4N60B: 4N60B Datasheet | Fairchild Semiconductor

4n60bC-4n60bClNr񡢮a؛Դ – Ͱ

41 PaƷ

Ŀ

• ̼
• Iұ
• M؛Դ
• ֧֧
• |

• C
• N
• r

Iģʽ

• aӹ
• Nl
• ̴
• ̘I

• ¥1. ꐵA\Z 7

4n60bCrϢo]ҵ|4n60bCl/ُϢ Rϰlԃr

Ͱ͞ҵ41l4n60bCaƷԔrrr飬|l/Ϣ

؛Դ

׆ΰ]

48Сrl؛

7+Q

DataSheet PDF Search Site

Новые списки

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
1N3066	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N3066M	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник
1N3601	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N626A	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник
1N627A	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N659AM	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник
1N696	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N793M	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N794M	Диод (спецификация)	Американский микрополупроводник
1N810	Диод (спецификация)	Американ Микрополупроводник

4N60B_76

. PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер связанной детали

ЧАСТЬ Описание Производитель 4N60B АНА4N60B Силовой МОП-транзистор N-Chanel ангстрем TC74VHC257FT TC74VHC257FN TC74VHC257F E005148 СЧЕТВЕРЕННЫЙ 2-КАНАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКС (3 СОСТОЯНИЯ) Из старой системы технического описания Тошиба АУИРФ1404З АУИРФ1404ЗЛ АУИРФ1404ЗС HEXFET垄莽 Мощный МОП-транзистор HEXFET? Power MOSFET 160 А, 40 В, 0,0037 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA Низкое сопротивление в открытом состоянии International Rectifier Список несекретных лиц. .. IRFB4710PBF IRFS4710PBF IRFSL4710PBF IRFS4710TRR I Высокочастотные преобразователи постоянного тока HEXFET㈢ Силовой МОП-транзистор HEXFET? Мощный МОП-транзистор 75 А, 100 В, 0,014 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, МОП-транзистор Международный выпрямитель АУИРФ3710ЗСТРЛ АУИРФ3710ЗСТРР АУИРФ3710З АУИРФ3710 HEXFET垄莽 Мощный МОП-транзистор HEXFET? Power MOSFET 59 А, 100 В, 0,018 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Международный выпрямитель SPM4M024-100 SPC8M075-006 SPC8M045-010 SPC8M030-02 6 A, 1000 В, 2 Ом, 6 КАНАЛОВ, N-КАНАЛОВ, Si, POWER, MOSFET Стандартные силовые модули MOSFET промышленного класса 130 A, 60 В, 0,006 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, POWER, MOSFET Стандартные силовые модули MOSFET промышленного класса 120 A, 300 В, 0,035 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА , Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 40 A, 600 В, 0,18 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 350 A, 60 В, 0,003 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 30 A, 200 В, 0,075 Ом, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Стандартные силовые модули MOSFET промышленного класса 45 A, 100 В, 0,03 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, POWER, MOSFET Стандартные силовые модули MOSFET промышленного класса 30 A, 200 В, 0,075 Ом, 4 КАНАЛА, N-КАНАЛА , Si, POWER, MOSFET Стандартные промышленные силовые модули MOSFET 300 A, 100 В, 0,005 Ом, N-КАНАЛЬНЫЕ, Si, POWER, MOSFET Сенситрон Полупроводник http:// АМ29ЛВ010Б-45РДЖК АМ29ЛВ010Б-55ДЖК АМ29ЛВ010Б-55ДЖЭ А A Одноканальный силовой МОП-транзистор N-Channel 20 В в корпусе DirectFET ST Одноканальный силовой МОП-транзистор N-Channel 100 В в корпусе SO-8 Одноканальный силовой МОП-транзистор N-Channel 80 В в корпусе SO-8 -40 В Single P -Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе TSOP-6 (Micro 6) HEXFET Power MOSFET в корпусе TSSOP-8 x8 存 EEPROM 1 Мб (128K x 8) Единый сектор, Flash-память 128K X 8 FLASH 3V PROM, 70 нс, PQCC32 x8 Flash EEPROM x8 存EEPROM Toshiba, Corp. Advanced Micro Devices, Inc. Spansion, Inc. ИРФЗ44ВЛ ИРФЗ44ВС ИРФЗ44ВСТРР Одноканальный силовой МОП-транзистор N-Channel 60 В в корпусе D2-Pak Силовой МОП-транзистор (Vdss=60 В, Rds(on)=16,5 МОм, Id=55 A) (IRFZ44VL / IRFZ44VS) Силовой МОП-транзистор IRF [Международный выпрямитель] IRLS3034PBF IRLSL3034PBF IRLS3034TRLPBF IRLS3034PB HEXFET Power MOSFET 195 A, 40 В, 0,0017 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA HEXFETPower MOSFET Высокоэффективное синхронное выпрямление в импульсных источниках питания Международный выпрямитель MTP6N60EWC MTP6P20EW MTP6P20EWC MTP3N100E16 MTP3N1 6 А, 600 В, 1,2 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 6 A, 200 В, 1 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 3 A, 1000 В, 4 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 А, 200 В, 0,4 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 18 A, 200 В, 0,18 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 33 A, 100 В, 0,058 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 4 A, 800 В, 3 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 15 A, 50 В, 0,1 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор, TO-220AB 12 А, 60 В, 0,15 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор, TO-220AB 15 А, 60 В, 0,12 Ом, N- КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 50 A, 50 В, 0,028 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 20 А, 60 В, 0,085 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Motorola Mobility Holdings, Inc. MOTOROLA INC ИРЛ3714Л ИРЛ3714С ИРЛ3714 ИРЛ3714СТРР ТРАНЗИСТОР | МОП-транзистор | N-КАНАЛ | 20В В(БР)ДСС | 36А И(Д) | TO-263AB 晶体管| МОП-транзистор | N沟道| 20V的五（巴西）直| 36A条（丁）|63AB HEXFET? Power MOSFET Power MOSFET (Vdss=20В, Rds(on)max=20МОм, Id=36A) 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе TO-220AB 20 В, одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-262 20 В, одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak International Rectifier, Corp. http:// IRF [International Rectifier] ВРФ150 ВРФ15010 ВРФ150МП RF MOSFET (VDMOS) для работы от 50 В; P(вне) (W): 150; П (в) (Ш): 15; Усиление (дБ): 10; ВДД (В): 50; Coss (пФ): 240; Тип корпуса: M174 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET RF POWER VERTICAL MOSFET Microsemi, Corp. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт