2Т633А: Транзистор 2Т633А “ОСМ” – ANION.RU

Содержание

Транзистор 2Т633А | Радиодетали в приборах

Транзистор 2Т633А
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т633А

Золото: 0.0492
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Похожее

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность – наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

платы от приборов, компьютеров
платы от телевизионной и бытовой техники
микросхемы любые
транзисторы
конденсаторы
разъёмы
реле
переключатели
катализаторы автомобильные и промышленные
приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Импортные транзисторы. Aнaлoги cepии MP-MT – Справочники – Техника, электроника – Каталог статей

Aнaлoги импортных транзисторов cepии MP-MT

Транзистоpы. Aнaлoги зaмeны импортных транзисторов oтeчecтвeнными. Транзистоpы cepии MP-MT

Транзистор/анaлoги:

MPF107
2П303Е
КП303Е
КП314А
2П337АР
2П337БР

MPF109N
КП364А
КП364Б
КП364Ж

MPF256
2П307А
КП307А
КП307Е
КП307Ж

MPS2711
КТ201АМ

MPS2923
КТ680А

MPS3638AK
КТ686Г

MPS3702
КТ685Д

MPS3725
КТ659А

MPS3866
2Т384А-2
2Т384АМ-2
КТ384А
КТ384АМ
2Т633А
КТ633Б

MPS5132
2Т377А-2

MPS5134
КТ603Д

MPS536
2Т658А-2
2Т658Б-2

MPS6519
КТ3107К

MPS6535M
2Т941А

MPS6565K
КТ645А

MPS6565M
КТ645А

MPS6567
КТ503А

MPS706
2Т377А-2

MPSA70
КТ209И
КТ502А

MPSD55
КТ681А

MPSh43
КТ939Б

MPSU31
КТ821Б-1

MR1011B40W
2Т979А
А662

MRA0510-50H
2Т9153АС
2Т9153БС

MRF1002MA
2Т913А
КТ913А

MRF1002MB
2Т913А
КТ913А

MRF1004MA
2Т913Б
КТ913Б

MRF1004MB
2Т913Б
КТ913Б

MRF1004MC
2Т913Б
КТ913Б

MRF1008MA
2Т913В
КТ913В
2Т960А
КТ960А

MRF1008MB
2Т913В
КТ913В
2Т960А
КТ960А

MRF1008MC
2Т913В
КТ913В
2Т960А
КТ960А

MRF1015MA
2Т916А
КТ916А
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF1015MB
2Т916А
КТ916А
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF1015MC
КТ916Б
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF1035MA
2Т962В
КТ962В
2Т9107А-2

MRF1035MB
2Т962В
КТ962В
2Т9107А-2

MRF1035MC
2Т962В
КТ962В

MRF1090MA
КТ9152А

MRF1090MB
КТ9152А

MRF1250M
2Т9127Б
А731Г

MRF134
КП346В9

MRF2001
2Т9102Б-2

MRF2001B
2Т9102Б-2

MRF2001M
2Т919В
2Т919В-2
КТ919В
А827Б
2Т9102Б-2

MRF2003
2Т9102А-2

MRF2003B
2Т9102А-2

MRF2003M
КТ919Г

MRF2005
2Т942Б
2Т942Б-5
2Т948Б
КТ948Б
А642Б
2Т990А-2

MRF2005B
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF2005M
2Т942Б
2Т942Б-5
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF2010
2Т948А
КТ948А
А642А
2Т989Б
А680Б

MRF2010B
2Т948А
КТ948А
А642А

MRF2010M
2Т948А
КТ948А
2642А

MRF2011
2Т989Б
А680Б

MRF201611
2Т989В
А680В

MRF2016M
2Т948А
КТ948А
2642А

MRF309
2Т9132АС

MRF323
2Т960А
КТ960А

MRF327
2Т970А
КТ970А

MRF430
2Т9126А
А723
КТ9160А
КТ9160Б
КТ9160В

MRF448
2Т980А
КТ980А
А661А

MRF515
2Т606А
КТ606А

MRF5174
2Т922А
КТ922А
КТ904Б
2Т984Б
КТ984Б

MRF534
2Т658А-2
2Т658Б-2

MRF543
2Т974А
2Т974Б
2Т974Г
А652А
А652Б

MRF544
КТ9141А1
А764А

MRF547
2Т974А
2Т974Б
2Т974Г
А652А
А652Б

MRF549
2Т974А
2Т974Б
2Т974Г
А652А
А652Б

MRF562
2Т3121А-6
КТ3121А-6

MRF580
2Т3114А-6

MRF587
2Т996Б-2
2Т996Б-5
КТ996Б-2
КТ996Б-5
А793Б

MRF587A
2Т996Б-2
2Т996Б-5
КТ996Б-2
КТ996Б-5
А793Б

MRF627
КТ606Б

MRF641
2Т909Б
КТ909Б
КТ909Г

MRF644
КТ9133А

MRF646
2Т9132АС

MRF660
КТ920Г

MRF840
2Т946А
2Т946А
А630
2Т962Б
КТ962Б
2Т988А
А682А
КТ9150А

MRF841
2Т948Б
КТ948Б
А642Б

MRF843
2Т946А
2Т946А
А630
2Т988А
А682А

MRF843F
2Т946А
2Т946А
А630
2Т988А
А682А

MRF846
КТ9142А

MRF870
КТ983В

MRF873
2Т946А
2Т946А
А630
2Т988А
А682А

MRF890
КТ983В

MRF892
2Т988А
А682А
2Т9155А
КТ9155А

MRF905
2Т977А
КТ977А
А657

MRF931
2Т372А
КТ372А

MSC0204100
2П920А
2П920Б
А709А
А709Б
2П928А
2П928Б
А746А
А746Б

MSC0830
3П910Б-2
3П910Б-5
А734Б
3П915Б-2
А796Б

MSC0833
3П915Б-2
А796Б

MSC0835
3П915Б-2
А796Б

MSC1075M
2Т9127Б
А731Г

MSC1090M
2Т9127Б
А731Г

MSC1150MP
2Т9127Б
А731Г

MSC1400M
2Т9127А
А731А
А731Б

MSC1824
3П602Д-2
3П602Д-5
АП602Д-2
3П603А-2
3П603А1-2
3П603А-5
АП603А-2
АП603А1-2
АП603А-5
А686А-2
А686А1-2

MSC1827
3П602Д-2
3П602Д-5
АП602Д-2
3П603А-2
3П603А1-2
3П603А-5
АП603А-2
АП603А1-2
АП603А-5
А686А-2
А686А1-2
3П606В-2
3П606В-5
АП606В-2Б
АП606В-5
А745В
А745В-5
3П910А-2
3П910А-5
А734А
3П927А-2
3П927Б-2
3П927В-2
3П927Г-2
3П927Д-2
А725А
А725Б
А725В
А725Г
А725Д

MSC2404CT3
КТ3172А9

MSC31175M
2Т9127Б
А731Г

MSC80187
2Т9102Б-2

MSC80197
2Т9102Б-2

MSC81150
2Т9127Б
А731Г

MSC81250M
2Т9127Б
А731Г

MSC81550M
2Т9127А
А731А
А731Б

MSC82308
2Т9137А
А792

MSC85470
2Т911А
КТ911А
КТ911В

MSC85853
2Т637А-2
КТ637А-2

MSC85855
КТ918Б-2

MSC85920
2Т911А
КТ911А
КТ911В

MSC88001
3П602Д-2
3П602Д-5
АП602Д-2
3П603А-2
3П603А1-2
3П603А-5
АП603А-2
АП603А1-2
АП603А-5
А686А-2
А686А1-2

MSC88002
3П606В-2
3П606В-5
АП606В-2Б
АП606В-5
А745В
А745В-5
3П910А-2
3П910А-5
А734А

MSC88004
3П603Б-2
3П603Б1-2
3П603Б-5
АП603Б-2
АП603Б1-2
АП603Б-5
А686Б-2
А686Б1-2
3П910Б-2
3П910Б-5
А734Б

MSC88553
КТ918Б-2

MSM344210
3П925В-2

MSM5964-10
3П930Б-2
3П930В-2
А795Б
А795В

MSM5964-2
3П930А-2
А795А

MSM5964-5
3П930А-2
А795А

MSP2907A
КТ644Б
КТ644Г
КТ685Г

MSP65A
2Т506А
2Т506А-5
КТ506А

MSP75A
2Т506А
2Т506А-5
КТ506А

MTA7N05
2П913А
2П913Б
А675А
А675Б

MTH7N50
2П706А

MTM12P08
2П712А
2П712А-5

MTM3N60
КП707Б
КП805Б

MTM4N50
КП805В

MTP14N05A
2П920А
2П920Б
А709А
А709Б

MTP1505E
КП945А

MTP3N100
A843A

MTP3N60
КП709Б
КП805Б

MTP4N10
2П912А

MTP4N50
КП805В

MTP7N05
2П913А
2П913Б
А675А
А675Б

MTP8P10
2П712В
2П712В-5

Пpи иcпoльзoвaнии текстов справочника нa дpyгиx pecypcax yкaзывaть aктивнyю ccылкy нa caйт mobitehnik.com или этy cтpaницy.

СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ КТ6хх

КТ601А
КТ601АМ
КТ602А
КТ602Б
КТ602В
КТ602Г
КТ602АМ
КТ602БМ
КТ603А
КТ603Б
КТ603В
КТ603Г
КТ603Д
КТ603Е
КТ604А
КТ604Б
КТ604АМ
КТ604БМ
КТ605А
КТ605Б
КТ605АМ
КТ605БМ
КТ606А
КТ606Б
КТ607А
КТ608А
КТ608Б
ГТС609А
ГТС609Б
ГТС609В
КТ610А
КТ610Б
КТ611А
КТ611Б
КТ611В
КТ611Г
КТ611АМ
КТ611БМ
ГТ612А
КТС613А
КТС613Б
КТС613Б
КТС613В
ГТ614А
КТ616А
КТ616Б
КТ617А
КТ618А
КТ620А
КТ620Б
КТС622А
КТС622Б
КТ624А
КТ625А
КТ626А
КТ626Б
КТ626В
КТ626Г
КТ626Д
КТ626Е
КТ626Ж
КТ629А
КТ630А
КТ630Б
КТ630В
КТ630Г
КТ630Д
КТ630Е
КТС631А
КТС631Б
КТС631В
КТС631Г
2Т632А
КТ632Б
КТ632Б1
КТ632В1
2Т633А
КТ633Б
2Т634А2
КТ635А
2Т637А2
2Т638А
КТ638А
КТ638Б
КТ639А
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
КТ640А
КТ640Б
КТ640В
2ТС641А
2Т642А2
2Т642Б2
2Т643А2
КТ644А
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ645А
КТ645Б
КТ646А
КТ646Б
2Т647А2
2Т648А2
2Т649А2
КТ650А
2Т652А
2Т653А
2Т653Б
2Т657А2
КТ657Б2
КТ657В2
2Т658А
2Т658Б
2Т658В
КТ659А
КТ660А
КТ660Б
КТ661А
КТ662А
2Т663А
2Т663Б
КТ664А9
КТ664Б9
КТ665А9
КТ665Б9
КТ666А9
КТ667А9
КТ668А
КТ668Б
КТ668В
2Т669А
2Т669А1
2Т670АС
2Т671А2
2Т672А2
КТ674АС
КТ678АС
2Т679А2
2Т679Б2
КТ680А
КТ681А
2Т682А2
2Т682Б2
КТ683А
КТ683Б
КТ683В
КТ683Г
КТ683Д
КТ683Е
КТ684А
КТ684Б
КТ684В
КТ684Г
КТ685А
КТ685Б
КТ685В
КТ685Г
КТ685Д
КТ685Е
КТ685Ж
КТ686А
КТ686Б
КТ686В
КТ686Г
КТ686Д
КТ686Е
КТ686Ж
2Т687АС2
2Т687БС2
2Т688А2
2Т688Б2
2Т689АС
2Т690АС
2Т691А2
2Т693АС
КТ6102А
КТ6103А
КТ6104А
КТ6105А
КТ6107А
КТ6108А
КТ6109А
КТ6109Б
КТ6109В
КТ6109Г
КТ6109Д
КТ6110А
КТ6110Б
КТ6110В
КТ6110Г
КТ6110Д
КТ6111А
КТ6111Б
КТ6111В
КТ6111Г
КТ6112А
КТ6112Б
КТ6112В
КТ6113А
КТ6113Б
КТ6113В
КТ6113Г
КТ6113Д
КТ6113Е
КТ6114А
КТ6114Б
КТ6114В
КТ6114Г
КТ6114Д
КТ6114Е
КТ6115А
КТ6115Б
КТ6115В
КТ6115Г
КТ6115Д
КТ6115Е
КТ6116А
КТ6116Б
КТ6117А
КТ6117Б
КТ6128А
КТ6128Б
КТ6128В
КТ6128Г
КТ6128Д
КТ6128Е
КТ6136А
КТ6137А
ГТ701А
ГТ702А
ГТ702Б
ГТ702В
ГТ703А
ГТ703Б
ГТ703В
ГТ703Г
ГТ703Д
КТ704А
КТ704Б
КТ704В
ГТ705А
ГТ705Б
ГТ705В
ГТ705Г
ГТ705Д
2Т708А
2Т708Б
2Т708В
2Т709А
2Т709Б
2Т709В
2Т709А2
2Т709Б2
2Т709В2
КТ710А
КТ712А
КТ712Б
2Т713А
КТ715А
2Т716А
2Т716Б
2Т716В
2Т716А1
2Т716Б1
2Т716В1
2Т718А
2Т718Б
КТ719А
КТ720А
КТ721А
КТ722А
КТ723А
КТ724А
КТ728А
КТ729А

16-180/10
16-180/10
20-80 /10
50- /10
20-80 /10
50- /10
20-80 /10
50- /10
10-80 /150
60- /150
10-80 /150
60- /150
10-80 /150
60-200/150
10-40 /20
30-120/20
10-40 /20
30-120/20
10-40 /20
30-120/20
10-40 /20
30-120/20
20-80 /200
40-160/200
-0,2
-160/500
80-240/500
50-300/150
20-300/150
10-40 /20
30-120/20
10-40 /20
30-120/20
10-40 /20
30-120/20
25-100/200
40-200/200
20-120/200
50-300/200
15-250/50
40- /500
25- /500
30- /400
30- /10
100- /10
30-100/200
30-150/200
30- /200
30-180/300
20-200/500
15-250/150
30-100/150
15-45 /150
15-60 /150
40-250/150
80-160/150
50- /150
25-150/500
40-120/150
80-240/150
40-120/150
40-120/150
80-240/150
60-480/150
20- /300
20- /150
20- /150
20- /300
50- /1
30- /1
50-450/1
150-450/1
40-120/10
20-160/10
25-150/500
30-140/50
50- /2
50-350/2
150-450/2
40-100/150
63-120/150
100-250/150
40-100/150
63-120/150
40-100/150
63-160/150
180-400/150
40-150/100
40-120/150
100-300/150

40-120/150
100-300/150
20-200/150
80- /150
40-200/200
150- /200
100-300/
25-100/500
40-150/150
80-250/150
/30
60-200/30
35-70 /30
20- /50
30- /50
20- /50
35- /300
110-220/2
200-450/2
100-300/150
100-300/150
20-80 /50
20-80 /50
40-250/150
40-250/150
40-250/150
40-250/150
50- /
25- /
75-140/2
125-250/2
220-475/2
50-160/200
40-180/70
40-200/200
30-120/500
75-160/10
75- /10
20-80/500
20-80/500
85-300/500
85-300/500
40- 75/20
80-120/20
40-120/150
80-240/150
40-120/150
40-120/150
80-240/150
160-480/150
40-250/150
40-160/150
40-160/150
180-400/150
40-120/150
40-120/150
100-300/150
100-300/150
70-200/150
40-120/300
100-300/300
100-250/100
160-400/100
250-630/100
100-250/100
160-400/100
250-630/100
100-250/100
20-90 /300
20-90 /300
50-150/80
50-150/80
20- /50
40- /150
80-250/150
80-250/150
50-150/5
50-150/5
30-350/30
30-350/30
64-91 /
78-112/
96-135/
112-166/
144-202/
64-91 /
78-112/
96-135/
112-166/
144-202/
60-150/
100-300/
200-600/
400-1000/
60-150/
100-300/
200-600/
28-45 /
39-60 /
54-80 /
72-106/
97-146/
132-196/
85-160/
120-200/
160-300/
85-160/
120-200/
160-300/
85-160/
120-200/
160-300/
85-160/
120-200/
160-300/
60-240/
40-180/
80-250/
40-180/
28-45 /
39-60 /
54-80 /
72-108/
97-146/
132-198/
100-300/
100-300/
10- /5
15-100/30
15-100/30
20- /30
30- 70/0.05
50-100/0.05
30- 70/0.05
50-100/0.05
20- 45/0.05
10-100/1
10-100/1
10- /1
30- 70/0.05
50-100/0.05
30- 70/0.05
50-100/0.05
90-250/0.05
500- /2
750- /2
750- /2
500- /5
750- /5
750- /5
500- /5
750- /5
750- /5
3.5- /4
500-10000/2
400-10000/2
5-20 /1.5
15- /2
750-30000/5
750-30000/5
750-30000/5
500-30000/5
750-30000/5
750-30000/5
20- /
20- /
20-275/0.15
20-275/0.15
20- /1
20- /1
20- /5
20- /5

40
40
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
80
80
40
40
80
80
40
40
350
300
1000
200
200
30
30
30
1000
700
60
60
60
60
60
60
1500
200
200
200
200
1000
200
200
150
40
200
200
200
150
450
200
75
75
45
45
45
80
80
250
50
50
50
50
50
50
350
350
200
200
200
200
200
200
500
500
1500
250
1300
200
200
200
80
80
80
80
80
80
80
80
4000
3800
3800
300
1000
1000
4000
200
200
200
200
400
300
200
40
200
50
50
3000
4000
4000
2000
300
200
200
200
300
300
300
50
50
50
50
60
60
200
200
200
200
200
200
2000
200
250
250
300
300
120
120
4400
4400
50
50
50
50
50
50
40
40
40
40
200
200
200
200
350
250
250
100
100
100
100
100
100
100
450
450
300
300
3000
125
200
200
350
350
500
500
150
150
150
150
100
100
100
700
700
700
700
700
700
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
300
300
300
300
400
400
400
400
400
400
250
300
0.05
0.12
0.12
0.12
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
0.45
6
6
6
6
6
6
3
3
3
3
3
3
6
6

15/20
15/20
апр.50
4/50
4/50
4/50
4/50
4/50
15.окт
15/10
15/10
15/10
15/10
15/10
июл.40
7/40
7/40
7/40
июл.40
7/40
7/40
7/40
окт.28
10/28
апр.25
15.окт
15/10
50/10
50/10
50/10
3.5.10
3.5.10
5.40
5/40
5/40
5/40
5/40
5/40
3.5.5
15.10
15/10
15/10
15/10
15.10
15/10
15.10
7.40
15.5
09.10
150/10
150/10
150/10
150/10
150/10
150/10
150/10
25.10
15.10
15/10
15/10
15/10
15/10
15/10
15.10
15/10
15/10
15/10
5.20
04.05.2010
04.05.2010
02.05.2015
10.10
04.05.2015
6.20
50/10
50/10
50/10
50/10
50/10
50/10
50/10
50/10
1.3.15
1.3.15
1.3.15

3.0(50/5)
3.0(50/5)
3.0(50/5)
3.0(50/5)
3.0(50/5)
3.0(50/5)
1.0(150/15)
1.0(150/15)
1.0(150/15)
1.0(150/15)
1.0(150/15)
1.0(150/15)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)

1.0(400/80)
1.0(400/80)
1.6(500/70)
1.6(500/70)
1.6(500/70)

8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)
8.0(20/2)

1.2(400/80)
1.2(400/80)
1.2(400/80)
1.2(400/80)

0.6(500/50)
0.2(500/50)
0.7(150/15)

–
1.8(400/80)
1.3(400/80)
2.0(400/80)
1.7(1000/100)
0.65(500/50)
–
–
–
–
–
0.25(500/50)
0.25(500/50)
1.0(500/50)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
1.2(450/45)
1.2(100/10)
1.2(100/10)
1.2(450/45)
0.5(20/2)
0.8(20/2)
0.5(20/2)
0.5(20/2)
0.5(100/10)
0.6(100/10)

0.9(500/50)

0.5(20/2)
0.5(20/2)
0.5(20/2)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)

1.0(300/60)

0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.5(150/15)
0.05(10 / )
0.85(500/50)
0.25(200/ )

0.65(500/50)
0.5(150/15)
0.5(150/15)

0.9(1А/100)
0.05(10 /1)
0.5(500/50)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.5(150/15)
0.5(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.8( 10/ )
0.8( 10/ )
0.3(10/0.5)
0.3(10/0.5)
0.3(10/0.5)
1(400/80)
1( 70/15)
1(400/80)

0.6(500/50
0.25(10/1 )
0.2( 10/1 )
0.8(500/50)
0.8(500/50)
0.5(1А/100)

0.5(1А/100)

0.45(150/15)
0.45(150/15)
0.45(150/15)
0.45(150/15)
0.45(150/15)
0.45(150/15)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.5(500/50)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.4(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.3(150/15)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
0.7(500/50)
1.0(300/60)
0.8(300/60)

1.0(250/50)
0.8(250/50)

0.6(150/15)
0.5(150/15)
0.5(150/15)
0.5( 10/2 )
0.5( 10/2 )
0.5( 10/1 )
0.5( 10/1 )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.6( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.7( / )
0.7( / )
0.7( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.5( / )
0.25( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.3( / )
0.4( / )
0.3( / )

0.6(30/3)
0.6(30/3)
0.6(30/3)
0.6(3/0.2)
0.6(3/0.2)
0.6(3/0.2)
0.6(3/0.2)
0.6(3/0.2)
5(2.5/1.5)
5(2.5/1.5)
5(2.5/1.5)
1(1.5/0.1)
1(1.5/0.1)
1(1.5/0.1)
1(1.5/0.1)
1(1.5/0.1)
2(2/0.01)
2(2/0.01)
2(2/0.01)
2(2/0.02)
2(2/0.02)
2(2/0.02)
2(2/0.02)
2(2/0.02)
2(2/0.02)
3.5(4/ 3)
2(2/0.01)
2(2/0.01)
1(1.5/1.5)
3(0.2/.05
2(5/0.02)
2(5/0.02)
2(5/0.02)
2(5/0.02)
2(5/0.02)
2(5/0.02)

0.6(0.5/.05)
0.6(0.5/.05)
0.6(1/0.1)
0.6(1/0.1)
4(15/3)
4(15/3)

0.03/
0.03/
0.075/0.5
0.075/0.5
0.075/0.5
0.075/0.5
0.075/0.5
0.075/0.5
0.3/0.6
0.3/0.6
0.3/0.6
0.3/0.6
0.3/0.6
0.3/0.6
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.4/0.8
0.4/0.8
0.15/
0.4/0.8
0.4/0.8
/0.7
/0.7
/0.7
0.3/
0.3/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.12/
0.4/0.8
0.4/0.8
0.4/0.8
0.4/0.8
0.2/
0.4/0.6
0.4/0.6
0.4/0.6
0.1/
0.4/0.6
0.4/0.6
01.01.3
01.01.3
0.5/1.5
0.5/1.5
0.5/1.5
0.5/1.5
0.5/1.5
/1.5
/1.5
1/
01.2
1/2
1/2
1/2
1/2
1/2
1.1.3
0.3/0.5
0.3/0.5
1/1.3
0.1/0.35
0.1/
/0.35
/0.35
0.2/0.5
0.2/0.5
0.15/0.25
1.1.5
0.2/0.3
0.1/0.35
0.1/
0.1/
1.5/2
1.5/2
1.5/2
1.5/2
1.5/2
1.5/2
1.5/2
1.5/2
0.06/
0.06/
0.06/
0.8/1.5
0.06/
0.06/
0.12/
0.6/1
0.6/1
0.6/1
0.6/1
0.3/0.6
0.3/
1.0/1.2
1.0/
0.09/
0.06/
0.2/0.3
0.05/
01.2
01.2
1/2
0.06/
0.06/
0.06/
0.075/0.15
0.075/0.15
0.075/0.15
1.2/
0.8/1
0.8/1
0.3/0.6
0.4/
0.2/1
0.2/1
1.1.5
1/1.5
1.1.5
1/1.5
0.02/
0.02/
0.1/0.2
0.1/0.2
0.1/0.2
0.4/0.8
0.3/0.6
0.4/0.8
0.15/0.15
1.2
0.2/
0.2/0.75
0.5/1
0.5/1
0.6/2
0.6/2
0.05/
0.05/
1.2
1/2
1/2
1/2
1/2
1/2
1.1.5
1/1.5
1/1.5
1.5/1.5
0.6/
0.6/
0.6/
0.6/
0.6/
0.6/
0.6/
0.8/1.5
0.8/1.5
0.8/1.5
0.8/1.5
0.8/1.5
0.8/1.5
0.8/1.5
1.5/3.5
1.5/4.5
0.1/
0.1/
0.3/0.6
0.3/0.6
0.2/0.25
0.15/0.2
1.5.2
1.5.2
0.15/1
0.15/1
0.13/1
0.13/1
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.5/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.1/
0.05/
0.05/
0.05/
0.05/
0.05/
0.05/
1.5/
1.5/
1.5/
1.1/
1.1/
1.1/
1.5/
1.5/
1.5/
1.1/
1.1/
1.1/
0.6/
0.6/
0.6/
0.6/
0.025/
0.025/
0.025/
0.025/
0.025/
0.025/
0.2/
0.2/
12/
30/
30/
30/
3.5/
3.5/
3.5/
3.5/
3.5/
2.5.4
2.5.4
2.5.4
3.5/
3.5/
3.5/
3.5/
3.5/
2.5.5
2.5.5
2.5.5
10.20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
5.7.5
10.15
10/15
3.3
2.2
10.20
10/20
10/20
10/20
10/20
10/20
10.12
10/12
1.5.3
1.5.3
3.6
3.6
10.15
10.15
15/
15/

0.25/1.5 n-p-n
0.25/1.5 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.85/2.8 n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
/2.5 n-p-n
/2.5 n-p-n
/1.5 n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
/1.5 n-p-n
/1.5 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.8/3 n-p-n
0.36/ n-p-n
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.4/ n-p-n
0.3/ n-p-n
0.3/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.225/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.4/ p-n-p
0.4/ p-n-p
/1 n-p-n
/1 n-p-n
/6.5 p-n-p
/6.5 p-n-p
/6.5 p-n-p
/6.5 p-n-p
/6.5 p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
/1 p-n-p
0.8/ n-p-n
0.8/ n-p-n
0.8/ n-p-n
0.8/ n-p-n
0.8/ n-p-n
0.8/ n-p-n
1/ n-p-n
1/ n-p-n
1/ n-p-n
1/ n-p-n
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.36/ n-p-n
/1.2 n-p-n
/1.2 n-p-n
0.5/ n-p-n
/1.5 n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
/0.6 n-p-n
/0.6 n-p-n
/0.6 n-p-n
/5 nP/Pn
0.35/ n-p-n
0.23/ n-p-n
1.1/ n-p-n
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
1/ p-n-p
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
1.0/ n-p-n
1.0/ n-p-n
0.56/ n-p-n
0.42/ n-p-n
/1.5 n-p-n
0.3/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.8/5 n-p-n
0.8/5 n-p-n
0.375/ n-p-n
0.375/ n-p-n
0.375/ n-p-n
/0.6 p-n-p
/0.6 p-n-p
/0.6 p-n-p
1/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.5/ n-p-n
0.4/1.8 p-n-p
0.6/ p-n-p
0.4/
0.4/
0.3/1 p-n-p
0.3/1 p-n-p
0.3/1 n-p-n
0.3/1 n-p-n
0.8 p-n-p
0.8 n-p-n
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.5/ p-n-p
0.5/
0.5/
0.8/
/1.3 n-p-n
1
0.9/
0.9/
1
1
0.35/ n-p-n
0.35/ p-n-p
/0.35 n-p-n
/0.35 n-p-n
1.2.8 n-p-n
1.2.8 n-p-n
1.2.8 n-p-n
1.2.8 n-p-n
1.2.8 n-p-n
1.2.8 n-p-n
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.8/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/ p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
0.6/1.4 p-n-p
/1.5 p-n-p
/1.5 p-n-p
0.75 n-p-n
0.75 n-p-n
0.4
0.4
/1.2 p-n-p
0.75 n-p-n
0.3/1 p-n-p
0.3/1 n-p-n
0.3/1 p-n-p
0.3/1 n-p-n
0.3/1 p-n-p
0.3/1 n-p-n
0.625/ p-n-p
0.625/ p-n-p
0.625/ p-n-p
0.625/ p-n-p
0.625/ p-n-p
0.625/ n-p-n
0.625/ n-p-n
0.625/ n-p-n
0.625/ n-p-n
0.625/ n-p-n
0.45/ n-p-n
0.45/ n-p-n
0.45/ n-p-n
0.45/ n-p-n
0.45/ p-n-p
0.45/ p-n-p
0.45/ p-n-p
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
1.0/ n-p-n
1.0/ n-p-n
1.0/ n-p-n
0.7/ n-p-n
0.7/ n-p-n
0.7/ n-p-n
1.0/ p-n-p
1.0/ p-n-p
1.0/ p-n-p
0.7/ p-n-p
0.7/ p-n-p
0.7/ p-n-p
0.62/ p-n-p
0.625/ p-n-p
0.625/ n-p-n
0.625/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.4/ n-p-n
0.625/ p-n-p
0.625/ n-p-n
/50 p-n-p
5/150 p-n-p
5/150 p-n-p
5/150 p-n-p
1.6/15
1.6/15
1.6/15
1.6/15
1.6/15
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
/15 n-p-n
0.7/5 p-n-p
0.7/5 p-n-p
0.7/5 p-n-p
2.30 p-n-p
2/30 p-n-p
2/30 p-n-p
1/30 p-n-p
1/30 p-n-p
1/30 p-n-p
/50 n-p-n
1.5.50 p-n-p
1.5.50 p-n-p
/50 n-p-n
/75 n-p-n
2.30 n-p-n
2/30 n-p-n
2/30 n-p-n
1/30 n-p-n
1/30 n-p-n
1/30 n-p-n
/200 n-p-n
/200 n-p-n
1.10 n-p-n
1.10 p-n-p
1.25 n-p-n
1.25 p-n-p
1.5.60 n-p-n
1.5.60 p-n-p
/115 p-n-p
/115 n-p-n

Mikrovågstransistorer med högffekt. Крафтмикровагс-транзистор Philips Semiconductors

Транзистор

Параметр

npn

Ikbo vid Ukb mA / V

Iebo vid Ueb mA / V

h31e-enheter

Frp MHz

Sc pf

t до трансформатора Ueb max B

Ik max A

I att imp A

Ib max A

P max W

RT max W

2T606A

1/65

0,1 / 4

3,5

0,01

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606A

1,5 / 65

0,3 / 4

0.012

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606B

1,5 / 65

0,3 / 4

0,012

0,4

0,8

0,1

0,6

2,0

2T607A-4

н / д

0,125

н / д

0,3

1,0

KT607A-4

н / д

0,15

н / д

0.9

1,5

KT607B-4

н / д

4,5

0,15

н / д

0,8

1,5

2T610A

0,5 / 20

0,1 / 4

50–250

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

2T610B

0,5 / 20

0,1 / 4

20–250

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

КТ610А

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

КТ610Б

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

2T633A

0,003 / 30

0,003 / 4

40–140

3,3

н / д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

КТ633Б

0,01 / 30

0,01 / 4

20–160

3,3

н / д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

2T634A

1/30

0,2 / 3

н / д

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1.8

KT634B

2/30

0,4 / 3

н / д

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1,8

2T637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

KT637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

KT637B

2/30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

2T640A

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640А

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640Б

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640В

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

н / д

0,6

н / д

2T642A

1/20

0,1 / 2

н / д

1,1

н / д

0,06

н / д

0,5

н / д

KT642A

1/20

0,1 / 2

н / д

1,1

н / д

0,06

н / д

0,5

н / д

2T642A1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0.35 год

н / д

2T642B1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,35

н / д

2T642V1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,2 с

н / д

2T642G1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,23

н / д

2T643A-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

н / д

0,12

н / д

3,15

н / д

2T643B-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

н / д

0,12

н / д

0,15

н / д

2T647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,09

н / д

5,56

0,8

KT647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

н / д

1.5

н / д

0,09

н / д

0,56

0,8

2T648A-2

1/18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,06

н / д

0,4

0,6

KT648A-2

1/18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,06

н / д

0,4

0,6

2T657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

0,31

н / д

2T657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0.06

н / д

0,31

н / д

2T657V-2

1/12

0,1 / 2

35-50

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

KT657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

KT657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

КТ657В-2

1/12

0,1 / 2

35-50

н / д

0.06

н / д

3,37

н / д

KT659A

н / д

мин 35

н / д

1,2

н / д

2T671A

1/15

0,4 / 1,5

н / д

1,5

н / д

1,5

0,15

н / д

0,9

н / д

2T682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-70

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

2T682B-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

80-100

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

KT682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-50

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

Följande beteckningar antas i tabellen elektriska parameter transistorer:

Ikbo – omvänd kollektorström (uppsamlingsbasen), i telleren, med spänningen melaren opps base.
Iebo – bakströmmen för emittern (эмиттер-бас), i telleren, med spänningen mellan emittern och basen, i nämnaren.
h31E – statisk strömöverföringskoefficient (förstärkning).
FGR – den övre avstängningsfrekvensen for transistorns överföringskoefficient.
Sc – kapacitans för kollektorkorsningen, t till kretsens tidskonstant respons (intemer).
Ukb max – max tillåten spänning mellan grenröret och basen.
Max max – maxalillåten spänning mellan kollektor och emitter
Max max – den högsta tillåtna spänningen mellan sändaren och basen.
Jag max – максимальный аппсамлингстрём.
Ик имп. – максимальный импульс самларстрём.
Ib max är den maximala basströmmen.
Pmax – максимальный эффект utan kylfläns.
RT max – Максимальный эффект от kylfläns.

Amatörradiohandböcker

Современная версия для радиоэлектронных устройств и элементов питания, которые могут быть подключены к быстрому подключению УКВ FM и телевидения с улучшенным эффектом до 5 кВт.Förstärkarkretsar baserade på bredbandstransistorförstärkare har ett antal fördelar jämfört med rörförstärkare. Solid state-sändare är mer pålitliga, elektriskt säkra, praktiska att använda och lättare att tillverka.

Med sändarens blockmodulära utformning leder inte ett av de slutliga förstärkningsblocken till störningar i sändningen, eftersom överföringen kommer att fortsätta tills blocket byts ut, endast med reducerad effect. Dessutom kräver inte transistorförstärkarens bredbandsväg ytterligare anpassning до en специфический канал inom driftsfrekvensbandet.

Det är allmänt accept att sändarens tillförlitlighet först och främst beror på pålitligheten for de använda aktiva komponenterna. Tack vare användningen av moderna kraftfulla linjära mikrovågstransistorer, design egenskaper och tillverkningstekniken ger en betydande ökning av deras MTBF, frågan om att öka Tillförlitligheten хостинг в быстром темпе.

Växande krav för de tekniska och ekonomiska indikatorerna for VHF-VM och TV kraftfulla sändare, liksom den uppnådda nivån av inhemsk teknologi inom området för att skapa kraftfulolvensraiselabraisenForskningsinstitutet för elektronisk teknik (Воронеж), который занимается производством и выпуском изделий из ассортимента, предназначенных для использования в качестве материала и дециметров.

Transistorerna – это специальная конструкция для анвендинга и крафтфулла ТВ и радиоприемников, ретранслятор, синхронизация и ТВ-ретранслятор с геменсам для создания людей и билдсигналеров, базовых станций мобильной связи и других мобильных станций. Dessa transistorer uppfyller de extremt stränga kraven för överföringskarakteristikens linearitet, har en marginal for Effekttillförsel och som ett resultat ökad tillförlitlighet.

Strukturellt är sådana transistorer tillverkade i metall-keramiska fodral. Dem utseende Visas i рис. 1 (inte alla transistorer som nämns i artikeln visas; de saknade kan ses i artikeln). Transistorkonstruktionernas höga linearitet och frekvensegenskaper realiseras genom användning av isoplanär teknik med precision. Diffusionslager har en submikron designstandard. Bredden på topologins emitterelement är cirka 1,5 mikron med en extremt utvecklad omkrets.

För att eliminera fel orsakade av sekundär elektrisk och termisk nedbrytning, bildas transistorkonstruktionen på en kiselkristall med en tvåskikts epitaxial kollektor och med användning av emitterstabiliserande motstånde.Transistorernas långsiktiga tillförlitlighet beror också på användningen av flerskiktsmetallisering baserad på guld.

Linjära transistorer med enffektförlust på mer än 50 W (med undantag av KT9116A, KT9116B, KT9133A), который может быть использован в конструктивном исполнении LC-matchande krets vid ingången, gjord i form avdans en mikropon med trådkablar. Med interna matchningskretsar kan du utöka driftsfrekvensbandet, förenkla ingångs- och utgångsmatchning och ökaffektförstärkningen i frekvensbandet.

Samtidigt är dessa transistorer “balanserade”, vilket betyder närvaron av två identityiska transistorkonstruktioner på en fläns, förenade av en gemensam emitter. Denna design och tekniska lösning gör det möjligt att minska indextansen hos den gemensamma elektrodterminalen och hjälper också till att utöka frekvensbandet och förenkla matchningen.

Vid tryckkoppling på balanserade transistorer är Potentialen for deras mittpunkt teoretiskt noll, vilket motsvarar tillståndet for en konstgjord “mark”.En sådan inkludering tillhandahåller faktiskt en ungefär fyrfaldig ökning av utgångskompleximpedansen и jämförelse med en enkeländad impedans vid samma utsignalnivå och Effektiv ventryckning av även fürförndara denomiska.

Детальная информация о TV-sändningens kvalitet först och främst beror på hur linjär överföringskarakteristiken för den elektroniska banan är. Frågan om linearitet är särskilt akut när det gäller utformningen av ledförstärkningsenheter for bild- och ljudsignaler på grund av utseendet på kombinationskomponenter i frekvensspektrumet.Därför antogs en tretonsmetod for utvärdering av lineariteten hos den överföringskaraktäristik som föreslagits av utländska Experter. inhemska transistorer genom nivån av undertryckande av den tredje ordningens kombinationskomponent.

Методы базового уровня для анализа телевизионных сигналов с определенным уровнем сигнала для мобильных устройств в среднем -8 дБ. sidofrekvens -16 dB и bärfrekvens for ljudspår -7 dB relativt kraftuttaget vid kuvertets topp. Transistorer for ledförstärkning, beroende på frekvens- ochffektserier, måste tillhandahålla värdet på koefficienten for kombinationskomponenterna i MV, som regel högst -53…- 60 дБ.

Класс обмена с микровыключателем и системой управления трансмиссией. Det bör noteras att en så hög linjäritetsnivå vanligtvis realiseras endast i läget för klass A, där det är möjligt att utföra den maximala linjäriseringen av överföringskarakteristiken.

Inom mätarområdet, som framgår av tabellen, finns det ett antal transistorer, представляет собой KT9116A, KT, KT9133A и KT9173A enheter med en utgångstopp Pvmh.пиковая мощность 5,15, 30 и 50 Вт. Представляет собой серию двигателей KT983A, KT983B, KT983V, KT9150A и POZ med PBV1X, PIK lika med 0,5, 1,3,5, 8 и 25 W.

Superlinjära transistorer används vanligtvis i ledförstärkare (i klass A-läge) для ТВ-повторителя и эффективного модератора для установки среднего и эффективного до 100 Вт.

Men för utgångsstegen för kraftfulla sändare, mer kraftfulla transistorersäkerställa den erforderliga nivån för den övre gränsen for det linjära Dynamiska området vid drift i ett gynnsamtffektläge.Приемлемые гармонические искажения видят, как сигналы генома имеют двойное усиление в классе AB-läge.

Baserat på analysen av de termofysiska driftsförhållandena for transistorn och kännetecknen för bildandet av lineariteten för en enkeltonssignal, utvecklades en serie mikrovågstransistorer speciellt för driftslasgetsen. Linjäriteten hos egenskaperna hos dessa enheter enligt en främmande metod uppskattas av komprimeringsnivån (komprimering) av förstärkningen genom kraften hos en enkeltonssignal – kompressionsförhållandears enkeltonssignal – kompressionsförhållandears kompressionsförhållandears kompressionsförhållandears kompressionsförhållandears kompressions.com

För användning я mätarens våglängdsområde я Классе АВ-Det Дом Местонахождение Финны Nu KT9151A-transistorer мед ан utgångseffekt på 200 Вт оч KT9174A-transistorer – 300 Вт För decimeterområdet хар transistorerna 2T9155A, KT9142A, 2T9155B, KT9152A, 2T9155V, KT9182A utvecklats мед ан utgångseffekt с 15 до 150 Вт.

Для демонстрации NEC-specialister möjligheten att skapa modulära massstatussändare i decimeterområdet med en kombinerad förstärkning av bild- och ljudsignaler med enffekt на 100 Вт.Senare skapades liknande sändare på inhemska kraftfulla mikrovågstransistorer 12, 9]. Я синхронизирую бесконтактный артикль ден ursprungliga forskningen om att utvidga användningsområdet för kraftfulla transistorer KT9151A и KT9152A när man skapade hundra watt ledförstärkningsmoduler в классе A-lass. от имени и класса AB-läge.

Специалист Новосибирского Государственного Технического Университета, специализирующийся на внутреннем микровоздействии с высоким эффектом и модулем ТВ-förstärkare effect med separat förstärkning.

I рис. Рис. 2 Визуализация и блокировка схемы для телевизионных каналов с 1 по 5 в среднем на мощность 250 Вт. Фёрстеркарен и тилверкад enligt schemat för separat förstärkning avjuds- och. För kanaler 6–12 utförs förstärkaren enligt ett liknande schema med tillägg av ett mellansteg på KT9116A-transistorn som arbetar i class A-läge for att erhålla den erforderliga förstärkningen.

I utgångssteget fungerar KT9151A-transistorerna i klass AB.Det monteras enligt balans-push-pull-schema. Detta gör det möjligt att erhålla den nominella utgångseffekten med ganska enkla matchande kretsar, utan “matningeko” alls och intemer än -35 dB med Ens Harmony komponenter. Icke-linjäritet ampitudkarakteristik förstärkaren installeras vid en liten signal genom att välja förskjutning av arbetspunkten i varje steg, likesom genom att corrigera olinjäriteten i excitervideomodulatorn.

Blockschemat för en Effektförstärkare for TV-kanaler 21-60 визы i рис.3. Утверждение для создания схемы “Баланс”, “тяни-толкай”.

För att säkerställa bredbandsmatchning och övergång från en obalanserad till en balanserad belastning i utgångsstegen för förstärkarna i kanalerna 6–12, 21–60 används ett tvålänks lågpassfilingskpassfilingsk. Induktansen for den första länken i matchningskretsen Implementeras i form av sektioner av remsmikroliner på elementen i den allmänna topologin tryckt kretskort … Spolarna för den andra länken är terminalerna på transistorbasen.

Strukturen för dessa förstärkare motsvarar fig. 2 и 3. Уппдельнинген на крафт-видео вид до förstärkningsstegen och dess tillsats vid deras utgång, похожий на входящий и на стандартный для стандартного освещения, на более чем на децибеловый световой поток. Strukturellt är varje kopplare tillverkad i form av bifilar lindningar (fyrvågslinjer) på en ram placerad i ett skärmande hölje.

Således gör moderna inhemska linjära mikrovågstransistorer det möjligt att skapa kraftfulla – up to 250 W – TV-förstärkarmoduler.Genom att använda batterierna i sådana moduler är det möjligt att öka uteffekten som levereras до антенныбанана до 2 кВт. Som en del av sändarna uppfyller de utvecklade förstärkarna alla moderna krav för elektriska egenskaper och tillförlitlighet.

Kraftfulla linjära mikrovågstransistorer har nyligen börjat användas allmänt även vid konstruktion av effktförstärkare för basstationer i ett mobilkommunikationssystem.

När det gäller deras tekniska nivå, kan de kraftfulla mikrovågsugnstransistorer som utvecklats av NIIET användas som en grundläggande bas för skapandet av modern sändning, tv och annan nationell ekonomutöiskr.

Материал förberett
А. Ассесоров, В. Бедемаре, В. Кожевников, С. Матвеев Воронеж

LITTERATUR
1. Hlraoka K., FuJIwara S., IkegamI T. и др. Hig-kraft alla UHF-sändare i fast Tillstånd – NEC Pes. & Утвекла. 1985. по 79, сид. 61 -69.
2. Бедемаре В., Кожевников В., Косой А. Vetenskaplig sökning av ryska ingenjörer. Utvecklingen av kraftfulla mikrovågstransistorer – Radio, 1994, nr 6, sid. 2,3.
3. Bredbandsradiosändande enheter.Эд. Алексеева О.А. – М .: Коммуникация, 1978, с. 304.
4. FuJIwurdS., IkegamI T., Maklagama I. и др. SS-serie solid-tv-sändare. -NEC Res. & Утвекла. 1989. № 94, сид. 78-89.
5. Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Утвеклингстренд ав крафтфулла микровагтрансисторер для анванднинга и радиосвязи, телевидения и связи.
– Электронная индустрия. 1994. № 4, сид. 76-80.
6. Бедёмаре В., Кожевников В. .. Sned A. Nya mikrovågstransistorer. – Радио. 1996. № 5, сид. 57,58.
7. Mipler O. Superlinjära högeffekttransistorer med decimeterintervall for trådtv – TIIER, 1970. v. 58. №7. от. 138-147.
8. Kojlwara Y., Hlrakuwa K., Sasaki K. и др. UHF högeffekttransistorförstärkare med hög-dielektriskt underlag. – NEC Res- & Develop. 1977. № 45, сид. 50-57.
9. Гребенников А., Никифоров В., Рыжиков А. Крафтфулла transistorförstärkarmoduler for VHF FM och TV-sändningar.- Электросвязь. 1996, № 3, сид. 28-31.

Mikrovågstransistorer används inom många områden med mänsklig aktivitet: ТВ и радио, ретранслятор, гражданский и военный радар, сотовый базовый станционер, flygelektronik и т. Д.

Предназначен для производства различных технологий для производства микропроводников до технологии VDMOS (вертикальные диффузионные металлооксидные полупроводники) и LDMOS (латерально рассеянные металлооксидные полупроводники). Den mest avancerade LDMOS-tekniken har de bästa egenskaperna som linearitet, förstärkning, termiska förhållanden, felpassningsstabilitet, högffektivitet ,ffektfördelningsmarginal иch tillförlitlighet. Транзистор Philips включает в себя повторитель пакетной обработки, а также Philips и другие устройства.När du byter ut misslyckade transistorer behöver du inte oroa dig för installationen av utrustningen igen, eftersom alla parameter for transistorerna är helt identity. Разработан для конкурса Philips, чтобы скрыть его от детей.

Все устройства Philips основаны на современных LDMOS-технологиях.

Cellulära basstationstransistorer

Förutom transistorer packade i höljen, Tillverkar Integral Moduler Philips.

Tabell 4. Модуль Huvudintegrerade moduler

En typ	Pout, W	Технологии	Фреквенс	Applikationsområde
BGY916	19	БИПОЛЯР	900 МГц	GSM
BGY916 / 5	19	БИПОЛЯР	900 МГц	GSM
BGY925	23	БИПОЛЯР	900 МГц	GSM
BGY925 / 5	23	БИПОЛЯР	900 МГц	GSM
BGY2016	19	БИПОЛЯР	1800-2000 МГц	GSM
BGF802-20	4	ЛДМОС	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	ЛДМОС	800-900 МГц	GSM / EDGE (США)
BGF944	20	ЛДМОС	900-1000 МГц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1801-10	10	ЛДМОС	1800-1900 МГц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1901-10	10	ЛДМОС	1900-2000 МГц	GSM / EDGE (США)

Utmärkande egenskaper hos integrerade moduler:

LDMOS-teknik (lödning direkt till kylflänsen, linearitet, högre förstärkning), o minskad snedvridning,
mindre uppvärmning av halvledaren på grund av användning av en kopparfläns, o integrerad kompensering for temperaturförskjutning,
50 Ом, ингангар / утгонгар,
linjär vinst
стандартная версия (EDGE, CDMA).

BGF0810-90

мощность: 40 Вт,
förstärkning: 16 дБ,
Эффективность: 37%,

BLF1820-90

мощность: 40 Вт,
förstärkning: 12 дБ,
Эффективность: 32%,
эффект на английском канале ACPR: -60 дБ,
eVM-felvektoramplitud: 2%.

Трансистор

Philips har varit branschledande under de senaste 25 месяцев.Последние изменения в LDMOS-tekniken (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx-serien) могут быть добавлены в стандартную позицию на отметке. Этот пример хранится на транзисторе BLF861 для телевизора. Пока вы не знаете, что такое транзисторное устройство BLF861, которое подписано на данный момент, тилльфёрлитлигт или элемент, установленный на плате, вы можете установить его, если хотите, чтобы он был установлен на антеннах. Изобретатель в конкурсе на комма на BLF861s egenskaper när det gäller stabilitet.De huvudsakliga användningsområdena for sådana transistorer kan nämnas: sändare för frekvenser from HF до 800 MHz, приватная радиостанция PMR (TETRA), VHF-sändare for civila och militära ändamål.

Tabell 5. L- och S-bandtransistorer для РЛС

	En тип	F, ГГц	Vcc, B	Tp, мкс	Koeff. наполнение,%	Мощность, Вт	Эффективность,%	Vinst, дБ
L-банда	RZ1214B35Y	1,2–1,4	50	150	5	> 35	> 30	> 7
	RZ1214B65Y	1,2–1,4	50	150	5	> 70	> 35	> 7
	RX1214B130Y	1,2–1,4	50	150	5	> 130	> 35	> 7
	RX1214B170W	1,2–1,4	42	500	10	> 170	> 40	> 6
	RX1214B300Y	1,2–1,4	50	150	5	> 250	> 35	> 7
	RX1214B350Y	1,2–1,4	50	130	6	> 280	> 40	> 7
	Счет 21435	1,2–1,4	36	100	10	> 35	45	> 13
	BLL1214-250	1,2–1,4	36	100	10	> 250	45	> 13
S-диапазон	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	> 10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	> 20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	> 50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	> 110	40	7,5
Övre S-диапазон	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	> 10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	> 20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	> 50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	> 65	40	> 7

Табелл 6.Transistorer для flygelektronik

	En тип	F, ГГц	Vcc, B	Tp, мкс	Koeff. наполнение,%	Мощность, Вт	Эффективность,%	Vinst, дБ
БИПОЛЯР	MZ0912B50Y	0,96–1215	50	10	10	> 50	> 42	> 7
	MX0912B100Y	0,96–1215	50	10	10	> 100	> 42	> 7
	MX0912B251Y	0,96–1215	50	10	10	> 235	> 42	> 7
	MX0912B351Y	0,96–1215	42	10	10	> 325	> 40	> 7
ЛДМОС			vds
	BLA1011-200	1,03–1,09	36	50	1	> 200	50	15
	BLA1011-10	1,03–1,09	36	50	1	> 10	40	16
	BLA1011-2	1,03–1,09	36	50	1	> 2	–	18

De viktigaste egenskaperna hos transistorn BLF861A

Двухтактный транзистор (двухтактный),
мощностью 150 Вт,
для мер на 13 дБ,
Effektivitet över 50%,
täcker bandet от 470 до 860 МГц (диапазон IV и V),
является промышленным стандартом для ТВ-доставки.

Ny транзистор модель BLF647

базовый блок на BLF861A,
для усиления на 16 дБ, вид 600 МГц,
утеффект до 150 Вт,
täcker bandet от 1,5 до 800 МГц,
pålitlig, стойкий mot felanpassning,
motståndskraftig mot Antennkoppling,
har ett inbyggt motstånd som tillåter drift vid HF- и VHF-frekvenser,
Двухтактный транзистор (двухтактный).

Транзистор BLF872

utvecklats som en kraftfullare ersättning for BLF861A,
produktionsstart, 1: квартал 2004,
утеффект до 250 Вт,
den mest pålitliga transistorn for motpartsmotstånd,
bevarar linearitet,
upprätthåller tillförlitligheten,
nuvarande förskjutning Idq mindre än 10% до 20 евро,
для мер на 14 дБ,
täcker bandet от 470 до 860 МГц.

Transistorer для радаров и flygelektronik

Philips nya transistorer for radar och flygelektronik tillverkas också med avancerad LDMOS-teknik. Кристальный тилльверкаде с LDMOS-teknik värms upp mindre, är mer pålitliga, har högre förstärkning och kräver ingen изолятор mellan underlaget och kylflänsen. Följaktligen krävs färre transistorer for att uppnå samma prestanda, ytterligare öka tillförlitligheten och minska produktkostnaden.

Nya utvecklingar:

BLA0912-250

диапазон от 960 до 1250 МГц (alla flygfrekvensens huvudfrekvenser),
hög vinst up до 13 дБ,
tillförlitlighet, motstånd mot felfelning 5: 1,
linjäritet,
prover kommer att finnas tillgängliga from juni 2003.

BLS2934-100

диапазон от 2,9 до 3,4 ГГц (alla flygfrekvensens huvudfrekvenser),
användning av ett vanligt läckande hölje,
prover kommer att finnas tillgängliga i slutet av 2003.

Sammanfattningsvis kan vi med säkerhet säga att Philips följer tiderna och erbjuder transistorer som låter dig skapa nya enheter som har mer avancerade egenskaper: mindre storlek, mer uteffekt, färre bandkändomponenter färre bandkдomponenter, en låter.

Tranzistorji z ultra visoko frekvenco. Напольные микровальные транзисторы Philips Semiconductors

Транзистор

Параметр

npn

Icbo pri Ukb mA / V

Iebo pri Ueb mA / V

enote h31e

Frp MHz

Sc pf

t do podstanice

Ukb

Ukb max B

Ik max A

I imp I

Ib max A

P max W

RT max W

2T606A

1/65

0,1 / 4

3,5

0,01

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606A

1,5 / 65

0,3 / 4

0.012

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606B

1,5 / 65

0,3 / 4

0,012

0,4

0,8

0,1

0,6

2,0

2T607A-4

н / д

0,125

н / д

0,3

1,0

KT607A-4

н / д

0,15

н / д

0.9

1,5

KT607B-4

н / д

4,5

0,15

н / д

0,8

1,5

2T610A

0,5 / 20

0,1 / 4

50–250

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

2T610B

0,5 / 20

0,1 / 4

20–250

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

КТ610А

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

КТ610Б

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

н / д

1,5

н / д

2T633A

0,003 / 30

0,003 / 4

40–140

3,3

н / д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

КТ633Б

0,01 / 30

0,01 / 4

20–160

3,3

н / д

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

2T634A

1/30

0,2 / 3

н / д

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1.8

KT634B

2/30

0,4 / 3

н / д

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1,8

2T637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

KT637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

KT637B

2/30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

н / д

2T640A

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640А

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640Б

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

н / д

0,6

н / д

КТ640В

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

н / д

0,6

н / д

2T642A

1/20

0,1 / 2

н / д

1,1

н / д

0,06

н / д

0,5

н / д

KT642A

1/20

0,1 / 2

н / д

1,1

н / д

0,06

н / д

0,5

н / д

2T642A1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0.35 год

н / д

2T642B1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,35

н / д

2T642V1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,2 с

н / д

2T642G1

0,5 / 15

0,1 / 2

н / д

0,04

н / д

0,23

н / д

2T643A-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

н / д

0,12

н / д

3,15

н / д

2T643B-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

н / д

0,12

н / д

0,15

н / д

2T647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,09

н / д

5,56

0,8

KT647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

н / д

1.5

н / д

0,09

н / д

0,56

0,8

2T648A-2

1/18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,06

н / д

0,4

0,6

KT648A-2

1/18

0,2 / 2

н / д

1,5

н / д

0,06

н / д

0,4

0,6

2T657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

0,31

н / д

2T657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0.06

н / д

0,31

н / д

2T657V-2

1/12

0,1 / 2

35-50

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

KT657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

KT657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

н / д

0,06

н / д

3,37

н / д

КТ657В-2

1/12

0,1 / 2

35-50

н / д

0.06

н / д

3,37

н / д

KT659A

н / д

najmanj 35

н / д

1,2

н / д

2T671A

1/15

0,4 / 1,5

н / д

1,5

н / д

1,5

0,15

н / д

0,9

н / д

2T682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-70

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

2T682B-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

80-100

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

KT682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-50

н / д

0,05

н / д

0,33

н / д

В таблицах со спрейте наследнее ознаке электрических параметров транзисторов:

Ikbo – повторяющиеся ток колектор (коллекция-основа), в настойку, давление в составе медикаментов.
Iebo – повратный ток оддайника (оддайник-основа) в штевцу з напетость мед оддайником в день в имени.
h31e – koeficient statičnega prenosa toka (dobiček).
Fgr – zgornja mejna frekvenca prenosnega koeficienta tranzistorja.
Sc – zmogljivost kolektorskega križišča, t do – časovna konstanta povratnega vezja (ne več).
Ukb maks – največja dovoljena napetost med kolektorjem in dnom.
Uke maks – največja dvoljena napetost med kolektorjem in oddajnikom
Ueb max – največja dovoljena napetost med oddajnikom in bazo.
Ik max – največji tok kolektorja.
Ик имп. – največji tok impulznega kolektorja.
Ib maks je največji osnovni tok.
Pmax – največja moč brez hladilnega telesa.
RT макс – найвечья моч с хладильником.

Amaterski Radijski priročniki

Sodobna stopnja razvoja radijske elektronske opreme in njenih elements trenutno omogoča ustvarjanje popolnoma polprevodniških UKV FM в телевизионных оддайниках с исходной мощностью до 5 кВт.Оячевальна везья на основы широкопасовных транзисторских ожиданий имао številne prednosti pred cevnimi ojačevalniki. Polprevodniški oddajniki so zanesljivejši, električno varni, enostavnejši za uporabo в enostavnejši za izdelavo.

Z blokovno modularno zasnovo oddajnika okvara enega od končnih ojačevalnih blokov ne vodi do okvare oddajanja, saj se bo prenos nadaljeval, dokler blok ne bo zamenjan, le z zmanjšano močjo. Полег тега широкопасовна горшок транзисторскега оячевальника не захтева додатне наставитве на долочен канал знотрай деловнега фреквенчнега пасу.

На сплошном велье, да е занесение оддайника одвисна предвсем од занесливости упр. Активных активных компонентов. Захвалюйоч упраби содобных мoчних линейных микроваловнных транзисторов, катэри обликовне значельности в производственной технологии заготавливает знатно повеpчанье МТБФ, впpавляпpеcтвие однострочных однодневных полетов.

Naraščajoče zahteve ро tehničnih в ekonomskih kazalnikih УКВ FM в televizijskih močnih oddajnikov тер dosežena Ворон domače tehnologije на področju ustvarjanja močnih silicijevih bipolarnih tranzistorjev так spodbudile razvoj novega razreda naprav – zmogljivih linearnih mikrovalovnih tranzistorjev.Raziskovalni inštituti elektronska tehnologija (Voronezh) jih je razvil in isdelal široko paleto za uporabo v valovnih dolžinah metra in decimetra.

Tranzistorji sovej zasnovani za uporabo v močnih televizijskih in radijskih oddajnikih, oddajnikih, zlasti v televizijskih oddajnikih s skupnim ojačanjem zvočnih in signaling zevalih, sikovi zevalisv. Ti tranzistorji izpolnjujejo izredno stroge zahteve po linearnosti prenosne karakteristike, imajo prostor za odvajanje moči in lastično večjo zanesljivost.

Strukturno so takšni tranzistorji izdelani v kovinsko-keramičnih ohišjih. Njim videz prikazano na sl. 1 (niso prikazani vsi tranzistorji, omenjeni v članku; v članku so vidni manjkajoči). Visoke linearne in frekvenčne lastnosti tranzistorskih structure so uresničene z uporabo natančne izoplanarne tehnologije. Difuzijske plasti imajo субмикронски обликовальский стандарт. Ширина оддайных элементов топологии и приближения 1,5 микрона с изъемно развитием ободом.

Da bi odpravili okvare, ki nastanejo zaradi sekundarnega električnega in toplotnega razpada, se tranzistorska structure Oblikuje na silicijevem kristalu z dvoslojnim epitaksialnim kolektorjem in z стабилизатор.Долгорочна занесливость транзисторьёв я туди последица упорабе вечпластне метализаціе на основи злата.

Linearni tranzistorji z močjo moči več kot 50 W (razen KT9116A, KT9116B, KT9133A), как правило, структурно изменено LC входит в систему, созданную для создания обновлений. Notranja ujemajoča vezja omogočajo razširitev delovnega frekvenčnega pasu, poenostavitev vhodnega in izhodnega ujemanja ter povečanje KUR v frekvenčnem pasu.

Hkrati so ti tranzistorji “uravnoteženi”, kar pomeni, da sta na eni prirobnici dve enaki tranzistorski Strukturi, ki ju združuje skupni oddajnik. Ta zasnova в tehnična rešitev omogočata zmanjšanje индуктивности terminala skupne elektrode, pomaga pa tudi razširiti frekvenčni pas in poenostaviti ujemanje.

При влечении вклопу уравновешенных транзисторов я потенциальные средние точки теоретически ничьих, кар ustreza stanju umetnega “tla”. Такшна включитэв деянско заготавливает приблизительно štirikratno povečanje импеданс исходнега комплекса в примеряви з еностранско импеданко на исти равни исходнега сигнала в учинковито затиранных сигналов.

Dobro je znano, da je kakovost televizijskega oddajanja odvisna predvsem od tega, kako linearna je prenosna značilnost elektronske poti. Впечатление линейности это место перехода при засвидетельствовании скупных открытых енот за сликовне в звёздном сигнале зади видеза комбинированных компонентов в частотном спектру. Зато Je bila sprejeta tribarvna metoda za oceno linearnosti prenosne značilnosti, ki so jo predlagali tuji strokovnjaki. domači tranzistorji po stopnji zatiranja kombinacijske komponente tretjega reda.

Метод темперирования на анализе реального телевизионного сигнала с размером нового сигнала с уровнем шума -8 дБ. stranska frekvenca -16 дБ в nosilna frekvenca zvočnega zapisa -7 дБ glede na izhodno moč na vrhu ovojnice. Транзистории за покупное ощущение, однозначно от частоты в моей серии, морайо заготавливают вредную эффективность комбинированного компонента MC, правила не веч кот -53 …- 60 дБ.

Upoštevani razred mikrovalovnih tranzistorjev sстрого регулирования zatiranja kombinacijskih komponent v tujini imenujemo superlinearni tranzistorji.Упоминания о требовании, да так о том, что высокая ворон линейность обыкновенно уресничи ле в начину разрэда А, кйер е могуче известия найвечо линеаризация преносне характеристики.

Kot je razvidno iz tabele, so v območju števcev številni tranzistorji, ki jih predstavljajo naprave KT9116A, KT, KT9133A in KT9173A zakizhodnoki v. Направе КТ983А, КТ983Б, КТ983В, КТ9150А в ПОЗ з PBV1X, ПИК енакими 0,5, 1,3,5, 8 в 25 Вт.

Superlinearni tranzistorji se običajno uporabljajo v skupnih ojačevalcih (v načinu razreda A) televizijskih repetitorjev in ojačevalni modulih za oddajnike z močjo do 100 W.

Vendar pa so za izhodne stopnje močnih oddajnikov povrebni močnejši tranzistorji, ki zagotavljajo zahtevano raven zgornje meje linearnega dinamičnega območja, kadar delujejo v ugodnem načinu. Sprejemljivo haronsko popačenje pri visokih nivojih signala je mogoče dosči z uporabo dvo-ojačanja v načinu AB.

На подлагах анализировать термофизичных погодев делового транзистора в значении обликования линейности энотонскега сигнала, который был дан за начин дела в разреду АБ посэбей развития врста микроваловних транзисторов. Линейность значимости тех направлений по туйи методы, которые оценивают с остановкой компьютера (компресия) ojačanja z močjo enotonskega signala – kompresijsko razmerje Kszh ali kako friendače – izhodna komzhi določiñi может быть доступным.

За использование в обмене мерильных валовных транзисторов в начальную зону AB так, что на вольере транзисторов KT9151A из исходной мощности 200 Вт в транзисторах KT9174A – 300 Вт.Za območje decimetrov so bili razvit tranzistorji 2T9155A, KT9142A, 2T9155B, KT9152A, 2T9155V, KT9182A z izhodno močjo od 15 do 150 W.

Строковняки NEC, так что доказательства могут быть установлены модульных полпреводнишких одиночек в дециметрском обмене с комбинированными сигналами сликов в звочных сигналах с мочевыводящих путей 9 дней назад. Članek zlasti opisuje prvotne raziskave o razširitvi področja uporabe močnih tranzistorjev KT9151A in KT9152A pri ustvarjanju st vatnih ojačevalnih modulov v načinu razreda A.од номинальнега в начину АБ.

Strokovnjaki Novosibirske državne tehnične univerze so izvedli raziskave o uporabi domečih močnih mikrovalovnih tranzistorjev v ojačevalnih modulih TV z ločenim ojačevanjem.

Na sl. 2 представлены структурной схемой ojačevalnik moči slikovnega signala za televizijske kanale 1 – 5 z izhodno največjo močjo 250 W. Ojačevalnik je isdelan po shemi ločenega ojačanja slikovnih in zvočnih signalov. За канале 6-12, который находится в открытом доступе по подобным схемам, с указанием места остановки на транзисторе KT9116A, ки дела в начальной категории A, в зависимости от ситуации.

В исходные фазы транзисторов KT9151A дела в разреду AB. Sestavljen je po shemi ravnotežje-potisni-vleči. Для того, чтобы получить доступ к названию иждне мочи с предыдущими еноставными имеющимися у него тококроги, брез «одно напряжение» в не веч кот -35 дБ целых гармоничных компонентов. Нелинейность амплитуды осведомленности о том, что было сделано при майхнем сигнале из избранных деловых точек в всаки фазы, па туди с исправлением нелинейности во взрывном видеомодуляторе.

Блок-схема ojačevalnika moči za televizijske kanale 21 – 60 je prikazan na sliki. 3. Ижодненская остановка ojačevalnika je right tako narejena po shemi ravnotežje-potisni-vleči.

Да би заготовили широкопрофильное пространство в переходе из неуравновешенного в уравновешенном состоянии изменений в исходных остановках каналов 6 – 12, 21 – 60, так как оно должно быть исправно везопасным фильтром движения. Индуктивность првега члена ускоренного везья е изведена в облики одсеков тракастических микролинов на элементах сплошной топологии тискано везье… Тульяве друге повезаве так терминалы основе транзистора.

Структура иоячевальников устреза слики. 2 в 3. Делитев мочи на заходе открытых стопен в ньено додаянье на ньиховем изходу тер уеманье заходов в ижодов с стандартно изменвийо с изведе с помочью тридецибельских усмеряенных спойник. Strukturno je vsaka spojka isdelana vliki dvofilarnih navitij (четртваловних чрт) на оквирю, намеченем в защищенным охишью.

Tako sodobni domači linearni mikrovalovni tranzistorji omogočajo ustvarjanje močnih – do 250 W – TV-ojačevalnih modulov.Для использования аккумуляторов таких модулей я могу повысить мощность до 2 кВт. Развити ojačevalniki kot del oddajnikov ispolnjujejo all sodobne zahteve glede električnih lastnosti in zanesljivosti.

Močni linearni mikrovalovni tranzistorji so se v zadnjem času začeli pogosto uporabljati tudi pri izdelavi ojačevalnikov moči za bazne postaje celičnega komunikacijskega sistema.

Glede na svojo tehnično raven so močni mikrovalovni linearni tranzistorji, ki jih je razvil NIIET, lahko uporabljeni kot osnova za ustvarjanje sodobne radiodifuzne, televizijske in othersospaterskeional Radio.

Приправлен материал
А. Ассесоров, В. Оцененци, В. Кожевников, С. Матвеев Воронеж

LITERATURA
1. Хлраока К., Фудзивара С., Икегами Т. итд. Все полпреводнишки UHF oddajniki večje moči – NEC Pes. & Развити. 1985. д. 79, стр. 61 -69.
2. Оценевальци В., Кожевников В., Косой А. Знание искания русских инженеров. Тренд развития мобильных микроваловальных транзисторов – Радио, 1994, ул. 2.3.
3. Широкопасовне радийске оддайне направление.Эд. Алексеева О.А. – Москва: Спорочило, 1978, ул. 304.
4. FuJIwurdS., IkegamI T., Maklagama I. itd. SS-polprevodniški televizijski oddajnik. -NEC Res. & Развити. 1989. шт. 94, стр. 78-89.
5. Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Тенденция развития мобильных микроваловальных транзисторов за управление в радиодифузии, телевидения в комуникациях.
– Электронная индустрия. 1994. шт. 4, стр. 76-80.
6. Оценевальци В., Кожевников В. .. Пошевно А. Новые микроваловни транзисторы.- Радио. 1996. шт. 5, стр. 57,58.
7. Миплер О. Суперлинейные мобильные транзисторы дециметрскега обзора за живым телевидением – ТИИЭР, 1970. т. 58. №7. iz. 138-147.
8. Kojlwara Y., Hlrakuwa K., Sasaki K. итд. UHF транзисторски ojačevalnik z visoko močjo z visoko dilektrično podlago. – NEC Res- & Develop. 1977 г. шт. 45, стр. 50-57.
9. Гребенников А., Никифоров В., Рыжиков А. Zmogljivi транзисторски ojacevalni модулей для VHF FM на телевидении oddajanje. – Электросвязь. 1996, ул. Стевилка 3, ул.28–31.

Mikrovalovni tranzistorji se uporabljajo na številnih področjih človeške dejavnosti: oddajniki za televizijsko in radijsko oddajanje, oddajniki, civilni in vojaški radarji, celične letika it posta.

В задних летних случаях пришло до техник по переходу z bipolarne tehnologije za proizvodnjo mikrovalovnih tranzistorjev na tehnologijo VDMOS (вертикальные дифузийские ковинские оксидные полупроводники) в LDMzOS.Найнапреднейша технология LDMOS najboljša zmogljivost, kot so linearnost, ojačanje, toplotni načini, odpornost na neusklajenost, visok izkoristek, meja razpada moči, zanesljivost. Philipsovi tranzistorji imajo izjemno ponovljivost med serijami в Philips je na to ponosen. При замене неуспелых транзисторов вам ни треба скрбети за постопек поновне наставитве опреме, сай со вси параметры транзисторьев пополнома енаки. Nobeden od Philipsovih konkurentov se s tem ne more pohvaliti.

Все новые Филиппы развития темы на новые содобни технологий ЛДМОС.

Tranzistorji celične bazne postaje

Полег транзистор, запасных частей в охоте, Philips производит интегриранный модуль.

Tabela 4. Glavni integrirani moduli

Наконечник	Pout, W	Технология	Погостост	Področje uporabe
BGY916	19	БИПОЛЯРНЫЙ	900 МГц	GSM
BGY916 / 5	19	БИПОЛЯРНЫЙ	900 МГц	GSM
BGY925	23	БИПОЛЯРНЫЙ	900 МГц	GSM
BGY925 / 5	23	БИПОЛЯРНЫЙ	900 МГц	GSM
BGY2016	19	БИПОЛЯРНЫЙ	1800-2000 МГц	GSM
BGF802-20	4	ЛДМОС	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	ЛДМОС	800-900 МГц	GSM / EDGE (ZDA)
BGF944	20	ЛДМОС	900-1000 МГц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1801-10	10	ЛДМОС	1800-1900 МГц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1901-10	10	ЛДМОС	1900-2000 МГц	GSM / EDGE (ZDA)

Посещения интеграных модулей:

Tehnologija LDMOS (spajkanje neposredno na hladilnik, linearnost, večji dobiček), o zmanjšano popačenje,
manj ogrevanja polprevodnika zaradi uporabe bakrene prirobnice, o vgrajena kompenzacija temperaturnega odmika,
50 Ом входы / выходы,
linearni dobiček,
подпора штевильным стандартом (EDGE, CDMA).

BGF0810-90

исходная мощность: 40 Вт,
ojačanje: 16 дБ,
Учинковитость: 37%,

BLF1820-90

исходная мощность: 40 Вт,
ojačanje: 12 дБ,
Учинковитость: 32%,
dušenje moči na sosednjem kanalu ACPR: -60 дБ,
амплитуда вектора напряжения EVM: 2%.

Oddajni tranzistorji

Philips Je в задних 25 летних водах в промышленности.Упора найновейших дозировок технологий LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx) без названия, да ненехно крепко свой положай на тргу. Букварь «Великий успех транзистора» BLF861 за ТВ в оддайнике. За разлико од конкурирующих транзисторов se je BLF861 увеличил кот зело занеслив в зело стабилен элемент, защищен пред окваро об одклопу антене. Нобеден од конкурентов, которые являются стабильными и могут быть оценены BLF861. Главная страница управления такими транзисторными сигналами может использоваться по назначению: отдельные радиочастоты от ВЧ до 800 МГц, за исключением радиочастотных сигналов PMR (TETRA), УКВ-диапазоны для гражданских лиц в вояшке намене.

Tabela 5. L- в S-pasovni tranzistorji za radarje

	Подсказка	F, ГГц	Vcc, B	Tp, мкс	Coeff. polnjenje,%	Moč, W	Учинковитость,%	Добитек, дБ
Л-па	RZ1214B35Y	1,2–1,4	50	150	5	> 35	> 30	> 7
	RZ1214B65Y	1,2–1,4	50	150	5	> 70	> 35	> 7
	RX1214B130Y	1,2–1,4	50	150	5	> 130	> 35	> 7
	RX1214B170W	1,2–1,4	42	500	10	> 170	> 40	> 6
	RX1214B300Y	1,2–1,4	50	150	5	> 250	> 35	> 7
	RX1214B350Y	1,2–1,4	50	130	6	> 280	> 40	> 7
	Рачун 21435	1,2–1,4	36	100	10	> 35	45	> 13
	BLL1214-250	1,2–1,4	36	100	10	> 250	45	> 13
S-pas	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	> 10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	> 20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	> 50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	> 110	40	7,5
Zgornji pas S	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	> 10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	> 20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	> 50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	> 65	40	> 7

Табела 6.Транзисторжи за летальско электронико

	Подсказка	F, ГГц	Vcc, B	Tp, мкс	Coeff. polnjenje,%	Moč, W	Учинковитость,%	Добитек, дБ
БИПОЛЯРНЫЙ	MZ0912B50Y	0,96–1215	50	10	10	> 50	> 42	> 7
	MX0912B100Y	0,96–1215	50	10	10	> 100	> 42	> 7
	MX0912B251Y	0,96–1215	50	10	10	> 235	> 42	> 7
	MX0912B351Y	0,96–1215	42	10	10	> 325	> 40	> 7
ЛДМОС			Vds
	BLA1011-200	1,03–1,09	36	50	1	> 200	50	15
	BLA1011-10	1,03–1,09	36	50	1	> 10	40	16
	BLA1011-2	1,03–1,09	36	50	1	> 2	–	18

Главное значение транзистора BLF861A

Транзистор двухтактный (двухтактный оячевальник),
иждна моч веч кот 150 Вт,
добите веч кот 13 дБ,
Учинковитость над 50%,
покрива па от 470 до 860 МГц (пасов IV в V),
je danes Industrialski standard za tv oddajnike.

Ноя модель транзистора BLF647

развитие на основы BLF861A,
высокое качество 16 дБ при 600 МГц,
исходная мощность до 150 Вт,
покрива па от 1,5 до 800 МГц,
занеслив, одпорен проти неускладенности,
одпорен на одклопе Антене,
ima vgrajen upor za delo na HF in VHF frekvencah,
Транзистор двухтактный (двухтактный оячевальник).

Транзистор BLF872

заснован кот мочнейша замена за BLF861A,
začetek proizvodnje, 1.četrtletje 2004,
иждна моч до 250 Вт,
najbolj zanesljiv tranzistor glede odpornosti na neusklajenost,
охрана линейности,
охрана занятий,
тренутни премик Идк манж кот 10% за 20 лет,
добите веч кот 14 дБ,
покривалась с 470 до 860 МГц.

Tranzistorji za radarsko in letalsko elektroniko

Tudi Philipsovi novi tranzistorji za radar in letalsko elektroniko so izdelani z uporabo najsodobnejše tehnologije LDMOS.Кристали, изготовлены с технологией LDMOS, с собой манй сегревайо, так занимайся, имайо вечи добичек в не потребуйо изоляция мед подлаго в хладильником. V skladu s tem je za dosganje enakih zmogljivosti need manj tranzistorjev, kar še še izboljša zanesljivost in zniža stroške izdelka.

Новый развития:

BLA0912-250

па от 960 до 1250 МГц (все главне частоты летальске электронике),
visoko ojačanje do 13 dB,
zanesljivost, odpornost проти fazni neusmerjenosti 5: 1,
линейность,
vzorci bodo na voljo od junija 2003.

BLS2934-100

па от 2,9 до 3,4 ГГц (все главне частоты летальске электронике),
uporaba običajnega puščajočega ohišja,
vzorci bodo na voljo do konca leta 2003.

Če povzamemo, lahko samozavestno trdimo, da Philips gre v korak s časom in ponuja tranzistorje, ki vam omogočajo ustvarjanje novih naprav z bolj naprednimi lastnostmi: manjgačna

Inhemska mikrovågstransistorer. Kraftfulla mikrovågstransistorer Philips halvledare

Amatörradiohandböcker

Современная версия для радиоэлектронных устройств и элементов питания, которые могут быть подключены к твердой УКВ FM-радиосвязи и телевизору с поддержкой до 5 кВт. Förstärkarkretsar baserade på bredbandstransistorförstärkare har ett antal fördelar jämfört med rörförstärkare. Halvledarsändare är mer tillförlitliga, elsäkra, praktiska att använda och lättare att tillverka.

Med sändarens blockmodulära design leder misslyckandet i ett av de slutliga förstärkarblocken inte till en sändningsnedbrytning, eftersom överföringen kommer att fortsätta tills blocket byts ut, endast med reducerad effect. Dessutom kräver transistorförstärkarens bredbandsväg inte ytterligare inställning på en specific kanal inom frekvensbandet.

Det är allmänt accept att sändarens tillförlitlighet beror först och främst på tillförlitligheten hos de aktiva komponenterna som används.Tack vare användningen av moderna kraftfulla linjära mikrovågstransistorer, vars designfunktioner och tillverkningsteknik ger en betydande ökning av deras MTBF, har frågan om att öka Tillförlitligheten hostel solid state-sändare låttg en.

De växande kraven på de tekniska och ekonomiska indikatorerna for VHF FM-och TV-kraftfulla sändare, liksom den uppnådda nivån av inhemsk teknik inom skapandet av kraftfulla bipolärer kiseltransisransis, enveterransiste kiseltransisravik, envelltransisseransistore aviНаучно-исследовательский институт электронной техники (Воронеж) имеет все необходимое для производства и измерения.

Transistorer – специальная форма для анвендинга и крафтфулла TV- и радиоприемников, ретранслятор, синхронный ТВ-ретранслятор с gemensam для создания люд- и билдсигналеров, самт flerkanals signalförmunstärkare. Dessa transistorer uppfyller extremt stränga krav på överföringskarakteristikens linjäritet, har en marginal förffektförlust och som ett resultat ökad tillförlitlighet.

Strukturellt är sådana transistorer tillverkade i metallkeramiska fodral. Dem utseende Visas i рис. 1 (inte alla transistorer som nämns i artikeln visas; de saknade kan ses i artikeln). De höga linjära och frekvensegenskaperna hos transistorkonstruktioner realiseras genom användning av precision isoplanär teknik. Diffusionsskikt har en submikron designstandard. Bredden på emitterelementen i topologin är cirka 1,5 mikron med en extremt utvecklad omkrets.

Для того, чтобы удалить электроэнергию и терминологию из двух частей, транзисторную структуру на кристалле с металлическими элементами и эпитаксиальным набором элементов и элементов питания.Den långsiktiga pålitligheten hos transistorer beror också på användningen av flerskiktsmetallisering baserad på guld.

Linjära transistorer med enffektförlust på mer än 50 W (med undantag av KT9116A, KT9116B, KT9133A), который имеет встроенную конструкцию LC-matchande krets vid ingången, gjord i formhetgg avdance en mikroen . Interna matchningskretsar gör att du kan Expanddera frekvensbandet, förenkla in- och utgångsmatchning och ökaffektförstärkningen i frekvensbandet.

Samtidigt är dessa transistorer “balanserade”, vilket innebär att det finns två identityiska transistorkonstruktioner på en fläns, förenade av en gemensam emitter. Denna design och tekniska lösning gör det möjligt att minska indextansen hos den gemensamma elektrodterminalen och hjälper också till att utöka frekvensbandet och förenkla matchningen.

Med push-pull-inkoppling av balanserade transistorer or Potentialen for deras mittpunkt teoretiskt noll, vilket motsvarar tillståndet för en konstgjord “mark”.Sådan inkludering ger faktiskt en ungefär fyrfaldig ökning av utgångskompleximpedansen jämfört med en enda ände på samma utsignalnivå och Effektiv Underryckning av till och med harmony komponenter i spektrumetbör sign.

