2N7000 транзистор характеристики: 2N7000, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА ON Semiconductor купить оптом и в розницу

Транзистор характеристики, цоколевка, аналог и datasheet

N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках, идеально подходят для широкого спектра устройств, в которых требуются очень низкая пороговая разность потенциалов, высокое напряжение пробоя и входное сопротивление, низкая входная ёмкость и высокая скорость переключения. Чаще всего они используются в схемах управления серводвигателями, для управления более мощными полевыми транзисторами и других коммутационных конструкциях. 2N7000 выпускается с использованием DMOS технологии, которая позволяет добиться минимального сопротивления во включённом состоянии.

Цоколевка

Существует два варианта корпуса, в котором изготавливают полевой транзистор 2N7000, это ТО-92 и SOT-23. Если 2N7000 расположить маркировкой к себе, то выводы будут расположены в следующем порядке: исток слева, посередине затвор и справа сток. Внешний вид и цоколевка выводов 2N7000 представлены на рисунке.

Технические характеристики

В первую очередь рассмотрим максимально допустимые характеристики 2N7000. Они нужны при подборе транзистора на замену и конструировании новых электронных устройств. Длительная эксплуатация устройства в близи к максимальным значениям, может значительно уменьшить строк службы прибора а их превышение приведёт к неработоспособности. Все они измерялись при температуре +25°С.

Характеристики транзистора 2N7000:

• напряжение С-И V_DS (U _{СИ MAX}) = 60 В;
• напряжение С-З V_GD (U _{ЗС MAX}) = 60 В;
• напряжение З-И V_GS (U _{ЗИ MAX}) = ±20 В;
• напряжение З-И импульсное V_GS (U _{ЗИ И MAX}) = ±40 В;
• постоянный ток, текущий через сток I_D (I_C) = 200 мА;
• пиковый ток стока I_DМ (I_CИ) = 500 мА;
• мощность P_D = 400 мВт;
• тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда R_θj-amb = 312,5 ^ОС/Вт;
• коэффициент линейного снижения мощности 3,2 мВт/^ОС;
• диапазон температур T_J = -55 ^ОC … +150^ОC;
• температура пайки T_L = 300^О
  C.

Чтобы оценить возможности транзистора нужно изучить его электрические параметры. Они измеряются при стандартной температуре +25°С. Остальные важные условия тестирования приведены в отдельной колонке «Параметры тестирования».

Электрические характеристики 2N7000 (при Т = +25ОC)
Параметры	Параметры тестирования	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
OFF характеристики
Напряжение пробоя С-И	Uзи=0, Iс=10мА	Uси(проб.)	60			В
Остаточный ток стока	Uси=48В, Uзи=0	IС ОСТ			1	мкА
	Uси=48В, Uзи=0, TJ=125°C				1	мкА
Ток утечки затвора	Uзи = ±15В, Uси = 0	Iз ут			±10	нА
ON характеристики
Пороговое напряжение	Uзи=Uси, Iс=1мА	Uзи поp	0,8	2,1	3	В
Сопротивление С-И в открытом состоянии	Uзи=10 В, Iс=500 мА	Rси отк		1,2	5	Ом
	Uзи=10В, Iс=500мА, TJ=125°C			1,9	9
	Uзи=4,5 В, Iс= 75 мА			1,8	5,3
С-И напряжение вкл.	Uзи = 10 В, Iс=500 мА	Uси(on)		0,6	2,5	В
	Uзи = 4,5 В, Iс=75 мА			0,14	0,4
Ток стока в открытом состоянии	Uзи = 4,5 В, Uси = 10 В,	Iс (on)	75	600		мА
Крутизна характеристики	Uси = 10 В, Iс = 200 мА	S	100	320
Динамические характеристики
Входная ёмкость	Uси=25В, Uзи= 0В, f =1.0 MГц	Свх		20	50	пФ
Выходная ёмкость		Свых		11	25
Ёмкость обратной связи		Сос		4	5
Время включения	Uс=15В, RL=25 Ом, Iс=500мА, Uзи=10В, RGEN=25 Ом	tвк			10	нс
Время выключения	Uс=15В, RL=25 Ом, Iс=500мА, Uзи=10В, RGEN=25 Ом				10	нс

Аналоги

Зарубежными аналогами 2N7000 являются:

• BS170;
• BSS138.

