Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I 1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, U |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
DataSheet PDF Search Site
| Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39. com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 1КСМБ100А | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ100КА | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ10А | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ10КА | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ110А | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ110КА | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфьюз | |
| 1КСМБ11А | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ11КА | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ120А | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе | |
| 1КСМБ120КА | Диод (подавление переходного напряжения) | Литтельфузе |
Файлы Sitemap
| Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
| 25L8006E | MX25L8006E | MXIC | ПДФ |
| 8050 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN | СЕМТЕХ | ПДФ |
| 8050С | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN | СЕМТЕХ | ПДФ |
| 8050D | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN | СЕМТЕХ | ПДФ |
| БИСС0001 | Детектор движения Micro Power PIR IC | И Т.  Д. | ПДФ |
| БИСС0001 | ПИР-КОНТРОЛЛЕР | Сильван Чип | ПДФ |
| БЗС84К10 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К11 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К12 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К13 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К15 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К16 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К18 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
| БЗС84К20 | Стабилитрон для поверхностного монтажа | Тайвань Полупроводник | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronic) о подсистема ( por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |
