Карточка серии 2Т316Б N-P-N | Optochip: электронные компоненты
- Серии
- Приборы и модули полупроводниковые
Заявки на поставку электронных компонентов направляйте: [email protected]
Единый номер телефона: 8(495) 481-33-47
Стоимость продукции рассчитывается индивидуально, исходя из объема, условий заказа. Чтобы узнать окончательную цену, необходимо оставить заявку
- Предложения (0)
- Параметры
- Документация
- Аналоги
- Библиотека
- Обсудить
Выписки ТУ, Datasheet
Условные графические обозначения, назначения выводов
ПосмотретьПоказать те что в наличии:
Список позиций:
| Статьи, справочники, документация |
|---|
| Аналоги |
|---|
| Артикул | ТУ | Завод | Статус предприятия | Максимально допустимый постоянный /импульсный/ ток коллектора, не более, мА | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер /напряжение насыщения коллектор-эмиттер/, не более, В | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, не более, В | Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении, Б-коллектор-база, Э-коллектор-эмиттер, В и токе, К-коллектора, Э-эмиттера, мА), /не менее/ | Время рассасывания, не более, нс |
|---|
Перечень содержит преимущественно перспективную номенклатуру изделий военного назначения категорий качества “ВП”, “ОС” и “ОСМ” с техническим уровнем и характеристиками, отвечающими требованиям действующих нормативных документов (НД) на изделия и позволяющими создавать образцы аппаратуры ВВСТ различного назначения.
Применение изделий в аппаратуре возможно на основании совместного Решения государственного заказчика ВВСТ, в интересах и по заказу которого выполняются работы по разработке (модернизации), производству, эксплуатации и ремонту аппаратуры, и государственного заказчика ЭКБ, при одноременном решении вопроса об освоении в производстве, восстановлении производства или воспроизводстве изделий до начала серийного выпуска аппаратуры. Освоение таких изделий осуществляется в соответствии с ГОСТ РВ 15.301-2003, восстановление производства или воспроизводство – в установленном порядке.
Транзистор 2Т316Б | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор 2Т316Б
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников.
Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т316Б
Золото: 0.0108
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1.
Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзистор2T316B – Транзисторы | Российская электронная компания
Главная / Продукты / Транзисторы / 2T316B
2T316B
Универсальный кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор для коммутационных устройств.
Тип корпуса: металлостеклянный с гибкими выводами типа КТ-1-7
Тип прибора указан на корпусе
Mass not more than 0.5 g
Technical requirement version SB0.336.019 TU
Technical parameters
Maximum allowed collector constant current, mA | 50 | |
Maximum allowed collector impulse current , мА | 50 | |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданных токе коллектора и сопротивлении цепи эмиттер-база, В | 10 | |
Максимально допустимый ток с коллектором-базой при данном токе коллектора и нулевом базовом токе, v | 10 | |
| . нулевой ток коллектора, В | 4 | |
Максимально допустимая мощность рассеивания коллектора, мВт | 150 | |
Коэффициент передачи статического тока | 40. | |
Насыщенное насыщение на насыщенность. 0,5 | ||
Бета-отсечка, МГц | 800 | |
Емкость коллекторного перехода, пФ0003 | 3 | |
Emitter junction capacitance, pF | 2.5 | |
Maximum allowed junction temperature, o C | +150 | |
Ambient air температура, o С | -60..+125 |
.120Русская электронная компания Россия, Московская область, г. Рязань, Соборная площадь 2/
Тел: +7 (491) 227-61-51, Факс: +7 (491) 227-18-88
russian-electronics.
Другие товары в категории Транзисторы
2T325B
2T326A
2T326B
2T363A
2T363B
Спецификация PDF Поиск по сайту
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Больше новостей |