Из отечественных устройств подойдёт в качестве замены – КП214А9.

Производители и DataSheet

Наиболее крупные зарубежные производители транзистора 2N7000:

• Unisonic Technologies;
• Supertex;
• Vishay Siliconix;
• STMicroelectronics;
• Diotec Semiconductor;
• KEC(Korea Electronics);
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• Diodes Incorporated;
• Motorola;
• Guangdong Kexin Industrial.

В отечественных магазинах можно найти изделия следующих фирм:

• ON Semiconductor;
• Fairchild Semiconductor;
• Microchip Technology.

Скачать DataSheet в формате PDF на 2N7000 можно кликнув на названия производителя выше.

2N7000 to-92 | Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000

2N7000 – MOSFET Transistor, 60V, 1. 8Ω, 0.35A, TO-92

 

Особенности, параметры, характеристики

• High Density Cell Design for Low RDS(ON)
• Voltage Controlled Small Signal Switch
• Rugged and Reliable
• High Saturation Current Capability

 

 

Код товара :	M-173-9755
Обновление:	2022-09-18
Тип корпуса :	TO-92

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N7000 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2N7000 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
9755	2N7000 to-92	Транзистор 2N7000 – MOSFET Transistor, 60V, 1.8Ω, 0.35A, TO-92	4.3 pyб.
9347	IRLML2502	Транзисторы IRLML2502 (IRLML2502TR , маркировка G8KU8) – MOSFET, N-Channel, 20V, 4.2A, SOT-23	11 pyб.
2647	Жало паяльника 900M-T-K	Сменные наконечники (жала) 900M-T-K серии 900M для использования в паяльных станциях типа HAKKO-936, и других видах паяльников, где нагревательный элемент находится внутри жала	65 pyб.
6073	BD139	Транзистор BD139 – TRANSISTOR, NPN, 80V, 1.5A, TO-126	5.3 pyб.
7335	BS170	Транзистор BS170 – N-Channel MOSFET 60V, 0. 5A, TO-92	19 pyб.
9659	Конденсатор 1000uF 25V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм)	9.5 pyб.
2575	Подстроечный резистор 3296W, 1 кОм (1K)	Подстроечный резистор (потенциометр) многооборотный, тип 3296W, номинал 1 кОм	15 pyб.
1770	LM324N dip-14	Микросхема LM324N – Low power quad operational amplifiers, DIP-14	11 pyб.
10038	Конденсатор 22uF 50V (JCCON)	Конденсатор электролитический 22 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 5х11мм)	2.1 pyб.
2735	AS15-G	Микросхемы AS15-G (TSL1014IF, SL1014I, HX8915-A) – TFT-LCD Reference Driver for T-CON	143 pyб.

 

2N7000 Распиновка, характеристики, эквиваленты и техническое описание

23 ноября 2017 – 0 комментариев

2N7000 – N-канальный МОП-транзистор
2N7000 MOSFET Распиновка

2N7000 MOSFET Конфигурация выводов:

Пин-код	Имя контакта	Описание
1	Источник	Ток течет через источник
2	Ворота	Управляет смещением MOSFET
3	Слив	Ток поступает через сток

 

Особенности:

• Малосигнальный N-канальный МОП-транзистор
• Напряжение сток-исток (VDS) равно 60 В
• Непрерывный ток стока (ID) составляет 200 мА
• Импульсный ток стока (ID-пик) составляет 500 мА
• Пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 3В
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ±20 В
• Время включения и выключения составляет 10 нс каждое.
• Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полную техническую информацию о можно найти в техническом описании 2N7000 , приведенном в конце этой страницы.

 

2N7000 Эквивалентный N-канальный МОП-транзистор:

BS170, NTE 491, IRF3205, IRF540N, IRF9Z34N, IRFP250N, IRFZ44.

