Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150
37
30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8
0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА
I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.
п.
= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В
-40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.
= 5,5 В, U0вх= 0,4 В
-1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Транзистор КТ375 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ375

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится в этикетке. Масса транзистора не более 0,25 г.

 

Параметры транзистора КТ375
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ375АBCW88A, 2N3903, 2N560 *1, 2N2520 *1, BCY65EDP *1, BCY65EPDL *1, BCY65EPDM *1
КТ375БBSX80, 2N3904, PET8006 *1, PET8005 *1, 2SC460A, MPS9624 *2, CX917 *2, KTC9016
*2
, PE108 *2, MPS8001 *2, BF254, BSX66 *3, 2N5223 *2, BFY37 *3
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ375А200(400**)мВт
КТ375Б200(400**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ375А≥250МГц
КТ375Б
≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ375А60В
КТ375Б30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ375А5В
КТ375Б5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ375А100(200*)мА
КТ375Б100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ375А60 В≤1мкА
КТ375Б30 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ375А2 В; 20 мА10…100*
КТ375Б2 В; 20 мА50…280*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ375А10 В≤5
пФ
КТ375Б10 В≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.КТ375А≤40Ом, дБ
КТ375Б≤40
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ375АДб, Ом, Вт
КТ375Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ375А≤300пс
КТ375Б≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор 2N3904 Информация о выводах, эквиваленте, использовании

В этом посте содержится информация о транзисторе 2N3904 о выводе, эквиваленте, использовании, описании, как использовать и где использовать в электронной схеме.

Объявления

Объявления

Характеристики/технические характеристики:
  • Тип упаковки:  TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ):  200 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 60 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 625 мВт
  • Макс. частота перехода (fT): 300 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ):  40–300
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

 

PNP Дополнение:

PNP Дополнение к 2N3904: 2N3906

 

90 100129 Замена и эквивалент 002
2N2222 , S8050 , 2N4401 , BC537, SS9013 (Пин конфигурация некоторых транзисторов может отличаться от 2N3904, поэтому перед заменой в схеме проверьте конфигурацию выводов)

 

2N3904 Описание транзистора:

2N3904 — широко используемый транзистор общего назначения. Он в основном используется студентами и любителями электроники в своих проектах, но также используется в коммерческих электронных продуктах. Его можно использовать в самых разных электронных приложениях для коммутации и усиления. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 200 мА, поэтому пользователь может управлять нагрузками менее 200 мА в своих электронных приложениях. Кроме того, 2N3904 также хорошо работает в качестве усилителя, общая рассеиваемая мощность устройства составляет 625 мВт, благодаря чему его также можно использовать для усиления звука и радиочастотного сигнала.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

2N3904 можно использовать в любых электронных приложениях, которые подпадают под его электрические характеристики. ток менее 200 мА, тогда этот транзистор будет работать достаточно хорошо, и вы можете управлять различными нагрузками с помощью этого транзистора, например, реле, мощные транзисторы, светодиоды, часть электронной схемы и т. д. При использовании в качестве усилителя его можно использовать для усиления звука. каскады, в качестве усилителя для управления небольшими динамиками, в качестве предусилителя звука, а также может использоваться в каскадах усиления радиочастотных приложений.

 

Применение:

Переключение нагрузки до 200 мА

Цепи датчиков

Аудиопредусилители

Аудиоусилители 90 Darling P00203s 90 Усилители звука Darling P0023s 90

 

Как безопасно проводить длительные пробеги в цепи:

Чтобы получить хорошую и долгосрочную работу от этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА, всегда использовать подходящий базовый резистор, не обеспечивать напряжение коллектор-эмиттер более 40 В и всегда эксплуатировать или хранить при температурах выше -55 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

2N3904 Распиновка транзистора, характеристики и применение


← Предыдущая страница

Следующая страница →

2N3904 представляет собой NPN-транзистор, изготовленный из кремния. Он используется для переключателя и усилителя общего назначения. Он поддерживает ток до 100 мА, когда действует как переключатель, и поддерживает частоту до 100 МГц, действуя как усилитель. 2N2222A также является транзистором NPN и очень похож на 2N3904.

2N3904 это Транзистор с биполярным переходом NPN, предназначенный для коммутации при токе 100 мА и в качестве усилителя на частоте 100 МГц. Он поставляется в корпусе TO-92 и используется в самых разных областях. Его можно использовать в телевизорах, мы можем использовать его в бытовой технике, его можно использовать в качестве небольшого переключателя нагрузки, а также в качестве усилителя.

2N3904 Конфигурация контактов транзистора:

Детали Конфигурация контактов этого транзистора приведена ниже

    • Излучатель обычно обозначается цифрой Э
    • Основание обозначено B.
    • Коллектор обозначен C.

Характеристики 2N3904
  • Биполярный транзистор NPN: Тип
  • Доступный пакет: To-92
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
  • Непрерывный ток коллектора (IC): 200 мА
  • Напряжение база-эмиттер (VBEO): 6 В
  • Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
  • Рассеиваемая мощность: 625 мВт
  • Рабочая температура (до):  -55–155°C

2N3904 Эквивалентные транзисторы NPN:

BC548, BC547 BC636, BC639, 2N2222A, 2N2222, 2N2369, 2N3055, 2n3906, 2SC5200 эквивалентны этому транзистору.

Дополнение 2n3904 Транзисторы:

BC557,BC556,A1015 являются лучшим дополнением (PNP)

SMD транзистора 2N3904

Описание выводов SMD приведено ниже 002 Когда он используется в качестве переключателя он работает в области насыщения и отсечки. Транзистор 2N3904 действует как открытый переключатель во время прямого смещения и действует как закрытый переключатель во время обратного смещения. Ток смещения должен составлять не более 5 мА. Более 5 мА повредит транзистор, поэтому последовательно с базовым выводом транзистора всегда добавляется резистор. Значение резистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

РБ  = ВБЕ / ИБ

Значение VBE должно быть 5 В, а ток базы (IB зависит от тока коллектора. Значение IB не должно превышать мА.

2N3904 Транзистор как усилитель:

Транзистор действует как усилитель при работе в активном режиме Регион Транзистор 2n3904 может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях, указанных ниже

  • Усилитель с общей базой
  • Эмиттерный усилитель
  • Коллекторный усилитель

Тип с общим эмиттером является популярной конфигурацией при использовании усилителя, формула использования приведена ниже.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *