характеристики, datasheet и аналоги 2sb772
Главная » Транзисторы
Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.
Технические характеристики
Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики. От них зависят возможности 2SB772. Технические данные приведены для температуры среды +25ОС:
- максимальная разность потенциалов между К — Б VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно возможная разность потенциалов между К — Э VCEO (Uкэ max) = -30 В;
- наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- максимальный длительный ток коллектора IC (Iк max) = -3 А;
- импульсный коллектора ICР (Iк max) = -7 А;
- постоянный базовый ток IВ (IБ max) = -0,6 А;
- мощность на коллекторе:
- в корпусах ТО-92 и SOT-89 РС (Рк max) = 0,5 Вт;
- в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 РС (Рк max) = 1 Вт;
- рабочая температура Tstg = -55 … +150 оС;
- температура перехода TJ = +150 оС.
Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Условия измерения | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
Пробивное напряжение К — Б | IC = =100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
Пробивное напряжение К — Э | IC=-1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -30 | В | ||
Пробивное напряжение Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
Обратный ток коллектор — база | VCВ= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -1000 | нА | ||
Обратный ток коллектор — эмиттер | VCЕ= -3 В, IВ = 0 | ICЕO | -1000 | нА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -1000 | нА | ||
Напряжение насыщения К — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V CE(sat) | -0,3 | -0,5 | В | |
Напряжение насыщения Б — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V ВE(sat) | -1 | -2 | В | |
Граничная частота к-та усиления тока | VCE =-5 В, IC =-0,1 A | fT | 80 | МГц | ||
Выходная емкость | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 45 | пФ |
Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:
- 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
- 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
- 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
- 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
- 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.
Аналоги
Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.
Производители
Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.
PNP
2SB772 to-252 | Биполярные транзисторы
Транзистор 2SB772
2SB772 – PNP silicon transistor 30V, 3A, TO-252
Особенности; применение; характеристики
- High current output up to 3A
- Low saturation voltage
- Complement to 2SD882
Код товара : | M-173-10136 |
---|---|
Обновление: | 2022-09-26 |
Тип корпуса : | TO-252 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2SB772 to-252, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.
Что еще купить вместе с 2SB772 to-252 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд.
Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
10136 | 2SB772 to-252 | Транзистор 2SB772 – PNP silicon transistor 30V, 3A, TO-252 | 9.5 pyб. |
2384 | TIP42C | Транзисторы TIP42C – PNP Epitaxial Silicon Transistor (DARLINGTON), 100V, 6A, TO-220 | 17 pyб. |
6906 | 2SD882 (to-252) | Транзистор 2SD882 (маркировка D882M) – NPN silicon transistor 40V, 3A, TO-252 | 9. 5 pyб. |
10496 | Магнитное крепление – держатель | Магнитный держатель (крепление) представляет собой мощный постоянный магнит с отверстием под болт. Используется для крепления различных предметов на металлическую поверхность. | 17 pyб. |
7716 | XL4016E1 | Микросхемы XL4016E1 – 8A 180KHz 40V Buck DC to DC Converter, TO-220-5 | 75 pyб. |
4900 | TNY265PN | Микросхемы TNY265P (TNY265PN) – Enhanced, Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher, DIP-7 | 43 pyб. |
1898 | L78M05CDT (78M05) | Микросхема 78M05 (аналог L7805, LM7805) – стабилизатор 5V, SMD исполнение, Linear Voltage Regulators, 500mA, 5V, TO-252 | 15 pyб. |
8214 | MP1471 | Микросхема MP1471 (MP1471A, MP1471AGJ, MP1471GJ, маркировка IAEJD, IAGM*) – High-Efficiency, 3A, 16V, 500kHz Synchronous, Step-Down Converter, SOT23-6 | 32 pyб. |
10537 | Резистор 6вт 47ом (RX21, 6W, 47R) | Проволочные резисторы серии RX21, 6W, 47 Ohm | 9. 5 pyб. |
4944 | TIP41C to-220 | Транзистор TIP41C – NPN Epitaxial Silicon Transistor, 100V, 6A, TO-220 | 12 pyб. |
STMicroelectronics 2SB772 PNP Биполярный транзистор, 3 А, 30 В, 3 контакта SOT-32
Посмотреть все Биполярные транзисторы
Продукт снят с производства
Альтернатива
Этот продукт в настоящее время недоступен. Вот наша альтернативная рекомендация.
onsemi KSB772YSTU PNP Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin TO-126
- RS Stock No.
- 739-0423
Price Each (In a Pack of 5)
£0.588
(без НДС)
0,706 £
(включая НДС)
- RS Инвентарный номер:
- 686-8041
- Произв. Part No.:
- 2SB772
- Brand:
- STMicroelectronics
Technical Reference
- docPdfTransistor PNP 30V 3A 100MHz SOT32
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
Legislation and Compliance
Product Детали
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics
Биполярные транзисторы, STMicroelectronics
Широкий ассортимент биполярных транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая устройства общего назначения, транзисторы Дарлингтона, силовые и высоковольтные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и сквозных отверстий.
Specifications
Attribute | Value |
Transistor Type | PNP |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Package Type | SOT-32 |
Mounting Type | Through Hole |
Maximum Power Dissipation | 12. 5 W |
Максимальное базовое напряжение коллектора | 60 В |
Максимальное базовое напряжение эмиттера | 5 В |
Максимальная рабочая частота | 100 MHz |
Pin Count | 3 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
10. |