Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора 2n5551:

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N5551  Si  NPN  0.31 180,00 160,00 6,00  0.6 135,00 100,00 6,00 80,00  TO92
2N5551C  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 300,00 6,00 80,00  TO92
2N5551CN  Si  NPN  0.4 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 150,00 3,00 80,00  TO92N
2N5551G
 Si
 NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92 SOT89
2N5551K  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92
2N5551N  Si  NPN  0.4 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 150,00 3,00 80,00  TO92N
2SC6136  Si  NPN  0.5 600,00 285,00 8,00  0.7 150,00 100,00  TO92
2SD1701  Si  NPN  0.75 1700,00  0.8 150,00 10000,00  TO92
BTN5551K3  Si  NPN  0.9 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 100,00  TO92L
ECG194  Si
 NPN
 0.35 180,00 160,00  0.6 150,00 100,00 100,00  TO92
h3N5551  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 6,00 80,00  TO92
H5551  Si  NPN  0.625 180,00 160,00 6,00  0.6 150,00 100,00 80,00  TO92
HEPS0005  Si  NPN  0.31 180,00 160,00  0.6 150,00 200,00 160,00  TO92

Биполярный транзистор 2N5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наиболее важные параметры.

  • Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
  • Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
  • Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
  • Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
  • Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
  • Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
  • Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
  • Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
  • Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Комплементарная пара

Комплементарным аналогом, с прямой проводимостью (p-n-p), является транзистор 2N5401 или российский КТ6116А. В основном, они отличаются от рассматриваемого образца только коэффициентом усиления по току от 60 до 240 hFE.

Маркировка

Транзистор промаркирован по американской системе обозначения полупроводниковых приборов JEDEK: 2-транзистор, N-типоминал, 5551-серийный номер.

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551C

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551CN

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92N

Наименование производителя: 2N5551G

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92_SOT-89

Автор: Редакция сайта

Источник высокого качества Транзистор 5551 производителя и Транзистор 5551 на Alibaba.com

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзистор 5551 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзистор 5551 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзистор 5551, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзистор 5551 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзистор 5551 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзистор 5551 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор 5551 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзистор 5551 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзистор 5551 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный.

транзистор 5551 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

2n5551 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

Биполярный транзистор 2SC5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5551

Маркировка: EB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.9
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: PCP

2SC5551


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

1.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 1.3. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output

Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

1.4. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор CXT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CXT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT-89

CXT5551


Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC5552 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5552.pdf Size:46K _panasonic

Power Transistors
2SC5552
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

1.2. 2sc5552.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5552
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage
·High Switching Speed
·Low Saturation Voltage
·Wide area of safe operation
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

 4.1. 2sc5551af-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

4.2. 2sc5551ae-td-e.pdf Size:185K _update

Ordering number : ENA1118A
2SC5551A
RF Transistor
http://onsemi.com
30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCP
Features
• High fT : (fT=3.5GHz typ)
• Large current : (IC=300mA)
• Large allowable collector dissipation (1.3W max)
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collector-to-Base Voltage VCBO 40 V
Collector-to-Emitter Volta

 4.3. 2sc5550.pdf Size:208K _toshiba



4.4. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5551
High-Frequency Medium-Output
Amplifier Applications
Features Package Dimensions
High fT : (fT=3.5GHz typ).
unit:mm
Large current : (IC=300mA).
2038A
Large allowable collector dissipation (1.3W max).

4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Base
0.75
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO :

 4.5. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Frequency Medium-Output
2SC5551A
Amplifier Applications
Features
High fT : (fT=3.5GHz typ).
Large current : (IC=300mA).
Large allowable collector dissipation (1.3W max).
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Collec

4.6. 2sc5553.pdf Size:55K _panasonic

Power Transistors
2SC5553
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Unit: mm
For horizontal deflection output
15.50.5 3.00.3
? 3.20.1
5
5
Features
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
5
5
High-speed switching
(4.0)
5
2.00.2
Wide area of safe operation (ASO)
1.10.1
0.70.1
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
5.

4.7. 2sc5556.pdf Size:65K _panasonic

Transistors
2SC5556
Silicon NPN epitaxial planar type
For UHF band low-noise amplification
Unit: mm
0.40+0.10
0.05
0.16+0.10
0.06
Features
3
Low noise figure NF
High transition frequency fT
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing (0.95) (0.95)
1.90.1
2.90+0.20
0.05
Absolu

4.8. 2sc5554.pdf Size:49K _hitachi

2SC5554
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-692 (Z)
1st. Edition
Oct. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is YH-.
2SC5554
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

4.9. 2sc5555.pdf Size:46K _hitachi

2SC5555
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-693 (Z)
1st. Edition
Nov. 1998
Features
Super compact package;
(1.4 ? 0.8 ? 0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(VCE = 1V)
Outline
MFPAK
3
1
2
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note: Marking is ZD-.
2SC5555
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO

Биполярный транзистор CZT5551 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CZT5551

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SOT223

CZT5551


Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 2N5551CN — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551CN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO-92N

2N5551CN


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 3.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

3.2. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

KST5551 Datasheet (PDF)

1.1. kst5551.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST5551
Amplifier Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
3
Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW
2
SOT-23
1
Mark: G1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEBO Emitter-Base Voltage

4.1. kst5550.pdf Size:56K _fairchild_semi

KST5550
High Voltage Transistor
3
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 160 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current 600 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
TSTG Storage Temperatu

 5.1. kst55 kst56.pdf Size:44K _fairchild_semi

KST55/56
Driver Transistor
Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: — 60V
3
KST56: — 80V
Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW
Complement to KST05/06
2
SOT-23
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector Base Voltage
: KST55 -60 V
: KST56 -80 V

5.2. kst55.pdf Size:21K _samsung

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DRIVER TRANSISTOR
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )
A
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
:KST55 -60 V
:KST56 -80 V
Emitter-Base Voltage VEBO -4 V
Collector Current IC -500 mA
Collector Dissipation PC 350 mW
Storage Temperature TSTG 150
Thermal R

Биполярный транзистор 2N5551C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5551C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: TO92

2N5551C


Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

CZT5551 Datasheet (PDF)

1.1. czt5551.pdf Size:527K _central

CZT5551
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type
is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITS
Collect

1.2. czt5551hc.pdf Size:527K _central

CZT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type
is a high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE

 1.3. czt5551e.pdf Size:534K _central

CZT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
SOT-223 CASE
SOT-223 CASE • High Collector Breakdown Voltage

1.4. czt5551.pdf Size:669K _secos

CZT5551
NPN Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5551 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 5 5 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.30 3

 1.5. czt5551.pdf Size:924K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CZT5551 (KZT5551)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
4
■ Features
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Colle

CXT5551 Datasheet (PDF)

1.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an
NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage: 250V
SOT-89 CASE
• Low

1.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HC
www.centralsemi.com
SURFACE MOUNT
HIGH CURRENT
DESCRIPTION:
NPN SILICON TRANSISTOR
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type
is an high current NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
surface mount package, designed for high voltage and
high current amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-89 CASE
MAXIMUM RAT

 1.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT-89
FEATURES
Switching and amplification in high voltage
1
Applications such as telephony
1. BASE
Low current(max. 600mA)
2. COLLECTOR
High voltage(max.180v)
3. EMITTER
Marking: 1G6
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V
VEB

1.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551
SOT-89 Transistor(NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
1
3. EMITTER
SOT-89
4.6
B
4.4
1.6
1.8
1.4
1.4
Features
2.6
4.25
Switching and amplification in high voltage
2.4
3.75
Applications such as telephony
0.8
MIN
Low current(max. 600mA)
0.53
0.40
0.48
0.44
2x)
0.13 B
0.35
High voltage(max.180v) 0.37

1.5
3.0
Marking: 1G6 Dimensions in inches and (millim

 1.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
CXT5551 (KXT5551)
Features 1.70 0.1
High current (max. 600mA).
Low voltage (max. 160 V).
● Comlementary to CXT5401
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 180
Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V
Emitter — Base Voltage VEBO 6
Collector

PZT5551L3 Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

2N5551C Datasheet (PDF)

1.1. 2n5551csm.pdf Size:31K _upd

2N5551CSM
HIGH VOLTAGE NPN
SWITCHING TRANSISTOR IN A
HERMETICALLY SEALED
MECHANICAL DATA
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
Dimensions in mm (inches)
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004) 0.31 FEATURES
rad.
(0.012)
• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
3
TRANSISTOR
• HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT
PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)
21
• CECC SCREENING OPTIONS
1.9

1.2. 2n5551cn.pdf Size:249K _upd

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

 1.3. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CN
Semiconductor
Semiconductor
NPN Silicon Transistor
Descriptions
• General purpose amplifier
• High voltage application
Features
• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
2N5551CN 2N5551C TO-92N
Outline Dimensions unit : mm
4.20

