Аналоги для AO4468 / ALPHA & OMEGA Semiconductor, Inc.
| Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4468 (AOS)
| в ленте 3000 шт | SO-8 SOIC8 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10. | ||||||||||||||||
| Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | |||||||||||||||||||
| WMS15N03T1 (WAYON)
| A+ |
| в коробках 4000 шт | ||||||||||||||||
| WMS14DN03T1 (WAYON)
| A+ |
| 4000 шт | ||||||||||||||||
| WMR13N03T1 (WAYON)
| A+ |
| в ленте 3000 шт | ||||||||||||||||
| WMS13N03T1 (WAYON)
| A+ |
| в коробках 4000 шт | ||||||||||||||||
| WM03N115A (WAYON)
| A+ |
| в ленте 3000 шт | ||||||||||||||||
| STK800 (ST)
| A+ |
| Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0. 0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| RS1G150MNTB (ROHM)
| A+ |
| DFN-8 TDFN8 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| RQ1E100XNTR (ROHM)
| A+ |
| Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0. 014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| RMW180N03TB (ROHM)
| A+ |
| Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| RMW150N03TB (ROHM)
| A+ |
| Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0. 0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| RMW130N03TB (ROHM)
| A+ |
| Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0177ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| RS1G180MNTB (ROHM)
| A+ |
| 1 шт | — | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0. 0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||
| CJAB20N03 (JSCJ) | A+ |
| 88 шт | — | ± | ||||||||||||||
| STL11N3LLH6 (ST)
| A+ |
| 10 шт | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0. 0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| CJAC20N03 (JSCJ)
| A+ |
| — | ± | |||||||||||||||
| STS14N3LLH5 (ST)
| A+ | 1 шт | SO-8 SOIC8 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0. 0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| STS17NF3LL (ST)
| A+ |
| SO-8 SOIC8 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| STS13N3LLH5 (ST)
| A+ |
| SOIC-8-3. 9 8-SO | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| STS12N3LLH5 (ST)
| A+ |
| SOIC-8-3.9 8-SO | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| STL15DN4F5 (ST)
| A+ |
| 3000 шт | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0. 009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| Близкий по наименованию товар | |||||||||||||||||||
| AO4468-VB (VBSEMI)
| SN |
| — | ||||||||||||||||
Полупроводниковые и системные решения – Infineon Technologies
2023 финансовый год
Итоги квартала
4 мая 2023
Больше информации
Ускорьте переход на новые источники энергии с помощью тепловых насосов
Наши компоненты и системные решения делают современные тепловые насосы более интеллектуальными и эффективными — от управления мощностью и подключения до ЧМИ и датчиков
Узнать больше
PCIM Europe 2023
С 9 по 11 мая.
Зал 7 / Стенд 412. В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации
Полная программа здесь
HYPERRAM™: память расширения в компактном корпусе
Представляем широкий ассортимент энергозависимой памяти с низким энергопотреблением и высокой производительностью для промышленной автоматизации и автомобильных приложений
Приходите узнать больше!
Формирование промышленного Интернета вещей путем расширения возможностей «умных» заводов
Переход к эффективным, устойчивым, гибким и безопасным «умным» заводам уже начался благодаря легко интегрируемым полупроводниковым решениям
Узнать больше
Твердотельные реле (ТТР) на основе SJ-FET
Обновление до технологии CoolMOS™ S7 с суперпереходом MOSFET с лучшим в своем классе R(on) x A для более эффективных и надежных решений SSR
Найти продукт
SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм
Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay с использованием технологии 28 нм для обеспечения наилучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением
Узнать больше
Новости
03 апреля 2023 г.
| Business & Financial Press
Infineon оптимизирует свой профиль обезуглероживания: подразделение промышленных приложений будет работать под названием Green Industrial Power (GIP)
28 марта 2023 г. | Деловая и финансовая пресса
Устойчивая динамика бизнеса: Infineon ожидает более высоких результатов за второй финансовый квартал и весь 2023 финансовый год
Новости рынка
20 апреля 2023 г. | Новости рынка
Infineon создает автомобильные электронные архитектуры следующего поколения с первой в отрасли флэш-памятью LPDDR
Посетите Infineon в Twitter
Microchip TC4468COE, MOSFET 4, 1,2 A, 18 В, 16 контактов, SOIC
Посмотреть все Драйверы для ворот
85 На складе, доставка в течение 3 рабочих дней
tickAdded
Посмотреть корзину
095 шт.
Варианты упаковки:
9000 02 empty-checkmarkProduction Pack- RS Артикул:
- 893-8259
- производитель Номер детали:
- TC4468COE
- Производитель:
- Microchip
Обзор продукции и технические паспорта
- docPdfDatasheet
- Руководство по выбору элементов управления docPdfESD V1
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
Законодательство и соответствие нормативным требованиям
Сведения о продукте
68774/404/4044TC 69 Драйверы MOSFET Микрочип TC4467, TC4468 и TC4469 являются ряд драйверов MOSFET Low-Side с четырьмя выходами.