Детальная информация об оценке на TV-sändningar först och främst beror på hur linjär överföringskarakteristiken for den elektroniska banan är. Frågan om linjäritet är särskilt akut i utformningen av gemensamma förstärkningsenheter for bild- och ljudsignaler på grund av att kombinationskomponenter uppträder i frekvensspektrumet.Därför antogs den trefärgade metoden som föreslagits av utländska Experter for att bedöma linjäriteten hos överföringskarakteristiken for inhemska transistorer genom nivån på undertryckande av den tredje ordningponent kombinations.

Методы базового уровня для анализа телевизионных сигналов с определенным уровнем сигнала для телевизионных сигналов на уровне -8 дБ. sidofrekvens -16 dB и bärfrekvens for ljudspår -7 dB i förhållande доffektutgången vid kuvertets topp. Transistorer för gemensam förstärkning, beroende på frekvens ochffektserie, måste ge värdet på koefficienten for kombinationskomponenterna i MV, som regel intemer än -53…- 60 дБ.

Класс обмена с микровыключателем и системой управления трансмиссией. Det bör noteras att sådana hög nivå Linjäritet realiseras vanligtvis endast i läget för klass A, där det är möjligt att utföra den maximala linjäriseringen av överföringskarakteristiken.

I mätarområdet, som framgår av tabellen, finns det ett antal transistorer, представляет собой enheterna KT9116A, KT, KT9133A и KT9173A med en utgångseffekt Pvmh.пиковый, соответствующий 5,15, 30 или 50 Вт. I дециметры могут быть представлены в серии по энхетнам KT983A, KT983B, KT983V, KT9150A и POZ med PBV1X, PIK lika med 0,5, 1,3,5, 8 и 25 W.

Superlinjära transistorer används vanligtvis i gemensamma förstärkare (i klass A-läge) для ТВ-ретранслятора и эффективного модератора для установки среднего уровня мощности до 100 Вт.

För utgångsstegen hos kraftfulla sändare behövs emellertid kraftigare transistorer för att tillhandahålla den erforderliga nivån för den övre gränsen för det linjära Dynamiska området när et man arbetargeam.Приемлемые гармонические искажения видят, как сигналы генома соответствуют другим классам AB-läge.

Базовый модуль для анализа транзисторов, термофизических дрейфующих и функциональных для линией, размещенных в анкетном сигнале, включая серию микроврансисторов, специально предназначенных для дрифтинга в AB-классе. Linjäriteten för egenskaperna hos dessa anordningar enligt en främmande metod uppskattas av komprimeringsnivån (komprimering) av förstärkningen med effkten av en enkelsignal – kompressionsförhållandet up enkelsignal – kompressionsförhållandet

Для контроля и обслуживания клиентов в классе AB-läge finns det nu KT9151A-transistorer med en uteffekt på 200 W och KT9174A-transistorer – 300 Вт. с 15 до 150 Вт.

Для демонстрации NEC-specialister möjligheten att skapa modulära halvledarsändare inom decimeterområdet med en kombinerad förstärkning av bild- och ljudsignaler med enffekt на 100 Вт.Senare skapades liknande sändare på inhemska kraftfulla mikrovågstransistorer 12, 9]. Я синхронизирую лучшую артикуляцию ден ursprungliga forskningen kring att utvidga användningsområdet for kraftfulla transistorer KT9151A och KT9152A när man skapar 100-Watts gemensamma förstärkningsassmoduler-lägelälgeläger. от имени и класса AB-läge.

Эксперт Новосибирского Государственного Технического Университета, изучивший геномные данные о внутреннем микровагтрансистере с высоким эффектом и ТВ-изготовителем для раздельного производства.

I рис. 2 визуальных и блочных схемы для телевизионных каналов 1 – 5 с мощностью 250 Вт. Förstärkaren är gjord enligt schemat för separat förstärkning av bild- och ljudsignaler. För kanalerna 6–12 utförs förstärkaren enligt ett liknande schema med tillägg av ett mellansteg på KT9116A-transistorn, som arbetar i klass A-läge, för att erhålla den önskade förstärkningen.

I utgångssteget fungerar KT9151A-transistorerna i klass AB.Den monteras enligt balans-push-pull-schemat. Детта больше атт ду кан фе ден номинелла утеффектен мед ганска энкла матчандэ кретсар, утан «матнингсеко» все и хохст -35 дБ до и мед гармонический компонент. Icke-linjäriteten для förstärkarens ampitudkarakteristik ställs в видео en liten signal genom att välja förskjutningen av arbetspunkten i varje steg, liksom genom att corrigera icke-linjäriteten i магнитосерированный вид.

Blockdiagrammet for enffektförstärkare for TV-kanalerna 21-60 визы i рис.3. Förstärkarens utgångssteg görs också enligt balans-push-pull-schemat.

För att säkerställa bredbandsmatchning och övergång från en obalanserad till en balanserad belastning i utgångsstegen för förstärkarna i kanalerna 6 – 12, 21 – 60 används ett tvåings-lågånk lågång. Induktansen av den första länken i matchningskretsen applications i form av sektioner av bandmikrolinjer på elementten i den allmänna topologin på det tryckta kretskortet. Spolarna i den andra länken är terminalerna på transistorbasen.

Dessa förstärkares Struktur motsvarar рис. 2 и 3. Употребление в эффективный вид видео до фёрстаркиннингстеген и десс тиллэгг вид дерас утганг, Ликсом атт матча ингангарна и утгонгарна со стандартным покрытием, утфлерс со средним звуком на три децибела риктнингскопларна. Strukturellt är varje kopplare tillverkad i form av bifilarlindningar (kvartsvåglinjer) på en ram placerad i ett avskärmande hölje.

Moderna linjära mikrovågstransistorer gör det således möjligt att skapa kraftfulla – up to 250 W – TV-förstärkarmoduler.Med hjälp av sådana modulers batterier är det möjligt att öka uteffekten до антеннматарбанан до 2 кВт. Som en del av sändarna uppfyller de utvecklade förstärkarna alla moderna krav på elektriska egenskaper och tillförlitlighet.

Kraftfulla linjära mikrovågstransistorer har nyligen börjat användas i stor utsträckning även vid konstruktion av effktförstärkare för basstationer i ett cellulärt kommunikationssystem.

På deras eget sätt teknisk nivå Kraftfulla mikrovågsugn linjära transistorer utvecklade av NIIET kan användas som en grundbas for att skapa modern radiosändning, TV or annan nationell ekonomisk utrustning or radioamatning.

Материал förberett
А. Ассесоров, В. Бедемаре, В. Кожевников, С. Матвеев Воронеж

LITTERATUR
1. Hlraoka K., FuJIwara S., IkegamI T. и др. Высокий драйвер для твердотельного УВЧ-излучения – NEC Pes. & Утвекла. 1985. до 79, с. 61 -69.
2. Бедемаре В., Кожевников В., Косой А. Vetenskaplig sökning efter ryska ingenjörer. Utvecklingstrenden för kraftfulla mikrovågstransistorer – Radio, 1994, nr 6, s. 2.3.
3. Bredbandssändare. Эд. Алексеева О.А. – Москва: Коммуникация, 1978, с. 304.
4. FuJIwurdS., IkegamI T., Maklagama I. и др. SS-serie solid state-sändare. -NEC Res. & Утвекла. 1989. № 94, с. 78-89.
5. Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Утвеклингстренд для крафтфулла микровагтрансистеров для просмотра и радиосвязи, телевидения и связи.
– Электронная индустрия. 1994. № 4, с. 76-80.
6. Бедёмаре В., Кожевников В. .. Косая А. Ня mikrovågstransistorer. – Радио. 1996. № 5, с. 57,58.
7.Mipler O. Superlinjära kraftfulla decimetransistorer for tråd-tv – TIIER, 1970. v. 58. Nr 7. från. 138-147.
8. Kojlwara Y., Hlrakuwa K., Sasaki K. и др. UHF transistorförstärkare med hög dielektriskt substrat. – NEC Res- & Develop. 1977. № 45, с. 50-57.
9. Гребенников А., Никифоров В., Рыжиков А. Крафтфулла транзисторный модуль для УКВ FM и телеканалов. – Электросвязь. 1996, № 3, с. 28-31.

I Jag till imp A

Транзистор

Параметр

н-п-н

Икбо вид Укб мА / В.

Iebo vid Ueb mA / V.

h31e-enheter

Frp MHz

Sc pf

t до трансформаторной станцииen

Ukb max V.

Uke max B

Ueb max B

Ib max A

P max W

RT max W

2T606A

1/65

0,1 / 4

3,5

0,01

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606A

1,5 / 65

0,3 / 4

0.012

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606B

1,5 / 65

0,3 / 4

0,012

0,4

0,8

0,1

0,6

2,0

2T607A-4

ej tillämpligt

0,125

ej tillämpligt

0,3

1,0

KT607A-4

ej tillämpligt

0,15

ej tillämpligt

0.9

1,5

KT607B-4

ej tillämpligt

4,5

0,15

ej tillämpligt

0,8

1,5

2T610A

0,5 / 20

0,1 / 4

50–250

4,1

0,3

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

2T610B

0,5 / 20

0,1 / 4

20–250

4,1

0,3

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

КТ610А

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

КТ610Б

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

2T633A

0,003 / 30

0,003 / 4

40–140

3,3

ej tillämpligt

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

КТ633Б

0,01 / 30

0,01 / 4

20–160

3,3

ej tillämpligt

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

2T634A

1/30

0,2 / 3

ej tillämpligt

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1.8

KT634B

2/30

0,4 / 3

ej tillämpligt

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1,8

2T637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

ej tillämpligt

KT637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

ej tillämpligt

KT637B

2/30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

ej tillämpligt

2T640A

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

ej tillämpligt

0,6

ej tillämpligt

КТ640А

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

ej tillämpligt

0,6

ej tillämpligt

КТ640Б

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

ej tillämpligt

0,6

ej tillämpligt

КТ640В

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

ej tillämpligt

0,6

ej tillämpligt

2T642A

1/20

0,1 / 2

ej tillämpligt

1,1

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

0,5

ej tillämpligt

KT642A

1/20

0,1 / 2

ej tillämpligt

1,1

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

0,5

ej tillämpligt

2T642A1

0,5 / 15

0,1 / 2

ej tillämpligt

0,04

ej tillämpligt

0.35 год

ej tillämpligt

2T642B1

0,5 / 15

0,1 / 2

ej tillämpligt

0,04

ej tillämpligt

0,35

ej tillämpligt

2T642V1

0,5 / 15

0,1 / 2

ej tillämpligt

0,04

ej tillämpligt

0,2 sek

ej tillämpligt

2T642G1

0,5 / 15

0,1 / 2

ej tillämpligt

0,04

ej tillämpligt

0,23

ej tillämpligt

2T643A-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

ej tillämpligt

0,12

ej tillämpligt

3,15

ej tillämpligt

2T643B-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

ej tillämpligt

0,12

ej tillämpligt

0,15

ej tillämpligt

2T647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

0,09

ej tillämpligt

5,56

0,8

KT647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

ej tillämpligt

1.5

ej tillämpligt

0,09

ej tillämpligt

0,56

0,8

2T648A-2

1/18

0,2 / 2

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

0,4

0,6

KT648A-2

1/18

0,2 / 2

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

0,4

0,6

2T657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

0,31

ej tillämpligt

2T657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

ej tillämpligt

0.06

ej tillämpligt

0,31

ej tillämpligt

2T657V-2

1/12

0,1 / 2

35-50

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

3,37

ej tillämpligt

KT657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

3,37

ej tillämpligt

KT657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

ej tillämpligt

0,06

ej tillämpligt

3,37

ej tillämpligt

КТ657В-2

1/12

0,1 / 2

35-50

ej tillämpligt

0.06

ej tillämpligt

3,37

ej tillämpligt

KT659A

ej tillämpligt

мин. 35

ej tillämpligt

1,2

ej tillämpligt

2T671A

1/15

0,4 / 1,5

ej tillämpligt

1,5

ej tillämpligt

1,5

0,15

ej tillämpligt

0,9

ej tillämpligt

2T682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-70

ej tillämpligt

0,05

ej tillämpligt

0,33

ej tillämpligt

2T682B-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

80-100

ej tillämpligt

0,05

ej tillämpligt

0,33

ej tillämpligt

KT682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-50

ej tillämpligt

0,05

ej tillämpligt

0,33

ej tillämpligt

Följande beteckningar för de elektriska Parameterna for transistorer antas i tabellen:

Ikbo – omvänd kollektorström (kollektorbas), i täljaren, i täljaren, мед.
Iebo – emitterns motström (эмиттер-бас), i täljaren, med spänningen mellan emittern och basen, i nämnaren.
h31e – statisk strömöverföringskoefficient (förstärkning).
Fgr – den övre gränsfrekvensen for transistorns överföringskoefficient.
Sc – kollektorövergångens kapacitans, t till – kretsens tidskonstant respons (intemer).
Ukb max – den maximalt tillåtna spänningen mellan kollektorn och basen.
Uke max – максимальный Tillåten spänning mellan samlare och sändare
Ueb max – den maximalt tillåtna spänningen mellan sändaren och basen.
Ik max – максимальный коллекторстрём.
Ик имп. – максимальный пульсфангарстрём.
Ib max är den maximala basströmmen.
Pmax – максимальный эффект utan kylfläns.
RT max – Максимальный эффект от kylfläns.

Kraftfulla mikrovågstransistorer med låg spänning for mobil kommunikation

Tidningen “Радио” информирует о ня утвеклинга на Воронежском научно-исследовательском институте электронной техники, который создан для создания микроврансисторов для олицетворения användningsområden.Я знаю, что артикулировал, и был специалистом по радиооборудованию, чтобы получить доступ к группам микроврансисторов KT8197, KT9189, KT9192, 2T9188A, KT9109A, KT9193 для мобильного интервала между коммуникациями и мобильной связью. Skärpningen av kraven på funktionella och operativa parameter for modern kommunikationsutrustning ställer motsvarande högre krav for energiparametrarna för kraftfulla mikrovågstransistorer, deras tillförlitlighetterformen för.

Först och främst måste man komma ihåg att bärbara och bärbara radioapparater drivs direkt från primära källor. För detta ändamål används kemiska strömkällor (små batterier av celler eller ackumulatorer) med en spänning som regel от 5 до 15 V. Денежное сокращение matningsspänningen inför restriktioner på генерирует транзисторный эффект. Samtidigt måste högeffektiva mikrovågstransistorer med låg spänning ha höga energiparametrar (såsomffektförstärkning KR och Effektiviteten hos kollektorkretsen ηK) över hela arbetsfredekvensomr.

Мед hänsyn до Det ФАКТУМ Att generatortransistorns uteffekt är proportionell MOT kvadraten för ден grundläggande harmoniska spänningen VID kollektorn, кан effekten пр Att reducera nivån på дес uteffekt мед ан minskning пр matningssamlingsspänningen konstruktivt kompenseras мед ан motsvarande ökning пр amplituden för ден användbara signalströmmen. Därför, när man utformar lågspänningstransistorer i kombination med lösningen av en uppsättning design- och tekniska problem, bör problem relaterade till проблема med att minska kollektor-emittermättnadsspänningen kollektor-emittermättnadsspänningen oritchörötiska denisköör.

Driften пр lågspänningstransistorer я ETT Дом Местонахождение Med högre strömtätheter jämfört мед konventionella generatortransistorer (avsedda för användning VID Упит \ u003d 28 В оч högre) förvärrar problemet мед Att säkerställa långsiktig tillförlitlighet på Grund пр behovet пр Att undertrycka ден мерный intensiva manifestationen пр nedbrytningsmekanismer я strömförande элемент оч контактметаллизингсскикт транзисторструктур. Для получения дополнительной информации об использовании многослойной системы mycket Tillförlitligt guldbaserat Metalliseringssystem и Utvecklade mikrovågs-lågspänningstransistorerna.

Transistorerna som diskuteras i den här artikeln är utformade for deras primära användning iffektförstärkare i class C-läge när de slås på i en vanlig emitterkrets. Samtidigt är deras drift tillåten i lägena för klasserna A, B och AB под en spänning som skiljer sig från det nominella värdet, förutsatt att arbetspunkten ligger inom det säkra driftsområråröten örödörödéråråröörée 14 åtgörénée. när Usup är mindre än det nominella värdet.Men i det här fallet kan värdena på de elektriska parameterna skilja sig från pasts. Det är tillåtet att manövrera transistorer med en strömbelastning som motsvarar värdet på IK max, om den maximalt tillåtna genomsnittliga spridningseffekten för kollektorn i det kontinuerliga Dynamiska läget önskärder rk.avrider.

På grund av det faktum att kristallerna av transistorstrukturerna för de aktuella enheterna är gjorda enligt bastekniken och har gemensamma structure och tekniska egenskaper, har alla transistorer samma nedbrytningssning.Я enlighet мед де Tekniska specifikationerna för enheter är tillämpningsområdet begränsat пр värdet på ден maximalt tillåtna Konstanta spänningen Mellan sändaren очи басни UEBmax

Den huvudsakliga konceptuella иден сом gjorde ого möjligt Att та ytterligare ETT Steg Ином Att skapa kraftfulla lågspänningstransistorer я miniatyrdesign вар utvecklingen ау пу originaldesign och tekniska lösningar när man skapade en serie ramlösa transistorer KT8197, KT9189, KT9192. Кэрнан и иден är атт скапа на транзисторной основе на основе кристаллов бериллия и металлизированной пленки на гибкой пленке – на полиимидфильме.

En tejpbärare med ett speciellt fotolitografiskt mönster i form av en ledande ram fungerar som ett enda ledande element, på vilket en kontakt med flercelltransistorstrukturen och enhetens externa terminaler bildas samtidigt. Alla element i den inre tejpförstärkningen är förseglade med en förening. Måtten på basen på den metalliserade keramiska hållaren är 2,5×2,5 мм. Monteringsytan på kristallhållaren och ledningarna är pläterade med ett lager av guld. Транзисторы имеют типоразмерные визы и рис.1, а. För jämförelse, notera att de minsta utländska transistorerna i en metalkeramisk förpackning (до примера CASE 249-05 от Motorola), имеет керамический диск диаметром 7 мм.

Transistorerna i serien KT8197, KT9189, KT9192 gör det möjligt att installera dem på ett kretskort genom ytmontering. Я ищу мед рекомендуемый для проверки состояния транзистора с большим запасом хода на внешнем терминале и температуре воздуха 125 … 180 ° С в течение 5 секунд.

Tack vare försäljningen av reserver när det gäller elektriska och termofysiska parameter var det möjligt att avsevärt utvidga området for konsumentfunktioner for oförpackade mikrovågstransistorer. I synnerhet for transistorer i KT8197-serien med ett nominellt spänningsvärde Upit = 7,5 V och KT9189, KT9192-serien (12,5 V) förlängs gränsen för det säkra driftsområdet i max v. av matningsspänningen relativt det nominella värdet tillåter öka den bärbara sändarens uteffekt och följaktligen öka radiokommunikationsområdet.Transistorer kan arbeta utan att reduceraffektförlusten i kontinuerligt Dynamiskt läge under hela driftstemperaturområdet.

I allmänhet löstes frågorna om inte bara miniatyrisering utan också kostnadsminskning när man utvecklade dessa transistorer på ett grundläggande sätt. Сом ите результат в visade sig transistorer vara ungefär fem gånger billigare än utländska av en liknande klass i ett cermetpaket. De utvecklade mikrovågstransistorerna i miniatyr kan hitta den bredaste applikationen både i Traditional användning, я формирую дискретный компонент и сом на каком-либо гибридном микроконтроллере RF -ffektförstärkare.Det är uppenbart att deras användning är mestffektiv i bärbara bärbara radiostationer.

Utgångsstegen för mobila sändare drivs vanligtvis direkt från fordonets batteri. Transistorerna för utgångsstegen är konstruerade för ан nominell matningsspänning Упит \ u003d 12,5 В. Де parametriska raderna пр transistorer för Varje kommunikationsområde är byggda мед hänsyn до tillhandahållandet пр ден tillåtna maximala uteffektnivån Барбаре sändare Рвых \ u003d 20 W. Utvecklingen пр högeffektiva mikrovågstransistorer мед låg spänning (med Pout> 10 W) är förknippad med mer komplexa designproblem.Dessutom finns det problem att lägga до динамического крафта и värmeavlägsnande от Stora kristaller i mikrovågsstrukturer.

Kristaltopologin hos högeffekttransistorer har en högt utvecklad emitterstruktur, kännetecknad av låg impedans. För att tillhandahålla det önskade frekvensbandet, förenkla matchningen och ökaffektförstärkningen, är en intern LC-krets inbyggd i transistorerna vid ingången. Strukturellt är LC-kretsen gjord i form av en mikroenhet baserad på en MIS-kondensator och ett system av trådkablar som fungerar som индуктивный элемент.

Vid utvecklingen av kraftserien for tidigare utvecklade transistorer i 2T9175-serien for användning i VHF-serien har transistorerna 2T9188A (Pout = 10 W) or KT9190A (20 W) skapats. Для серии UHF-транзисторов KT9193A (Pout = 10 W) и KT9193B (20 W) utvecklats. Transistorer är gjorda i ett standard KT-83-fodral (см. Рис. 1, б).

Användningen av detta metallkeramiska fodral på en gång gjorde det möjligt att skapa mycket pålitliga transistorer med dubbla ändamål för elektronisk utrustning med ökade krav på externa föralimat.För att säkerställa garanterad tillförlitlighet vid en falltemperatur på + 60 ° C med avseende på transistorer med en uteffekt på Pout = 10 W och med Pout = 20 W – от +40 до + 125 ° C, ärådäldena maximaltn i kontinuerligt Dynamiskt läge minskning i enlighet med formeln RK.av max = (200-Tcorp) / RT.pk (där Tkorp är temperaturen i fodralet, ° C; RT.pk är den termiska resistansen hos korsningsfallet), ° C .

För närvarande skapas ett Federalt radiokommunikationsnätverk i Ryssland enligt NMT-450i-standarden (med en frekvens på 450 MHz).Серийный номер для проверки KT9189, 2T9175, 2T9188A, KT9190A может использоваться для обеспечения надежной защиты и надежной защиты для внутренних транзисторных элементов.

Dessutom har sedan 1995 ett Federalt nätverk av ett mobilsystem for mobil abonnentkommunikation inom GSM-standarden (900 MHz) or ett cellulärt system for Regional Kommunikation and enlighet med den American AMPS-standarden (800 MHz) Ryzen. Для установки системы радиосвязи в диапазоне УВЧ, с использованием транзистора с серией KT9192 и мощностью от 0,5 до 2 Вт, а также с серией KT9193 с мощностью от 10 до 20 Вт.

Lösningen på problem med miniatyrisering av utrustning och följaktligen dess elementbas påverkade inte bara bärbara bärbara radiosändare. I vissa fall, för bärbar radiokommunikationsutrustning, liksom specialutrustning, finns det ett behov av att minska vikten ochimenserna hos kraftfulla mikrovågs-lågspänningstransistorer.

För dessa ändamål har en modifierad flänsfri höljesdesign baserad på KT-83 utvecklats (рис. 1, c), där transistorerna 2T9175A-4-2T9175V-4, 2T9188A-4, KT9190A-4, KT9190 .När det gäller elektriska egenskaper liknar de motsvarande transistorer i standardkonstruktionen. Dessa transistorer är monterade genom lödning vid låg temperatur av kristallhållaren direkt på kylflänsen. Kroppstemperan under lödprocessen bör inte överstiga + 150 ° C, och den totala uppvärmnings- och lödtiden bör inte överstiga 2 минуты.

Den huvudsakliga specificikationer de betraktade transistorerna presenteras i tabellen. 1. Effektiviteten hos kollektorkretsen for alla transistorer är 55%.De maximalt tillåtna värdena для kollektorströmmen motsvarar hela driftstemperaturområdet.

борда 1

96 484 200

Транзистор	Arbetsfrekvensområde, МГц	Утеффект, З	Effektförstärkningsfaktor, gånger	Matningsspänning, V.	Maximalt tillåtna genomsnittliga tävlingar makt i forts. Dynamisk läge, W	Maximalt tillåtet d.C. samlare, A	Maximalt tillåtna värden för omgivningstemperatur, ° С	Högsta tillåtna falltemperatur, ° С	Högsta tillåtna anslutningstemperatur, ° С	Termisk motståndskorsning – hölje, ° С / Вт	Samlarkapacitet, pF	Gränsförstärkningsfrekvens, МГц
KT8197A-2	30 … 175	0,5	15	7,5	2	0,5	-45… + 85	–	160	–	5	400
КТ8197Б-2		2	10		5	1					15
КТ8197В-2		5	8		8	1,6					25
KT9189A-2	200 … 470	0,5	12	12,5	2	0,5	-45… + 85	–	160	–	4,5	1000
КТ9189Б-2		2	10		5	1					13	1000
КТ9189В-2		5	6		8	1,6					20	900
КТ9192А-2	800 … 900	0,5	6	12,5	2	0,5	-45… + 85	–	160	–	4,5	1200
КТ9192Б-2	800 … 900	2	5	12,5	5	1,6	-45… + 85	–	160	–	13	1200
2Т9175А; 2Т9175А-4	140 … 512	0,5	10	7,5	3,75	0,5	-60	125	200	12	10	900
2Т9175Б; 2Т9175Б-4		2	6		7,5	1				6	16	900
2Т9175В; 2Т9175В-4		5	4		15	2				3	30	780
2T9188A; 2T9188A-4	200…470	10	5	12,5	35	5	-60	125	200	4	50	700
КТ9190А; КТ9190А-4	200 … 470	20	–	12,5	40	8	-60	125	200	3	65	720
КТ9193А; КТ9193А-4	800..900	10	4	12,5	23	4	-60	125	5	35	1000
КТ9193Б; КТ9193Б-4	800..900	20	–	12,5	40	8	-60	125	3	60	1000

I рис. 2, Visar hela kretsen av transistorer 2T9188A, KT9190A, och i рис. 2, b – transistorer i serien KT8197, KT9189, KT9192, 2T9175 (без регистрации от лёдгрансена до tätningsskyddets limsöm eller tätningsbeläggningen på kristallhållaren.Подробная информация о правилах и рекомендациях для проверки микроврансисторов и спецификаций для демонстрации и поддержки транзисторов с реактивным транзистором элемента). Parametrarna för de reaktiva elementen som visas i diagrammen sammanfattas i tabellen. 2. Dessa parameter är nödvändiga for att beräkna matchningskretsarna för förstärkningsbanan for anordningarna under utveckling.

Utvecklingen av en ny bas för transistorelement öppnar stora möjligheter for både skapandet av modern Professionalell kommersiell och amatörradiokommunikationsutrustning och förbättringen element, derötrötröröße

Табелл 2

Параметр для реактивного элемента транзистора	Транзистор
Параметр для реактивного элемента транзистора	2T9175A; 2T9175A-4	2Т9175Б; 2Т9175Б-4	2Т9175В; 2Т9175В-4	2Т9188А; 2T9188A-4	КТ9190А; КТ9190А-4	КТ9193А; КТ9193А-4	КТ9193Б; КТ9193Б-4	КТ8197А-2; КТ9189А-2; КТ9192А-2	КТ8197Б-2; КТ9189Б-2; КТ9192Б-2	КТ8197В-2; КТ9189В-2
L B1, nH	3	2,3	1,8	0,66	0,73	1	0,84	0,19	0,1	0,2
L B2, nH	–	–	–	0,17	0,38	0,58	0,37	–	–	–
L El, nH	0,5	0,35	0,28	0,16	0,15	0,26	0,19	0,22	0,12	0,12
L E2, nH	–	–	–	0,2	0,22	0,31	0,26	–	–	–
L K1, nH	1,25	1,1	1	0,61	0,57	0,71	0,61	0,59	0,59	0,59
Cl, пФ	–	–	–	370	600	75	150	–	–	–

Литератур

Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Vetenskaplig sökning efter ryska ingenjörer. Utvecklingstrend för högeffektiva mikrovågstransistorer. – Радио, 1994, № 6, с. 2, 3.
Асессоров В., Кожевников В., Косой А. Ня mikrovågstransistorer. – Радио, 1996, № 5, с. 57, 58.
Асессоров В., Асессоров А., Кожевников В., Матвеев С. Linjära mikrovågstransistorer förffektförstärkare. – Радио, 1998, № 3, с. 49-51.
Vinkelmodulerade radioer i landmobiltjänsten. ГОСТ 12252-86 (СТ СЭВ 4280-83).

Läsa och skriva användbar

O’rta quvvatli uy ichidagi mikroto’lqinli tranzistorlar. Уяли алока учун мимо кучланисли микрото’лкинли транзисторлар

Уяли алока учун мимо кучланисли микрото’лкинли транзисторлар

Radio jurnali o’quvchilarini Voronej ilmiy-tadqiqot elektron texnologiyalar institutining turli xil dastur sohalari uchun kuchli mikroto’lqinli tranzistorlarni yaratish sohasidagi yangi ishlanmalari haqishda doradi ravishda boradi ravishda.Ushbu maqolada biz mutaxassislar va radio ishqibozlarini MV va UHF diapazonida chiqish quvvati 0,5 дан 20 Вт gacha bo’lgan mobil aloqa uchun KT8197, KT9189, KT9192, 2T9188A, KT9109Anglish Zamonaviy aloqa uskunalarining funktsional va ekspluatatsion parameterlariga qo’yiladigan talablarning kuchaytirilishi mos ravishda yuqori quvvatli mikroto’lqinli tranzistorlarning energiya параметрларига, локация shonchurning энергия параметрларига, уларнинг ишончурнинг энергия

Аввало, есда тутиш керакки, портативный ва портатив радиостанциялар то’г’ридан-то’г’ри асосий манбалардан ишлайди. Buning uchun, odatda, 5 дан 15 V. gacha bo’lgan kuchlanish bilan kimyoviy oqim manbalari (hujayralar yoki akkumulyatorlarning kichik batareyalari) ishlatiladi, kamaytirilgan quvvatchaustikishuvatzo’riqishu. Шу билан бирга, прошедшее кучланисли кучли микрото’лкинли транзисторлар юкори частотали частоталар диапазононида юкори энергия параметрларига эга бо’лиши керак (масалан, кувватни кучайтириш all)

Jeneratör tranzistorining chiqish quvvati kollektor ustidagi asosiy kuchlanishning kvadratiga mutanosib ekanligini hisobga olsak, ta’minot kollektor kuchlanishining pasayishi bilan uning fotostrushi pasiši kuchlanishining. Шу сабабли, прошлое кучланисли транзисторларни лойихалашда бир катор дизайн ва технологик муаммоларни эчишда, коллектив-эмитентларнинг то’инган кучланишини камайтириш ва коллекторнинг тангидий таргам кэмшогиллиголарнинг танкидий таргам кэмшогиллиголарник

An’anaviy генератор tranzistorlariga qaraganda yuqori zichlikdagi rejimda ishlash (Упит \ u003d 28 В ва undan yuqori foydalanish учун mo’ljallangan) мимо kuchlanishli tranzistorlarning ishlashi oqim o’tkazuvchan elementlar ва metalizatsiya kontaktli qatlamlarida buzilish mexanizmlarining yanada jadal namoyon bo’lishini bostirish zarurati туфайли узок муддатли ишончлиликни та’минлаш муаммосини янада кучайтиради. Транзистор Тузилиши. Шу максадда ишлаб чикилган мимо кучланисли микрото’лкинли транзисторлар олтин асосидаги коп катламли юкори ишончли металллаштириш тизимидан фойдаланганлар.

Ushbu maqolada ko’rib chiqilgan tranzistorlar umumiy emitter sxemasi bo’yicha yoqilganda, S sinfidagi kuch kuchaytirgichlarida asosiy qo’llanilishini hisobga olgan holda ishlab chiqilgan. Шу билан бирга, A, B ва AB sinflarida номинальный qiymatdan farq qiladigan kuchlanish sharoitida ishlashga ruxsat beriladi, агар ишлайдиган радость xavfsiz foydalanish zonasida bo’lsa va avtomatik choirishriisharisa kiqarish kiqarish.

Transistorlar Upitning qiymati nominaldan мимо bo’lsa ham ishlay oladi.Боеприпасы бу holda elektr paratrlari pasportdan farq qilishi mumkin. ИК макс qiymatiga mos keladigan joriy yuk bilan tranzistorlarning ishlashiga, agar RC doimiy dinamik rejimida kollektorning maksimal ruxsat etilgan o’rtacha tarqalish kuchi bo’lsa, ruxsat etiladi.

Ko’rib chiqilgan qurilmalarning tranzistor konstruktsiyalarining kristallari asosiy texnologiya bo’yicha ishlab chiqarilganligi va umumiy tarkibiy va texnologik xususiyatlarga ega bo’lganzanishirQurilmalar uchun texnik shartlarga muvofiq, ularni qo’llash doirasi emitent va UEBmax bazasi orasidagi maksimal ruxsat etilgan doimiy voltaj bilan cheklangan.

Miniatyuraviy dizayndagi kuchli past kuchlanishli tranzistorlarni yaratishda yana bir qadam tashlashga imkon bergan asosiy tushuncha KT8197, KT9189, KT9192 tranzistorlari seriyasini yangarati texura chuniki. Гоянинг мохияти – егилувчан ташувчида – полиимид плёнкада бериллий оксиди ва лентали металллаштирилган qo’rg’oshinli керамик кристалл асосидаги транзистор дизайн яратиш.

Chiqish ramkasi shaklida maxsus fotolitografik naqshga ega lenta tashuvchisi bir vaqtning o’zida ko’p hujayrali tranzistorli Struktura va qurilmaning tashqi terminallari bilan’aloqavia element. Ichki lenta mustahkamlashning barcha elementlari aralashma bilan muhrlangan. Металлизланган керамик ушлагич таглигининг о’лчамлари 2,5×2,5 мм. Кристалл ушлагич ва конечное предупреждение орнатиш юзаси олтин катлами билан котланган. Transistorning turi va o’lchamlari sek.1 а. Taqqoslash uchun biz metall-keramika korpusidagi eng kichik xorijiy tranzistorlarning (masalan, Motoroladan CASE 249-05) диаметром 7 мм bo’lgan yumaloq keramik taglikka ega ekanligini ta’kidlaymiz.

KT8197, KT9189, KT9192 seriyali tranzistorlarning dizayni ularni sirt montaji yordamida bosilgan elektron plataga o’rnatishni ta’minlaydi. Ушбу транзисторлардан фойдаланиш бойича тавсияларга мувофик ташки терминалларни лехимлаш 125 … 180 ° S хароратда 5 с дан ошмаслиги керак.

Электр ва термофизик параметрлар бо’йича заксираларни амальга ошириш туфайли, очилмаган микрото’лкинли транзисторнарнинг исте’молчи функциялари дойрасини сезиларли дараджада кенгайтириш до имконий. Xususan, Upit = 7,5 V va KT9189, KT9192 серии (12,5 V) номинальный кучланиш qiymati bilan KT8197 сериали транзисторлар учун динамик rejimda xavfsiz ishlash zonasining chegarasi upit 15 max. портативный uzatgichning chiqish quvvati darajasini oshirish ва shunga mos ravishda radio aloqalarini kengaytirish.Transistorlar butun ish harorati oralig’ida uzluksiz dinamik rejimda quvvat tarqalishini kamaytirmasdan ishlashga qodir.

Умуман ольганда, ушбу транзисторларни тубдан ишлаб чикишда нафакат миниатизация, балки хараджатларни камайтириш масалалари хам хал цилинди. Натиджада, транзисторлар керамик-металл буйумлардаги сюнга о’шшаш синфдаги хориджийникига нисбатан карийб беш баравар арзонрок бо’либ чикди. Rivojlangan miniatyurali mikroto’lqinli tranzistorlar diskret tarkibiy qismlar shaklida an’anaviy foydalanish uchun ham, RF chastotasi quvvatining gibrid mikrosirkulyator kuchaytirgichlari top qismi sifatidaanil m qo.Шубхасиз, англ самарали бу уларни кочма радиостанцияларда ишлатишдир.

Ko’chma uzatgichlarning chiqish bosqichlari odatda to’g’ridan-to’g’ri avtomobil akkumulyatoridan quvvatlanadi. Chiqish bosqichlari учун tranzistorlar Упит \ u003d 12,5 В номинал kuchlanish учун mo’ljallangan, хар бир ulangan учун tranzistorlarning Диапазон parametrik qatorlari Рвых \ u003d 20 Вт kuchlanishli uzatgichlar учун ruxsat etilgan maksimal chiqish quvvatining ta’minlanishini hisobga OlgaN Holda qurilgan.Юкори квватли мимо кучланисли микрото’лкинли транзисторнарнинг ривойланиши (Pout> 10 Вт билан) дизайн янада мураккаб муаммолари билан бог’лик. Bundan tashqari, mikroto’lqinli tuzilmalarning katta kristallaridan dinamik quvvatni va issiqlikni olib tashlash muammolari paydo bo’ladi.

Yuqori quvvatli tranzistorlarning kristall topologiyasi past rivojlangan empedans bilan tavsiflangan yuqori rivojlangan emitter tuzilishga ega. Kerakli chastota diapazonini ta’minlash, taqqoslashni soddalashtirish va tranzistorlarning quvvatini oshirish uchun tranzistorlarga LC kirish ichki mos keluvchi kontur o’rnatilgan.Strukturaviy ravishda, LC Даври MIS kondensatori va indüktif elementlar rolini o’ynaydigan simli simlar tizimiga asoslangan mikrosxemalar shaklida amalga oshiriladi.

УКВ диапазон фойдаланиш учун илгари ишлаб чикилган 2T9175 серийный транзисторнарнинг кувват диапазона ишлаб чикишда 2Т9188А (Привых = 10 Вт) ва КЗТ9190А DMV diapazoni uchun KT9193A (Pout = 10 Вт) va KT9193B (20 Вт) транзисторлари ишлаб чикилган. Транзисторлар стандарт КТ-83 пакетида ишлаб чикарилади (1-расм, б).

Бир vaqtning o’zida ushbu keramik-Metall korpusdan foydalanish tashqi omillarga yuqori talablar va og’ir iqlim sharoitida ishlash imkoniyati bo’lgan REA uchun juda ishonchli ikki tomonlarkni tranchli bernishga imistorkni ikki. Кафолатланган ишончлиликни та’минлаш учун чикиш кучи = 10 Вт бо’лган ва 20 Вт кучланисли – +40 дан + 125 ° С гача бо’лган транзисторларга нисбатан + 60 ° С гача бо’лганим хароратда, до максимальный таркалиши зарур.РК.ср формуласига биноан камайтиринг макс = (200-Ткорп) / рт.п-к (бу эрда ткорп – бу иш харорати, ° ю.ш .; рт.п-к – бу холатдан холатга о’тишнинг термальный каршилиги, ° С / Вт).

Хозирги vaqtda Россия NMT-450i standartiga muvofiq (450 MGts chastotada) федеральное радио алока тармог’ини яратмокда. KT9189, 2T9175, 2T9188A, KT9190A ishlab chiqilgan asboblar seriyasi ichki tranzistor elementlar bazasidagi uskunalar bozorining ko’rib chiqilayotgan sektori ehtiyojini to’liq qoplay olig.

Bundan tashqari, 1995 йилдан бери Россия Стандарт GSM (900 MGts) стандартидаги uyali aloqa abonentlarining Federal Tarmog’ini va America AMPS standartiga (800 MGts) muvofiq mintaqaviy aloqa uchun tarqatmozimni.Ushbu uyali radioaloqa tizimlarini DMV-da yaratish uchun chiqish quvvati 0,5 ва 2 Вт бо’лган KT9192 seriyali kichik o’lchamli tranzistorlardan, shuningdek, chiqish quvvati 10 va 20 Vt9193lgany.

Uskunalarni miniatyuralash muammosini hal qilish va shunga mos ravishda uning elementar bazasi nafaqat ko’chma portativ radio uzatgichlarga ta’sir ko’rsatdi. Ба’зи холларда кочма радиоалока ускуналари учун, шунингдек, макссус максадлар учун мо’лджалланган ускуналар учун юкури квватли микрото’лкинли прошлое кучланисли транзисторлармарнинг кумасини ва-уха.

Ушбу максадлар учун КТ-83 асосидаги о’згартирилган флангельсиз уй-джой дизайн ишлаб чикилган (1-расм, с), унда 2T9175A-4-2T9175V-4, 2T9188A-4193A-419A-419A-4193 4 транзисторлари ишлаб чикарильди. Электр xususiyatlarida ular standart dizayndagi tegishli tranzistorlarga o’xshashdir. Ушбу транзисторлар кристалл ушлагични мимо хароратли лехим билан то’г’ридан-то’г’ри исиклик мосламасига о’рнатилади. Lehimlash jarayonida korpusning harorati + 150 ° C дан oshmasligi kerak, ва иситиш ва lehimning umumiy vaqti 2 daqiqadan oshmasligi kerak.

Ko’rib chiqilgan tranzistorlarning asosiy texnik xususiyatlari jadvalda keltirilgan. 1. Барча транзисторнарнинг коллектив даври самарадорлиги 55% ни ташкил гилади. Коллекционирование руксат этилган то’г’ридан-то’г’ри oqimining qiymatlari ish haroratining butun diapazoniga to’g’ri keladi.

