Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т.

е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155
К555
К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.
п.
= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В
-40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

2SA1015 sot-23 | Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1015 (полный партномер 2SA1015LT1, маркировка BA)

2SA1015 – PNP Transistor, 50V, 0.15A, SOT-23

  • High voltage and high current: VCEO = −50 V (min), IC = −150 mA (max)
  • Excellent hFE linearity : hFE (2) = 80 (typ.) at VCE = −6 V, IC = −150 mA  : hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.)
  • Low noise: NF = 1dB (typ.) (f = 1 kHz)
  • Complementary to 2SC1815.
Код товара :M-150-7682
Обновление:2022-09-21
I(c) :0.15
V(cbo) :50V
Тип корпуса :sot-23

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SA1015 sot-23, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

  характеристики

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2SA1015 sot-23 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
76822SA1015 sot-23Транзистор 2SA1015 (полный партномер 2SA1015LT1, маркировка BA) – PNP Transistor, 50V, 0.15A, SOT-231.5 pyб.
63512SC945 sot-23Транзистор 2SC945 (маркировка CR) – NPN transistor, 50V 0.15A 0.25W 250MHz, SOT-233. 2 pyб.
7224MMBTA42Транзистор MMBTA42 (маркировка 1D) – NPN Silicon High-Voltage Transistor 300V, 500mA, SOT-232.1 pyб.
8592S9015 sot-23Транзистор S9015 (маркировка M6, аналог MMBT9015LT1G) – Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, sot-231.1 pyб.
10218Конденсатор 2200uF 50V (JCCON)Конденсаторы электролитические 2200 мкф 50в (JCCON, 105°C, размер 16×31 мм)52 pyб.
8826PBSS4350TТранзистор PBSS4350T (маркировка ZCW) – Low Saturation Voltage NPN Transistor 50V, 3A, SOT-2317 pyб.
6958STS9013 (S9013) sot-23Транзистор STS9013 (маркировка J3) – NPN Transistor, 25V, 0.5A, SOT-232.1 pyб.
8572S9012 sot-23Транзистор S9012 (маркировка 2T1, аналог MMBT9012LT1G) – PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, 40V, 0.5A, SOT-232. 1 pyб.
7234SI2306Транзистор SI2306DS (SI2306) – N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 3.5A, 30V, SOT-232.7 pyб.
7875KCD11-101 (черный)Миниатюрный переключатель клавишного типа KCD11-101, черный, 3A, 250V, одна группа на включение8.7 pyб.

 

2SA1015 Транзистор, распиновка, характеристики, альтернатива


← Предыдущая страница

Следующая страница →

2Sa1015 представляет собой PNP-транзистор, который в основном используется для усиления общего назначения. Этот транзистор состоит из трех выводов: эмиттера, базы и коллектора. Слой n представляет собой базовую сторону, а слои P представляют эмиттер и коллектор. На рынке доступны 2са1015-й, 2са1015 и а1015.

2sa1015 Распиновка транзистора

Цоколёвка этого транзистора дана ниже на схеме и вся конфигурация также дана ниже в таблице.

Номер контакта Название контакта Описание
1. Излучатель потребление тока через эмиттер
2. Коллектор ток вытекает через коллектор
3. База контроль тока между эмиттером и коллектором

Характеристики 2sa1015
  • Тип: PNP
  • Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
  • Высокое напряжение и высокий ток: Vceo = 50 В и Ic = 150 мА
  • Низкая частота: 1 дБ
  • Материал корпуса: литой пластик
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт
  • Коэффициент усиления постоянного тока: 400
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер и коллектор-база: 50 вольт постоянного тока
  • Напряжение насыщения базы эмиттера: 1,1 В постоянного тока
  • Напряжение насыщения коллектора и эмиттера: 0,3 В постоянного тока
  • Напряжение базы эмиттера: 1,45 В постоянного тока
  • Рабочая температура и температура хранения: от -55℃ до +150℃

2sa1015 замена

Замена и альтернатива 2sa1015: 2SA1013,2SA1275, KSA1013 или KTA1275,KST93 (СОТ-23).

2sa1015 smd

2SA1015 SMD LT1-BA (2SA1015-SOT23 SMD)

Дополнение a1015 Транзистор

Дополнение этого транзистора: 2SC2383.

A1015 Equivalent Transistors

NTE290A, 2SA495, 2SA561, 2SA564A, 2SA573, 2SA675, 2SA705, 2SA850, 2SA999, BC212, BC257, BC307, BC557,BC558,BC559, 2N3494, 2SA781, KT3108A,KTA1015

Where we можно использовать и как это использовать? Транзистор

2SA1015 в основном используется в аудиоусилителях. Этот транзистор также можно использовать для переключения. При использовании в качестве усилителя звука он может управлять активными областями. Он делится на четыре категории в зависимости от коэффициента усиления постоянного тока: O (140), Y (240), G (400) и L (700) hfe коэффициент усиления постоянного тока соответственно. 2SA1015 используется в приведенной ниже схеме светодиодной мигающей лампы. , конденсатор C1 и R1 используются в качестве генератора звуковой частоты для транзисторов Q1 и Q2, которые используются в качестве переключателя. И Q2 также используется для увеличения тока. От конденсаторов С1 до R2 и светодиода Q1 будет работать до тех пор, пока не увеличится падение напряжения на С1. Следовательно, Q2 начинает удерживаться, и ток течет через светодиод, и он остается включенным.

Применение 2sa1015
  • Переключение
  • Используется для изготовления светодиодной мигалки
  • Усилитель ЗЧ
  • Действие усилителя драйвера
  • Можно использовать пару Дарлингтона

2sa1015 техническое описание

Заполните техническое описание транзистора A1015. Щелкните

  • IRF3205 МОП-транзистор
  • BC547 Транзистор NPN
  • 2N2222A NPN-транзистор
  • Транзистор C1815 NPN
  • Транзистор C945 NPN
  • BC847w SMD NPN транзистор
  • BC548 NPN транзистор
  • BC549 Транзистор NPN
  • 2N3906 Транзистор NPN
  • 2N3904 Транзистор NPN
  • BC557 PNP транзистор
  • TIP120 NPN Пара Дарлингтона Транзистор
  • TIP122 NPN Парный транзистор Дарлингтона
  • TIP127 PNP Парный транзистор Дарлингтона

Где найти техническое описание и запасные части 2SA1015-Y

2SA1015-Y поставляется в корпусе TO-92

В недалеком прошлом разработчики были вынуждены использовать дискретные транзисторы и микросхемы логических вентилей для создания сложных устройства. В связи с недавней тенденцией к большей миниатюризации и интеграции современные варианты полупроводниковых ИС стали узкоспециализированными для конкретных приложений. Вы можете найти ASIC практически для любого применения, оставив множество высоковольтных/токовых дискретных транзисторов ограниченными областью силовой электроники.

2SA1015-Y — это простой транзистор с биполярным переходом (BJT) в корпусе TO-92. Хотя 2SA1015-Y устарел, он все еще доступен у ряда подержанных дистрибьюторов. Поскольку он, несомненно, присутствует в старых системах, его может потребоваться заменить новым компонентом или другим транзистором во время технического обслуживания. В этом случае вам может понадобиться доступ к таблице данных 2SA1015-Y и некоторым совместимым запасным частям.

2SA1015-Y Технические характеристики

2SA1015-Y — это PNP BJT-транзистор со сквозным отверстием, который изначально производился Toshiba как высоковольтный/малоточный транзистор для создания простых усилителей и других низкоскоростных переключающих схем. Хотя изначально он производился Toshiba, с тех пор он был признан устаревшим и в настоящее время производится компаниями Micro Commercial Components и Unisonic Technologies, тайваньскими производителями компонентов.

Версии технических данных 2SA1015-Y, которые вы найдете у этих разных производителей, имеют очень похожие спецификации, как и многие компоненты с общими номерами деталей. Некоторые важные характеристики и абсолютные максимумы показаны в таблице ниже:

Спецификация Значение
Напряжение для отключения коллектора (абс. макс.) – 50 В
Макс. Коэффициент усиления постоянного тока Прибл. 400
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Прибл. -0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер Прибл. -1,1 В
Выходная емкость коллектора ~10 пФ, зависит от частоты (см. ниже)
Сопротивление в открытом состоянии ~10 Ом, зависит от тока базы и частоты

Эти характеристики делают 2SA1015-Y идеальным для простых схем усилителей с общим эмиттером, работающих при высоком напряжении и малом токе. Вот некоторые примеры применения этого компонента:

  • Схемы линейного регулятора слабого тока, способные выдерживать высокое входное напряжение
  • Слаботочные электрические выключатели
  • Генераторы и усилители низких и средних частот

Что касается генераторов, одна из проблем с использованием 2SA1015-Y для этого типа схемы заключается в том, что не во всех таблицах данных указано произведение коэффициента усиления на полосу пропускания для устройства. Техническое описание 2SA1015-Y от Unisonic Technologies показывает увеличение полосы пропускания с 40 МГц до максимального значения 200 МГц при токе коллектора приблизительно -10 мА. Это связано с нелинейной выходной емкостью коллектора. Обратите внимание, что в более ранней таблице данных от Toshiba указано произведение коэффициента усиления на полосу пропускания до 300 МГц.

Эти спецификации позволяют использовать 2SA1015-Y и аналогичные компоненты в ряде аналоговых систем, работающих на низкой частоте и среднем напряжении. Если у вас есть старая система с транзисторами 2SA1015-Y, и она нуждается в обновлении, вы можете найти техническое описание и детали 2SA1015-Y у дистрибьюторов, бывших в употреблении, или вы можете выбрать сопоставимый дискретный транзистор.

Замена для 2SA1015-Y

Если вам нужно отремонтировать существующую систему, в которой используется 2SA1015-Y, с заменой компонента, одним из вариантов является 2SC1815, также первоначально произведенный Toshiba. С практически такими же характеристиками, это транзистор, дополняющий 2SA1015-Y, за исключением того, что это NPN-транзистор. Он имеет тот же размер и претерпел несколько изменений за время своего существования. Помимо производства Toshiba, 2SC1815 позже производился Micro Commercial Components, а бессвинцовый вариант теперь производится Central Semiconductor Corporation (MPN # 2SC1815-PBFREE). Электрические профили двух транзисторов, номинальные рабочие температуры и другие характеристики практически идентичны. Этот конкретный компонент является подходящей заменой для 2SA1015-Y, если он вам когда-нибудь понадобится, хотя он требует повторной проводки соединений коллектора и базы.

2SC1815-PBFREE схематический символ, посадочное место и 3D-модель.

Если вы хотите придерживаться транзистора PNP, существует множество других дискретных транзисторов, которые удовлетворяют номинальному напряжению коллектор-эмиттер -50 В с током коллектора -150 мА. Однако эти альтернативы могут не поставляться в том же пакете, что и 2SA1015-Y. Новые BJT обычно поставляются в корпусе SOT для поверхностного монтажа. Одной альтернативной деталью, поставляемой в корпусе TO-92, является KSA1281YTA от ON Semiconductor.

Где взять новый 2SA1015-Y

Поскольку 2SA1015-Y в настоящее время помечен как устаревший, разработчикам, работающим с компонентами BJT, нужна возможность быстрого поиска новых компонентов 2SA1015-Y, если они потребуются для устаревших систем. Им также нужны инструменты для поиска замены 2SA1015-Y при обновлении старых конструкций или создании новой аналоговой системы.

Выявление устаревших компонентов может быть затруднено без инструментов или услуг по обеспечению прозрачности цепочки поставок. Если вам нужно найти замену устаревшему компоненту, правильные инструменты поиска помогут вам идентифицировать и получить доступ к целому ряду компонентов, включая находящиеся в производстве, устаревшие детали, детали NRND и EOL. Это может быть лучшим вариантом, чем использование специальных поисковых систем устаревших электронных компонентов, которые специализируются на устаревших или снятых с производства компонентах. При использовании такого сервиса, как Ultra Librarian, у вас будет доступ к:

  • Верифицированные модели САПР, включая 2D-контуры и 3D-файлы STEP
  • Акции и цены от официальных и бывших в употреблении дистрибьюторов
  • Краткие технические характеристики
  • Спецификации компонентов
  • Статус жизненного цикла для каждого компонента

Если вам нужно найти техническое описание 2SA1015-Y или замену компонента BJT, Ultra Librarian предоставляет доступ к функциям поиска, необходимым для поиска транзисторов и других деталей.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *