Транзистор 2Т808 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор 2Т808
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т808
Золото: 0.0325
Серебро: 0.0974
Платина: 0
МПГ: 0.022
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторТранзистор 2Т808
Драгоценные металлы в транзисторе 2Т808 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе 2Т808. Золото: 0.0250014 грамм. Серебро: 0.0019779 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Примечание: . Если у вас есть интересная информация о транзисторе 2Т808 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте. Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора, Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор, Фото транзистора марки 2Т808: 
Схемы включения полевых транзисторов Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а). Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется. Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) 2Т808 включая его характеристики: Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто. В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления. 
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны. Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок.
Китай Производитель стояночного обогревателя, Воздушный стояночный обогреватель, Поставщик дизельного воздушного обогревателя
Воздушный стояночный обогреватель
Видео
Свяжитесь сейчас
Видео
Свяжитесь сейчас
Видео
Свяжитесь сейчас
Видео
Свяжитесь сейчас
Видео
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Водонагреватель
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Водонагреватель2
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Свяжитесь сейчас
Профиль компании
{{ util.
each(imageUrls, функция(imageUrl){}}
{{ }) }}
{{ если (изображениеUrls.length > 1){ }}
{{ } }}
| Вид бизнеса: | Производитель/завод, Торговая компания | |
| Основные продукты: | Парковочный обогреватель
,
Воздушный стояночный обогреватель
,
Дизельный нагреватель воздуха
,
Части стояночного обогревателя
,
Воздушный обогреватель. | |
| Зарегистрированный капитал: | 500000 долларов США | |
| Площадь завода: | 101~500 квадратных метров | |
| Сертификация системы менеджмента: | ИСО 9001, ИАТФ16949 | |
| Среднее время выполнения: | Время выполнения заказа в сезон пиковой нагрузки: один месяц Время выполнения заказа в межсезонье: в течение 15 рабочих дней |
Компания Tenzu Auto Parts Co.
, Ltd. расположена в красивом и зеленом городе Хэфэй, который имеет удобные средства связи и транспорта. TENZU имеет крупномасштабную торговую систему, прочную торговую базу, а также открытый и гибкий характер. Кроме того, у нас хорошая коммерческая репутация и сильные возможности.
Продукция TENZU включает стояночный обогреватель и сопутствующие детали, турбокомпрессор, катушку зажигания, стартер, генератор переменного тока, автозапчасти и другие сопутствующие детали.
Мы поставляем универсальные …
Просмотреть все
Наш завод и оборудование
20 шт.Обрабатывающий центр с ЧПУ Tenzu-1
Обрабатывающий центр с ЧПУ TENZU-2
Прибор для 3D-съемки Tenzu
Tenzu Turbo Высокоскоростной балансировочный станок
Производственная линия турбокомпрессора1
Производственная линия турбокомпрессора2
Производственная линия турбокомпрессоров Tenzu3
Производственная линия турбокомпрессора Tenzu4
Разработка формы
Детали5
детали4
детали3
заводское фото1
Деталь2
Наша команда
Торговая сеть Tenzu
Отправить сообщение этому поставщику
* От:
* Кому:
Мистер Уилсон
* Сообщение:
Введите от 20 до 4000 символов.
Это не то, что вы ищете? Опубликовать запрос на поставку сейчас
Категория:Кремниевые биполярные силовые транзисторы — Wikimedia Commons
Взято из Викисклада, бесплатного репозитория медиафайлов
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Транзистор с RthG ≤ 15K/W. (ru:Pro_Electron#The_second_letter_denotes_the_intended_use)
Подкатегории
Эта категория имеет следующие 163 подкатегории из 163.
