Питание Mosfe (72T02GH) – Китай Mosfet, Mosfet
Главная Каталог Продукции Электричество и Электроника Электронная Труба и Транзистор
Найти похожие товары
Похожие товары
Загрузка…
Вам Наверное Нравиться
Загрузка…
Описание Товара
Информация о Компании
Адрес: N4C378, New Asia electronic market building, Futian District, Shenzhen, Guangdong, China
Тип Бизнеса: Производитель/Завод, Торговая Компания, Другие
Диапазон Бизнеса: Промышленное Оборудование и Компоненты, Свет и Освещение, Электричество и Электроника
Основные Товары: IGBT Module, RF Power Transistor, Ipm Module, Single/Three Phase Bridge, High Voltage Capacitor, High Power Mosfet, Epcos Surge Arrester, Resistor Transistor, Aluminum Electrolytic Capacitor, PTC Fuse
Введение Компании:
Шэньчжэнь Vole Technology Co.
, Ltd. является сбор разработки, производства и маркетинга комбайна вместе с полу-проводниковый специалистов компании. Мы можем предоставить широкий спектр возможностей в области научных исследований и производства, такие как все виды высокого напряжения конденсатор, диод, Транзистор, LED, оптопара, тиристоры / Диодный модуль, одиночный / три этапа контролируемых мост, ГТП, IGBT, IPM, Модуль PIM, DC-DC Converter силового модуля, ограничитель скачков напряжения и ис, Ect.
Наша компания создала идеальное качество системы управления и контроля, и большинство продуктов приобрели тестирование качества сертификации. В целях удовлетворения потребностей развивающихся рынков, мы также может привести к которой в соответствии с требованием.
Нашей главной торговой марки компонента ниже: AVX, КОМПАНИЯ MURATA, TDK, NEC, КЭК лтд, KEMET, NXP, ST, ROHM компания Yageo использует на, Fujitsu, Филип, компании SANYO, НАЦИОНАЛЬНЫЕ EPCOS, SIMONES, Toshiba, Максим, Даллас, Fairchild, решетке, HITACHI, EUPEC, INFINEON, MITSUBISHI и так далее!
Высокое качество, низкая цена, хорошее обслуживание и своевременное предложение, чтобы наши продукты имеют свободный рынок не только во внутреннем, но также и в более чем 20 зарубежных стран, такие как Соединенные Штаты, Канада, Германия, Австралия, Kindom, Корея, Российской Федерации, Индии и т.
нашей компании направлена на удовлетворение ваших потребностей, питания высокого качества и недорогих товаров. Мы рады обслужить вас в любое время. Мы искренне надеемся сотрудничать со всеми клиентами в будущем, давайте вместе развивать и поощрять в светлое будущее.
Once receive your question, the supplier will answer you as soon as possible.
Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику
Горячие Поиски
Больше
Подели…
Связанные Категории
72T02GH APEC Дискретные полупроводниковые приборы
AP72T02GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic G S D N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 25V 9mΩ 62A Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP72T02GJ) are available for low-profile applications. GD S TO-252(H) G D S TO-251(J) Absolute Maximum Ratings Symbol VDS VGS ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ IDM PD@TC=25℃ EAS IAR TSTG TJ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 1 Rating 25 ± 20 62 44 190 60 0.4 3 Units V V A A A W W/℃ mJ A ℃ ℃ Total Power Dissipation Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Storage Temperature Range Operating Junction Temperature Range 29 24 -55 to 175 -55 to 175 Thermal Data Symbol Rthj-c Rthj-a Rthj-a . Maximum Thermal Resistance, Junction-case Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount) 4 Value 2.5 62.5 110 Units ℃/W ℃/W ℃/W Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient Data and specifications subject to change without notice 1 200807177 AP72T02GH/J Electrical Characteristics@Tj=25oC(unless otherwise specified) Symbol BVDSS ΔBVDSS/ΔTj Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Static Drain-Source On-Resistance2 Test Conditions VGS=0V, ID=250uA Min.
25 1 – Typ. 0.02 8 11 42 13 2.7 9 8 80 22 6 930 250 180 1.1 Max. Units 9 15 3 1 25 ±100 21 1490 1.7 V V/℃ mΩ mΩ V S uA uA nA nC nC nC ns ns ns ns pF pF pF Ω Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, ID=1mA RDS(ON) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf Ciss Coss Crss Rg VGS=10V, ID=30A VGS=4.5V, ID=15A VDS=VGS, ID=250uA VDS=10V, ID=30A VDS=25V, VGS=0V Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-Source Leakage Current Drain-Source Leakage Current (T j=175 C) o VDS=20V ,VGS=0V VGS= ±20V ID=30A VDS=20V VGS=4.5V VDS=15V ID=30A RG=3.3Ω,VGS=10V RD=0.5Ω VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz f=1.0MHz Gate-Source Leakage Total Gate Charge 2 Gate-Source Charge Gate-Drain (“Miller”) Charge Turn-on Delay Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Gate Resistance 2 Source-Drain Diode Symbol VSD trr Qrr Parameter Forward On Voltage 2 2 Test Conditions IS=30A, VGS=0V IS=15A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs Min. – Typ.
