характеристики, datasheet и аналоги 2sb772
Главная » Транзисторы
Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.
Технические характеристики
Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики.
От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:
- максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
- наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
- импульсный коллектора ICР (Iк max) = -7 А;
- постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
- мощность на коллекторе:
- в корпусах ТО-92 и SOT-89 РС (Рк max) = 0,5 Вт;
- в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РС (Рк max) = 1 Вт;
- рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
- температура перехода TJ = +150 оС.
Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Условия измерения | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = =100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=-1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -30 | В | ||
| Пробивное напряжение Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
| Обратный ток коллектор — база | VCВ= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток коллектор — эмиттер | VCЕ= -3 В, IВ = 0 | ICЕO | -1000 | нА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -1000 | нА | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V CE(sat) | -0,3 | -0,5 | В | |
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V ВE(sat) | -1 | -2 | В | |
| Граничная частота к-та усиления тока | VCE =-5 В, IC =-0,1 A | fT | 80 | МГц | ||
| Выходная емкость | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 45 | пФ | ||
Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:
- 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
- 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
- 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.
Аналоги
Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.
Производители
Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.
PNP
Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74.
..).На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. |
tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 6 | 132 | 25 | 0,28 | |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 10 | |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
2SB772 STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые продукты
Показанное изображение является только представлением. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.
Digi-Key Part Number | 497-4829-5-ND | ||||||
Manufacturer | STMicroelectronics | ||||||
Manufacturer Product Number | 2SB772 | ||||||
Описание | Trans PNP 30V 3A SOT32-3 | ||||||
| 9008 9008 | 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9002 9001. Сквозное отверстие SOT-32-3 | ||||||
| Справочник заказчика | |||||||
| Спецификация | 0004 Type Description Select | ||||||
Category | Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single Bipolar Transistors | ||||||
Производитель | STMicroelectronics | ||||||
Серия | |||||||
Package | |||||||
Product Status | Obsolete | ||||||
Transistor Type | |||||||
Current – Collector (Ic) (Max) | 3 A | ||||||
Напряжение – разбивка излучателя коллектора (макс) | 30 В | ||||||
В. | 1.1V @ 150MA, 3A | ||||||
Ток – срез коллекционера (макс) | |||||||
DC CHANCE (HFE) (MIN) @ IC, VCE | 100. 100001912 | 100. 10000112 100112 | . @ 100mA, 2V | ||||
Power – Max | 12.5 W | ||||||
Frequency – Transition | 100MHz | ||||||
Operating Temperature | 150°C (TJ) | ||||||
Mounting Type | Through Hole | ||||||
Package / Case | TO-225AA, TO-126- 3 | ||||||
Пакет устройств поставщика | SOT-32-3 | ||||||
Номер продукта | 2SB7 | 2SB7 | 2SB7 | 2SB7 | 2SB7 | 2SB7 9003 9000 | 2SB7 9003 9000 |
0003Documents & Media
| Resource Type | Link |
|---|---|
| Datasheets | 2SB772 |
| HTML Datasheet | 2SB772 |
| EDA Models | 2SB772 by Ultra Librarian |
Экологическая и экспортная классификации
| Атрибут | Описание |
|---|---|
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541. 29. 0075 |
STMicroelectronics 2SB772 PNP Биполярный транзистор, 3 А, 30 В, 3 контакта SOT-32
Посмотреть все Биполярные транзисторы
Снятый с производства продукт
Альтернатива
В настоящее время этот продукт недоступен. Вот наша альтернативная рекомендация.
onsemi KSB772YSTU PNP Transistor, 3 A, 30 В, 3-контактный до 126
- 739-0423
- RS Артикул:
- 686-8041
- Пр. Деталь №:
- 2SB772
- Марка:
- STMicroelectronics
- docPdfTransistor PNP 30V 3A 100MHz SOT32
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
Прай (без НДС)
0,739 £
(с НДС)
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
PNP Power Transistors, STMicroelectronics
Биполярные транзисторы, STMicroelectronics
Широкий ассортимент биполярных транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая устройства общего назначения, Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и сквозных отверстий.
Specifications
| Attribute | Value |
| Transistor Type | PNP |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Тип корпуса | SOT-32 |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Максимальное рассеивание мощности | 12,5 Вт |
| Максимальный базовый напряжение коллекционера | 60 В |
Максимум эмиттерной базой. Больше новостей |