1
16299 (1 Ж)
16664 (1 этаж)
16668 (1 F)
2
2N3054 (6 F)
2N3055 (46 F)
2N3442 (2 ф)
2N3501 (1 ф)
2N3585 (1 ф)
2N3740 (1 F)
2N3741 (1 ф)
2N3767 (3 ф)
2N3771 (2 ф)
2N3773 (3 ф)
2N4231 (2 F)
2N4347 (1 ф)
2N4898 (1 ф)
2N4900 (2 F)
2N4901 (1 ф)
2N5038 (4 F)
2N5672 (1 ф)
2N5685 (1 ф)
2N5872 (2 ф)
2N5875 (1 ф)
2N5881 (2 ф)
2N5886 (1 ф)
2N6246 (1 ф)
2N6282 (2 ф)
2N6285 (2 F)
2N6318 (2 F)
2N6469 (1 ф)
2N6547 (1 ф)
2SB825 (1 ф)
2SC490 (1 ф)
2SC582 (1 ф)
2SC867 (3 ф)
2SC901 (1 ф)
2SC1116 (1 этаж)
2SC1413 (1 ф)
2SC1871 (1 ф)
2SC2428 (1 ф)
2SC3551 (1 ф)
2SC3896 (2 ф)
2SD141 (1 ф)
2SD198 (1 ф)
2SD287 (1 ф)
2SD350 (1 ф)
2SD586 (1 ф)
2SD869 (1 ф)
2SB1370 (1 ф)
2SD882 (2 ф)
2SD1279 (2 ф)
2SD1428 (2 ф)
2SD1554 (1 ф)
2SD1802 (1 ф)
2SD1933 (1 F)
3
3DD101 (1 F)
3DD205 (1 F)
4
40251 (3 F)
40312 (1 этаж)
40313 (1 этаж)
B
BCP56 (1 этаж)
BD107 (1 этаж)
BD116 (1 этаж)
BD130 (1 этаж)
BD135 (6 этаж)
BD136 (4 этажа)
BD139 (4 этажа)
BD140 (2 F)
BD142 (3 этаж)
BD163 (1 этаж)
BD181 (1 этаж)
BD182 (2 ф)
BD183 (1 этаж)
BD237 (3 этаж)
BD436 (1 этаж)
BD946 (1 этаж)
BDP491 (1 этаж)
BDX18 (3 F)
BDY22 (1 этаж)
BDY38 (2 ф)
BDY57 (1 этаж)
BDY71 (1 этаж)
BFQ34 (2 ф)
BFR94 (2 ф)
BU105 (3 этаж)
BU108 (2 ф)
BU126 (2 ф)
BU133 (3 ф)
BU205 (1 этаж)
BU208 (10 этаж)
BU209 (2 ф)
BU2508 (3 этаж)
BU2525 (1 этаж)
BU326 (1 этаж)
BU415 (3 ф)
BU500 (1 этаж)
BU508 (6 этаж)
BU526 (2 ф)
BU536 (1 этаж)
BU607 (1 этаж)
BU608 (1 этаж)
BU626 (1 этаж)
BU80X (1 F)
BUR608 (2 ф)
BUS14 (1 этаж)
BUS48 (1 этаж)
BUV42 (2 ф)
BUX12 (1 этаж)
BUX40 (1 F)
BUX83 (4 F)
BUX88 (1 этаж)
BUX98 (1 этаж)
КУПИТЬ18 (1 этаж)
BUY46 (2 этаж)
BUY71 (2 F)
D
Кремниевые биполярные силовые транзисторы Darlington (15 C)
F
FZT853 (1 ф)
К
KD503 (5 ф)
KD602 (1 этаж)
KD607 (1 этаж)
KD617 (3 этаж)
KT602 (4 F)
KT604 (2 F)
KT605 (3 F)
KT626 (1 этаж)
KT639 (1 этаж)
KT644 (1 этаж)
KT801 (3 этаж)
KT805 / 2T805 (2 ф)
KT808 / 2T808 (2 F)
KT812 / 2T812 (2 F)
KT815 (1 этаж)
KT818 / 2T818 (12 F)
KT819 / 2T819 (18 F)
KT853 (1 этаж)
KT907 (2 ф)
KT911 (1 этаж)
KT912 (1 этаж)
KT914 (1 этаж)
KU606 (1 этаж)
KU607 (2 ф)
KU611 (2 ф)
KU612 (1 этаж)
KUY12 (3 этаж)
M
MJ2955 (2 этаж)
MJ8501 (1 этаж)
MJ12010 (3 этаж)
MJ15023 (1 этаж)
MJ15024 (3 этаж)
MJ491 (1 F)
O
ON236 (1 F)
S
SD339 (1 ф)
SDT9202 (1 этаж)
SDT9204 (3 этаж)
SF359 (2 ф)
SJ2907 (1 ф)
SJ3159 (3 этаж)
STC03DE170 (4 F)
SU160 (5 ф)
SU161 (1 ф)
SU169 (4 F)
T
TIP29 (4 F)
TIP42 (1 F)
Носитель в категории “Кремниевые биполярные силовые транзисторы”
Следующие 8 файлов находятся в этой категории, всего 8.