1.4. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551C
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
B C
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
N DIM MILLIMETERS
: VCBO=180V, VCEO=160V
A 4.70 MAX
E
K
Low Leakage Current. B 4.80 MAX
G
C 3.70 MAX
D
: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V
D 0.45
E 1.00
Low Saturation Voltage
F 1.27
G 0.85
: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Биполярный транзистор PZT5551L3 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: PZT5551L3

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT-223

PZT5551L3


Datasheet (PDF)

1.1. pzt5551l3.pdf Size:222K _cystek

Spec. No. : C208L3
Issued Date : 2004.09.21
CYStech Electronics Corp.
Revised Date : 2008.07.04
Page No. : 1/5
General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
PZT5551L3
Description
The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
• High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA)
CEO C
• Complement to BT

3.1. pzt5551.pdf Size:193K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage:
VCEO=160V
* High current gain
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel
www.unisonic.com.tw 1of 4
Copyright 2012

3.2. pzt5551.pdf Size:333K _wietron

PZT5551
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
COLLECTOR
2, 4
4
1. BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
BASE
4.COLLECTOR 1
1 2
3
3
SOT-223
EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25?C)
Symbol
Rating Value Unit
V
Collector-Emitter Voltage CEO V
160
VCBO
Collector-Base Voltage 180 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 6 V
IC
Collector Current (DC) 600 mA
PD
Total Device Disspation 1.5 W
Junc

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Оцените статью:

2N5551 транзистор (5551 NPN 0180V 0300mA TO-92 2N5551 NXP)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. ...2N...

Производитель: NXP

Код товара: Т0000007001

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость NPN
Функциональное назначение выводов 1=E 2=B 3=K
Напряжение коллектор-база 180 V @open emitter
Напряжение коллектор-эмиттер 160 V @open base
Напряжение эмиттер-база 5 V @open collector
Ток коллектора max 300 mA
Ток коллектор импульсный max 600 mA
Ток базы max 100 mA
Мощность 630 mW
Обратный ток коллектора 50 nA @[email protected]=120V
Обратный ток эмиттера 50 nA @[email protected]=4V
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 80...250 @[email protected]=5V
Температура рабочая -65...+150 *C

Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92

Описание товара Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92

Транзистор 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: NPN
  • Рабочее напряжение: 180V
  • Рабочий ток: 1A
  • Тип корпуса: TO-92

Особенности транзисторов 2N5551, NPN, 180V, 1A, корпус TO-92
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

2N5551 (транзистор биполярный NPN) DIOTEC SEMICONDUCTOR от 0.75 грн

2N5551
Производитель: DIOTEC
количество в упаковке: 4000 шт
под заказ 7900 шт
срок поставки 18-28&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: DIOTEC

под заказ 22868 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)
286+ 1.41 грн
500+ 1.26 грн
2600+ 1.11 грн
12000+ 1.05 грн
2N5551
Производитель: Rochester Electronics, LLC
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 300MHz
Power - Max: 625MW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
под заказ 34000 шт
срок поставки 5-14&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: DC

под заказ 2211 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)
250+ 1.61 грн
400+ 1.56 грн
2000+ 1.31 грн
9000+ 1.26 грн
2N5551
Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N5551 NPN THT transistors
под заказ 6440 шт
срок поставки 7-14&nbspдня (дней)
29+ 1.94 грн
100+ 1.22 грн
340+ 0.66 грн
1600+ 0.63 грн
2N5551
Производитель: DIOTEC
TO-92-3 Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.6 Вт Китай Tape and Reel (лента в катушке)
количество в упаковке: 811 шт
под заказ 2017 шт
срок поставки 14-31&nbspдня (дней)
126+ 3.55 грн
190+ 2.55 грн
379+ 1.61 грн
811+ 1.25 грн
1622+ 1.12 грн
2N5551
Производитель:
/to-92/ Транзистор
под заказ 94 шт
срок поставки 3-5&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI- HIV AMP
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bag
Supplier Device Package: TO-92
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Frequency - Transition: 300MHz
Power - Max: 625MW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
под заказ 4738 шт
срок поставки 5-14&nbspдня (дней)
25+ 6.65 грн
50+ 6.28 грн
100+ 6.13 грн
2N5551
Производитель:
2N5551 Транзистор NPN 160V 60mA 0.625W TO92
под заказ 4 шт
срок поставки 3-4&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: Diotec
Transistor: NPN, bipolar, 180V, 600mA, 625mW, TO92, Ammo Pack
под заказ 170 шт
срок поставки 4&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: ----
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 2N5551-(to-92)
под заказ 880 шт
срок поставки 4&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 300MHz
Power - Max: 625MW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: NPN
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель: Rectron
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
2N5551
Производитель:

под заказ 3080 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: FSC

под заказ 50000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
2N5551
Производитель: LTX
08+ TO-92
под заказ 25690 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

2N5551 to-92 | Биполярные транзисторы

Код товара :M-161-624
Обновление: 2019-04-10
Тип корпуса :TO-92
V(cbo) :180V
I(c) :0.3A

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N5551 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с 2N5551 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
624 2N5551 to-92 Транзистор 2N5551 - NPN Transistor 180V, 0.3A, TO-92 1.2 pyб.
625 2N5401 Транзистор 2N5401 - PNP Transistor Uкэ 150в, Iк-0.3А, hоэ 60-240, P-630 мВт, 300Мгц, TO-92 6 pyб.
1770 LM324N dip-14 Микросхема LM324N - Low power quad operational amplifiers, DIP-14 9 pyб.
597 2SB649A Транзистор 2SB649AC (2SB649) - NF/S/Vid-L, 180V, 1,5A, 140MHz, TO-126 4 pyб.
282 TL431A to-92 Микросхемы TL431 (TL431A) - Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92 1.7 pyб.
218 2SA1015 to-92 Транзистор 2SA1015-Y - PNP, U=50В, I=0.15A, Р=0.4Вт, f=80МГц, TO-92 1.6 pyб.
679 2SB892 (B892) Транзистор 2SB892 (маркировка B892) = PNP U=60В, I=2A, Р=1Вт, f=150МГц, низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 pyб.
272 2SC5707 to-251 Транзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-251 12 pyб.
620 2SA940 Транзистор 2SA940 - Power PNP 150V, 1.5A, 25W, 4MHz, TO-220, Complementary to 2SC2073 18 pyб.
5077 DC-DC преобразователь на LM2596S (1.25V~35V) Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме LM2596S (1.25V~35V) с плавной регулировкой 78 pyб.

 

2N5551 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание транзистора

2N5551 Усилитель на транзисторе

2N5551 Усилитель на транзисторе

Распиновка транзистора усилителя 2N5551 NPN

нажмите на картинку для увеличения

Конфигурация контактов:

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Особенности:

  • Усилитель NPN-транзистор
  • Усиление высокого постоянного тока (hFE), обычно 80 при IC = 10 мА
  • Непрерывный ток коллектора (IC) 600 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 160 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 180 В
  • Базовое напряжение эмиттера
  • (VBE) 6 В
  • Частота перехода составляет 100 МГц
  • Доступен в упаковке To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N5551 , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативные транзисторы NPN:

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200

Транзисторы, эквивалентные

2N5551:

NTE194, 2N5833, 2N5088, 2N3055, 2N5401 (PNP)

Транзисторы того же семейства:

2N5550

Где использовать 2N5551:

2N5551 представляет собой усилитель на транзисторе NPN с коэффициентом усиления (hfe) 80 при токе коллектора 10 мА.Он также имеет неплохие коммутационные характеристики (частота перехода составляет 100 МГц), следовательно, может усиливать сигналы низкого уровня.

Благодаря этой особенности транзистор обычно используется для усиления аудио или других сигналов малой мощности. Поэтому, если вы ищете транзистор NPN для схемы усилителя, этот транзистор может быть правильным выбором.

Как использовать 2N5551:

Как уже говорилось ранее, для усиления широко используется NPN-транзистор 2N5551. Ниже показана очень простая минимальная схема работы транзистора в качестве усилителя.Также можно найти график моделирования, который показывает усиленную синусоидальную волну на выходе.

Здесь входная синусоида величиной 8 мВ (желтый цвет) усиливается до 50 мВ (розовый цвет), как показано на графике. В приведенной выше схеме резисторы R3 и R4 образуют делитель потенциала, который определяет напряжение эмиттер-база (V BE ). Резистор R1 - это нагрузочный резистор, а резистор R2 - эмиттерный резистор. Изменение значения R L повлияет на усиление выходной волны.

Транзистор обычно является усилителем тока, то есть ток, протекающий через базу, будет усилен током, протекающим через коллектор. Это усиление зависит от коэффициента усиления (h fe ), который составляет 80 для 2N5551. Это означает, что ток коллектора будет усилен в 80 раз, чем ток базы.

I c = βI b

Другой ток, который мы принимаем во внимание, - это ток эмиттера (I E ), но из-за действия транзистора мы предполагаем, что ток эмиттера почти равен значению тока коллектора, однако разница между ними может быть найдена с помощью значение α.Обычно значение тока коллектора равно

.

