2Т830Г: Транзистор 2Т830Г – ANION.RU

Содержание

Транзистор 2т830г-1 – Електро Maг Ровно (Украина)

Транзисторы 2Т830Г-1 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.

Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.

Транзисторы бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.

Масса транзистора – не более 0,03 г.

Технические условия: аА0.339.406ТУ.

Технические характеристики транзисторов 2Т830В-1, 2Т830Г-1, 2Т830В-1Н, 2Т830Г-1Н:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 гр.)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h31Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ	TП max	Т max
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т830В-1	p-n-p	2	4	70 (60)	80	5	1 (25)	25…200	&lt-0,6	&lt-0,1	&lt-1	–	&gt-4	150	350	150	-60…+100
2Т830Г-1	p-n-p	2	4	90 (80)	100	5	1 (25)	25…200	&lt-0,6	&lt-0,1	&lt-1	–	&gt-4	150	350	150	-60…+100
2Т830В-1Н	p-n-p	2	4	70 (60)	80	5	1 (25)	25…200	&lt-0,6	&lt-0,1	&lt-1	–	&gt-4	150	350	150	-60…+100
2Т830Г-1Н	p-n-p	2	4	90 (80)	100	5	1 (25)	25…200	&lt-0,6	&lt-0,1	&lt-1	–	&gt-4	150	350	150	-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max – максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max – максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max – максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max – максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. – напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО– обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО– обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR – обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр – граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК – емкость коллекторного перехода.
• СЭ – емкость коллекторного перехода.
• ТП max&nbsp– максимально допустимая температура перехода.
• Т max&nbsp– максимально допустимая температура окружающей среды.

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность – наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

платы от приборов, компьютеров
платы от телевизионной и бытовой техники
микросхемы любые
транзисторы
конденсаторы
разъёмы
реле
переключатели
катализаторы автомобильные и промышленные
приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Транзистор 2Т830Г-1 –

Драгоценные металлы в транзисторе 2Т830Г-1 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе 2Т830Г-1.
Золото: 0.002 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе 2Т830Г-1 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки 2Т830Г-1:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) 2Т830Г-1 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.

Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на 2Т830Г-1:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, 2Т830Г-1:

Транзистор КТ830 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ830

**Параметры транзистора КТ830**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		2Т830А		2N3660
		2Т830Б		*2N1085, BD634 ^3**
		2Т830В		*2N2881 ^2, 2SB563 ^3, MJ2253 ^3, SDT3576 ^3, SDT3553 ^2, SDT3550 ^2*
		2Т830Г		*SDT3554, SDT3551, 2N3776 ^2**
		КТ830А		2N5781, 2N4234
		КТ830Б		2N4235
		КТ830В		2N4236, SML3552
		КТ830Г		2N4236
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ830А	—	5*	Вт
		КТ830Б	—	5*
		КТ830В	—	5*
		КТ830Г	—	5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ830А	—	≥4	МГц
		КТ830Б	—	≥4
		КТ830В	—	≥4
		КТ830Г	—	≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ830А	—	35	В
		КТ830Б	—	60
		КТ830В	—	80
		КТ830Г	—	100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ830А	—	5	В
		КТ830Б	—	5
		КТ830В	—	5
		КТ830Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ830А	—	2; 4*	А
		КТ830Б	—	2; 4*
		КТ830В	—	2; 4*
		КТ830Г	—	2; 4*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ830А	35 В	≤0.1	мА
		КТ830Б	60 В	≤0.1
		КТ830В	80 В	≤0.1
		КТ830Г	100 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ830А	1 В; 1 А	≥20*
		КТ830Б	1 В; 1 А	≥20*
		КТ830В	1 В; 1 А	≥20*
		КТ830Г	1 В; 1 А	≥20*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ830А	—	—	пФ
		КТ830Б	—	—
		КТ830В	—	—
		КТ830Г	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ830А	—	≤1.2	Ом, дБ
		КТ830Б	—	≤1.2
		КТ830В	—	≤1.2
		КТ830Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ830А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ830Б	—	—
		КТ830В	—	—
		КТ830Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ830А	—	≤1000*	пс
		КТ830Б	—	≤1000*
		КТ830В	—	≤1000*
		КТ830Г	—	≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Скупка Радиодеталей , +79620556737, Куплю радиодетали . Покупка радиодеталей . Приёмный пункт радиодеталей .

Более точно об условии продажи лома и отходов драгметаллов содержащихся в радиодеталях, узнавайте у наших менеджеров

Скупка Конденсаторы Керамические в пластиковом корпусе марки- К10-17,23,28,43,47.- зеленого, красного, белого, черного, серого цвета.
Скупка Конденсаторы Танталовые К52-1; 2 ; 3 ; 4 ; 5 ; 7; 9 ; 11. К53-1 ; 7; 18. ЭТН, ЭТ, ЭТО-1 ; 2 ; 3; 4. в металлическом корпусе.
Скупка Конденсаторы Другие – Сборки – Б-18 ; -20 ; Б-23.

КАТАЛОГ КОНДЕНСАТОРЫ