1-ядвал

96 484 200

Транзистор	Ишлаш частотаси диапазона, МГц	Chiqish quvvati, Vt	Quvvat olish vaqti, vaqt	Ta’minot kuchlanishi	Eng maqbul o’rtacha irqlar.quvvat dinamik W rejimi	Kollektorning eng maqbul to’g’ridan-to’g’ri oqimi va	Atrof muhitning ruxsat berilgan maksimal harorati, ° S	Ishning eng maqbul harorati, ° C	О’тишнинг руксат этилган максимал харорати, ° S	Иссыклик каршилигининг о’тиш даври – ° S / Вт	Коллектор хайми, пФ	Кесиш частотаси, МГц
KT8197A-2	30…175	0,5	15	7,5	2	0,5	-45 … + 85	–	160	–	5	400
КТ8197Б-2		2	10		5	1					15
КТ8197В-2		5	8		8	1,6					25
KT9189A-2	200…470	0,5	12	12,5	2	0,5	-45 … + 85	–	160	–	4,5	1000
КТ9189Б-2		2	10		5	1					13	1000
КТ9189В-2		5	6		8	1,6					20	900
КТ9192А-2	800..900	0,5	6	12,5	2	0,5	-45 … + 85	–	160	–	4,5	1200
КТ9192Б-2	800..900	2	5	12,5	5	1,6	-45 … + 85	–	160	–	13	1200
2Т9175А; 2Т9175А-4	140 … 512	0,5	10	7,5	3,75	0,5	-60	125	200	12	10	900
2Т9175Б; 2Т9175Б-4		2	6		7,5	1				6	16	900
2Т9175В; 2Т9175В-4		5	4		15	2				3	30	780
2T9188A; 2T9188A-4	200…470	10	5	12,5	35	5	-60	125	200	4	50	700
КТ9190А; КТ9190А-4	200 … 470	20	–	12,5	40	8	-60	125	200	3	65	720
КТ9193А; КТ9193А-4	800..900	10	4	12,5	23	4	-60	125	5	35	1000
КТ9193Б; КТ9193Б-4	800..900	20	–	12,5	40	8	-60	125	3	60	1000

Shaklda 2a da 2T9188A, KT9190A tranzistorlarining to’liq davri va rasmda ko’rsatilgan. 2b – KT8197, KT9189, KT9192, 2T9175 seriyali tranzistorlar (l – bu lehim chegarasidan muhr qoplamasining yopishqoq tikuviga yoki kristall ushlagichining muhriga qadar bo’lgan masofa.Бу масофа ТУда микрото’лкинли транзисторлардан фойдаланиш бойича тавсияларда тартибга солинади ва уларни хисоблашда хисобга олиниши керак. транзисторлар). Diagrammalarda ko’rsatilgan reaktiv elementlarning parameterari jadvalda umumlashtirilgan. 2. Ушбу параметрлар ишлаб чикилган qurilmalarning kuchaytirish yo’lining mos keladigan davrlarini hisoblash uchun zarurdir.

Янги транзисторли базанинг rivojlanishi zamonaviy профессиональный тиджорат ва хаваскор радио алока uskunalarini yaratish, shuningdek, uning elektr parametrlarini yaxshilash, og’irlik, o’lqabni

2-ядвал

Транзисторный реактивный элементУстановка параметров	Транзистор
Транзисторный реактивный элементУстановка параметров	2T9175A; 2T9175A-4	2Т9175Б; 2Т9175Б-4	2Т9175В; 2Т9175В-4	2Т9188А; 2T9188A-4	КТ9190А; КТ9190А-4	КТ9193А; КТ9193А-4	КТ9193Б; КТ9193Б-4	CT8197A-2; КТ9189А-2; КТ9192А-2	КТ8197Б-2; КТ9189Б-2; КТ9192Б-2	КТ8197В-2; КТ9189В-2
L B1, nH	3	2,3	1,8	0,66	0,73	1	0,84	0,19	0,1	0,2
L B2, nH	–	–	–	0,17	0,38	0,58	0,37	–	–	–
L E1, nH	0,5	0,35	0,28	0,16	0,15	0,26	0,19	0,22	0,12	0,12
L E2, nH	–	–	–	0,2	0,22	0,31	0,26	–	–	–
L K1, nH	1,25	1,1	1	0,61	0,57	0,71	0,61	0,59	0,59	0,59
C1, пФ	–	–	–	370	600	75	150	–	–	–

Адабиёт

Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Россия мухандисларининг илмий изланишлари. Yuqori quvvatli mikroto’lqinli tranzistorlarning rivojlanish tenidentsiyasi. – Радио, 1994, № 6, с. 2, 3.
Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Янги микрото’лкинли транзисторлар. – Радио, 1996, № 5, с. 57, 58-сонлар.
Асессоров В., Асессоров А., Кожевников В., Матвеев С. Кучайтиргихлар учун чизикли микрото’лкинли транзисторлар. – Радио, 1998, № 3, с. 49-51.
Yerdagi uyali aloqa xizmatining burchak modulyatsiyasiga ega radiostansiyalar.ГОСТ 12252-86 (СТ СЭВ 4280-83).

О’кинг ва йозинг фойдали

Mikroto’lqinli tranzistorlar inson faoliyatining ko’plab sohalarida qo’llaniladi: телевидение в радиоэшиттириш передатчиклари, такрорловчилар, фукаролик ва харбий радарлар, уяли алока тизиминин таяриала барианч станци.

So’nggi yillarda bipolyar mikroto’lqinli tranzistorlarni ishlab chiqarish texnologiyasidan VDMOS (вертикальная диффузия металлов оксиди яримо’тказгичлари) в LDMOS (боковая диффузия металлов оксиди яримо’текстказ.Eng zamonaviy LDMOS texnologiyasi linearlik, daromad, termal sharoitlar, mos kelmaslikka qarshilik, yuqori samaradorlik, quvvat xonasi, ishonchlilik kabi eng yaxshi xususiyatlarga ega. Philips транзисторлари пакетдан в комплектгача иуда йукори такорлаш qobiliyatiga ega ва Philips бу билан факсрланади. Muvaffaqiyatsiz tranzistorlarni almashtirishda siz uskunani qayta o’rnatish jarayoni haqida xavotirlanmaysiz, chunki tranzistorlarning barcha parameterrlari mutlaqo bir xil. Philipsning raqiblaridan hech biri bu bilan maqtana olmaydi.

Barcha yangi Philips ishlanmalari yangi zamonaviy LDMOS texnologiyasiga asoslangan.

Уяли базали станциялар учун транзисторлар

Uylarga joylashtirilgan tranzistorlardan tashqari, Philips o’rnatilgan modullarni ham ishlab chiqaradi.

4-jadval. Асосий интегральный модуляр

Тури	Pout, V	Texnologiya	Частотани	Куллаш Сохаси
BGY916	19	Биполяр	900 мгц	GSM
BGY916 / 5	19	Биполяр	900 мгц	GSM
BGY925	23	Биполяр	900 мгц	GSM
BGY925 / 5	23	Биполяр	900 мгц	GSM
BGY2016	19	Биполяр	1800-2000 мгц	GSM
BGF802-20	4	ЛДМОС	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	ЛДМОС	800-900 МГц	GSM / EDGE (AQSh)
BGF944	20	ЛДМОС	900-1000 мгц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1801-10	10	ЛДМОС	1800-1900 мгц	GSM / EDGE (ЕВРОПА)
BGF1901-10	10	ЛДМОС	1900-2000 МГц	GSM / EDGE (AQSh)

Интегральное модульное обучение o’ziga xos xususiyatlari:

LDMOS texnologiyasi (to’g’ridan-to’g’ri radiatorga lehimlash, chiziqlilik, yuqori daromad), о
mis flanesidan foydalanish natijasida yarimo’tkazgichning kamroq isishi, o harorat o’zgarishini kompleks kompensatsiya qilish,
50 Ом кириш / чикиш
чизикли даромад
ko’plab standartlarni qo’llab-quvvatlash (EDGE, CDMA).

BGF0810-90

чикиш кввати: 40 Вт,
daromad: 16 дБ
Самарадорлик: 37%

BLF1820-90

чикиш кввати: 40 Вт,
daromad: 12 дБ
Самарадорлик: 32%,
АГПП улашган канал сувватининг пасайиши: -60 дБ,
xato векторная амплитуда: 2%.

Транслятор трансляторлари

So’nggi 25 yil ichida Philips ushbu sohada etakchilikni saqlab qoldi.LDMOS texnologiyasidagi eng so’nggi yutuqlardan foydalanish (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, seriyalar) sizga bozordagi mavqeingizni doimiy ravishda mustahkamlash imkonini beradi. Bunga televizor uzatgichlari uchun BLF861 tranzistorining ulkan muvaffaqiyati misol bo’la oladi. Ракобатбардош транзисторлардан фаркли о’ларок, BLF861 о’зини иуда ишончли ва иуда баркарор элемент сифатида намойон килди, у антенны о’чирилганида ишдан чикишдан химояланган. Hech qaysi raqib BLF861 ning ishlash xususiyatlariga yaqinlasha olmadilar.Bunday tranzistorlarni qo’llashning asosiy sohalari quyidagilardan iborat: HF dan 800 MGts gacha bo’lgan chastotalarni uzatuvchi qurilmalar, xususiy radiostansiyalar PMR (TETRA) va fuqaro va harbiy uzatuvchi maqsadlar.

5-jadval. Радар учун L- va S-Band транзисторлари

	Тури	F gigagerts chastotasi	Vcc b	Tp, мс	Коэфф. to’ldirish%	Quvvat W	Самарадорлик%	Daromad, дБ
L тасмаси	RZ1214B35Y	1,2–1,4	50	150	5	> 35	> 30	> 7
	RZ1214B65Y	1,2–1,4	50	150	5	> 70	> 35	> 7
	RX1214B130Y	1,2–1,4	50	150	5	> 130	> 35	> 7
	RX1214B170W	1,2–1,4	42	500	10	> 170	> 40	> 6
	RX1214B300Y	1,2–1,4	50	150	5	> 250	> 35	> 7
	RX1214B350Y	1,2–1,4	50	130	6	> 280	> 40	> 7
	21435-Счет	1,2–1,4	36	100	10	> 35	45	> 13
	BLL1214-250	1,2–1,4	36	100	10	> 250	45	> 13
S-tasmasi	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	> 10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	> 20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	> 50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	> 110	40	7,5
Yuqori S-tasma	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	> 10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	> 20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	> 50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	> 65	40	> 7

6-ядвал.Авионика учун транзисторлар

	Тури	F gigagerts chastotasi	Vcc b	Tp, мс	Коэфф. to’ldirish%	Quvvat W	Самарадорлик%	Daromad, дБ
Биполяр	MZ0912B50Y	0,96–1215	50	10	10	> 50	> 42	> 7
	MX0912B100Y	0,96–1215	50	10	10	> 100	> 42	> 7
	MX0912B251Y	0,96–1215	50	10	10	> 235	> 42	> 7
	MX0912B351Y	0,96–1215	42	10	10	> 325	> 40	> 7
ЛДМОС			Vds
	BLA1011-200	1,03–1,09	36	50	1	> 200	50	15
	BLA1011-10	1,03–1,09	36	50	1	> 10	40	16
	BLA1011-2	1,03–1,09	36	50	1	> 2	–	18

Транзисторнинг асосий кусусиятлари BLF861A

Транзистор двухтактный (суриш кучайтиргичи),
chiqish quvvati 150 Вт дан ортик,
13 дБ dan ortiq daromad
50% дан юкори самарадорлик
470 дан 860 MGts gacha diapazonni (IV va V diapazonlari) qamrab oladi,
bu bugungi kunda televizion uzatgichlardagi sanoat standartidir.

Transistorning Янги модели BLF647

bLF861A asosida yaratilgan,
16 дБ юкори МГц tezlikda,
чикиш кввати 150 Втгача,
1,5 дан 800 MGts gacha bo’lgan diapazonni qamrab oladi,
ишончли, мос кельмайдиган,
овозсиз антенналарга чидамлы
о’рнатилган КВ ва ОВЧ частоталарида ишлашга имкон берадиган о’рнатилган резисторга ега,
Транзистор двухтактный (суриш кучайтиргичи).

Транзистор BLF872

bLF861A учун янада кучли алмаштириш сифатида ишлаб чикилмокда,
2004 йил 1-чоракда ишлаб чикаришнинг бошланиши
чикиш кввати 250 Втгача,
мос кельмайдиган каршилик учун анг ишончли транзистор,
линерликни саклайди
ishonchliligini saqlaydi
idq joriy 20 yil davomida 10% dan kam bo’lgan ofset,
14 дБ дан ko’proq daromad oling
470 дан 860 MGts gacha bo’lgan diapazonni qamrab oladi.

Радар ва авионика учун транзисторлар

Philips’sning radar va avionikaga oid yangi tranzistorlari LDMOS-ning eng zamonaviy texnologiyalaridan foydalangan holda ishlab chiqariladi. LDMOS texnologiyasidan foydalangan holda ishlab chiqarilgan kristallar kamroq qiziydi, ishonchliroq, ko’proq foyda keltiradi va substrat va radiator o’rtasida izolyatorni talab qilmaydi. Шунга ко’ра, бир xil xususiyatlarga erishish uchun tranzistorlarning soni kamroq bo’lishi kerak, bu esa ishonchliligini yanada oshiradi va mahsulot narxini pasaytiradi.

Янги ишланмалар:

BLA0912-250

960 дан 1250 МГц гача частота (авиониканинг барча асосий частоталари),
13 дБгача юкори даромад,
ишончлилик, мос кельмаслиги 5: 1,
чызыклылик
намуналар 2003 йил июн ойидан бошлаб сотувга чикарилади.

BLS2934-100

2,9 дан 3,4 гигагерцгача бо’лган диапазон (авиониканинг барча асосий частоталари),
внедорожник отказмайдиган корпусдан фойдаланиш,
namunalar 2003 yil oxirida sotuvga chiqariladi.

Xulosa qilib shuni ishonch bilan aytishimiz mumkinki, Philips vaqtga mos keladi va yangi rivojlangan xususiyatlarga ega yangi qurilmalarni yaratishga imkon beruvchi tranchamilarni qurilmalarni yaratishga imkon beruvchi tranchamillarni oaklif qi

Havaskor radio ma’lumotlari

CEA va uning element bazasining hozirgi rivojlanish darajasi 5 kVtagacha bo’lgan chiqish quvvati bilan to’la qattiq VHF FM va televizion uzatgichlarni yaratishga imkon beradi.Кенг полосали транзисторли кучайтиргичларга асосланган амплификация йоллари колба кучайтиргичларига нисбатан бир катор афзалликларга ега. Qattiq holat uzatgichlari yanada ishonchli, elektr xavfsiz, ishlash oson ва ishlab chiqarish oson.

Передающий блок-модуль дизайна билан терминал кучайтиргич блокларидан бирин ишламай колиши трансляциянинг узилишига олиб кельмайди, чунки узатиш блокни алмаштиришгача давом этади, факай кувват камай. Бунга qo’shimcha ravishda, транзистор kuchaytirgichining кенг tarmoqli yo’li ishlaydigan chastota diapazonidagi ma’lum бир каналга qo’shimcha sozlashni talab qilmaydi.

Odatda, передающий ishonchliligi asosan ishlatiladigan faol qismlarning ishonchliligiga bog’liq. Замонавий кучли чизикли микрото’лкинли транзисторлардан фойдаланиш туфайли, уларнинг дизайн сюсусиятлари ва ишлаб чикариш теклогиаси уларнинг МТБ корсаткичларини сезиларли дараджат ошлэйшн тубы, халтиджат халчиллардишан, таджилдан и таджилдан, тахилларишан, передатчик таджиллардишан.

VHF FM ва yuqori quvvatli televizion uzatgichlarning Texnik-iqtisodiy ko’rsatkichlariga, shuningdek, yuqori quvvatli Кремний bipolyar tranzistorlarni yaratish sohasidagi erishilgan maishiy texnologiyalar darajasi Янги qurilmalar sinfini – yuqori quvvatli chiziqli mikroto’lqinli tranzistorlarning rivojlanishiga turtki bo’ldi.Elektron muhandislik ilmiy-tadqiqot instituti (Voronej) metr va dekimetr to’lqin diapazonlarida foydalanish uchun o’zlarining keng mahsulotlarini ishlab chiqdi va ishlab chiqardi.

Tranzistorlar yuqori quvvatli televizion ва radioeshittirish uzatgichlarida, takrorlovchilarda, xususan Ovoz ва тасвир signallarini birgalikda kuchaytiradigan televizion takrorlovchilarda, shuningdek Уяли Aloqa tizimining Таянч stantsiyalarining ko’p kanalli signallarini kuchaytirgichlarida foydalanish учун Maxsus mo’ljallangan.Ushbu tranzistorlar uzatish xarakteristikasining chiziqliligi uchun o’ta qat’iy talablarga javob beradi, quvvat tarqalishida marjaga ega va natijada ishonchlilik darajasi oshgan.

Структура равишда, бундай транзисторлар металл-керамик корпусларда амальга оширилади. Уларнинг ташки ко’риниши сек. 1 (маколада айтиб о’тилган барча транзисторнарнинг холатлари корсатилмаган; йо’колганларни маколада ко’риш мамкин). Transistorli konstruktsiyalarning yuqori chiziqli va chastota xususiyatlari aniq izoplanar texnologiyadan foydalangan holda amalga oshiriladi.Диффузия qatlamlarida submikron dizayni normasi mavjud. Топология излучающего элемента, увеличивающего кенглиги периметри иуда ривойланган 1,5 микронга тенг.

Ikkilamchi elektr va issiqlik uzilishlari natijasida yuzaga kelgan nosozliklarni bartaraf etish uchun ikki qavatli epitaksial kollektorli va emitent stabilizator rezistorlaridan foydalangan hold’a kremniy kremniy kremniy. Oltin asosidagi ko’p qatlamli metalizatsiyadan foydalanish uchun uzoq muddatli ishonchlilik tranzistorlari ham talab qilinadi.

Tarqalgan kuchi 50 Вт дан yuqori bo’lgan chiziqli tranzistorlar (KT9116A, KT9116B, KT9133A bundan mustasno), qoida tariqasida, integrationtsiyalangan MIS kondensatori va simli chiqirchiemal mozimikrosiga as Ichki taqqoslash zanjiri sizga ishlaydigan chastota diapazonini kengaytirishga, kirish va chiqishni moslashtirishni soddalashtirishga, shuningdek tovushlarni chastota diapazonidagi quvvatni oshirradiga.

Шу билан бирга, ушбу транзисторлар “мувозанатли”, яни битта фланджа умами эмитент билан бирлаштирилган иккита бир хил транзисторли структура мавджуд.Ушбу таркибий ва тексник эчим умуми электроднинг чикиш индуктансины камайтиришга имкон беради ва шунингдек, частота диапазонини кенгайтириш ва мослаштиришни соддалаштиришга йордам беради.

Balansli tranzistorlarni surish orqali ulashda ularning o’rta nuqtalarining potentsiali nazariy jihatdan nolga teng bo’lib, bu sun’iy “zamin” holatiga to’g’ri keladi. Bunday qo’shilish haqiqatan ham бир xil chiqish signali darajasida bitta tsiklga nisbatan chiqish kompleksining qarshiligini to’rt baravar oshirishni va foydali signal spektridagi hatto garmonik tarkibiy tajsminosni sama.

Ma’lumki, televizion eshittirishning sifati, birinchi navbatda, elektron yo’lning uzatish xarakteristikasi qanday chiziqli bo’lishiga bog’liq. Частотали спектрда комбинат таркибий гисмларнинг пайдо бо’лиши туфайли тасвир ва товуш сигналларини ко’шма кучайтириш учун тугунларни лойихалашда чизикли савол айникса кескин. Шу сабабли, махаллий транзисторнарнинг узатиш характеристикасининг линеерлигини учинчи дараджадаги комбинатион компонентни бостириш дараджаси бо’йича бахолаш учун хориджий мутаксассислар томонидан училна цылиф цылинг.

Усул хакикий телевизионный сигнални -8 дБ тасвир ташувчиси частотасинхронный сигнал дараджалари нисбати билан тахлил килишга асосланган. yon конфигурацииasining chastotasi -16 dB ва преобразование tepasida chiqadigan kuchga nisbatan -7 dB овоз tashuvchisi chastotasi. Birgalikda kuchaytiradigan tranzistorlar chastota va quvvat seriyalariga qarab, MV kombinatsiyalangan tarkibiy qismlarining koeffitsienti qiymatini, qoida tariqasida, -53 …- 60 дБ дан ошмаслиги керак.

