Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

характеристики, datasheet и аналоги 2sb772

Главная » Транзисторы

Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.

Содержание

  1. Цоколевка
  2. Технические характеристики
  3. Аналоги
  4. Производители

Цоколевка

Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.

Технические характеристики

Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики. От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:

  • максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
  • предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
  • наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
  • максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
  • импульсный коллектора I (Iк max) = -7 А;
  • постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
  • мощность на коллекторе:
    • в корпусах ТО-92 и SOT-89 РСк max) = 0,5 Вт;
    • в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РСк max) = 1 Вт;
  • рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
  • температура перехода TJ = +150 оС.

Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозначение.min typmaxЕденицы. изм
Пробивное напряжение К — БIC = =100 мкA, IЕ = 0V(BR)CВO-40В
Пробивное напряжение К — ЭIC=-1 мA, IВ= 0V(BR)CEО-30В
Пробивное напряжение Э — БIE= 100 мкA, IC= 0V(BR)EBO-5В
Обратный ток коллектор — базаV= -30 В, IЕ = 0ICВO-1000нА
Обратный ток коллектор — эмиттерV= -3 В, IВ = 0ICЕO-1000нА
Обратный ток эмиттераVEB = -3 В, IC = 0IEBO-1000нА
Напряжение насыщения К — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV CE(sat)-0,3-0,5В
Напряжение насыщения Б — ЭIC= -2 A, IB = -0,2 AV ВE(sat)-1-2В
Граничная частота к-та усиления токаVCE =-5 В, IC =-0,1 AfT80МГц
Выходная емкостьVCB =-10V, IE =0, f=1 МГцCob45пФ

Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:

  • 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
  • 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
  • 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
  • 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
  • 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.

Аналоги

Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.

Производители

Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.

PNP

2SB772 to-252 | Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB772

2SB772 – PNP silicon transistor 30V, 3A, TO-252

 

Особенности; применение; характеристики

  • High current output up to 3A
  • Low saturation voltage
  • Complement to 2SD882

 

 

Код товара :M-173-10136
Обновление: 2022-09-26
Тип корпуса :TO-252

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SB772 to-252, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 2SB772 to-252 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд.

Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
10136 2SB772 to-252 Транзистор 2SB772 – PNP silicon transistor 30V, 3A, TO-252 9.5 pyб.
2384 TIP42C Транзисторы TIP42C – PNP Epitaxial Silicon Transistor (DARLINGTON), 100V, 6A, TO-220 17 pyб.
6906 2SD882 (to-252) Транзистор 2SD882 (маркировка D882M) – NPN silicon transistor 40V, 3A, TO-252 9. 5 pyб.
10496 Магнитное крепление – держатель Магнитный держатель (крепление) представляет собой мощный постоянный магнит с отверстием под болт. Используется для крепления различных предметов на металлическую поверхность. 17 pyб.
7716 XL4016E1 Микросхемы XL4016E1 – 8A 180KHz 40V Buck DC to DC Converter, TO-220-5 75 pyб.
4900 TNY265PN Микросхемы TNY265P (TNY265PN) – Enhanced, Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher, DIP-7 43 pyб.
1898 L78M05CDT (78M05) Микросхема 78M05 (аналог L7805, LM7805) – стабилизатор 5V, SMD исполнение, Linear Voltage Regulators, 500mA, 5V, TO-252 15 pyб.
8214 MP1471 Микросхема MP1471 (MP1471A, MP1471AGJ, MP1471GJ, маркировка IAEJD, IAGM*) – High-Efficiency, 3A, 16V, 500kHz Synchronous, Step-Down Converter, SOT23-6 32 pyб.
10537 Резистор 6вт 47ом (RX21, 6W, 47R) Проволочные резисторы серии RX21, 6W, 47 Ohm 9. 5 pyб.
4944 TIP41C to-220 Транзистор TIP41C – NPN Epitaxial Silicon Transistor, 100V, 6A, TO-220 12 pyб.

 

STMicroelectronics 2SB772 PNP Биполярный транзистор, 3 А, 30 В, 3 контакта SOT-32

Посмотреть все Биполярные транзисторы


Продукт снят с производства

Альтернатива

Этот продукт в настоящее время недоступен. Вот наша альтернативная рекомендация.

onsemi KSB772YSTU PNP Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin TO-126

RS Stock No.
739-0423

Price Each (In a Pack of 5)

£0.588

(без НДС)

0,706 £

(включая НДС)

RS Инвентарный номер:
686-8041
Произв. Part No.:
2SB772
Brand:
STMicroelectronics

Technical Reference

  • docPdfTransistor PNP 30V 3A 100MHz SOT32
  • docZipSchematic Symbol & PCB Footprint

Legislation and Compliance


Product Детали

Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics



Биполярные транзисторы, STMicroelectronics


Широкий ассортимент биполярных транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая устройства общего назначения, транзисторы Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и сквозных отверстий.

Specifications

Attribute Value
Transistor Type PNP
Maximum DC Collector Current 3 A
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type SOT-32
Mounting Type Through Hole
Maximum Power Dissipation 12. 5 W
Максимальное базовое напряжение коллектора 60 В
Максимальное базовое напряжение эмиттера 5 В
Максимальная рабочая частота 100 MHz
Pin Count 3
Number of Elements per Chip 1
Maximum Operating Temperature +150 °C
Dimensions
10.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *