругу читателей, радиолюбителей и специалистов.
ISBN А. Аналоговые замены Полевые транзисторы. Справочные данные и электрические характеристики Мощные СВЧ кремниевые транзисторы Электрические характеристики мощных биполярных транзисторов Дарлингтона Электрические характеристики ВЧ транзисторов Силовые модули на полевых транзисторах Тиристоры.
Аналоговые замены Цифровые микросхемы. Сведения по взаимозаменяемости отечественных и зарубежных аналогов Аналоговые микросхемы. Сведения по взаимозаменяемости отечественных и зарубежных аналогов Соответствие зарубежных микросхем-аналогов, выпускаемых в разных фирмах Аналоги операционных усилителей Микросхемы для усиления аудио- видеосигналов Микросхемы технологии ЭСЛ Популярные микроконтроллеры фирм Atmel и AVR Микроконтроллеры фирмы Atmel Процессорно-ориентированные микросхемы с СМ и Risc системами команд Микросхемы-аналоги для телефонии Микросхемы-стабилизаторы и преобразователи напряжения Прочие микросхемы различного назначения Коммутаторы и мультиплексоры.
Справочные данные Микросхемы на биполярных транзисторах Современные микросхемы на элементах КМОП Приборы с оптоэлектронной развязкой Популярные оптроны и оптореле. Справочные данные Маркировка оптронов Оптоэлектронные реле Популярные светодиоды. Справочные данные и электрические характеристики Сверхъяркие светодиоды отечественного производства Мигающие светодиоды Полноцветные светодиоды Популярные одноцветные светодиоды Фотодиоды и фототранзисторы.
Справочные данные Микрофоны. Справочные данные и электрические характеристики Популярные герконы. Справочные данные и электрические характеристики. Справочные данные и электрические характеристики Предохранители.
Маркировка и справочные данные Приборы отечественного производства Приборы зарубежного производства Самовосстанавливающиеся предохранители фирм Bourns и Raychem Популярные отечественные диоды, стабилитроны и стабисторы. Справочные данные Отечественные и зарубежные коаксиальные кабели.
Справочный обзор Кабели отечественного производства Зарубежные коаксиальные кабели Радиочастотные кабели Популярные динисторы. Справочные данные Керамические и многослойные конденсаторы. Вопросы применения Трехвыводные проходные конденсаторы в цепях питания высокочастотных устройств Перспектива применения конденсаторов Прочие элементы. Справочные данные Линейные стабилизаторы напряжения широкого применения Положительные относительно общего провода Отрицательные относительно общего провода Маркировка SMD элементов Ультразвуковые датчики-излучатели фирмы Murata Полезные и справочные данные в Интернет Авторский профайл Радиолюбителям Радиолюбителям, работающим в эфире Сайты по спортивной радиопелингации Поставщики радиостанций и аксессуаров Поставщики радиокомпонентов Книги по электронике и другим наукам Ремонт Автомобильные сигнализации Разные полезные ссылки.
Справочные данные Кодовая и цветовая маркировка индуктивностей Популярные варикапы. Данная микросхема содержит близко похожие по электрическим характеристикам два однотипных полевых транзистора. Биполярные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона соединенные коллектором , часто используют радиолюбители в своих конструкциях. Известно, что при таком включении, относительно параметров усилителя тока на одном из таких транзисторов, в подавляющем большинстве случаев коэффициент усиления по току увеличивается в десятки раз.
Но добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов схема включения показана на рис.
Практическое применение популярных микросхем Рис. Схема включения транзисторов по схеме Дарлингтона вии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе. Бороться с этим неприятным эффектом можно разными способами.
Одним из них самым простым является применение в составной паре транзистора с большим в несколько раз запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер.
Среди этого списка есть мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. Вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока вместо эмиттера VT2 рис. После такой несложной доработки замены узлов Рис. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона в электрических схемах, носящих универсальный характер применения усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при многократной перегрузке по приложенному напряжению, достигающей значения в 10 и более раз.
Причем, сопротивление ограничительного резистора в базе VT1, увеличивается также в несколько раз, из-за того, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление электрическому току и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.
Сопротивление резистора R1 в доработанном варианте выбирается в зависимости от характера нагрузки.
При этом максимальный ток не должен превышать 0,2 А в случае применения полевого транзистора из серии КП Сопротивление R1 согласно схеме на рис.
Практическое применение популярных микросхем Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее Он увеличивается также прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла. Оба полевых транзистора микросхемы КТ1 соединяют параллельно так, как показано на рис.
Отличительная особенность именно этой микросхемы от, например, КТ1А и КТ1Б в том, что рекомендуемый вариант выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного Рис. На практике, также, как в предыдущем варианте, полевые транзисторы включают параллельно. Область применения разработки. Рекомендуемым автором методом опробованы и успешно заменены десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Область применения данных узлов в радиолюбительских конструкциях универсальна токовые ключи такая же, как и область применения составных транзисторов, включенных по схеме Дарлингтона.
Отличительная особенность кроме вышеперечисленных в том, что полевые транзисторы энергоэкономичны и в закрытом состоянии из-за высокого входного сопротивления практически тока не потребляют. Управлять полевыми транзисторами можно с помощью ультрамалого десятки мка входного тока, а по цене они сегодня практически равны среднемощным транзисторам типа.
А между тем, эта микросборка, содержащая в себе пятерку однотипных полевых транзисторов, предназначенная разработчиками для реализации токовых ключей и усилителей аналоговых сигналов в электронных схемах, по своим параметрам ничуть не уступает другим аналогичным микросборкам. Известно, что популярные полевые транзисторы КП с любым буквенным индексом можно заменить микросборкой ККТ1 содержащей четыре транзистора.
Но списывать ее со счетов безусловно рано аргументами для этого утверждения является ее универсальность, небольшая стоимость и приемлемые электрические характеристики, позволяющие использовать микросборку как коммутатор в цепях мультиплексоров аналоговых сигналов в том числе ЗЧ , сборку отдельных полевых транзисторов, объединенных между собой стоками, в различных радиолюбительских конструкциях.
Ведь самые простые радиолюбительские конструкции такие, как пробники, усилители, коммутаторы и сигнализаторы можно легко собрать за один вечер, используя одну только микросборку ККТ1 и ККТ2.
Основная функция рассматриваемых микросборок электронные переключатели-коммутаторы в устройствах звуковой техники. Электронные переключатели входов позволяют свести к минимуму наводки на коммутируемые цепи, упрощают конструкцию и повышают надежность устройства. В исходном состоянии все транзисторы микросборки закрыты.
Рассматриваемые микросборки хорошо зарекомендовали себя как маломощные электронные ключи. Для этих устройств не предусмотрено отдельного питания, только общий провод объединяет два или пять ключей, как показано на рис.
Питание в виде постоянного напряжения в диапазоне 8 22 В подключают непосредственно к нагрузке реле. Недостатком микросборки является ее специфическое отрицательное относительно общего провода питание. Однако несмотря на это можно реализовать с помощью нее полезные электронные устройства.
Одним из примеров практических электронных схем с участием ККТ1 является схема чувствительного сигнализатора, представленная на рис. Микросборка полевых транзисторов DA1 потребляет очень малый ток менее 0,08 ма.
Это качество удобно использовать в различного рода сигнализаторах состояний параметрических сигнализаторах. Предположим, что движок переменного резистора R2 изначально находится в нижнем по схеме положении.
Тогда в данной. Электрическая схема чувствительного сигнализатора схеме при напряжении питания контролируемого узла U П более 7 В звуковой капсюль со встроенным генератором не активен.
При снижении контролируемого. Практическое применение популярных микросхем напряжения до 7 В и ниже на выходе DA1 появляется напряжение высокого уровня, близкое к контролируемому, и звуковой капсюль начинает генерировать однотональный сигнал ЗЧ. Изменением сопротивления переменного резистора R2 устанавливают порог срабатывания параметрического сигнализатора. Благодаря применению полевых транзисторов в микросборке К90КТ1, получилось очень чувствительное устройство контроля входного напряжения.
Разница между состоянием включения и отключения звукового сигнализатора составляет всего 40 мв. Вместо звукового капсюля НА1 можно применить и другой индикатор, например светодиод. Полевые транзисторы, составляющие микросхему, подключены последовательно выход первого ключа КК1 соединен со входом второго, выход второго со входом третьего и выход третьего ключа КК3 вывод 8 DA1 соединен одновременно с входами двух последних ключей, включенных параллельно для увеличения мощности выходного сигнала , поэтому удалось достигнуть увеличения выходного тока к объединенным выводам 10 и 12 микросборки DA1 можно подключать сигнализатор с током потребления до 80 ма.
При более мощной нагрузке проблема решается не намного сложнее достаточно установить между выходом DA1 выводы 10 и 12 и нагрузкой сигнализатором токовый ключ на полевом или биполярном транзисторе.
О деталях. Все постоянные резисторы типа МЛТ-0, Переменный регулировочный резистор R2 типа РПМ или аналогичный, с линейной характеристикой изменения сопротивления.
Если сигнализатор используется для контроля фиксированного напряжения, после настройки данный резистор заменяют постоянным соответствующего сопротивления.
Микросхема КРВИ1 15 Контролируемое напряжение напряжение питания сигнализатора может находиться в пределах 8 22 В, что позволяет использовать сигнализатор в широком спектре возможностей, в том числе в качестве тестера постоянного напряжения при ремонте и профилактике неисправностей в электрических цепях автомобиля и в широком спектре других схожих случаев. Микросхема КРВИ1 Интегральная микросхема КРВИ1 является отечественным аналогом микросхемы LM и представляет собой высокостабильную интегральную схему, предназначенную для формирования прецизионных временных интервалов и колебаний генератора.
В микросхеме предусмотрены дополнительные входы сброса и запуска. В режиме формирования задержки длительность временного интервала определяется номиналами подключаемых к устройству резисторов и конденсатора. В режиме мультивибратора частота свободных колебаний и их скважность задаются двумя внешними резисторами и одним конденсатором.
Также предусмотрена возможность запуска или сброса внутренней схемы отрицательными фронтами сигналов.
В практике встречались различные наименования и типы корпусов одного и того же прибора. Другой вариант LMJ, также достаточно распространен в восьмивыводном. Практическое применение популярных микросхем пластмассовом корпусе с двухрядным расположением выводов. Все эти микросхемы взаимозаменяемы, так как цоколевка и назначение выводов у них совпадают. Некоторая разница все же присутствует различают таймеры в биполярном и МОП исполнении.
C5027 / 2SC5027 datasheet кремниевый n-p-n транзистор документация на русском
Портал QRZ. RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Для преобразования напряжения одного уровня в напряжение другого уровня часто применяют импульсные преобразователи напряжения с использованием индуктивных накопителей энергии.
В соответствии с этим известно три типа схем преобразователей: понижающие рис. Включение этих пяти элементов в различных сочетаниях позволяет реализовать любой из трех типов импульсных преобразователей.
Транзистор 2NA. по запросу. шт. Транзистор . Транзистор FQPF 8N60 C (аналог STP7NB60FP). по запросу. шт . по запросу. шт. Отечественные.
ПОПУЛЯРНЫЙ СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ
Чем смогу помогу. Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C. Транзистор TIP41B. Помогите подобрать аналог транзистора SKDT. Установлен в блоке управления электроквадроциклом 36V W. Подскажите пожалуйста аналог транзистора rfp4n06l mosfet, установлены на электроусилителе руля, какой у него есть доступный аналог? Заранее спасибо.
Транзисторы
Применяется в высоковольтных коммутаторах и генераторах. Цоколевка транзистора c Максимальная рассеиваемая мощность Pc : 50 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база Ucb : Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uce : Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база Ueb : 7 Макcимальный постоянный ток коллектора Ic : 3 Предельная температура PN-перехода Tj , град: Граничная частота коэффициента передачи тока ft : 15 Ёмкость коллекторного перехода Cc , пФ: 35 Статический коэффициент передачи тока hfe : 10 Корпус транзистора: TO Скачать C datasheet.
Популярный справочник радиолюбителя. ISBN 5???