26 15 Max. Units 1.3 V ns nC Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Notes: 1.Pulse width limited by max. junction temperature. 2.Pulse test 3.Starting Tj=25oC , VDD=25V , L=0.1mH , RG=25Ω ,
AP72T02GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Drive Requirement ▼ Low On-resistance ▼ Fast Switching Characteristic G S D N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 25V 9mΩ 62A Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP72T02GJ) are available for low-profile applications. GD S TO-252(H) G D S TO-251(J) Absolute Maximum Ratings Symbol VDS VGS ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ IDM PD@TC=25℃ EAS IAR TSTG TJ Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 1 Rating 25 ± 20 62 44 190 60 0.
4 3 Units V V A A A W W/℃ mJ A ℃ ℃ Total Power Dissipation Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Storage Temperature Range Operating Junction Temperature Range 29 24 -55 to 175 -55 to 175 Thermal Data Symbol Rthj-c Rthj-a Rthj-a . Maximum Thermal Resistance, Junction-case Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount) 4 Value 2.5 62.5 110 Units ℃/W ℃/W ℃/W Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient Data and specifications subject to change without notice 1 200807177 AP72T02GH/J Electrical Characteristics@Tj=25oC(unless otherwise specified) Symbol BVDSS ΔBVDSS/ΔTj Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Static Drain-Source On-Resistance2 Test Conditions VGS=0V, ID=250uA Min. 25 1 – Typ. 0.02 8 11 42 13 2.7 9 8 80 22 6 930 250 180 1.1 Max. Units 9 15 3 1 25 ±100 21 1490 1.7 V V/℃ mΩ mΩ V S uA uA nA nC nC nC ns ns ns ns pF pF pF Ω Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, ID=1mA RDS(ON) VGS(th) gfs IDSS IGSS Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf Ciss Coss Crss Rg VGS=10V, ID=30A VGS=4.
5V, ID=15A VDS=VGS, ID=250uA VDS=10V, ID=30A VDS=25V, VGS=0V Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-Source Leakage Current Drain-Source Leakage Current (T j=175 C) o VDS=20V ,VGS=0V VGS= ±20V ID=30A VDS=20V VGS=4.5V VDS=15V ID=30A RG=3.3Ω,VGS=10V RD=0.5Ω VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz f=1.0MHz Gate-Source Leakage Total Gate Charge 2 Gate-Source Charge Gate-Drain (“Miller”) Charge Turn-on Delay Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Gate Resistance 2 Source-Drain Diode Symbol VSD trr Qrr Parameter Forward On Voltage 2 2 Test Conditions IS=30A, VGS=0V IS=15A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs Min. – Typ. 26 15 Max. Units 1.3 V ns nC Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Notes: 1.Pulse width limited by max. junction temperature. 2.Pulse test 3.Starting Tj=25oC , VDD=25V , L=0.1mH , RG=25Ω ,
| Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
| 1M110Z | Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M120Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайваньский полупроводник | ПДФ |
| 1M130Z | Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M150Z | Тайвань Полупроводник | ПДФ | |
| 1M160Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M180Z | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1M200Z | Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4740A | Стеклянные пассивированные кремниевые стабилитроны | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4741A | Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4742A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4743A | Тайвань Полупроводник | ПДФ | |
| 1N4744A | Стеклянные пассивированные кремниевые диоды Зенера | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4745A | Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| 1N4746A | Стеклянные пассивированные кремниевые стабилитроны | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characterísticas de un componente (por ejemplo, un componente electronic) о подсистема ( por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |
DataSheet.es является веб-страницей, которая функционирует как репозиторий руководств или hoja de datos de muchos de los productos más Populares,
allowiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.72T02GH Транзисторы APEC – Veswin Electronics
Электронный компонент 72T02GH запущен в производство компанией APEC, входящей в состав Transistors. Каждое устройство доступно в небольшом корпусе TO-252 и рассчитано на расширенный диапазон температур от -40°C до 105°C (TA).
- Категории
- Транзисторы
- Производитель
- Advanced Power Electronics Corp.
- Номер детали Весвин
- В1070-72Т02ГХ
- Статус без содержания свинца / Статус RoHS
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Состояние
- Новое и оригинальное — заводская упаковка
- Наличие на складе
- Запасы на складе
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 02–07 мая (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA/CAD
- 72T02GH от SnapEDA
- Условия хранения
- Сухой шкаф и пакет защиты от влаги
Ищете 72T02GH? Добро пожаловать на Veswin.
com, наши специалисты по продажам готовы помочь вам. Вы можете узнать о наличии компонентов и ценах на 72T02GH,
просмотреть подробную информацию, включая производителя 72T02GH и таблицы данных. Вы можете купить или узнать о 72T02GH прямо здесь и прямо сейчас.
Veswin является дистрибьютором электронных компонентов для товарных, распространенных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Весвин поставляет промышленные,
Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, CEM-клиентов и ремонтных центров по всему миру. Мы поддерживаем большой склад электронных компонентов,
который может включать 72T02GH, готовый к отправке в тот же день или в кратчайшие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором 72T02GH с полным спектром услуг.
У нас есть возможность закупать и поставлять 72T02GH по всему миру, чтобы помочь вам с вашей цепочкой поставок электронных компонентов.
- Q: Как заказать 72T02GH?
- О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- В: Как оплатить 72T02GH?
- A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- В: Как долго я могу получить 72T02GH?
- О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте.
- В: 72T02GH Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- Вопрос: Техническая поддержка 72T02GH?
- A: Да, наш технический инженер по продуктам поможет вам с информацией о распиновке 72T02GH, примечаниями по применению, заменой, техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001. Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.
