2Т819Б: Транзистор 2Т819Б – параметры, цоколевка, аналоги, обозначение – Справочник по отечественным транзисторам

Содержание

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В – в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Электрические параметры.

Граничное напряжение при I_К=0,1 А, τ_и ≤300 мкс, Q≥100
КТ819А, не более	25 В
КТ819Б, 2Т819В	40-60-80 В
КТ819В, 2Т819Б	60-80-100 В
КТ819Г, 2Т819А	80-100-110 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при I_К=5 А, I_Б=0,5 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	2 В
при I_К=20 А, I_Б=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	5 В
при I_К=15 А, I_Б=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	1,5 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_К=5 А, не менее
при Т=24,85°С и Т=Т_{К макс}
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20
КТ819А, КТ819В	15
КТ819Б	20
КТ819Г	12
при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	9
при Т=-40,15°С
КТ819А, КТ819В	10
КТ819Б	15
КТ819Г	7
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ=5 В, I_Э=0,5 А	3-5-12 МГц
Время выключения при I_К=5 А, I_Б=0,5 А, не более	2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при U_КБ=5 В	360-600-1000 пФ
Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, I_К=1 мА и при Т=124,85°С, I_К=5 мА, не менее
2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Обратный ток коллектора при U_КБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
при Т=233-298 К	1 мА
при Т=99,85°С	10 мА
Пробивное напряжение эмиттер-база при I_Э=5 мА, не менее	5 В

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
2Т819А	25 В
2Т819Б	40 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤100 Ом, Т=Т_{мин-323 К}
КТ819А	40 В
КТ819Б	50 В
КТ819В	70 В
КТ819Г, 2Т819А	100 В
2Т819Б	80 В
2Т819В	60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤10 мс, Q≥100
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	15 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	20 А
Постоянный ток базы	3 А
Импульсный ток базы при τ_и≤10 мс, Q≥100	5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	60 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	100 Вт
без теплоотвода при Т_к≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	1,5 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	3 Вт
Температура перехода
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	124,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	149,85°С
Температура окружающей среды
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	От -40,15 до Т_к=99,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	От -60,15 до Т_к=124,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т_к=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

Транзистор КТ819: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ819 – кремниевый мезаэпитаксиально-планарный мощный транзистор n-p-n структуры. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами (2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ) и в пластмассовом (КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г).

Цоколевка транзистора КТ819

Характеристики транзистора КТ819

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
КТ819А	40	40	10 (15)	1.5 (60)	15-225	3
КТ819Б	50	50	10 (15)	1.5 (60)	20-225	3
КТ819В	70	70	10 (15)	1.5 (60)	15-225	3
КТ819Г	100	100	10 (15)	1.5 (60)	12-225	3
КТ819АМ	40	40	10 (15)	2 (100)	15-225	3
КТ819БМ	50	50	10 (15)	2 (100)	20-225	3
КТ819ВМ	70	70	10 (15)	2 (100)	15-225	3
КТ819ГМ	100	100	10 (15)	2 (100)	12-225	3
2Т819А	100	100	10 (15)	3 (100)	20-225	3
2Т819Б	80	80	10 (15)	3 (100)	20-225	3
2Т819В	60	60	10 (15)	3 (100)	20-225	3

Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ819

КТ819А – 2N6288
КТ819Б – 2N5490
КТ819В – 2N5494
КТ819Г – 2N5496
КТ819АМ – BDW21
КТ819БМ – 2N6253
КТ819ВМ – 2N6471
КТ819ГМ – 2N3055

819, 2819, кт819, 2т819, ,

819 , 2819 ( , n-p-n)

819 (.