2N2905 TO-39:
Все платежи осуществляются через сервис PayMaster. Также возможно оформление счета для оплаты в удобном отделении банка, либо оплаты от юридического лица мы работаем с НДС. Также Вы можете указать удобный для Вас способ доставки при размещении заказа, и мы сделаем все возможное, чтобы процесс доставки был для Вас максимально комфортным. Выбрать вариант доставки вы можете при оформлении заказа на сайте, либо связавшись с менеджером по телефону 8 или отправив заявку на sales academ-complect. Электронные компоненты, радиодетали Акустические компоненты излучатели звука головки динамические громкоговорители микрофоны сирены.
ТРАНЗИСТОР 2N2905A TO92
Кашкаров А. Популярный справочник радиолюбителя. Как заменить радиоэлементы? Как подобрать отечественные компоненты вместо зарубежных? Как быстро и просто подключить силовые оконечные коммутационные узлы? Об этом и многом другом расскажет вам эта книга.
Целью книги является популяризация радиолюбительства.
Зарубежные транзисторы отечественные аналоги. 2ТА. . Аналоги. Струк- тура. U, в. I, А. P, вт F, МГц. 2N BSW40, 2N
Таблица зарубежных аналогов
Показать все Динамики Зуммеры Капсюли телефонные Микрофоны. Показать все ЖК индикаторы Цифровые индикаторы. Показать все Микросхемы импорт Микросхемы отечественные Панельки для микросхем. Показать все Оптопары Оптотранзисторы.
Кто в теме, скажите, пожалуйста, какими из отечественных их можно заменить? Если это вообще возможно, конечно. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6.
Кашкаров А.
Автоматические предохранители Регулируемые термостаты Варисторы Предохранители Предохранители самовосстанавливающиеся Термопредохранители Термостаты. Управление двигателями Часы. Литий-ионные Цилиндрические Головки динамические Звонки магнитноэлектрические Звонки пьезоэлектрические Комплектующие для АС, фильтры, разъемы Комплектующие для сборки и покрытия динамиков Микрофоны Подвижные системы Пыльники Пьезоблоки Ремкомплекты,подвесы.
Решётки, крепёж. Сирены, звонки Фазоинверторы Электромагнитные излучатели.
На нашем сайте Вы можете посмотреть предлагаемые товары и услуги, сделать свой заказ в интернет-магазине, предложение о сотрудничестве. Если Вы не нашли нужной Вам позиции, то сделайте пожалуйста запрос по возможности и срокам поставки. Наименование товаров.
2N2905 PNP Switching Silicon Transistor Datasheet PDF Download
Catalog
Description |
Features |
Applications / Benefits |
Maximum Ratings |
Механические и упаковочные устройства |
Номенклатура деталей |
Символы и определения |
Electrical Characteristics |
Graphs |
Package Dimensions |
2N2905 Datasheet |
2N2905 FAQ |
Description
Это семейство переключающих транзисторов 2N2904 и 2N2905A сертифицировано военными до уровня JANS для приложений с высокой надежностью.
Эти устройства также доступны в корпусе ТО-5.
Microsemi также предлагает множество других транзисторных продуктов для более высоких и низких номинальных мощностей с различными требованиями к скорости переключения как в корпусах для сквозного, так и для поверхностного монтажа.
Особенности
- Зарегистрировано JEDEC с 2N2904 по 2N2905A
- квалификации JAN, JANTX, JANTXV и JANS доступны в соответствии с MIL-PRF-19500/290. Доступны версии, соответствующие стандарту RoHS
- (только коммерческий класс).
Применение/Преимущества
- Транзисторы общего назначения для высокоскоростного переключения
- Военные и другие высоконадежные приложения.
Максимальные рейтинги
Параметры / Тест Условия | Символ | Значение | Блок | |
2N2904 2N2905 | 2N2904A 2N2905A | |||
Напряжение коллектор-эмиттер | В Генеральный директор | 40 | 60 | В |
Коллектор-База Напряжение | В СВО | 60 | В | |
Напряжение эмиттер-база | В ЭБО | 5,0 | В | |
Термическое сопротивление переход-окружающая среда | Р ӨЯ | 195 | или C/W | |
Термическое сопротивление переход-корпус | R ӨJC | 50 | или C/W | |
Коллектор Ток | I С | 600 | мА | |
Общая рассеиваемая мощность при температуре T A = +25 °C (1) @ T C = +25 °C (2) | П Т | 0,8 3,0 | Вт | |
Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении | T J и Т стг | от -65 до +200 | °С | |
Примечания :
1.
Для снижения, см. Рисунки 1 и 2.
2. Фертермальный импеданс, см. Рисунки 3 и 4.
Механические и упаковывающие 96969965 . КОРПУС:Герметичный, коварное дно, никелевый колпачок.Номенклатура деталей
Символы и определения
Символ | Определение |
С обо | Выходная емкость при разомкнутой цепи с общей базой. |
I Генеральный директор | Ток отключения коллектора, база открыта. |
I CEX | Ток отсечки коллектора, цепь между базой и эмиттером. |
I ЕВО | Ток отсечки эмиттера, коллектор открыт. |
ч ФЭ | Статический коэффициент передачи прямого тока с общим эмиттером. |
В Генеральный директор | Напряжение коллектор-эмиттер, база открыта. |
В СВО | Напряжение коллектор-эмиттер, эмиттер открыт. |
В ЭБО | Напряжение эмиттер-база, коллектор открыт. |
Электрические характеристики
@ T A = +25 °C, если не указано иное
Параметры / Тест Условия | Символ | Мин. | Макс. | Блок |
ВЫКЛ ХАРАКТЕРИСТИКИ | ||||
Ток пробоя коллектор-эмиттер |
|
|
|
|
I C = 10 мА 2N2904, 2N2905 2N2904A, 2N2905A | В (BR)Генеральный директор | 40 60 |
| В |
Напряжение отсечки коллектор-эмиттер В CE = 40 В 2N2904, 2N2905 В CE = 60 В 2N2904A, 2N2905A |
I CES |
|
1,0 |
мкА |
Ток отсечки коллектора-базы |
|
|
|
|
В CB = 60 В Все типы | I CBO1 |
| 10 | мкА |
В CB = 50 В 2N2904, 2N2905 2N2904A, 2N2905A |
I СВO2 |
| 20 10 | нА нА |
В CB = 50 В @ T A = +150 ºC 2N2904, 2N2905 2N2904A, 2N2905A | I СВO3 |
| 20 10 | мкА мкА |
Ток отсечки эмиттер-база |
|
|
|
|
В EB = 3,5 В | I ЕВО |
| 50 | нА |
В EB = 5,0 В |
|
| 10 | мкА |
ВКЛ ХАРАКТЕРИСТИКИ (1) | |||||
Коэффициент передачи прямого тока | ч ФЭ |
|
|
| |
I C = 0,1 мА, В CE = 10 В | 2N2904 | 20 |
|
| |
2N2905 | 35 |
|
| ||
2N2904A | 40 |
|
| ||
2N2905A | 75 |
|
| ||
I C = 1,0 мА, В CE = 10 В | 2N2904 | 25 | 175 |
| |
2N2905 | 50 | 450 |
| ||
2N2904A | 40 | 175 |
| ||
2N2905A | 100 | 450 |
| ||
I C = 10 мА, В CE = 10 В | 2N2904 2N2905 | 35 75 |
|
| |
2N2904A | 40 |
|
| ||
2N2905A | 100 |
|
| ||
I C = 150 мА, В CE = 10 В | 2N2904, 2N2904A | 40 | 120 |
| |
2N2905, 2N2905A | 100 | 300 |
| ||
I C = 500 мА, В CE = 10 В | 2N2904 | 20 |
|
| |
2N2905 | 30 |
|
| ||
2N2904A | 40 |
|
| ||
2N2905A | 50 |
| |||
(1) Импульсный тест: длительность импульса = 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2,0%.
| ДИНАМИЧЕСКИЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ | ||||
Параметры / Тест Условия | Символ | Мин. | Макс. | Блок |
Короткое замыкание, слабый сигнал, прямой ток |
|
|
|
|
Коэффициент передачи |
|
| ||
I C = 1,0 мА, В CE = 10 2N2904 |
| 25 | ||
В, f = 1,0 кГц 2N2905 2N2904A, 2N2905A | ч fe | 50 40 | ||
Малый сигнал Короткое замыкание Коэффициент передачи прямого тока I C = 50 мА, В CE = 20 В, f = 100 МГц |
|ч и | |
|
2,0 |
|
Выходная емкость В CB = 10 В, I E = 0, 100 кГц ≤ f ≤ 1,0 МГц |
С обо |
|
8,0 |
пФ |
Выходная емкость В EB = 2,0 В, I С = 0, 100 кГц ≤ f ≤ 1,0 МГц |
С ibo |
|
30 |
пФ |
| ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ | ||||
Параметры / Тест Условия | Символ | Мин. | Макс. | Блок |
Время включения | тонны |
| 45 | нс |
Время выключения | ирис |
| 300 | нс |
Графики
Рисунок 1. 2N2905.
Рисунок 3. График термического импеданса (R θja )
Рисунок 4.0005
Размеры упаковки
Символ | Размеры | Примечание | |||
Дюйм | Миллиметры | ||||
Мин. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
CD | 0,305 | 0,335 | 7,75 | 8,51 |
|
Ч | 0,240 | 0,260 | 6.10 | 6,60 |
|
HD | 0,335 | 0,370 | 8,51 | 9,40 |
|
ЛК | 0,200 ТП | 5.08 ТП | 6 | ||
ЛД | 0,016 | 0,021 | 0,41 | 0,53 | 7, 8 |
ЛЛ | 0,500 | 0,750 | 12,70 | 19. | 7, 8, 12 |
ЛУ | 0,016 | 0,019 | 0,41 | 0,48 | 7, 8 |
Л1 |
| 0,050 |
| 1,27 | 7, 8 |
L2 | 0,250 |
| 6,35 |
| 7, 8 |
Р | 0,100 |
| 2,54 |
|
|
В |
| 0,050 |
| 1,27 | 5 |
турецких лир | 0,029 | 0,045 | 0,74 | 1,14 | 4 |
ТВ | 0,028 | 0,034 | 0,71 | 0,86 | 3 |
р |
| 0,010 |
| 0,25 | 10 |
α | 45° TP | 45° TP | 6 | ||
05
ПРИМЕЧАНИЯ:
1.
Размеры указаны в дюймах.
2. Миллиметры даны только для общей информации.
3. За пределами максимума (радиуса) TW должна иметь минимальную длину 0,011 (0,28 мм).
4.DimensionTL измеряется от максимального HD.
5. Контур кузова опционально в пределах зоны, определяемой HD, CD и Q.
6. Измерительная плоскость Leadsat. (0,18 мм) радиус истинного положения (TP) при максимальном состоянии материала (MMC) относительно выступа в MMC.
7.Размер LU применяется между L1, а размер LD применяется между минимумами L2 и LL. Диаметр не контролируется в L1 и за пределами минимума LL.
8.Все три провода.
9. Коллектор должен быть внутренне соединен с корпусом.
10.Размер (радиус) относится к обоим внутренним углам вкладки.
11.В соответствии с ASME 5M диаметры эквивалентны символам Φx.
12. Для устройств с суффиксом «L» размер LL составляет минимум 50 (38,10 мм), максимум 1,75 (44,45 мм).
13.Вывод 1 = эмиттер, вывод 2 = база, вывод 3 = коллектор.
2N2905 Лист данных
Вы можете загрузить .
2N2905 — это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии . Он состоит из полупроводникового материала, обычно с не менее чем тремя клеммами для подключения к внешней цепи.
Что такое транзистор PNP?
Транзистор PNP представляет собой тип транзистора , в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа . Это устройство, которое управляется током. И эмиттерный, и коллекторный токи контролировались небольшим током базы. Два кварцевых диода соединены встречно-параллельно в PNP-транзисторе.
Где используются транзисторы PNP?
Транзисторы PNP используются в схемы усиления . Транзисторы PNP используются в парных схемах Дарлингтона. Транзисторы PNP используются в робототехнике.
Транзисторы PNP для управления током в тяжелых приложениях.
Что такое соединение PNP?
PNP означает Положительный, Отрицательный, Положительный . Также известен как источник. В модуле ввода-вывода вход PNP, когда он не управляется, подтягивается к высокому состоянию, например. +5В. NPN или PNP обычно относятся к цифровым сигналам. Датчики являются примером устройств, которые могут быть NPN или PNP.
Что такое коммутационный выход?
Переключатель выходного сигнала — это интерфейс датчика, предназначенный для надежной сигнализации о событии, связанном с безопасностью, обычно об обрыве лучей световой завесы . Имеются выходы от защитного устройства к защитному реле.
Транзистор 2N2905: аналог, распиновка, упаковка, спецификация
Транзистор 2N2905 Транзистор 2N2905 Спецификация транзистора 2n2905- 2n2905 — быстродействующий PNP-транзистор
- Напряжение между коллектором и эмиттером -40 В
- Напряжение между коллектором и базой составляет -60 В
- Напряжение между эмиттером и базой – 5В
- Ток коллектора -600 мА
- Рассеиваемая мощность 600 мВт
- Коэффициент усиления постоянного тока от 100 до 300hFE
- Полоса пропускания усиления (F T ) составляет 200 МГц
- Температура перехода находится в пределах 200 ℃
- Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT) ) составляет -400 мВ
- Время нарастания (tr) 35 нс
- Быстродействующее коммутационное устройство
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Ток протекает через клемму эмиттера |
| 2 | База | База используется для запуска транзистора |
| 3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Транзисторный корпус 2N2905
Транзисторный корпус, используемый для 2n2905, представляет собой TO-39, это металлический корпус, выполненный с повышенной термостойкостью.
2n2905 представляет собой многоцелевое транзисторное устройство, используемое для различных приложений большого и малого масштаба. В этом разделе мы объясняем его электрические характеристики с описанием применения.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения этого транзистора следующие: напряжение между коллектором и базой составляет -60 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет -40 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет -5 В, это более высокое напряжение для PNP-транзистора. .
Характеристики токаЗначение тока коллектора составляет -600 мА, значение тока показывает нагрузочную способность, подходящую для промышленных драйверов.
Характеристики рассеивания Рассеиваемая мощность транзистора 2n2905 составляет 600 мВт, более высокая рассеиваемая мощность этого транзистора обусловлена корпусом транзистора.
Значение усиления по току составляет от 30 до 300Hfe, более низкое усиление по току связано с тем, что они в основном используются для коммутации и драйверов.
Частота переходаЗначение частоты перехода составляет 200 МГц, это значение важно для коммутационных приложений.
Температура переходаТемпература перехода от -55 до 200 ℃, это наиболее распространенное значение температуры для транзисторных устройств средней мощности.
Транзистор 2n2905 ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕЕсли вам нужна таблица данных в формате pdf, пожалуйста, нажмите на эту ссылку
2n2905 эквивалент транзистораТакие транзисторы, как 2n2905a, 2n4405, 2sa303, 2n2904, 2n5151 и BSS61, эквивалентны транзистору 2n2905.
2n2905, 2n2907, 2N5151 В таблице поясняется электрическое сравнение транзисторов 2n2905, 2n2907 и 2n5151.
Характеристики 2n2905 2n2907 2n5151 Напряжение между коллектором и базой (VCB) -60В 60В 100В Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) -40 В 40 В 80 В Напряжение между эмиттером и базой (VEB) -5 В 5 В 5,5 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT)) -400 мВ от 0,4 до -1,6 В от 0,75 до 1,5 В Ток коллектора (IC) -600 мА 600 мА 2А Рассеиваемая мощность 600 мВт 400 мВт 1 Вт Температура перехода (TJ) 200°C 150°C 200°C Частота перехода (FT) 200 МГц 200 МГц – Время нарастания (tr) 35 нс 40 нс – Усиление (hFE) от 30 до 300hFE от 100 до 300hFE от 20 до 200hFE Пакет ТО-39 ТО-92/ТО-18 ТО-18
Электрические характеристики 2n2905 и 2n2907 почти одинаковы, но транзистор 2n5151 имеет разные электрические характеристики.
