2N60B транзистор: Транзистор 2N60B: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор 2N60B: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Главная » Транзистор

2N60B – мощный полевой N-канальный транзистор с изолированным затвором. Элементы с такой структурой именуются МОП-транзисторами. Название возникло от сокращения слов Металл-Оксид-Полупроводник. В английской терминологии транзисторы этого типа называют MOSFIT-транзисторы. По первым буквам английских слов Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Особенности
3. Таблица предельно допустимых значений
4. Тепловые характеристики
5. Электрические характеристики
6. Предельные значения
7. Рабочие параметры
8. Динамические параметры
9. Переключающие характеристики
10. Параметры и максимальные значения перехода сток-исток
11. Аналоги
12. Графические данные

Корпус и цоколевка

Особенности

• Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
• Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
• Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
• Высокая скорость переключения.
• Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.

Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.

Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.

Таблица предельно допустимых значений

Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	SSW2N60B SSI2N60B	Ед.изм.
VDSS	Напряжение сток-исток	600	V
ID	Постоянный ток стока
	TC=25°C	2	A
	TC =100°C	1.3	A
IDM	Импульсный ток стока	6	A
VGSS	Напряжение затвор-исток	±30	V
EAS	Максимальная энергия одиночного импульса	120	mJ
IAR	Лавинный ток	2	A
EAR	Максимальная энергия повторяющихся импульсов	5. 4	mJ
dv/dt	Скорость восстановления диода	5.5	V/ns
PD	Мощность рассеяния
	TA = 25°C	3.13	W
	TC = 25°C	54	W
TJ, Tstg	Диапазон безопасных температур хранения и работы	-55…+150	°C
TL	Максимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд	300	°C

Тепловые характеристики

Параметр	Обозначение	Тип.	Макс.	Ед.изм.
Тепловое сопротивление кристалл-корпус	RθJC	—	2,32	°C/W
Тепловое сопротивление кристалл-воздух*	RθJA	—	40	°C/W
Тепловое сопротивление кристалл-воздух	RθJA	—	62,5	°C/W

* – при установке элемента на теплоотвод минимально допустимых размеров.

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм
BVDSS	Напряжение пробоя сток-исток	VGS = 0 V, ID = 250 µA	600	—	—	V
∆BVDSS/∆TJ	Коэффициент напряжение пробоя/температура	ID = 250 µA при 25°C	—	0,65	—	V/°C
IDSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS = 600 V, VGS = 0 V	—	—	10	µA
		VDS = 480 V, TC = 125°C	—	—	100	µA
IGSSF	Прямой ток утечки затвор-корпус	VGS = 30 V, VDS = 0 V	—	—	100	nA
IGSSR	Обратный ток утечки затвор-корпус	VGS = -30 V, VDS = 0 V	—	—	-100	nA

Рабочие параметры

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
VGS(th)	Пороговое напряжение открытия транзистора	VDS = VGS, ID = 250 µA	2	—	4	V
RDS(on)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	VGS = 10 V, ID = 1.0 A	—	3.8	5	Ω
gFS	Крутизна передаточной характеристики	VDS = 40 V, ID = 1.0 A	—	2.05	—	S

Динамические параметры

Обозна-чение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Ciss	Входная емкость	VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz	—	380	490	pF
Coss	Выходная емкость		—	35	46	pF
Crss	Проходная емкость		—	7. 6	9.9	pF

Переключающие характеристики

Обозна-чение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
td(on)	Время включения (открытия) транзистора	VDD = 300 V, ID = 2.0 A, RG = 25 Ω	—	16	40	ns
tr	Время переднего фронта импульса		—	50	110	ns
td(off)	Время выключения (закртытия) транзистора		—	40	90	ns
tf	Время спада импульса (задний фронт)		—	40	90	ns
Qg	Объем заряда на затворе для открытия транзистора	VDS = 480 V, ID = 2.0 A, VGS = 10 V	—	12. 5	17	nC
Qgs	Заряд перехода затвор-исток		—	2.2	—	nC
Qgd	Заряд перехода затвор-сток		—	5.4	—	nC

Параметры и максимальные значения перехода сток-исток

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
IS	Максимальный непрерывный прямой ток перехода сток-исток		—	—	2	A
ISM	Максимальный импульсный прямой ток перехода сток-исток		—	—	6	A
VSD	Прямое напряжение перехода сток-исток	VGS = 0 V, IS = 2.0 A	—	—	1.4	V
trr	Время обратного восстановления	VGS = 0 V, IS = 2. 0 A, dIF / dt = 100 A/ µs	—	250	—	ns
Qrr	Объем заряда для обратного восстановления		—	1.31	—	µC

Аналоги

В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.

Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.

Тип	VDSS	RDS(on)	ID	PW
2N60B	600 V	5.0 Ω	2.0 А	3 W
STQ2HNK60ZR-AP	600 V		0.5 A	3 W
STD2HNK60Z-1	600 V		2.0 A	45 W
STF2HNK60Z	600 V		2. 0 A	20 W
STP3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STP3NK60ZFP	600 V		2.4 A	20 W
STB3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z-1	600 V		2.4 A	45 W

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

Графические данные

 

Рис.1. Выходные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения сток-исток.

Рис. 2. Передаточные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.

Рис. 3. Выходное сопротивление транзистора в активном состоянии Vs ток стока и напряжение на затворе. Зависимость сопротивления сток-исток от тока стока.

Рис. 4 Зависимость обратного тока стока и температуры корпуса от напряжения исток-сток открытого транзистора.

Транзистор 2N60B: характеристики, datasheet и аналоги

Как написано в технических характеристиках, 2N60B – это n-канальный MOSFET транзистор. Изготавливается по технологии DMOS, запатентованной фирмой Fairchild. Благодаря этому он имеет: небольшое сопротивление при открытом транзисторе, хорошие коммутационные способности и высокую устойчивость к кратковременным нагрузкам. Данные устройства подходят для установки в импульсные источники питания.

Цоколевка

2N60B изготавливают в двух корпусах: D²-PAK и I²-PAK. В первом случае полное наименование транзистора SSW2N60B, а во втором SSI2N60B. Расположение выводов для каждого типа корпуса можно увидеть на рисунке.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим максимально возможные характеристики 2N60B. Их важно знать, так как производитель не может гарантировать целостность транзистора при их превышении. Скорее всего в этом случае 2N60B выйдет из строя. Эти значения были измерены при температуре +25°С.

• напряжение между стоком и истоком V_DSS = 600 В;
• постоянный ток идущий через сток:
• при T_C=25°C I_D = 2 A;
• при T_C =100°C I_D = 1. 3 A.
• кратковременный ток через сток I_DM = 6 A;
• напряжение между затвором и истоком V_GSS = ±30 В;
• максимальная энергия одного импульса E_AS =120 мДж;
• ток лавинного пробоя I_AR = 2 A;
• максимальная энергия серии импульсов E_AR = 5,4 мДж;
• скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
• PD Мощность рассеяния;
• при температуре окружающей среды T_A = 25°C P_D = 3,13 Вт;
• при температуре корпуса T_C = 25°C P_D = 54 Вт.
• диапазон температур работы T_stg55°C … +150°C;
• Максимальная температура припоя T_L= 300°C.

Теперь рассмотрим электрические характеристики 2N60B. От них также зависят возможности и сфера применения транзистора. Их измеряли при температуре +25°С. Остальные важные для тестирования параметры приведены в столбце «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N60B (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Напряжение пробоя сток-исток	VGS = 0 В, ID = 250 мкА	BVDSS	600			В
Изменение напряжения пробоя от температуры	ID = 250 мкA при 25°C	∆BVDSS/∆TJ		0,65		В/°С
Ток стока (на затворе 0 В)	VDS = 600 В, VGS = 0 В				10	мкА
	VDS = 480 В, TC = 125°C				100	мкА
Ток утечки между затвором и корпусом (прямой)	VGS = 30 В, VDS = 0 В	IGSSF			100	нА
Ток утечки между затвором и корпусом (обратный)	VGS = 30 В, VDS = 0 В	IGSSR			-100	нА
Напряжение открытия	VDS = VGS, ID = 250 мкА	VGS(th)	2		4
Сопротивление сток-исток при открытом транзисторе	VGS = 10 В, ID = 1 A	RDS(on)		3,8	5	Ом
Крутизна передаточной функции	VDS = 40 В, ID = 1. 0 A	gFS		2,05
Входная ёмкость	VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 MГц	Ciss		380	490	пФ
Выходная ёмкость		Coss		35	46	пФ
Проходная ёмкость		Crss		7,6	9,9	пФ
Время открытия	VDD = 300 В, ID = 2.0 A, RG = 25 Ом	td(on)		16	40	нс
Нарастание переднего фронта		tr		50	110	нс
Время закрытия		td(off)		40	90	нс
Спад импульса		tf		40	90	нс
Заряд на затворе, необходимый для открытия транзистора	VDS = 480 В, ID = 2 A, VGS = 10 В	Qg		12,5	17	нКл
Заряд на переходе З-И		Qgs		2,2		нКл
Заряд на переходе З-С		Qgd		5,4		нКл
Ток перехода С-И (постоянный)		IS			2	А
Ток перехода С-И (импульсный)		ISM			6	А
Напряжение перехода сток-исток (прямое)	VGS = 0 В, IS = 2 A	VSD			1,4	В
Время обратного восстановления	VGS = 0 В, IS = 2 A, dIF / dt = 100 A/ мкс	trr		250		нс
Заряд обратного восстановления		Qrr		1,31		мкКл

Кроме приведённых выше производители приводят также тепловые величины. Они важны для мощных транзисторов, особенно при расчёте теплоотвода. Данные параметры показывают на сколько увеличится температура при увеличении рассеиваемой мощности.

Тепловые характеристики транзистора 2N60B
Параметры	Обозначение	Значение	Ед. изм
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу	RθJC	2,32	°С/Вт
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к воздуху (с теплоотводом)	RθJA	40	°С/Вт
Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу	RθJA	62,5	°С/Вт

Аналоги

Аналогов 2N60B не существует, но его можно заменить немного более мощными транзисторами:

• STD2HNK60Z;
• STP3NK60Z;
• STP3NK60ZFP;
• STB3NK60Z;
• STD3NK60Z.

Эти устройства могут отличаться расположением ножек, габаритами и некоторыми параметрами, поэтому при замене нужно быть внимательным.

Производители

Производителем транзистора является компания Fairchild Semiconductor. В отечественных магазинах также можно встретить продукцию только этой фирмы.

2N60B Лист данных в формате PDF – 600 В N-канальный МОП-транзистор

Posted on 19 марта 2020 г. 19 февраля 2021 г. by Diode

Part number : 2N60B, SSP2N60B, SSS2N60B, SSW2N60B, SSI2N60B

Functions : 600V N-Channel MOSFET

Package information : TO-220, D2-PAK, I2-PAK Type

Manufacturer : Fairchild

Image

Описание:

Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной планарной DMOS-технологии Fairchild.

Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания.

2N60B Диаграмма PIN

Особенности

• 2,0A, 600 В, RDS (ON) = 5,0 Ом @VGS = 10 В
• Низкий шар (типичный 12.5 NC)
• Низкий CR (типовое значение 7,6 пФ)
• Быстрое переключение
• 100 % лавинное испытание
• Улучшенные характеристики dv/dt, типичные характеристики

 

Абсолютные максимальные номинальные значения

Непрерывный (TC = 25°C) 2,0 А, – Непрерывный (TC = 100°C) 1,3 A
3. Ток стока IDM – импульсный (Примечание 1) 6,0 А
4. Напряжение затвор-исток VGSS ± 30 В
5. Энергия лавины в одном импульсе EAS (Примечание 2) 120 мДж
6. Ток лавины IAR (Примечание 1) 2,0 A
7. Повторяющаяся энергия лавины EAR (примечание 1) 5,4 мДж
8. dv/dt Пиковое восстановление диода dv/dt (примечание 3) 5,5 В/нс
9. Рассеиваемая мощность частичного разряда (TA = 25°C) * 3,13 Вт
10. Рассеиваемая мощность (TC = 25°C) 54 Вт – Снижение номинальных характеристик при температуре выше 25°C 0,43 Вт/°C

 

2N60B Технический паспорт PDF

• Espotek Labrador — это лаборатория «5-в-1» стоимостью 25 долларов США с осциллографом, генератором сигналов и т. д. (краудфандинг)
Плата Cortex-M3 с открытым исходным кодом
• поддерживает Arduino и FreeRTOS

Эта запись была размещена в Datasheet с меткой 2N60B. Добавьте постоянную ссылку в закладки.

Поиск по блогам

Искать:

Последние сообщения

• TDA7340 — ПРОЦЕССОР АУДИОСИГНАЛОВ
• C5586 PDF – 600 В, 5 А, транзистор 2SC5586, Sanken
• 25L1606E — 16 Мбит флэш-память CMOS — MX25L1606E
• IN1M101 — Прецизионная ИС контроля отключения переменного тока
• 15N03GH — 30 В, 15 А, силовой МОП-транзистор
• TL555I PDF – Таймер LinCMOS – Texas Instruments
• AN7161NFP — усилитель мощности BTL High Audio
• LM7810 – 1 А, 10 В, 3-контактный стабилизатор напряжения с фиксированным напряжением

Избранные сообщения

Архив

Сайт поиска спецификаций

• Datasheet39. com
• Спецификацииpdf.com

Мета

• Записи RSS

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
10FF	РОЗЕТКИ ДЛЯ РЕЛЕ	Хунфа	ПДФ
15C01C	15 А, 0,7 А, биполярный транзистор NPN	ПО Полупроводник	ПДФ
15C01M	0,7 А, 15 В, биполярный транзистор NPN	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2016	-50В, -7А, транзистор PNP	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2040	-50В, -8А, PNP-транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2112	-50В, -3А, биполярный транзистор PNP	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2124	-2А, -30В, биполярный транзистор PNP	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2125	Биполярный транзистор PNP (-3A, -50V)	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2126	Биполярный транзистор PNP (-50В, -3А)	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2127	-50В, -2А, PNP Биполярный транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2153	Биполярный транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2169	Биполярный транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2186	Биполярный транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
2SA2202	Биполярный транзистор	ПО Полупроводник	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт