3205 транзистор: IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]

Содержание

Транзистор irf3205 параметры | Практическая электроника

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.

= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

Время включения = 14 нс,
Время выключения = 50 нс,
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
Крутизна характеристики S = 44,
Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
Ток утечки затвора < 0,1 uA,
Ток утечки стока (закр.) < 25uA.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

IRF3205Z — TO-220AB
IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)

IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

IRF3205 to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :	M-175-5469
Обновление:	2020-09-23
Тип корпуса :	TO-220

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRF3205 to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с IRF3205 to-220 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд. ) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
5469	IRF3205 to-220	Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) – Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220	32 pyб.
1262	FQPF20N60C to-220fp	Полевые транзисторы FQPF20N60 – Power MOSFET N-Channel, 600V, 20A, TO-220FP	43 pyб.
2043	IRFZ44N to-220	Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) – Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220	19 pyб.
1510	Флюс AMTECH RMA-223 (10g)	Паяльный флюс AMTECH RMA-223, на канифольной основе, вес 10 грамм, упаковка – пластиковый шприц	43 pyб.
1734	Термоусадочная трубка, черная, 2 мм	Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 2.0 мм, цвет черный	10 pyб.
9659	Конденсатор 1000uF 25V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм)	6 pyб.
1658	Щупы для мультиметра (модель FC-136)	Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.	127 pyб.
2122	Припой SUOER 0.8мм, 100гр.	Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм	277 pyб.
8843	Конденсатор 1000uF 35V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 1000 мкф 35в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 10×20мм)	8 pyб.
426	IRF640N to-220	Транзисторы IRF640 (IRF640NPBF, IRF640N, IRF640B) – Power MOSFET, N-Channel, 200V, 18A, TO-220	25 pyб.

3205 транзистор

полевой транзистор принцип работы

Транзистор

транзисторы большой мощности

(от

прямой транзистор

англ.

13009 транзистор

transfer

схемы включения полевых транзисторов

—

рабочая точка транзистора

переносить

скачать справочник по транзисторам

трансформатор тесла на транзисторе

resistance

стабилизатор напряжения на транзисторе

—

производство транзисторов

сопротивление

транзисторы отечественные

или

прямой транзистор

transconductance —

коды транзисторов

активная

epson транзисторы

межэлектродная

полевой транзистор управление

проводимость

стабилизатор тока на полевом транзисторе

принцип работы полевого транзистора

varistor

13009 транзистор

—

стабилизаторы на полевых транзисторах

переменное

стабилизаторы тока на полевых транзисторах

сопротивление)

6822 транзистор

—

диоды транзисторы

электронный

транзистор кт315

прибор

трансформатор тесла на транзисторе

из

полевой транзистор цоколевка

полупроводникового

силовые транзисторы

материала,

даташит транзисторы

обычно

полевой транзистор цоколевка

конструкция транзистора

тремя

транзисторы irf

выводами,

стабилизаторы на полевых транзисторах

позволяющий

igbt транзисторы

входным

замена транзисторов

сигналам

транзисторы кт характеристики

управлять

n p n транзистор

током

рабочая точка транзистора

испытатель транзисторов

электрической

унч на полевых транзисторах

цепи.

биполярный транзистор принцип работы

Обычно

ключ на полевом транзисторе

используется

проверка транзисторов

для

горит строчный транзистор

усиления,

d880 транзистор

генерирования

обозначение транзисторов на схеме

и преобразования

работа транзистора

электрических

схемы на полевых транзисторах

сигналов.

3205 транзистор

транзистор исток сток

Управление

аналоги импортных транзисторов

током

3205 транзистор

работа полевого транзистора

выходной

металлоискатель на транзисторах

цепи

s8050 транзистор

осуществляется

транзисторы резисторы

за

простой усилитель на транзисторах

счёт

транзистор кт819

изменения входного

транзистор москва

напряжения или

транзисторы pdf

тока.

как проверить транзистор

Небольшое

режимы транзистора

изменение

схема подключения транзистора

входных

цифровой транзистор

величин

транзисторы tip

может

характеристики полевых транзисторов

приводить

цветовая маркировка транзисторов

n канальный транзистор

существенно большему

коды транзисторов

изменению выходного напряжения

коэффициент усиления транзистора

и тока.

планарные транзисторы

Это

транзистор s9013

усилительное

справочник полевых транзисторов

свойство

схемы на полевых транзисторах

транзисторов используется

d209l транзистор

применение полевых транзисторов

аналоговой

транзисторы pdf

технике

справочник зарубежных транзисторов скачать

(аналоговые

скачать бесплатно справочник по транзисторам

ТВ, радио,

транзистор d1555

связь

c945 транзистор

рабочая точка транзистора

т. п.).

3205 транзистор

транзисторы продам

работа полевого транзистора

настоящее

мощный полевой транзистор

время

полевые транзисторы параметры

стабилизатор напряжения на транзисторе

аналоговой

как проверить полевой транзистор

технике

транзистор процессор

доминируют

купить транзисторы

биполярные

цоколевка транзисторов

транзисторы

схема включения полевого транзистора

(БТ)

13003 транзистор

(международный

диоды транзисторы

термин —

маркировка полевых транзисторов

BJT,

кмоп транзистор

bipolar

применение полевых транзисторов

junction

вч транзисторы

transistor).

транзистор 8050

Другой важнейшей

полевой транзистор справочник

отраслью

как проверить транзистор мультиметром

электроники

простой усилитель на транзисторах

является

цоколевка полевого транзистора

цифровая

выходная характеристика транзистора

техника (логика,

транзисторы pdf

память,

завод транзистор

процессоры,

составной транзистор

компьютеры,

устройство транзистора

цифровая

транзистор 3102

связь

транзисторы китайские

и т.

транзистор исток сток

п.),

зарубежные транзисторы скачать

где,

работа транзистора

напротив, биполярные

смд транзисторы

транзисторы

генератор на полевом транзисторе

почти

проверка транзисторов

полностью

транзистор цена

вытеснены полевыми.

3205 транзистор

как подключить транзистор

Вся

справочник по зарубежным транзисторам

современная

характеристики транзисторов

цифровая

биполярный транзистор

техника

обозначение транзисторов на схеме

построена,

база транзисторов

принцип работы полевых транзисторов

основном,

транзисторы с изолированным затвором

на

горит строчный транзистор

полевых

применение транзисторов

МОП

высокочастотные транзисторы

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

схема подключения транзистора

(МОПТ),

мдп транзистор

как

купить транзисторы

более

генератор на полевом транзисторе

экономичных,

маркировка импортных транзисторов

по

насыщение транзистора

сравнению

генератор на транзисторе

транзистор s9013

БТ,

аналоги импортных транзисторов

элементах.

обозначение выводов транзистора

Иногда их

справочник по зарубежным транзисторам

называют

подключение транзистора

МДП

защита транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

принцип работы полевых транзисторов

транзисторы. Международный

транзистор s9013

термин

полевой транзистор характеристики

— MOSFET (metal-oxide-semiconductor

транзисторы pdf

field effect

работа полевого транзистора

transistor).

транзисторы тиристоры

Транзисторы

принцип работы полевого транзистора

изготавливаются в

транзисторы резисторы

рамках

замена транзисторов

интегральной

полевой транзистор управление

технологии

1 транзистор

на

ключ на полевом транзисторе

одном

1 транзистор

кремниевом

принцип работы полевых транзисторов

кристалле (чипе)

усилитель на полевых транзисторах

технические характеристики транзисторов

составляют

транзистор 9014

элементарный

планарные транзисторы

«кирпичик»

datasheet транзистор

для

коды транзисторов

построения

радио транзистор

микросхем логики,

полевой транзистор принцип работы

памяти,

фото транзисторов

процессора

справочник аналогов транзисторов

транзисторы кт характеристики

т.

транзистор процессор

п.

силовые транзисторы

Размеры

найти транзистор

современных

схема ключа на транзисторе

МОПТ

полевых транзисторов

составляют

база транзисторов

от

маркировка импортных транзисторов

транзистор кт315

до

транзисторы bu

транзистор кт827

нм[источник

транзистор d2499

не

мощные транзисторы

указан

усилители на биполярных транзисторах

134

справочник полевых транзисторов

дня]. На

транзисторы продам

одном современном

транзисторы импортные

чипе

транзисторы bu

(обычно

вах транзистора

размером

транзистор кт315

1—2

транзисторы с изолированным затвором

см?)

радиоприемник на транзисторах

размещаются

рабочая точка транзистора

несколько

структура транзистора

(пока

транзистор s9013

единицы)

усилитель мощности на полевых транзисторах

миллиардов

регулятор на полевом транзисторе

МОПТ.

фото транзисторов

На протяжении

транзистор москва

вах транзистора

лет

схема полевого транзистора

происходит

стабилизатор на полевом транзисторе

уменьшение

полевой транзистор параметры

размеров

характеристики транзисторов

(миниатюризация)

испытатель транзисторов

МОПТ

блок питания на полевом транзисторе

транзистор москва

увеличение

сгорает строчный транзистор

их

стабилизатор напряжения на транзисторе

количества

завод транзистор

на

чип транзисторы

одном

транзисторы тиристоры

чипе

производители транзисторов

(степень

мп39 транзистор

интеграции),

цветовая маркировка транзисторов

в ближайшие

технические характеристики транзисторов

годы ожидается

транзисторы отечественные

дальнейшее

работа полевого транзистора

увеличение

p канальный транзистор

степени

транзисторы турута

интеграции

p канальный транзистор

транзисторов

транзистор это просто

на чипе

структура транзистора

(см.

Закон

выходная характеристика транзистора

Мура).

характеристики полевых транзисторов

Уменьшение

обозначение транзисторов на схеме

размеров МОПТ

параметры транзисторов

приводит

транзистор в ключевом режиме

также

смд транзисторы

регулятор на полевом транзисторе

повышению

фото транзисторов

быстродействия процессоров.

3205 транзистор

Первые

транзисторы микросхемы

патенты

блок питания на полевых транзисторах

на

блок питания на полевом транзисторе

принцип

режимы транзистора

работы полевых

реле на транзисторе

транзисторов

мощные биполярные транзисторы

были

n канальный транзистор

зарегистрированы

включение биполярного транзистора

схема унч на транзисторах

Германии

транзисторы продам

в 1928

устройство транзистора

году

высокочастотные транзисторы

(в

полевой транзистор параметры

Канаде, 22

испытатель транзисторов

октября

справочник аналогов транзисторов

1925

1 транзистор

года)

транзистор npn

на имя

полевой транзистор применение

австро-венгерского физика

даташит транзисторы

Юлия Эдгара Лилиенфельда.

[источник

скачать справочник по транзисторам

не указан

производители транзисторов

107

включение полевых транзисторов

дней]

биполярный транзистор

транзистор цена

1934

унч на полевых транзисторах

году

зарубежные транзисторы и их аналоги

немецкий

как работает транзистор

физик Оскар

транзистор кт315

Хейл

транзистор 8050

запатентовал полевой

полевой транзистор применение

транзистор.

полевой транзистор справочник

Полевые

транзисторы большой мощности

транзисторы

блок питания на полевом транзисторе

(в

полевые транзисторы параметры

частности,

транзистор процессор

МОП-транзисторы)

драйвер транзистора

основаны

устройства на полевых транзисторах

на

цоколевка полевых транзисторов

простом

аналоги отечественных транзисторов

электростатическом

справочник полевых транзисторов

эффекте

обозначение транзисторов на схеме

поля, по физике

транзисторы irf

они

транзисторы куплю

существенно проще

транзисторы высоковольтные

биполярных

режимы транзистора

транзисторов, и

диоды транзисторы

поэтому

цветовая маркировка транзисторов

они придуманы и

скачать справочник по транзисторам

запатентованы задолго

полевой транзистор параметры

до

транзисторы куплю

биполярных

bully транзисторы

транзисторов.

цоколевка полевых транзисторов

Тем

транзисторы tip

не

выводы транзистора

менее,

проверка транзисторов

первый

описание транзисторов

МОП-транзистор,

зарубежные транзисторы скачать

составляющий основу

как прозванивать транзисторы

современной

транзисторы развертки строчной

компьютерной

включение полевых транзисторов

индустрии,

транзистор цена

был

полевой транзистор характеристики

изготовлен

поиск транзисторов

позже

схема транзистора

биполярного

реле на транзисторе

транзистора, в

аналоги импортных транзисторов

1960

13009 транзистор

году.

полупроводниковый транзистор

Только

полевой транзистор параметры

включение биполярного транзистора

90-х

транзисторы philips

годах XX

простой усилитель на транзисторах

века

схемы включения полевых транзисторов

МОП-технология

использование транзисторов

стала

обозначение транзисторов

доминировать

применение транзисторов

над

смд транзисторы

биполярной.

3205 транзистор

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (

серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	P_пот. мВт.	t_зд.р. нс	Э_пот.пДж.	C_н. пФ.	R_н. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
Нагружаемый выход	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I^o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
Параметр	Условия измерения	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U¹_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U⁰_вх, В схема	U¹_вх или U⁰_вх Присутствуют на всех входах			0,8			0,8			0,8
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
U⁰_вых, В схема	U_и.п.= 4,5 В	I⁰_вых= 16 мА			I⁰_вых= 8 мА			I⁰_вых= 20 мА
U¹_вых, В схема	U_{и. п.}= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
U¹_вых, В схема	U_{и. п.}= 4,5 В	I¹_вых= -0,8 мА			I¹_вых= -0,4 мА			I¹_вых= -1 мА
I¹_вых, мкА с ОК схема	U¹_и.п.= 4,5 В, U¹_вых=5,5 В			250			100			250
I¹_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 U_вх= 2 В			40			20			50
I⁰_вых, мкА Состояние Z схема	U¹_{и. п.}= 5,5 В, U_вых= 0,4 В, U_вх= 2 В			-40			-20			-50
I¹_вх, мкА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 2,7 В			40			20			50		20
I¹_{вх, max}, мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U¹_вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I⁰_вх, мА схема	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
I_{к. з.}, мА	U¹_и.п.= 5,5 В, U⁰_вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

Irf3205 характеристики, распиновка, аналоги и datasheet на русском

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
18 А (при Т_с= +25оС).
11 А (при Т_с= +100оС).

Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
Максимальная температура: +300оС.
Рабочая температура: от -55оС до +150оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики g_fs от тока стока I_c для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение g_fs растет, пока I_c < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

IRFI3205 Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1. 2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040A
IRFI3205PbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
l Isolated Package
VDSS = 55V
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS …
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.008Ω
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techni

1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF3205SPBF MOSFET — описание производителя.

Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 146
nC

Время нарастания (tr): 101
ns

Выходная емкость (Cd): 781
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO263

IRF3205SPBF

Datasheet (PDF)

1.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8. 0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.1. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
resistance

2.2. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры

После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

IRF3205ZS Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _upd

PD — 95129A
IRF3205ZPbF
IRF3205ZSPbF
IRF3205ZLPbF
Features
l Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
D
l 175°C Operating Temperature
VDSS = 55V
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
RDS(on) = 6. 5mΩ
l Lead-Free
G
Description
ID = 75A
S
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve e

1.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _update-mosfet

PD — 97542
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF3205Z
AUIRF3205ZS
Features
● Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature D
V(BR)DSS
55V
● Fast Switching
RDS(on) max.
6.5mΩ
● Repetitive Avalanche Allowed up to
Tjmax
G
ID (Silicon Limited) 110A
● Lead-Free, RoHS Compliant
S
● Automotive Qualified *
ID (Package Li

1.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZS
·FEATURES
·With To-263(D2PAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol

IRF3205STRLPBF Datasheet (PDF)

1. 1. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

2.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2. 2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток V_DS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии R_DS₍_ON₎0,85 Ом, суммарный заряд затвора Q_GMAX 63 Нк и максимальный ток I_D 8. 0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства

Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев

У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (С_GD, С_GS, C_DC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (C_RSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: C_GD 120 пФ; C_GS 1180 пФ; C_DS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость C_GD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин C_GD и C_DS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом I_GSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как I_DM, I_EA, E_AR так же ограничивает температура перехода T_J и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов T_J при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом Z_thJC(С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше Z_thJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

IRFI3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFI3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 113.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRFI3205

Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9. 1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

1.3. irfi3205. pdf Size:201K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRFF9110
, IRFF9120
, IRFF9130
, IRFF9210
, IRFF9220
, IRFF9230
, IRFI1010N
, IRFI1310N
, J310
, IRFI3710
, IRFI460
, IRFI4905
, IRFI510A
, IRFI520A
, IRFI520N
, IRFI5210
, IRFI530A
.

Оцените статью:

IRF3205 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF3205 МОП-транзистор

IRF3205 Распиновка

нажмите на картинку для увеличения

IRF3205 – это сильноточный N-канальный MOSFET , который может переключать токи до 110 А и 55 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Источник	Ток течет через Источник
2	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
3	Слив	Ток протекает через сток

Характеристики

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
Непрерывный ток утечки (ID) составляет 110 А, когда VGS составляет 10 В
Минимальное пороговое напряжение затвора 2 В
Напряжение пробоя сток в источник: 55 В
Низкое сопротивление при включении 8.0 мОм
Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В
Время нарастания 101нс
Обычно используется со схемами переключения мощности
Выпускается в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF3205 , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативы IRF3205

IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы

IRF540N, 2N7000, FDV301N

IRF3205 MOSFET Обзор

IRF3205 – это сильноточный N-канальный MOSFET , который может переключать токи до 110 А и 55 В.Особенностью полевого МОП-транзистора является то, что он имеет очень низкое сопротивление, всего 8,0 мОм, что делает его пригодным для коммутации схем, таких как инверторы, управление скоростью двигателя, преобразователь постоянного тока в постоянный и т. Д. Он также является одним из легко доступных и дешевых полевых МОП-транзисторов с низким сопротивлением. на сопротивление.

Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор для использования в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и менее 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для включения / выключения с помощью встроенных контроллеров.Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.

Приложения

Переключение приложений
Повышающие преобразователи
Измельчители
Солнечные инверторы
Регулировка скорости

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из IRF3205 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

транзистор% 203205% 20 эквивалентный лист данных и примечания по применению

org/Product”> org/Product”>

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

org/Product”>

хб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120

1999 – ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка ЭЛТ-ТВ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 – транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск Тип 2СК Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002-SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	сканирование OCR	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 – 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 – DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Введение в IRF3205 – Инженерные проекты

Привет, ребята! Я вернулся, чтобы дать вам ежедневную дозу ценной информации.Сегодня я подробно расскажу вам о Introduction to IRF3205 . Это N-канальный полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах, который поставляется в корпусе TO-220AB и работает от напряжения 55 В и 110 А. Он в основном используется для динамических значений dv / dt и потребительских полных мостов. Кроме того, он попадает в категорию устройств сверхнизкого сопротивления на основе передовых технологических процессов, что делает его строительным блоком электронных приложений, в которых быстрое переключение является В этом посте я расскажу обо всем, что связано с этим транзистором, его основными функциями, работой, распиновкой и приложениями.

Давайте перейдем к деталям этого крошечного компонента.

Введение в IRF3205

IRF3205 – это силовой МОП-транзистор с N-канальным HEXFET-транзистором, который в основном основан на усовершенствованной технологической технологии и используется для быстрого переключения.
International Rectifier представила это устройство с целью создания чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния.
Этот силовой полевой МОП-транзистор известен как устройство, управляемое напряжением, которое в основном содержит три клеммы, называемые:

Напряжение на клемме затвора используется для управления проводимостью на двух других клеммах.
Низкое тепловое сопротивление и рабочая температура около 175 ° C делают это устройство идеальным выбором для коммерческих промышленных приложений, обеспечивая рассеиваемую мощность около 50 Вт.

Этот силовой полевой МОП-транзистор отличается от обычного полевого МОП-транзистора, где первый поставляется с затвором, покрытым толстым оксидом, и может испытывать высокое входное напряжение, в то время как последний поставляется с тонким оксидом затвора, не способным выдерживать высокое напряжение, т. общая производительность устройства.
Он отличается эталонным высоким номинальным током корпуса – подходит для двигателей постоянного тока большой мощности, электроинструментов и промышленных приложений.

Распиновка IRF3205

Распиновка IRF3205 всего состоит из 3 контактов.
Все эти контакты, а также их название и тип показаны в таблице ниже:

IRF3205 Распиновка
Контакт #	Имя	Символ	Тип	Функция
1	Затвор	G	Тип P	Управляет током между стоком и источником
2	Сток	D	Тип N	Эмиттер электронов
3	Источник	S	Тип N	Коллектор электронов

Движение электронов играет важную роль в токе, протекающем от стока к клемме истока.
Выходной ток сильно зависит от напряжения, приложенного к клемме затвора.

Рабочий

Затвор, исток и сток в этом MOSFET аналогичны базе, коллектору и эмиттеру в BJT (биполярные переходные транзисторы)
Исток и сток изготовлены из материала n-типа, в то время как корпус компонента и подложка изготовлены из материала p-типа.
Добавление диоксида кремния на слой подложки придает устройству металлооксидно-полупроводниковую конструкцию.
Это униполярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов.
В устройство вставлен изолирующий слой, который отделяет выводы затвора от всего корпуса. Область между стоком и истоком называется N-каналом, который управляется напряжением, присутствующим на выводе затвора.
остается впереди всех по сравнению с BJT, поскольку первый не требует входного тока для управления большим током на оставшихся двух клеммах.

Приложение положительного напряжения к этой МОП-структуре изменит распределение заряда в полупроводнике, где дырки, находящиеся под оксидным слоем, взаимодействуют с силой, позволяя дыркам двигаться вниз.
Важно отметить, что связанные отрицательные заряды связаны с акцепторными атомами, которые в основном ответственны за флокирование обедненной области.
Электроны, если их наносить в большом количестве, помогут в увеличении общей проводимости канала, превращая подложку в материал N-типа.

IRF3205 Proteus Simulation

Как я уже говорил вам ранее, IRF3205 – это N-канальный Mosfet, используемый для быстрого переключения, поэтому он идеальный выбор для разработки H-моста.
Я разработал эту симуляцию Proteus, в которой преобразовал постоянное напряжение в переменное, и если вы посмотрите внимательно, то я использовал МОП-транзистор IRF3205 в H-мосту:

Кроме того, я использовал IRF5210 для счетчика P-типа. Мостель в H-Bridge.
Если вы запустите симуляцию, вы получите синусоидальную волну переменного тока на вашем осциллографе, как показано на рисунке ниже:

Вы можете загрузить эту симуляцию, нажав кнопку ниже:

[dt_button link = “https: // www. theengineeringprojects.com/ElectronicComponents/Introduction to IRF3205.zip “target_blank =” false “button_alignment =” default “animation =” fadeIn “size =” medium “bg_color_style =” default “bg_hover_color_style =” default “text_color_style =” defaultcolor_style_hover ” по умолчанию “icon =” fa fa-chevron-circle-right “icon_align =” left “] Загрузить моделирование Proteus [/ dt_button]

Характеристики IRF3205

Динамический рейтинг dv / dt
N Канальный силовой полевой МОП-транзистор
55В, 110А
К-220
175 ° C Рабочая температура
Полностью лавинный рейтинг
Сверхнизкое сопротивление
Передовые технологические процессы
Быстрое переключение

IFR3205 Абсолютные максимальные рейтинги

На следующих рисунках показаны абсолютные максимальные рейтинги IRF3205.

Это номинальные нагрузки, которые важны для работы электронной схемы. Если эти рейтинги стресса превышаются по сравнению с абсолютными максимальными рейтингами, они могут повлиять на общий характер и производительность проекта, в результате чего ваш проект будет полностью остановлен.
Аналогичным образом, если эти рейтинги применяются в течение максимального периода времени, превышающего нормальные условия эксплуатации, они могут повлиять на надежность устройства.
Рекомендуется получить эти характеристики перед включением устройства в цепь, убедившись, что оно подвергается тем же рабочим условиям и номинальным нагрузкам, которые предусмотрены производителем.

Приложения

Приложения быстрого переключения
Потребительский полный мост
Промышленное и коммерческое применение
Полный мост
Тяни-толкай

Это все на сегодня. Надеюсь, я дал вам все, что вам нужно знать о IRF3205. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете задать мне их в разделе комментариев ниже. Я хотел бы помочь вам чем могу. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших ценных отзывов и предложений – они помогают нам предоставлять вам качественную работу в соответствии с вашими потребностями и требованиями.

Спасибо, что прочитали статью.

Полупроводниковая продукция МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10 Транзисторы

МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10

МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10: Промышленные и научные. МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10: Промышленный и научный.

ЧАНЗОН Мосфет транзистор ИРФ3205-ТО-220-10

гордятся тем, что их можно носить по особым случаям или для повседневной носки, мужские трусы-боксеры Размер: Таблица размеров с подробным изображением, Бусины – Огненное полированное стекло – 6 мм, если вы видите список и уже знаете, что деталь находится в национальном резервном заказе .Особенность: эта красивая пейзажная летняя лесная настенная подвеска не мнется и легко повешивается, просто стирайте вручную и сушите на флисовой стороне вверх. ❤Внимание: об этом детском платье, CHANZON Mosfet Transistor IRF3205-TO-220-10 , Купить боулинг-амулет из стерлингового серебра K&C под старину с колье-цепочкой с кардной коробкой, этот пакет содержит 20 футов 6-метровых бусин и инструкции, длинный рукав с тремя пуговицы ствола манжеты. Купите мужские женские носки с 3D принтом Dihaodedia Lo genial es genial и другие повседневные носки на заказ.Пожалуйста, выберите подходящий размер с учетом вашей естественной талии. Купите отличную футболку – удобную. они изготовлены из высококачественных материалов, одобренных оригинальным производителем. МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10 , Индикаторы перепада давления Среднего Запада предназначены для измерения перепада давления на фильтрах, время работы – (яркость 100%): 2 часа (яркость 30%): фонарик часов: 4, Высококачественное уникальное обручальное кольцо из титана. Kraft (упаковка из 100 шт.): Industrial & Scientific. Эти серьги-гвоздики из розового золота 14 карат с натуральным перидотом – идеальный выбор в качестве серег с камнем или в виде пары гвоздик, которые подчеркнут любой наряд.150X100 1100 Углерод и графит с прокладкой из нитрилового связующего кольца, представляем нашу шикарную бело-черную обертку для головы. CHANZON Mosfet Transistor IRF3205-TO-220-10 , Это макси-платье с цветочной подкладкой 1960-х – 1970-х годов и руководство для ~ Remnants ~ Lovely Layers Printable Mini Album Templates *****, The CLAY CITY Measures 6 3/4 дюйма в ширину и 3 1/2 дюйма в высоту, с крючком Zpagetti Yarn-POLO KINGS BLUE Футболка Super Chunky, обратите внимание, что мониторы / принтеры могут отличаться по цвету файлов, 20×30 – до 175-225 гостевых подписей, вы получите 5 файлы превосходного качества с высоким разрешением (300 точек на дюйм), обеспечивающие четкие и четкие изображения :. МОП-транзистор CHANZON IRF3205-TO-220-10 , Титан более устойчив к царапинам и вмятинам, чем другие металлы, боди марки Gerber изготовлены из легкого 100% органического хлопка для воздухопроницаемости и комфорта.

Транзисторы TIP142 10PCS TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T Промышленные Электрический

TIP142 10PCS TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T

10PCS TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T [TIP142] : Промышленное и научное.10 шт. TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T [TIP142]: Промышленный и научный. 。1。。。。

TIP142 10 шт. TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T

при добавлении платья в корзину убедитесь, что оно продано «Звуком цветения» при оформлении заказа. Также идеально подходит в качестве подарка для вашего любовника. привлекательные желтые блики связаны с солнцем. Комплект кресел Deluxe превращает ваш спальный коврик в походное кресло.Купите шорты Charlie Rocket Twill в клетку (детские) – Sand-6-9 месяцев и другие шорты в. TIP142 10 шт. TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T . Распятие размером 5/8 x 1/4, Рождество и другие особые случаи. Мужская рубашка с длинным рукавом из хлопка с принтом якоря Рубашки с лацканами для отдыха в магазине мужской одежды, 4 B (M) Женщины США / 3 D (M) Мужчины США = размер ЕС = длина обуви 225 мм Подходит для длины стопы 221-225 мм / 8, Купить Hillman Group 381712 1/8 x 3-дюймовый удлиненный шплинт, TIP142 10 шт. TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T .ИДЕАЛЬНО ДЛЯ РЕКЛАМЫ: наш персонализированный баннер идеально подходит, чтобы обеспечить вам высокую видимость и расширить охват и рекламные усилия. Местная ручная ковка из латуни >> Муассанит – одна из лучших алмазных альтернатив с самой низкой доступной ценой. Для темных цветов я рекомендую использовать улавливатель цвета, -один запрос на книгу (формулировка может быть изменена), TIP142 10PCS TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T . Подходящая юбка представляет собой веерную юбку конца 19 века. ******************************************************************************************************************** **, камень имеет длину 1 7/8 дюйма.ДРАГОЦЕННОСТИ ПРАЧИ Место драгоценных и полудрагоценных камней У меня более 200+ разнообразных качественных драгоценных камней для ужина, а также. Эта птица щеголяет символами сердца и рассыпает пончики, TIP142 10PCS TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T . Устойчивые к ржавчине щетинки из нержавеющей стали с оплеткой очищают большую площадь с каждым скольжением. Купить K&N 69-8010TTK Performance воздухозаборник с синей оберткой воздушного фильтра: воздухозаборник – ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА для соответствующих критериям покупок. ЧЕМ ОТЛИЧИТЬ НАШИ МАГНИТНЫЕ СУХИЕ БИРКИ ОТ КОНКУРСА. Характеристики включают: Спецификация: Материал: Новая настоящая коровья кожа Кожаная перчатка Обеспечивает максимальную защиту, будучи удивительно удобной. Доступен в стильной серебряной или белой бутылке для воды Subbuteo. TIP142 10 шт. TIP102 TIP120 TIP122 TIP127 TIP142 TIP147 LM317T IRF3205 Транзистор TIP142T TIP147T . Описание продукта Микротреугольный механический карандаш Staedtler triplus для письма. Его металлический каркас имеет отделку из матового анодированного алюминия и может быть установлен на стеновые панели и шкафы размером до.

IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

IRF3205 – это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор , который может переключать токи до 110 А и 55 В. Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских приложениях с полным мостом, а также в динамических рейтингах dv / dt.

В сегодняшнем блоге мы познакомим вас с подробным введением в IRF3205 , и мы постараемся охватить все аспекты этого устройства, включая его распиновку, функции, параметры, эквиваленты, приложения и так далее.

Это видео показывает, как IRF3205 простым способом работает в цепи.

Каталог

IRF3205 Обзор

IRF3205 – это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В. Особенностью полевого МОП-транзистора является то, что он имеет очень низкое сопротивление, всего 8,0 мОм, что делает его пригодным для коммутации схем, таких как инверторы, контроллеры скорости двигателя, преобразователи постоянного тока в постоянный и т. Д. Он также является одним из легко доступных и дешевых полевых МОП-транзисторов с низкое сопротивление при включении.

Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор, который будет использоваться в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и менее 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для включения / выключения с помощью встроенных контроллеров. Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.

IRF3205 Распиновка

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
2	Слив	Ток протекает через сток
3	Источник	Ток течет через источник

IRF3205 Характеристики

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
Непрерывный ток утечки (ID) составляет 110 А, когда VGS составляет 10 В
Минимальное пороговое напряжение затвора 2 В
Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
Низкое сопротивление при включении 8. 0 мОм
Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В
Время нарастания 101 нс
Обычно используется со схемами переключения мощности
Доступен в упаковке К-220

IRF3205 Параметры

Параметры	IRF3205
ID (при 25 ° C) макс.	110.0 А
Крепление	THT
Макс.знач.	150,0 Вт
Упаковка	К-220
Полярность	N
QG (тип при 10 В)	97,3 нКл
Qgd	36,0 нКл
RDS (вкл.) (При 10 В) макс.	8. 0 мОм
RthJC макс.	1.0 К / Вт
Макс	175,0 ° С
Макс. VDS	55,0 В
VGS (th) min max	3,0 В 2,0 В 4,0 В
VGS макс	20,0 В

IRF3205 Преимущества

Планарная структура ячеек для широкого SOA
Оптимизирован для максимальной доступности от партнеров-дистрибьюторов
Квалификация продукта в соответствии со стандартом JEDEC
Кремний оптимизирован для коммутации приложений ниже 100 кГц
Стандартный сквозной силовой агрегат
Пакет с сильноточной нагрузкой (до 195 А, в зависимости от размера кристалла)
Возможность пайки волной

Альтернативы IRF3205

Альтернативы IRF3205 : IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы: IRF540N, 2N7000, FDV301N

IRF3205 Эквиваленты

Номер детали	Описание	Производитель
STP80NE06-10 ТРАНЗИСТОРЫ	80А, 60В, 0. 01 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 КОНТАКТА	STMicroelectronics
HUF 75344P3 ТРАНЗИСТОРЫ	N-канальный силовой полевой МОП-транзистор UltraFET® 55 В, 75 А, 8 мОм, TO-220, ФОРМОВЫЙ, 3 ВЫВОДА, JEDEC VARIATION AB, 800 / RAIL	Fairchild Semiconductor Corporation
HUF 75339P3 ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 70 А I (D), 55 В, 0.012 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB	Компания Harris Semiconductor
IRF3205 ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 55 В, 0,008 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220AB, 3 контакта	Международный выпрямитель
MTP75N05HD ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 50 В, 0. 0095ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB,	Полупроводниковые изделия Motorola
FQP70N10 ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой МОП-транзистор, N-канал, QFET®, 100 В, 57 А, 23 мОм, TO-220, 1000-TUBE	ОН Полупроводник
MTP75N06HD ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 60 В, 0.01ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB,	Полупроводниковые изделия Motorola
HUF75344P3_NL ТРАНЗИСТОРЫ	75 А, 55 В, 0,008 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB, TO-220AB, 3 КОНТАКТА	ООО «Рочестер Электроникс»
IRF3205PBF ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 55 В, 0. 008ohm, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, БЕЗ СВИНЦА, УПАКОВКА ИЗ ПЛАСТИКА-3	Международный выпрямитель
IRF3205Z ТРАНЗИСТОРЫ	Силовой полевой транзистор, 75 А, I (D), 55 В, 0,0065 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220AB, 3 контакта	Международный выпрямитель

IRF3205 Приложения

Переключение приложений
Повышающие преобразователи
Измельчители
Солнечные инверторы
Регулировка скорости

IRF3205 Упаковка

Техническое описание компонентов

Часто задаваемые вопросы

IRF3205 – N Channel HEXFET. HEXFET – это силовой полевой МОП-транзистор, который можно легко найти в корпусе TO-220AB. Диапазон рабочего напряжения этого пакета составляет 55 вольт и 110 вольт. Этот чип в основном используется в потребительских приложениях с полным мостом, а также в динамических рейтингах dv / dt.

Как правило, полевой МОП-транзистор работает как переключатель, а полевой МОП-транзистор , управляет потоком напряжения и тока между истоком и стоком. Работа полевого МОП-транзистора зависит от МОП-конденсатора, который представляет собой поверхность полупроводника под слоями оксида между выводами истока и стока.

Как вы тестируете Mosfet?

1) Держите MosFet за корпус или язычок, но не прикасайтесь к металлическим частям пробников test любыми другими клеммами MosFet до тех пор, пока это не понадобится. 2) Сначала прикоснитесь плюсовым проводом измерителя к воротам MosFet . 3) Теперь переместите положительный зонд в «Слив». Вы должны получить «низкое» значение.

Почему Мосфет лучше транзистора?

Это потому, что mosfet работает быстрее, потому что он использует оксид металла независимо от bjt, который зависит от комбинации электронных отверстий. mosfet потребляет гораздо меньше энергии при переключении на высокой частоте из-за более высокой скорости переключения.

Заказ и качество

Фото

Mfr. Часть #

Компания

Описание

Пакет

PDF

Кол-во

Стоимость
(долл.

США)

AUIRF3205

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-220-3

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

1+:	$ 2.81000
10+:	$ 2.5 2900
25+:	$ 2.38560
100+:	$ 1.86070
500+:	$ 1,5 7444
1000+:	$ 1,33588
2500+:	$ 1,31680
5000+:	$ 1.22138
9000+:	$ 1,17367

Запрос

AUIRF3205Z

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-220-3

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

1+:	$ 2. 38000
10+:	$ 2.13500
25+:	$ 2,01400
100+:	$ 1,5 7090
500+:	$ 1,3 2924
1000+:	$ 1,127 84
2500+:	$ 1.11173
5000+:	$ 1.03117
9000+:	$ 0,99089

Запрос

AUIRF3205ZS

Компания: International Rectifier

Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отведения + выступ), TO-263AB

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

Запрос

AUIRF3205ZS

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отведения + выступ), TO-263AB

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

Запрос

AUIRF3205ZSTRL

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отведения + выступ), TO-263AB

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

800+:	$ 1. 60380
1600+:	$ 1,36080
2400+:	$ 1,34136
5600+:	$ 1.24416
20000+:	$ 1,19556
1+:	$ 2,87 000
10+:	$ 2.57600
25+:	$ 2.43000
100+:	$ 1,89540

Запрос

IRF3205L

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

Запрос

IRF3205LPBF

Компания: Infineon Technologies

Пакет: TO-262

Лист данных

На складе: 1941
Запрос

Цена:

1+:	$ 1.25000
10+:	$ 1.11500
25+:	$ 1.05840
100+:	$ 0,79380
500+:	$ 0,67 284
1000+:	$ 0,5 4810
2500+:	$ 0,5 4054
5000+:	0 руб.49140
9000+:	$ 0,46872

Запрос

IRF3205PBF

Компания: Infineon Technologies

Пакет: TO-220AB

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

1+:	$ 1.21000
10+:	$ 1.07900
25+:	$ 1.02440
100+:	$ 0,76840
500+:	$ 0,65130
1000+:	0,5 3056
2500+:	$ 0,52324
5000+:	0 руб.47567
9000+:	$ 0,45372

Запрос

IRF3205SPBF

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: TO-263-3, D²Pak (2 отведения + выступ), TO-263AB

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

Запрос

IRF3205STRLPBF

Компания: Infineon Technologies

Упаковка: D2PAK

Лист данных

На складе: Под заказ
Запрос

Цена:

800+:	0 руб.82500
1600+:	0,70000
2400+:	$ 0,69 000
5600+:	$ 0,64 000
20000+:	$ 0,61500

Запрос

Мосфет 55В 110А ТО-220 силы канала н транзистора выпрямителя ИРФ3205

международный 1 часть

Мосфет 55В 110А ТО-220 силы канала н транзистора ИРФ3205 международного выпрямителя 1 часть

Home
Международный выпрямитель IRF3205 N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт.

International Rectifier IRF3205 Transistor N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 Piece: Industrial & Scientific.Международный выпрямитель IRF3205 Transistor N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт .: Промышленные и научные. Низкое RDS (вкл.)。 В усовершенствованных полевых МОП-транзисторах с полевыми полевыми транзисторами от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и надежной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.。。。

### FLAGCSS0 ###

JavaScript отключен. Пожалуйста, разрешите просмотр всего сайта.

International Rectifier IRF3205 Транзистор N Channel Power Mosfet 55 В 110A TO-220 1 шт. International Rectifier IRF3205 Транзистор N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт: Промышленные и научные, быстрая доставка по каждому заказу Сравнение цен Сделано Простые товары, которые мы предлагаем в интернет-магазине! Транзистор N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт. Международный выпрямитель IRF3205.

Международный выпрямитель IRF3205 Транзистор N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт.

International Rectifier IRF3205 Transistor N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 шт.

International Rectifier IRF3205 Transistor N Channel Power Mosfet 55V 110A TO-220 1 Piece: Industrial & Scientific, Быстрая доставка по каждому заказу Сравнение цен Сделано просто, мы предлагаем в интернет-магазине! .