 

Где использовать 2N7000:

2N7000 – малосигнальный N-канальный МОП-транзистор . МОП-транзисторы — это силовые электронные переключатели, такие же, как транзисторы, но с более высоким номинальным током и напряжением. 2N7000 MOSFET может использоваться для переключения нагрузок, которые работают при напряжении менее 60 В (VDS) и 200 мА (ID). Этот MOSFET поставляется в компактном корпусе TO-92 и имеет пороговое напряжение 3 В, поэтому, если вы ищете небольшой MOSFET для переключения нагрузки, эта ИС может подойти для ваших целей.

 

Как использовать 2N7000:

МОП-транзистор имеет три контакта – сток, исток и ворота. Ток всегда втекает через сток и вытекает через исток. Вывод Gate действует как переключатель для включения или выключения MOSFET. Если затвор подключен к земле, то мосфет выключен, то есть не будет связи между стоком и истоком (открыто). Если на затвор подается напряжение истока затвора (VGS), то МОП-транзистор будет включен, то есть выводы стока и истока будут соединены вместе (замкнуты). Таким образом, контролируя напряжение (VGS), мы можем переключать МОП-транзистор, следовательно, МОП-транзистор является устройством, управляемым напряжением.

Напряжение источника затвора (VGS) является критическим параметром при использовании транзистора. Для этого транзистора VGS составляет 20 В, поэтому, когда мы обеспечиваем это напряжение, МОП-транзистор будет полностью закрыт. Любые значения между 20 В заставляют полевой МОП-транзистор частично закрываться, создавая частичное соединение. Нагрузка, которая переключается MOSFET, может составлять до 60 В (VDS) и может потреблять до 200 мА (ID).

Ниже я привел очень простую схему, в которой этот МОП-транзистор используется для управления двигателем нагрузки 24 В, 2 А. Также можно наблюдать значения тока и напряжения, когда переключатель замкнут и разомкнут.

Как мы знаем, напряжение затвора-истока этого МОП-транзистора составляет 20 В, поэтому мы использовали 20 В для включения МОП-транзистора. Когда переключатель затвора разомкнут, вывод затвора полевого МОП-транзистора должен быть подключен к земле, чтобы отключить нагрузку, поэтому мы использовали 10-киловольтный подтягивающий резистор (RGS) для отключения полевого МОП-транзистора после его включения. Резистор RG является токоограничивающим резистором, который ограничивает требуемый ток затвора. Если нагрузка, управляемая МОП-транзистором, является индуктивной нагрузкой, такой как двигатель, который мы использовали здесь, то обязательно использовать диод маховика (он же холостой ход) для безопасного разряда заряда, накопленного индуктивной катушкой.

 

Применение:

• Коммутация высоковольтных нагрузок
• Обычно используется для переключения слабых сигналов
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Аналоговые преобразователи или инверторы малой мощности

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных 2N7000 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

Теги

МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор

Силовая электроника

Руководство по 2N7000 MOSFET: схема выводов, характеристики и эквивалент 1,2 Ом

и пороговое напряжение затвора 3 В (VDS = VGS, ID = 1 мА).

Этот полевой МОП-транзистор идеально подходит для маломощных коммутационных устройств , таких как небольшие лампы, реле и двигатели.

2N7000 MOSFET поставляется в корпусе TO-92 , а его версия SMD (2N7002 ) — в корпусе SOT-23 или TO-236. P-канал BS520P является его аналогом .

Содержание

1. 2N7000 Распиновка
2. Технические характеристики
3. 2N7000 Эквивалентный МОП-транзистор
4. Аналог P-канала 2N7000
5. Особенности 2N7000 MOSFET
6. Применение 2N7000 MOSFET
7. Спецификация
8. Где купить 2N7000 MOSFET?
9. Размеры/2D-модель
10. Часто задаваемые вопросы
    • Какой тип МОП-транзистора 2N7000?
    • Является ли 2N7000 мощным МОП-транзистором?
    • Является ли 2N7000 МОП-транзистором логического уровня?

Распиновка 2N7000

Как и любой другой мосфет, распиновка 2N7000 имеет три контакта: Исток, Затвор и Сток соответственно слева направо (плоская сторона с выводами вниз).

2N7000 MOSFET PINOUT

	Наименование вывода	Описание
G	GATE	G	GATE	111 G	GATE	. CONTRORM.
D	Дренаж	Ток протекает через Дренаж, обычно подключенный к нагрузке (P-канал).
S	Источник	Ток выходит из транзистора через эмиттер, обычно заземленный (P-канал).

Конфигурация контактов транзистора 2SC5200

  Примечание:  ONSEMI недавно выпустила новое техническое описание 2N7000 в январе 2022 года. Принимая во внимание, что фактическая распиновка такая же, как показано выше: контакт 1 — источник, а контакт 3 — сток.   Эту ошибку подтвердил один из сотрудников службы технической поддержки ONSemi.
 

ONSemi 2N7000 Неверная распиновка

Примечание. Существует более старая версия 2N7000, 2N7000G, которая сейчас устарела. Распиновка 2N7000G другая.

Технические характеристики

Ниже приведены технические характеристики 2N7000 в табличной форме.

Feature	Value
Type	N Channel
Package	TO-92
Drain-Source voltage	60 V
Напряжение затвор-исток	± 20 В
Пороговое напряжение затвора	3 В Макс.
Макс. Ток стока – непрерывный	200 мА
Макс. Импульсный ток стока	500 мА
Макс. Температура перехода	от -55 °C до 150 °C
Макс. R DS(ON) (V GS = 10 В, I D = 500 мА)	5 Ом
Макс. Power Dissipation	400 МВт

2N7000 Спецификации Таблица

2N7000 Эквивалентный MOSFET

BS170 , 2N7002/NDS7002A (SMD Version), IRFS444, IRF542, IRF542, IRF542, IRF542, IRF542, IRF544, IRF542, IRF544, IRF544, IRF544, IRF542, IRF544, IRF544, IRF542, IRF544, IRF544, IRF544, 2N7002/NDS7002A.

P-канальный аналог 2N7000

BS520P N-канальный полевой МОП-транзистор является дополнительной парой N-канального полевого МОП-транзистора 2N7000 . (Подробнее)

Особенности 2N7000 MOSFET

• Малый сигнальный переключатель, управляемый напряжением
• 2N7000 — прочный и надежный полевой МОП-транзистор
.
• Этот полевой МОП-транзистор имеет возможность работы с высоким током насыщения
• Это устройство доступно в версиях, не содержащих свинца и галогенов

Применение 2N7000 MOSFET

• Для коммутации нагрузок ниже 200 мА (непрерывно) и 500 мА импульсно.
• Управление небольшими серводвигателями
• В качестве драйверов затворов MOSFET
• Коммутационные устройства с низким энергопотреблением: небольшие лампы, двигатели и реле.
• В светодиодных мигалках и диммерах

Техническое описание

Чтобы загрузить техническое описание новейшего полевого МОП-транзистора 2N7000 от ONSEMI, щелкните здесь.

Чтобы скачать техпаспорт аналогичного 2N7000 от других производителей, нажмите здесь.

Где купить 2N7000 Mosfet?

Вы можете легко найти этот полевой МОП-транзистор в местном магазине электроники. Для покупок в Интернете мы рекомендуем это лучшее предложение на Amazon:

.

Whiteeeen 2N7000 Sic Mosfet MOS N-канальный транзистор n-FET 200ma TO-92 (10 шт.)

Размеры/2D-модель

Ниже представлена ​​2D-модель 2N7000 в корпусе или корпусе T0-92. В нем показаны все размеры, такие как высота, ширина и длина.

2N7000 Размеры – 2D-модель2N7002 Размеры полевого МОП-транзистора 2D-модель

Часто задаваемые вопросы

Какой тип MOSFET используется в 2N7000?

2N7000 — это улучшенный N-канальный полевой МОП-транзистор , идеально подходящий для коммутационных устройств с низким энергопотреблением, таких как небольшие лампы, реле и двигатели. МОП-транзисторы предназначены для работы в условиях, когда требуется почти мгновенная скорость переключения. Эти требования к скорости делают их идеальными для использования в таких приложениях, как источники питания и преобразователи.