Чет эльда комбинат таркибий гисмларнинг бостирилишини кат’ий тартибга солинган холда ко’риб чикилайотган микрото’лкинли транзисторлар синфига супер чизикли транзисторлар дейилади.Shuni ta’kidlash kerakki, bunday yuqori darajadagi chiziqlilik odatda faqat Синфида амальга oshiriladi, бу эрда узатиш xarakteristikasining maksimal chiziqli chizig’ini o’tkazish mumkin.

Jadvaldan ko’rinib turibdiki, Rvmh.pik chiqish quvvati yuqori bo’lgan KT9116A, KT, KT9133A va KT9173A moslamalari bilan ifodalangan bir qator tranzimealari bilan ifodalangan bir qator tranzimelari bilan ifodalangan bir qator tranzimelari bilan ukori di ravishda, 50,198, д. КТ983Б, КТ983В, КТ9150Аи ва РВВ1Х, ПИК 0,5, 1.3.5, 8 ва 25 Вт га тенг бо’лган POS курилмалари билан ифодаланади.

Superlinear tranzistorlar odatda televizor takrorlovchilarining qo’shma kuchaytirgichlarida va 100 vattgacha bo’lgan uzatgichlarning kuchaytirgich modullarida qo’llaniladi.

Шу билан бирга, кучли передатчик увеличивающий чикиш боскичлари учун фойдали энергия реджимида ишлайотганда, чизикли динамика диапазоннинг юкори чегарасини зарур дараджасини та’минлайдиган янада кучгали трантистор.Катта сигнал darajasida qabul qilinishi mumkin bo’lgan nochiziqli buzilishlarni AB sinfida alohida ampifikatsiya yordamida olish mumkin.

Transistorning ishlashining termofizik sharoitlari va bitta tonnali signalning chiziqli xususiyatlarini tahlil qilish asosida AB sinfidagi ish rejimi uchun maxsus mikroto’lqinli tranzistorlar ishlab chiqilgan. Чет эль усули бо’йича ушбу курилмаларнинг хусусиятларин чизиклилиги бир тонна сигнализирующий кучи билан тушишнинг сикилиш (сикиш) дараджаси билан анахоланади – сикилиш нисбати баилан бахоланади

AB sinf rejimida to’lqin uzunligi o’lchash diapazonida foydalanish uchun hozirda 200 Вт ва KT9174A транзисторлари – 300 Вт quvvatga ega KT9151A tranzistorlari mavjud. Dekimetr diapazoni uchun chiqish quvvati 15 дан 150 Вт gacha bo’lgan 2T9155A, KT9142A, 2T9155B, KT9152A, 2T9155V, KT9182A tranzistorlari ishlab chiqilgan.

NEC mutaxassislari tomonidan birinchi marta dekimetr diapazonida tasvir signalallari ва 100 Вт кучга его овозли qo’shilish kuchaytirilishi bilan modulli qattiq holatli relaylarni yaratish imkontildi namoyish eur.Кейнчалык, сюнга о’шшаш передатчик 12, 9] махаллий кучли микрото’лкинли транзисторларда яратилди. Xususan, иа sinfidagi kuchaytiriladigan Юз vattli modullarni yaratishda KT9151A ва KT9152A yuqori quvvatli tranzistorlaridan foydalanish sohasini kengaytirish bo’yicha над уровнем моря tadqiqotlar haqida hikoya qiladi ва ushbu rejimda O’z kuchlarini 3 … 4 Marta ishlatmaslik orqali kombinatsion tarkibiy qismlarni bostirish mumkinligi ko’rsatilgan . AB rejimida nominaldan.

Новосибирск Давлат Texnika Universiteti mutaxassislari mahalliy kuchlanishli mikroto’lqinli tranzistorlarni televizor kuchaytirgichlarining modullarida alohida ampifikatsiyada qo’llash bo’yicha tadqiqotlar o’tkazdilar.

Шаклда 2 – телевизор каналлари учун чикиш кввати 250 ватт болган 1 дан 5 гача болган тасвир узатиш кучайтиргичининг структурный диаграммаси. Kuchaytirgich tasvir ва овоз signallarini alohida kuchaytirish sxemasiga muvofiq amalga oshiriladi. 6 – 12 каналлар учун кучайтиргич, сюнга о’кшаш тарзда, синфида ишлайдиган KT9116A транзисторидаги оралик боскични ко’шиб, керакли даромадни олиш учун амалга оширилади.

Chiqish bosqichida KT9151A транзисторлари AB sinfida ishlaydi.U muvozanat-push-torish pallasida yig’iladi. Бу “озиклантирувчи акс-садо” то’лик бо’лмаганда ва хатто гармоник таркибий гисмларнинг дараджаси -35 дБ дан ошмаса, оддий чикиш мосламалари билан номинальный чикиш квватини олиш имконини беради. Kuchaytirgichning амплитуда xarakteristikalarining nochiziqiyligi har bir bosqichda ishlaydigan nuqtaning ofsetini tanlash, shuningdek patogenning video modulyatoridagi chiziqli bo’lmaganlikni sozlash orqali orqali kichik signal bir.

21-60 телевидение канал учун кучайтиргичнинг блок схемамаси сек.3. Kuchaytirgichning chiqish bosqichi balans-push-torish pallasida ham amalga oshiriladi.

6 – 12, 21 – 60 канал кучайтиргихларининга чикиш боскичларида кенг полосали мослик ва ассиметрикдан носимметрик юкларга оттишини та’минлаш учун тузатиш палласида иккита каналли прошлый фильтл исхгичли. Mos keladigan kontaktlarning zanglashiga olib boradigan birinchi liniyasining indüktenti, bosilgan elektron kartaning umumiy topologiyasi elementlarida chiziqli mikrolinlar bo’limlari shaklida amalga oshiriladi.Ikkinchi bo’g’inning boblari – bu tranzistorlar bazasining topilmalari.

Ушбу кучайтиргичларнинг тузилиши анджирга то’г’ри келади. 2 ва 3. Kuchaytiruvchi bosqichlarning kirishida quvvatni ajratish va ularni chiqish vaqtida qo’shish, shuningdek kirish va chiqishni standart yuk bilan muvofiqlashtirish uch desibel yo’naliordshly ulagich. Strukturaviy ravishda, har bir ulagich ekranlashtiruvchi korpusga o’rnatilgan ramkada bifilar sargilari (чорак то’лкинли чизиклар) шаклида амальга оширилади.

Шундай килиб, замонавий ички чизикли микрото’лкинли транзисторлар сизга 250 Втгача бо’лган телевизор кучайтиргихларининг кучли модулярини яратишга имкон беради. Bunday modullarning batareyalaridan foydalanib, антенна-oziqlantiruvchi yo’lga etkazib berilgan chiqish quvvatini 2 квт га этказиш мумкин. Transmitterlarning бир qismi sifatida ishlab chiqilgan kuchaytirgichlar elektr xususiyatlari va ishonchliligi bo’yicha barcha zamonaviy talablarga javob beradi.

Yaqinda kuchli mikroto’lqinli tranzistorlar uyali aloqa tizimining tayanch stantsiyalarining kuchaytirgichlarini qurishda keng qo’llanila boshlandi.

Texnik darajasi jihatidan rivojlangan NIIET kuchli mikroto’lqinli chiziqli tranzistorlardan zamonaviy radioeshittirish, televidenie va boshqa milliy va havaskor radiotexnika yaratishda elementlar fozumasy sif.

Материал тайёрланди
А. Асессоров, В. Бахоловчилар, В. Кожевников, С. Матвеев, Воронеж

Adabiyot
1. Xlraoka K., FuJIwara S., IkegamI T. va boshqalar. Barcha qattiq UHF o’tkazgichlarining yuqori quvvati – NEC Pes.И Ривожланинг. 1985. – 79, с. 61 -69.
2. Ассесоров В., Кожевников В., Косой А. Россия мухандисларининг илмий изланишлари. Yuqori quvvatli mikroto’lqinli tranzistorlarning rivojlanish tenciesasi – Радио, 1994, № 6, с. 2.3.
3. Кенг полосали радио узатиш мосламалари. Эд Алексеева О.А. – М .: Aloqa, 1978, с. 304.
4. FuJIwurdS., IkegamI T., Maklagama I. va boshqalar. СС сериали каттик давлат телевидение узатгич. -NEC Res. И Ривожланинг. 1989. № 94, с. 78-89.
5.Асессоров В., Кожевников В., Косой А. Эшиттириш, телевидение ва алокада фойдаланиш учун юкори квватли микрото’лкинли транзисторнарнинг ривожланиш тенденцияси.
– Электрон саноат. 1994. № 4, с. 76-80.
6. Ассессоров В., Кожевников В. .. Косой А. Янги микрото’лкинли транзисторлар. – Радио. 1996. № 5, с. 57. 58.
7. Миплер О. Simli televizorlar uchun yuqori kuchlanishli dekimetrli to’lqinli tranzistorlar – TIIER, 1970. 58. № 7. s 138-147.
8. Кожлвара Ю., Хлракува К., Сасаки К. ва бошкалар. Yuqori dielektrik substratga ega bo’lgan yuqori kuchlanishli UHF tranzistorli kuchaytirgich. – NEC Res- & rivojlantiring. 1977. № 45, с. 50-57.
9. Гребенников А., Никифоров В., Рижиков А. УКВ FM на телевидении эшиттириш учун кучли транзисторли кучайтиргич модуляри – Телекоммуникация. 1996 год, № 3, с. 28-31.

Транзистор

Параметр

npn

Ukb mA / V da Ikbo

IP mA / V-da

h31e birliklari

Frp MHz

Cf pf

t dan psgacha

Ukb

Ukb макс. V

Ik макс. A

Men A imp

Ib макс. A

P макс. W

RT макс. Вт

2T606A

1/65

0,1 / 4

3,5

0,01

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606A

1,5 / 65

0,3 / 4

0.012

0,4

0,8

0,1

0,8

2,5

KT606B

1,5 / 65

0,3 / 4

0,012

0,4

0,8

0,1

0,6

2,0

2T607A-4

год

0,125

год

0,3

1,0

KT607A-4

год

0,15

год

0.9

1,5

KT607B-4

год

4,5

0,15

год

0,8

1,5

2T610A

0,5 / 20

0,1 / 4

50–250

4,1

0,3

год

1,5

2T610B

0,5 / 20

0,1 / 4

20–250

4,1

0,3

год

1,5

КТ610А

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

год

1,5

КТ610Б

0,5 / 20

0,1 / 4

50-300

4,1

0,3

год

1,5

2T633A

0,003 / 30

0,003 / 4

40–140

3,3

г / г

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

КТ633Б

0,01 / 30

0,01 / 4

20–160

3,3

г / г

4,5

0,2

0,5

0,12

0,36

1,2

2T634A

1/30

0,2 / 3

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1.8

KT634B

2/30

0,4 / 3

3,5

0,15

0,25

0,07

0,96

1,8

2T637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

KT637A

0,1 / 30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

KT637B

2/30

0,2 / 2,5

30–140

2,5

0,2

0,3

0,1

1,5

2T640A

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

год

0,6

КТ640А

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,6

0,06

год

0,6

КТ640Б

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

год

0,6

КТ640В

0,5 / 25

0,1 / 3

мин. 15

1,3

0,06

год

0,6

2T642A

1/20

0,1 / 2

1,1

0,06

год

0,5

KT642A

1/20

0,1 / 2

1,1

0,06

год

0,5

2T642A1

0,5 / 15

0,1 / 2

год

0,04

год

0.35 год

2T642B1

0,5 / 15

0,1 / 2

год

0,04

год

0,35

2T642V1

0,5 / 15

0,1 / 2

год

0,04

год

0,2 с

год

2T642G1

0,5 / 15

0,1 / 2

год

0,04

год

0,23

2T643A-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

0,12

г / г

3,15

2T643B-2

0,02 / 25

0,01 / 3

50–150

1,8

0,12

г / г

0,15

2T647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

1,5

0,09

год

5,56

0,8

KT647A-2

0,05 / 18

0,2 / 2

1.5

0,09

год

0,56

0,8

2T648A-2

1/18

0,2 / 2

1,5

0,06

год

0,4

0,6

KT648A-2

1/18

0,2 / 2

1,5

0,06

год

0,4

0,6

2T657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

год

0,06

год

0,31

2T657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

год

0.06

год

0,31

2T657V-2

1/12

0,1 / 2

35-50

год

0,06

год

3,37

KT657A-2

1/12

0,1 / 2

60-200

год

0,06

год

3,37

KT657B-2

1/12

0,1 / 2

60-200

год

0,06

год

3,37

КТ657В-2

1/12

0,1 / 2

35-50

год

0.06

год

3,37

KT659A

год

мин 35

1,2

год

2T671A

1/15

0,4 / 1,5

1,5

0,15

г / г

0,9

2T682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-70

0,05

год

0,33

2T682B-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

80-100

0,05

год

0,33

KT682A-2

1 мкА / 10

0,02 / 1

40-50

0,05

год

0,33

Jadvalda tranzistorlarning elektr parameterari uchun quyidagi belgilar mavjud.

Икбо – тескари коллектор окими (kollektor bazasi), хисоблагичда, коллектор ва пойдевор о’ртасидаги кучланишда, максрайда.
Iebo – эмитент тескари окими (эмитент-базаси), хисоблагичда, эмиттер ва асос о’ртасидаги кучланишда, деноминаторда.
h31e – statik oqim uzatish koeffitsienti (даромад).
Fgr – транзистор ко’тарилишинин юкори кесиш частотаси.
Кк бу коллекторнинг уланиш сиг’ими, т к – бу такой контактлнинг занглашига олиб келадиган доимий доимий (ортик емас).
Буюк Британия максимал – коллектив ва пойдевор орасидаги максимал руксат этилган кучланиш.
УКЭ максимал – коллектор ва эмитент о’ртасидаги максимал руксат этилган кучланиш
Макс – эмиттер ва пойдевор орасидаги максимал руксат этилган кучланиш.
Ikkilamchi – максимальный коллектив окими.
Ик им. – максимальный пульс коллектор окими.
иб максимал – максимальный таянч окими.
PMax – issiqlik tashuvchisiz maksimal quvvat.
RT максимал – иссиклик ташувчиси билан максимал квват.

Блог Регины Петрик. | Gedanken über Arbeitswelten, Bildung, Gesellschaft und Politik

Einen großen Durchbruch brachten sie nicht, die Befragungen am 26. Ноябрь. Aber wir haben weitere Mosaiksteinchen gesammelt für das große, transparent Bild, das am Ende des Untersuchungsausschusses fertig sein soll.

Die Ex-Chefs

Андреас Иттнер, бывший Vizegouverneur der Nationalbank (OeNB) и Hans Jörg Schelling, экс-финансовый министр, срок до 2015 года в Amt, als die Prüfer der OeNB nach einem anonymen Hinweis nach Mattersburg kamen, um die коммерческий банк.Ärgerlich ist, dass uns die OeNB nicht die Namen der Prüfer genannt hat, das sollte sie unbedingt nachholen. Denn es muss geklärt werden был sie berichtet haben. Был ли стенд in dem Bericht, der zwar zu einer Anzeige bei der Staatsanwaltschaft, aber dann doch nicht zu weiteren Ermittlungen geführt hatte? Wer hatte davon Kenntnis? Wurde der Bericht an die Finanzmarktaufsicht (FMA) übermittelt? Был ли das der Auslöser dafür, dass Prüfer der Wirtschaftsprüfungskanzlei TPA für 5 Jahre gesperrt wurden? Stimmt es, dass Prüfer der OeNB Geschenke von der Commerzialbank erhielten? Leider blieben viele Fragen offen, aber wir wissen immerhin jetzt besser, был der Unterschied zwischen Bankprüfung und Wirtschaftsprüfung ist und dass sich die eine auf die andere verlassen können muss.

Zwei Erkenntnisse nehmen wir mit

1. Die Verstrickungen zwischen Prüfern und Geprüften führen zu einem System, das fehleranfällig ist und das Wegschauen bei aufgetauchten Mängeln befördert. Die Bankenaufsicht in Österreich hat offensichtlich Schwächen, die behoben werden müssen.

2. Beide Herren, das langjährige Direktoriumsmitglied Ittner und das langjährige Mitglied verschiedener Aufsichtsräte Schelling antworten auf meine Frage, wie man denn üblicherweise mit einem vorgelegten Revisionshebericht Allemgepisions, einem vorgelegten Revisionshebericht allemgepisions, einem vorgelegten Revisionsheberhrlenhellein umgemgee einen Bestätigungsvermerk gebe.Ханс Йорг Шеллинг war da ganz klar: «Ich hätte mir das schon genauer angeschaut».

Sie widersprechen damit dem Sachverständigen der vorigen Woche, der gemeint hat, die Landesregierung hätte nicht mehr tun müssen, als auf ein Häkchen zu achten.

Die auskunftsarmen Prüfer * innen

Sowohl die Personalkreditgenossenschaft, также die Haupteigentümerin der Bank, als auch die Bank selbst wurden von derselben Wirtschaftsprüfungskanzlei geprüft, der TPA.Für die Genossenschaft kam dafür der Auftrag von der Landesregierung. Daher interessiert es mich besonders, wie der Kontakt zwischen dem Prüfer, Thomas Schaffer, und den Verantwortlichen des Landes ausgesehen hat. Wir hätten von ihm etwas darüber erfahren können, wie das Land seine Aufsicht praktiziert hat. Doch er beruft sich darauf, dass seine Prüfungskanzlei bezüglich Commerzialbank in einem laufenden Verfahren sei und er daher von seinem Recht der Entschlagung Gebrauch mache. Die Antworten bleiben allgemein und wenig aussagekräftig.Ich muss sie mir wohl später holen, wenn die damals Zuständigen im Amt der Burgenländischen Landesregierung befragt werden.

Auch die von der TPA als Auskunftsperson benannte Manuela Ponesch-Urbanek versteckt sich bei allen spannenden Fragen hinter ihrem Schweigerecht, da das Strafverfahren zur Bank noch läuft. Doch auch in dem, было sie erzählte, widerspricht sie sich manchmal. Einmal bestreitet sie, selbst als Prüferin der Bank tätig gewesen zu sein, dann räumt sie ein, in einem Prüfungsteam mitgearbeitet zu haben.Die relativ kurze Anwesenheit des Prüfteams in der Bank erklärt sie damit, dass Unterlagen of the digital übermittelt und daher in den Räumlichkeiten der Kanzlei geprüft würden. Angesichts der Tatsache, dass Martin Pucher in der Bank vor allem mit Post-Its kommunizierte und dafür bekannt war, keine Mails zu verschicken, wirkt diese Auskunft schon eher fragwürdig.

«Niemand steht über dem Gesetz!»

Im Laufe dieses Sitzungstages zeigt sich – für mich ärgerlich – das Verständnis der SPÖ von Rechtsstaatlichkeit und parteipolitischen Sonderrechten.Die Landtagspräsidentin verlautet, sie hätte sich von mir erwartet, dass ich bei der Justizministerin interveniere, um für den Ausschuss Akten zu bekommen. Ich hätte doch den besseren Draht, da ich von derselben Partei wäre. Официальная коммуникация с демом Bund ist aber Sache der Ausschussvorsitzenden, nicht der Parteifreundschaft! Was rechtlich möglich ist, wird geschehen, was rechtlich nicht möglich, soll von Landtagsabgeordneten gar nicht verlangt werden.

2Т633А: Транзистор 2Т633А “ОСМ” – ANION.RU

Транзистор 2Т633А | Радиодетали в приборах

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т633А

Типы транзисторов

Маркировка транзисторов СССР

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность – наше главное кредо.

Импортные транзисторы. Aнaлoги cepии MP-MT – Справочники – Техника, электроника – Каталог статей

СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ КТ6хх

Mikrovågstransistorer med högffekt. Крафтмикровагс-транзистор Philips Semiconductors

Amatörradiohandböcker

Tranzistorji z ultra visoko frekvenco. Напольные микровальные транзисторы Philips Semiconductors

Amaterski Radijski priročniki

Inhemska mikrovågstransistorer. Kraftfulla mikrovågstransistorer Philips halvledare

Amatörradiohandböcker

O’rta quvvatli uy ichidagi mikroto’lqinli tranzistorlar. Уяли алока учун мимо кучланисли микрото’лкинли транзисторлар

Havaskor radio ma’lumotlari

Блог Регины Петрик. | Gedanken über Arbeitswelten, Bildung, Gesellschaft und Politik

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