I E = I C + I B

Выходной сигнал получается через коллектор, который представляет собой напряжение коллектор-эмиттер (V CE ). Это выходное напряжение зависит от входного напряжения (Vcc, здесь 12 В) без падения напряжения на нагрузочном резисторе (R1). Следовательно, выходное напряжение Vout может быть задано как

.

Vout = VCE = (Vcc - IcRc)

Заявки:

  • Усилители малой мощности
  • Усилители тока
  • Усилители малой мощности
  • Усилители звуковых или других сигналов
  • Дарлингтон пара

2D модель детали:

Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных 2N5551 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса.

2N5551 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, характеристики

В этой статье объясняется распиновка транзистора 2N5551, эквивалент, использование, особенности, объяснение, где и как использовать этот транзистор и что делать, чтобы этот транзистор работал в электронной схеме в течение длительного времени.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 6 А или 600 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 160 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 180 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 6 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 625 мВт
  • Максимальная частота перехода (fT): 100 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 80-250
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации Должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к 2N5551 является 2N5401

Аналог:

2N5551K, NTE194, BC637, BC639, BC487, 2N5833, 2N5551G

2N5551 Транзистор объяснен / Описание:

2N5551 - это NPN-транзистор общего назначения, предназначенный для использования в цепях высокого напряжения.Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 160 В, а напряжение между коллектором и базой - 180 В, благодаря чему его можно легко использовать в цепи с напряжением ниже 160 В. Максимальная выходная нагрузка, с которой может работать этот транзистор, составляет 600 мА, а максимальное рассеивание коллектора - 625 мВт. Транзистор предназначен для использования в приложениях общего назначения, поэтому его можно использовать для усиления и переключения.

Где и как использовать:

2N5551 предназначен для использования в цепях высокого напряжения для выполнения приложений общего назначения, он предназначен в основном для целей усиления звука, поэтому вы можете использовать его для усиления звука или других электронных сигналов.Более того, этот транзистор можно использовать в любом приложении общего назначения, где можно использовать другие транзисторы общего назначения, такие как BC547 или 2N3904, например, для управления светодиодами, для управления другими транзисторами или ИС, для управления другой частью электронных схем и т. Д.

Приложения:

Каскады драйвера звуковой частоты

Усилители звука малой мощности

Переключатель для малых нагрузок до 600 мА

Усиление сигналов малой мощности

Дарлингтон пара

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Чтобы получить производительность от этого транзистора и обеспечить его длительную работу в электронной схеме, рекомендуется не подавать на этот транзистор напряжение выше 160 В и оставаться на 5–10 В ниже максимальных значений в целях безопасности.Всегда используйте подходящий базовый резистор для обеспечения требуемого базового тока, не работайте с нагрузкой выше 600 мА и всегда храните или работайте при температуре выше -55 и ниже +150 по Цельсию.

2N5551 datasheet - Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Коллекционер

MHRJ45SRB-SM-RED: RJ45 БОТИНКИ ДЛЯ РАЗГРУЗКИ НАПРЯЖЕНИЯ, МЯГКИЙ ПЛАСТИК Технические характеристики: Серия: -; Тип аксессуара: Устройство снятия напряжения; Для использования с: стандартными вилками RJ45; Кол-во позиций: -; Материал для снятия напряжения: пластик

CN03095: ПЕРЕХОДНИК, PHONO PLUG-TV SKT Технические характеристики: Тип разъема: Аудио / видео; Серии: - ; Преобразование из разъема: RCA / Phono; Преобразование от пола: штекер; Конвертировать из позиций: -; Преобразовать в разъем: телевизор; Цвет разъема: -; Материал корпуса разъема: -; Преобразовать в пол: сосуд; Преобразовать в позиции: -

SPC21901: Технические характеристики кабельной сборки категории 5e: Тип кабельной сборки: Ethernet; Тип разъема A: Штекер RJ45 Snagless Plug; Тип разъема B: штекер RJ45 без защелки; Длина кабеля - английская система мер: 3 фута; Длина кабеля - метрическая система: 914.4мм; Цвет куртки: Белый

2N690: ТИРИСТОР SCR, 25 А, 600 В, TO-208AA Технические характеристики: Пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 600 В; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 40 мА; Сила тока It av: 16A; В состоянии действующее значение тока IT (среднеквадратичное значение): 25A; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 150 А; Максимальный ток удержания Ih: 50 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 2 В; Диапазон рабочих температур: -

2N6042: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, NPN, 100 В, TO-220 Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 100V; Типичная частота перехода: -; Постоянный ток коллектора: 8А; Рассеиваемая мощность Pd: 75 Вт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 20000; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-220; Нет.контактов: 3; M

1.5KE100CA: TVS DIODE, 11A, 137V, двунаправленный, DO-201 Технические характеристики: обратное напряжение выдержки Vrwm: 85,5V; Диапазон напряжения пробоя: от 95 В до 105 В; Максимальное напряжение зажима Vc: 137 В; Конфигурация диода: двунаправленный; Пиковый импульсный ток Ippm: 11A; Тип корпуса диода: DO-201; Количество контактов: 2; Рассеиваемая мощность Pd: 5 Вт; MSL: -

MC35829: ПАКЕТЫ ДЛЯ СТАТИЧЕСКОГО ЭКРАНА, В МЕТАЛЛИЧЕСКОМ ВНУТРЕНИИ, ОТКРЫТЫЕ 10 X 12 Технические характеристики: Тип пакета: Экранирование от электростатического разряда; Материал корпуса: полиэстер / алюминий / полиэстер; Внешняя высота - английская система мер: 12 & QUOT; ; Внешняя высота - метрическая система: -; Внешняя ширина - дюймовая: 10 & QUOT; ; Внешняя ширина - метрическая система: -; Внешняя глубина - дюймовая: -; Внешняя глубина - метрическая система: -

2406: Разделитель

2N5551 лист данных - 2N5550; 2N5551; Высоковольтные транзисторы NPN ;; Упаковка:

74HC4049: 74HC4049; Hex Inverting High-to-Low Level Shifter ;; Пакет: SOT109-1 (SO16), SOT338-1 (SSOP16), SOT38-4 (DIP16)

BF494B: Усилитель BF494; BF495; Среднечастотные транзисторы NPN

HEF4755VDF: CMOS / BiCMOS-> 4000 Семейство HEF4755V LSI; Приемопередатчик для последовательной передачи данных

MAX6401-22UK: BZA800A-серия; Счетверенный ограничитель переходных напряжений ESD

SAA3010P / S285: Инфракрасный передатчик дистанционного управления Rc-5

TDA1514A: одноканальный TDA1514A; Усилитель Hi-Fi мощностью 50 Вт

ISP1761: Контроллер Hi-Speed ​​Universal Serial Bus On-The-Go ISP1761 - это однокристальный контроллер высокоскоростной универсальной последовательной шины (USB) On-The-Go (OTG), интегрированный с усовершенствованным ведомым хост-контроллером Philips и периферийным контроллером Philips ISP1582.Высокоскоростной хост-контроллер USB и периферия

TZA3026: Трансимпедансный усилитель SDH / SONET STM4 / OC12 TZA3026 - это трансимпедансный усилитель с автоматической регулировкой усиления (АРУ), разработанный для использования в волоконно-оптических линиях связи STM4 / OC12. Он усиливает ток, генерируемый фотодетектором (PIN-диод или лавинный фотодиод), и преобразует его в другой ток

.

HEF4015BPN: двойной 4-битный регистр статического сдвига HEF4015B - это 4-битный регистр статического сдвига с двойным запуском по фронту (преобразователь из последовательного в параллельный).Каждый сдвиговый регистр имеет вход последовательных данных (D), вход синхронизации (CP), четыре полностью буферизованных параллельных выхода (от Q0 до Q3) и приоритетный вход асинхронного главного сброса (

BZV85-C68: Стабилитроны Диоды-стабилизаторы напряжения средней мощности в небольших герметичных свинцовых стеклянных корпусах SOD66 (DO-41). Доступны диоды с нормализованным диапазоном допуска E24 примерно 5%. Серия состоит из 33 типов с номинальным рабочим напряжением от 3,6 В до 75 В.

LXML-PWN1-0120: Светодиоды высокой мощности - белый нейтральный белый, 120 лм, 350 мА Технические характеристики: Производитель: Philips Lumileds; Цвет подсветки: нейтральный белый; Цветовая температура: 4100 К; Световой поток: 120 лм; Угол обзора: 120 градусов; Прямой ток: 350 мА; Прямое напряжение: 3 В; Упаковка: Катушка; Индекс цветопередачи - CRI: 70; Высота: 2.1 мм; Длина: 4,61 мм; Ma

транзистор 5551, транзистор 5551 Поставщики и производители на Alibaba.com

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор. Транзистор  5551  на выбор, чтобы удовлетворить ваши конкретные потребности. Транзистор  5551  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. Транзистор  5551 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. Транзистор 

5551 изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор , 5551, охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей.Транзистор 5551 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. Транзистор 5551 для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзистор 5551 на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В.Основные параметры для. Транзистор 5551, для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор 5551 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

% PDF-1.3 % 1 0 obj > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > / Родительский 3 0 R / Содержание [19 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595.Lou-Fwq.?/ nV | A ' / b% # _ ۴l Fn7BP / zoqsUoI_r $ Dlv} HWW + V` + GW & ١Yghʄѱ [p ٪ o Q; Qǟo g4? m? u0x-c! YMh> W [uZF] 2t4_q? / Ԓ # m4̶ $ YLfd; W.FE7 / ޓ Y = m? O? * ZE ފ n7 \ $ gQQ - * [* 3G, $ F @) d! $ Y + v 蚚 ㎢

20 шт. Новый транзистор 2N5551 NPN 160 Вольт 600 мА TO- 92 NEW CA Электронные компоненты и полупроводники Электрооборудование и принадлежности

20 шт. Новый транзистор 2N5551 NPN 160 вольт 600 мА до-92 новый CA электронные компоненты и полупроводники, электрооборудование и принадлежности
  1. Home
  2. Business & Industrial
  3. Электрооборудование и принадлежности
  4. Электронные компоненты и полупроводники
  5. Полупроводники и активные компоненты
  6. Транзисторы
  7. 20 шт. Новый 2N5551 Транзистор NPN 160 Вольт 600 мА TO-92 NEW 2 CA

20 шт. Новый Транзистор NPN 160 Вольт 600 мА TO-92 NEW CA

2N5551 Транзистор NPN 160 В, 600 мА TO-92 NEW CA 20 шт. Новый, это 20 шт. Транзистор малой мощности 2N5551 NPN общий 3-контактный корпус TO92, полярность транзистора: NPN, 20 шт. Транзистор малой мощности 2N5551 NPN общий 3-контактный корпус TO9220 шт. Новых транзисторов 2N5551 NPN 160 вольт 600 мА TO-92 NEW CA, 20 шт. Новых транзисторов 2N5551 NPN 160 вольт 600 мА TO-92 NEW CA, бизнес и промышленность, электрическое оборудование и материалы, электронные компоненты и полупроводники, полупроводники и активные элементы, транзисторы.



НУЖНО РАЗРЕШИТЬ ВОПРОСЫ СООТВЕТСТВИЯ? МЫ КЛЮЧ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ЭФФЕКТИВНОСТЬ? МЫ КЛЮЧ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ? МЫ КЛЮЧ МЫ КЛЮЧ К ВАШЕМУ УСПЕХУ.СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ СЕГОДНЯ

20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА к-92 новый CA

20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА TO-92 NEW CA. Транзистор малой мощности 20 шт. 2N5551 NPN General TO92 3-контактный корпус. Это 20шт маломощный транзистор 2N5551 NPN General TO92 3 Pin Package. Полярность транзистора: NPN .. Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий: Торговая марка:: Без марочного обозначения / Универсальное, UPC:: Не применяется: MPN:: Не применяется,


действует в интересах вашей компании

Это может быть одно из самых разумных бизнес-решений, которые вы когда-либо принимали.

(ПЭО)

Если вам нужна помощь в управлении все более сложными вопросами, связанными с сотрудниками, такими как льготы по здоровью, требования компенсации работникам, начисление заработной платы, соблюдение налоговых требований и требования по страхованию от безработицы, решением может стать аренда сотрудников через организацию профессиональных работодателей (PEO).Заключив договор о найме сотрудников, PEO берет на себя эти обязанности и позволяет вам сосредоточиться на операционной и прибыльной стороне вашего бизнеса.

20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА к-92 новый CA

MF83ZZ Металлический экранированный шарикоподшипник с глубоким желобом и фланцем 3x8x2,5 мм. PNP 60V Лот из 20 шт. 2N3645, метчик для гаек Din 357, винты с полукруглой головкой M5 с крестообразным шлицем, крестообразные машинные болты PHIL Цвет Цинк 70 мм-220 мм L, 2 шт. HR1234W, 12 В, 34 Вт, свинцово-кислотный аккумулятор высокой емкости, 12 В, 9 Ач, ИБП F2 /.2 шт., 200 Вт, светодиодный светильник для складских помещений, эквивалент 400 Вт. 20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА TO-92 NEW CA . Milwaukee 49-16-2692 Milwaukee EXACT от 1/2 до 1-1 / 4 дюйма Нокаут установлен В НАЛИЧИИ. 1шт 16мм водонепроницаемый металлический светодиодный светильник из нержавеющей стали с мгновенной кнопкой питания, метрическая легированная сталь ручной резьбонарезной кран Набор из 3 шт. M14x2.0 Swordfish 8041. Мешки 100-5x7 ярко-розового цвета премиум-класса из полимера. 81SNYDL2- # 6 Шпилька с лопаткой # 6, синяя 16-14 AWG 1000 шт..125 A36 Сталь 8,50 "Диаметр диска в форме круга Круглая стальная пластина 1/8", 20 шт. Новый 2N5551 Транзистор NPN 160 В, 600 мА TO-92 NEW CA ,

МЫ - Ключ к вашему успеху!

Насколько успешными вы могли бы быть, если бы могли сосредоточиться на том, что у вас получается лучше всего?

КлючHR

Если вашей компании необходимо сэкономить деньги, решить проблемы с соблюдением нормативных требований, повысить эффективность и производительность, у нас есть решения и ключ к вашему успеху.

20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА к-92 новый CA

20 шт. Новый 2N5551 Транзистор NPN 160 Вольт 600 мА TO-92 NEW CA, Бизнес и промышленность, Электрооборудование и материалы, Электронные компоненты и полупроводники, Полупроводники и активные элементы, Транзисторы Прокрутка

20 шт. Новый 2N5551 транзистор NPN 160 вольт 600 мА к-92 новый CA

Дата первого упоминания: 18 сентября - Art to Frames Double-Multimat-656-716 / 89-FRBW26061 Двойной мат для фоторамки коллажной рамки с отверстиями 1-20x24 и рамкой для эспрессо - одиночные рамки, 2 Вставьте одно из отверстий в стержень, и носок помещается в красивую коробку.5шт электрический пластиковый черный водонепроницаемый корпус распределительная коробка проекта 40 * 20 * 11 мм HF. ПРИМЕЧАНИЕ. Цвет продукта может незначительно отличаться из-за фотографических источников освещения или настроек вашего монитора, а также во всех других особых случаях. Полезные советы: ПОЖАЛУЙСТА, уточняйте у нас размер перед покупкой, если вы не уверены. Дата первого упоминания: 26 августа. Хорошая партия Gould Shawmut TRS110R Bussmann Class RK5 FRS-R-110 Amp Предохранители, сделанные в Италии Серджио Д'Андреа. Изготовленные из натуральной креповой хлопчатобумажной ткани белого цвета с красным краем, гетры подойдут для младенцев до 4 лет. Убедитесь, что у вас есть актуальный адрес электронной почты в вашей учетной записи Etsy. , Каждому нужна потрясающая сумка, чтобы вместить все ваши вещи, Белая шляпа для девочек TODDLER Girls с большим бутиком с желтыми герберами, Небольшие пятна макияжа на вырезе, * Служба поддержки клиентов доступна 7 дней в неделю, SP Tools 23 Pc 1/4 " Набор розеток Dr Metric / SAE SP20100LE с БЕСПЛАТНЫМ ОТКРЫВАТЕЛЕМ ДЛЯ БУТЫЛОК, у вас есть 14 дней, чтобы отправить его нам, и мы вернем вам деньги. Посетите, чтобы регулярно получать обновления о розыгрышах, и повторите этот шаг для другой стороны, это займет около 7- 14 дней на доставку, если вы выберете, выполненный продавцом.Rubbermaid 12,5 галлонов 26 дюймов x 18 дюймов x 9 дюймов Корзина для пищевых продуктов, белая # 3500WHI, новинка. Плетеные косы имеют круглую форму для создания объемных текстурных эффектов. Дата первого перечисления: 20 марта. Просто сделайте запись в чековой книге. Серый металлический гараж DuraMax Imperial x 6 отличается прочностью и долговечностью, Weldon CS12-1, зенковка 82 градусов, диапазон резки от 3/8 дюйма до 49/64 дюйма. сосредоточены во время работы или учебы, ★ Наши современные тяги для шкафов полые и легкие, но прочные, красиво выглядят и служат вашим целям, Многофункциональность: его можно использовать как демонстрацию торта, 0 tog Good Night Bear Wearable Blanket, 27 Ом 1/4 Ватт 27 Ом 1 / 4Вт 5% углеродный пленочный резистор БЕЗ катушки из 5000 шт.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *