АЛ307ЛМ.Светодиод оранжевый.
Выберите категорию:
Все
Диоды, диодные мосты импорт
Диоды, диодные мосты отечественные
» Диоды со склада
» Диодные мосты.
Тиристоры, симисторы, модули тиристорные
Стабилитроны
Вставки плавкие керамика
Вставки плавкие стекло
Конденсаторы
» Конденсаторы электролитические.
»» Конденсаторы электролитические 1 мкф
»» Конденсаторы электролитические 2,2 мкф
»» Конденсаторы электролитические 10 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 22 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 47 мкф
»» Конденсаторы электролитические 100 мкф
»» Конденсаторы электролитические 220 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 470 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 1000 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 2200 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 3300 мкФ
»» Конденсаторы электролитические 4700 мкф
»» Конденсатор электролитический 4,7 мкФ
» Конденсаторы пленочные
» Конденсаторы керамические
» Конденсаторы металлобумажные.
Пускатели магнитные.
»» Контакторы.Пускатели магнитные.Импортные
» Автоматические выключатели импортные
» Автоматические выключатели однополюсные
Транзисторы
» Транзисторы импортные
» Транзисторы отечественные
Микросхемы
» Микросхемы импортные
»» Микросхемы логические
»»» Микросхемы драйверов
»» Микроконтроллеры
»» Микросхемы аналоговые
»» Микросхемы памяти
»» Микросхемы приемопередатчиков
»» Микросхемы таймеров, микросхемы часов
»» Микросхемы стабилизаторов напряжения
»» Микросхемы АЦП .Микросхемы ЦАП
» Микросхемы отчественные
»» Микросхемы логические
»»» Микросхемы серии К561
»»» Микросхемы серии КР 1533
»»» Микросхемы серии ЭКР 1554
»» Микросхемы памяти
»» Микросхемы стабилизаторов напряжения
»» Микросхемы микроконтроллеров
»» Микросхемы таймеров, микросхемы часов
Материалы и оборудование для пайки и электромонтажа
Динамические головки, головки громкоговорителя
Микрофоны,звукоизлучатели
Оптоэлектроника импортная
» Оптопары
» Светодиоды видимого спектра
» Источники питания, драйверы светодиодов
Оптоэлектронные приборы отечественные
FINDER.
Производитель:
ВсеПроизводитель 1Производитель 10Производитель 11Производитель 12Производитель 13Производитель 14Производитель 15Производитель 16Производитель 17Производитель 18Производитель 19Производитель 2Производитель 20Производитель 21Производитель 22Производитель 23Производитель 24Производитель 25Производитель 26Производитель 27Производитель 28Производитель 29Производитель 3Производитель 30Производитель 31Производитель 32Производитель 33Производитель 34Производитель 35Производитель 36Производитель 37Производитель 38Производитель 39Производитель 4Производитель 40Производитель 41Производитель 42Производитель 5Производитель 6Производитель 7Производитель 8Производитель 9
Скидка 20% при покупке от:
Вседанет
Результатов на странице:
5203550658095
Светодиод АЛ307БМ.
Низкие цены. На складе в наличии.Краткое техническое описание на
светодиод АЛ307БМАЛ307БМ
Диоды АЛ307БМ светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные, красного цвета свечения.
Предназначены для визуальной индикации в оборудовании общего назначения.
Изготовляются на основе соединений галлий — алюминий — мышьяк АЛ307АМ, АЛ307БМ и фосфида галлия АЛ307ВМ, АЛ307ГМ, АЛ307ДМ, АЛ307ЕМ, АЛ307ИМ, АЛ307ЛМ.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами.
Маркировка светодиодов приводится на групповой таре.
Масса диода не более 0,35 г.
Тип корпуса: КИ2-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Технические условия: аА0.336.076ТУ/04.
Гарантийный срок сохраняемости — 12 лет.
Импортный аналог: HLMP1600.
Основные технические параметры светодиода АЛ307БМ:
• Цвет излучения (свечения): красный;
• Сила света: не менее 0,9 кд/м2;
• Постоянное прямое напряжение: не более 2 В;
• Максимум спектрального распределения: 0,665 мкм;
• Максимально допустимый постоянный прямой ток: 20 мА;
• Максимальный импульсный ток при заданной длительности импульса: 100 мА;
• Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 2 В;
• Максимально допустимое импульсное обратное постоянное напряжение: 2 В.
Если вас интересует более подробная техническая информация о светодиоде АЛ307БМ обращайтесь в отдел продаж. Наши менеджеры предоставлят вам квалифицированную техническую консультацию.
Гарантия
На всю продукцию распостраняется гарантия от 1 до 8 лет, в зависимости от типа устройства.
После подтверждения заказа товар достается со склада, перепроверяется и, при необходимости, калибруется в лаборатории, комплектуется ЗИПом и технической документацией, надежно упаковывается.
Упаковка светодиода АЛ307БМ может состоять из заводской или транспортной коробки. По запросу поставляем в деревянных ящиках.
Для большей надежности также используем пенопласт, пупырчатый полиэтилен, гофрокартон, гидроизоляционную пленку. Для габаритных поставкок возможна транспортировка на паллетах.
Доставка светодиода АЛ307БМ
По умолчанию доставка осуществляется транспортой компанией «Новая Почта».
Также для вашего удобства мы предоставляем на выбор другие варианты доставки: SAT, Gunsel, Автолюкс, Укрпошта.
Возможна курерская доставка по указанному вами адресу транспортной компанией.
Укажите желаемый способ при общении с менеджером. Если по каким-либо причинам Вы не можете воспользоваться ни одним из предложенных способов, то мы попытаемся найти подходящий вариант.
Также вас может заинтересовать:
Дополнительная информация
Категории товара : оптоэлектронные приборы, индикаторы, количество просмотров товара: 147. Рейтинг товара Светодиод АЛ307БМ: 4. Приведенные данные актуальны на: 16-02-2023. Подробную информацию о наличии и характеристиках товара уточняйте в отделе продаж.
AL307GM – Светодиоды, индикаторы | Российская электронная компания
Главная / Продукты / Светодиоды, индикаторы / АЛ307ГМ
Светодиоды, Индикаторы
Диоды АЛ307ГМ светоизлучающие, с рассеянным излучением, эпитаксиальные.
Производство диодов
основано на соединениях галлия – алюминия – мышьяка АЛ307АМ, АЛ307БМ и фосфиде галлия АЛ307ВМ, АЛ307ГМ, АЛ307ДМ, АЛ307ЭМ, АЛ307ИМ, АЛ307ЛМ.
Диоды выпускаются в пластиковом корпусе.
Максимальный вес диода 0,35 г.
Основные технические параметры диодов АЛ307ГМ:
• Цвет свечения: зеленый;
• Сила света: не менее 1,5 кд/м2;
• Постоянное постоянное напряжение: максимум 2 В;
• Максимальное спектральное распределение: 0,567 мкм;
• Максимальный постоянный постоянный ток: 22 мА;
• Максимальный импульсный ток при заданной длительности импульса: 60 мА;
• Максимальное обратное постоянное напряжение: 2,8 В;
• Максимальное импульсное обратное напряжение: 2,8 В.
Technical characteristics of light-emitting diodes
AL307AM, AL307BM, AL307VM, AL307GM, AL307DM, AL307EM, AL307ZHM, AL307KM, AL307LM, AL307MM, AL307NM, AL307PM, AL307RM, AL307TM:
Diode | Цвет излучения | Максимальные значения параметров диодов | Значения электрических и световых параметров | ТЭН | |||||||||||||
I. | I.dir.pMAX | Urev.MAX | Urev.p.MAX | IV | λMAX | Udir | |||||||||||
МА | MA | V | V | KD/M2 | MCM | V | MCM | V | 0003°C | ||||||||
AL 307АМ | Red | 20 | 100 | 2,0 | 2,0 | > 0,15 | 0,665 | 2,0 | -60…+70 | ||||||||
AL | |||||||||||||||||
AL | 0022 307БМ Red | 20 | 100 | 2,0 | 2,0 | >0,9 | 0,665 | 2 , 0 | -60…+70 | ||||||||
AL 307 VM | Green | 22 22 22 | Green | 22 22 22 22 22 22 22 22 | 000360 | 2,8 | 2,8 | >0,4 | 0,567 | 2,4 | -60…+70 | ||||||
AL3 07 GM | Green | 22 | 60 | 2,8 | 2,8 | >1,5 | 0,567 | 2,4 | -60…+70 | ||||||||
AL 307 DM | Желтый | 22 | 60 | 2,5 | 2,5 | > 0,4 | 1 | > 0,4 | 0002 0,590 | 2,4 | -60…+70 | ||||||
AL 307 EM | Yellow | 22 | 60 | 2,5 | 2,5 | > 1,5 | 0 590 | 2,4 | -60…+70 0003 | ||||||||
AL 307 ZHM | Yellow | 22 | 60 | 2,5 | 2,5 | >6 , 0 | 0,590 | 2,4 | -60…+70 | ||||||||
AL 307 | AL 307 | AL 307 | AL0022 KM | red | 20 | 100 | 2,0 | 2,0 | >2,0 | 0,665 | 2 , 0 | -60…+70 | |||||
AL 307 LM | RED | 22 22 22 | RED | 22 22 | 0003 | 100 | 2,0 | 2,0 | >6,0 | 0,665 | 2,0 | -60…+70 | |||||
AL 307 мм | Orange | 22 | 60 | 2,0 | 60 | 2,09003 | 60 | 2,09003 | 60 | 2,09003 | 60 | 9000 2 | . 2,0 | >6,0 | 0,610 | 2,4 | -60…+70 |
AL 307 NM | Green | 22 | 60 | 2,8 | 3 | > 6,0 | 0002 0,567 | 2,4 | -60…+70 | ||||||||
AL 307 PM | green | 22 | 60 | 2,0 | 2,0 | > 16,0 | 0 567 | 2,4 | -60…+70 0003 | ||||||||
AL 307 RM | orange | 22 | 60 | 2,0 | 2,0 | >1 , 5 | 0,610 | 2,4 | -60…+70 | ||||||||
AL 307 TM AL 307 TM 307 TM 307 TM AL0024 | orange | 22 | 60 | 2,0 | 2,0 | >0,4 | 0,610 | 2,4 | -60…+70 | ||||||||
dirMAX
0050 Компания «Русская электроника» Россия, Московская область, г.
Рязань, Соборная площадь, 2.
Тел: +7 (491) 227-61-51, Факс: +7 (491) 227-18-88
russian-electronics.com
Другие товары в категории Светодиоды, Индикаторы
ИНС-1
NA2-424-048
3L102G
3L107B
3L107B-01
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
Достижения
Наиболее значимые научно-технические результаты, полученные на кафедре:
На основе теоретического рассмотрения общей схемы рекомбинационных переходов в фотопроводниках, содержащих различные типы рекомбинационных центров и уровень захвата основных носителей, Комплекс методов совместного изучения фотопроводимости и рекомбинационной люминесценции на основе изучения их стационарных и преимущественно кинетических характеристик (В.
Е. Лашкарев, И.Б. Ермолович, А.В.Лубченко, М.К. Шейнкман, 1960-1968)
Впервые все параметры (такие как концентрация, энергетические положения в запрещенной зоне, сечение захвата электронов и дырок, энергия фотонов, необходимая для перехода электрона из валентной зоны в центры и из центров проводимости полоса , степень электрон-фононного взаимодействия) были идентифицированы для центров фоточувствительности . механизмы излучательной рекомбинации для важнейших A 2 B 6 (CdS, CdSe, CdSSe, ZnSe, ZnTe, CdTe, Zn), A 3 B 5 (GaAs), A 4 В 6 (GaSe, InSe) и других полупроводников были установлены (В. Лашкарев, И. Городецкий, И. Ермолович, Н. Корсунская, А. Лубченко, М. Шейнкман). Эти результаты послужили основой для разработки новых типов фотоприемников и преобразователей для широкого диапазона электромагнитного спектра. Эта работа была удостоена Государственной премии СССР в области науки и техники (М.
К. Шейнкман, 1984).
М.К. Шейнкман впервые рассмотрел новый тип взаимодействия центров (аналог Оже-взаимодействия). Предполагалось, что энергия, выделяющаяся при захвате носителя центром, передается носителю, находящемуся рядом с центром. Теоретически предложен и реализован новый механизм безызлучательной рекомбинации для объяснения явлений взаимодействия примесей в полупроводниках (В.И. Дякин, Е.А. Сальков, В.А. Хвостов, М.К. Шейнкман, Н.О. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская).
На основе теоретического рассмотрения (М.К. Шейнкман, 1972) впервые была предложена физическая модель гетерогенных систем , позволившая выделить большую группу явлений долговременного релаксационного тока (так называемой остаточной проводимости) в различные полупроводниковые материалы, требующие объяснения (И.В.Маркевич, В.А.Хвостов, М.К.Шейнкман, 1973).
На основе детального теоретического анализа (С.С.Остапенко) разработан комплекс поляризационных методов исследования спектров люминесценции и фототокового возбуждения , что позволило установить модель основных центров люминесценции в материалах А 2 Б 6 (С.
С.Остапенко, М.А.Танатар, М.К.Шейнкман).
Новый фундаментальный тип неравновесных процессов, т.е. процессы трансформации дефектов при освещении и рентгеновском облучении, а также при инжекции носителей, исследовал Н.О. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. Детальное исследование характера этих процессов (так называемых « фотохимическая реакция “) в полупроводниках A 2 B 6 выявлено несколько типов реакций. Установлены природа и механизмы этих процессов. Их важная роль в деградации оптоэлектронных устройств, например, фотоприемников на основе Были продемонстрированы полупроводники A 2 B 6 .
Экспериментальные и теоретические исследования электролюминесцентной деградации светодиодов на основе А 3 B 5 полупроводники (GaAs:Si, GaP:N) позволили предложить модель деградации и выявить типы и механизмы рекомбинационно-стимулированных реакций дефектов, вызывающих деградацию светодиодов (Т.
В.Торчинская).
процессы реконструкции и генерации дефектов под действием ультразвука и лазерного ИК излучения наблюдали С.С.Остапенко, Н.О.Корсунская, М.К.Шейнкман. В частности, было показано, что ультразвук значительно ускоряет водородную пассивацию центров поверхности в поликристаллическом кремнии (С.С.Остапенко).
Установлен механизм деградации активных элементов на основе кристаллов CdS лазеров с электронной накачкой . Порог поверхностного разрушения лазерных экранов зависит от технологии выращивания кристаллов CdS и определяется типом макродефектов, т.е. границ зерен, когда кристаллы выращены с избытком паров серы, и включения кадмийфазы для кристаллов, выращенных с избытком паров кадмия (Н. Пекар).
Теоретические и экспериментальные исследования электродиффузии дефектов показали, что использование внешнего электрического поля позволяет снизить температуру легирования, выявить локальные центры, образованные примесными атомами, ускорить и упростить определение параметров и изучить механизмы диффузии дефектов, а также реализовать этот метод очистки кристаллов от примесей.
Электродиффузионным методом исследовано влияние локальных центров, связанных с Cu и Ag в кристаллах CdS, ZnO и ZnS, на их фотоэлектрические и люминесцентные свойства. Показана роль примесных атомов в фотоиндуцированных реакциях дефектов в кристаллах CdS:Cu и CdS:Ag. Обнаружена анизотропия диффузии ионов Ag и Cu в кристаллах CdS в различных кристаллографических направлениях. Исследован эффект «аномального» дрейфа в кристаллах CdSe. Было показано, что «остаточными» донорами в ZnO являются Zn и подвижных междоузельных атомов и влияние их движения во внутренних и внешних электрических полях на экситонную и “примесную” люминесценцию (И.В. Маркевич, Н.О. Корсунская, Л.В. Борковская, Л.Ю. Хоменкова, В.И. Кушниренко).
Установлен механизм излучательных переходов, обусловленных центрами Ag Zn в керамике ZnO. Было продемонстрировано, что Ag Zn создает неглубокий уровень в запрещенной зоне ZnO, тогда как Li Zn , Na Zn , K Zn являются глубокими акцепторами, вызывающими люминесценцию в спектральном диапазоне 580-620 нм.
На основе теоретического анализа процессов дрейфа дефектов в электрическом поле показано, что процесс электродиффузионной очистки полупроводников можно значительно ускорить за счет деформационных эффектов. Последнее может иметь место даже для незаряженных дефектов (Н.И. Каширина, М.К. Шейнкман).
В 1983 году М.К. Шейнкман предложил альтернативное объяснение рекомбинационно-стимулированной диффузии дефектов в полупроводниках основано на диффузии дефектов в возбужденном состоянии.
Новый механизм изменения диффузионного барьера вакансионных центров в ионных кристаллах, связанный с захватом двух электронов в антисвязывающее состояние. Численное моделирование этого изменения в случае захвата одного или двух электронов в связывающем и антисвязывающем состояниях проведено для вакансионных центров (F- и F’-центров) в щелочно-галоидных кристаллах. (Н.И. Каширина, М.К. Шейнкман).
Низкоразмерные органические проводники с перспективными новыми механизмами сверхпроводимости при высоких критических температурах были исследованы в 1978-2001 гг.
Систематическое изучение электронных и колебательных спектров позволило объяснить важные сверхпроводящие свойства этого класса соединений (К.И. Походня, М.Е. Козлов). Способы регулирования и стабилизации сверхпроводимости соединений БЭДТ-ТТФ показали наиболее высокие значения критических температур, но страдали диэлектрическими фазовыми переходами (Ю.В. Сушко, М.А. Танатар, В.А. Бондаренко).
Исследование квантоворазмерных структур на основе материалов группы IV, соединений A 2 B 6 и A 3 B 5 началось в 1994 г. А именно, был исследован пористый Si, полученный химическим путем. и анодное травление, а также слои кремнезема и оксида алюминия с внедренными синанокристаллами, полученными методом магнетронного распыления, структуры с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе A 2 B 6 и A 3 B 5 полупроводников, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и системы с A 2 B 6 квантовые точки, полученные методами коллоидной химии.
Исследование структур с внедренными в оксидную матрицу нанокристаллами Si выявило вклад различных каналов излучательной рекомбинации (рекомбинация экситонов в нанокристаллах Si и рекомбинация через дефекты в оксидной матрице) в спектрах люминесценции этих объектов по сравнению с изготовлением условиях и послепроизводственной обработки, а также в процессе старения. В частности, сравнение структурных и люминесцентных характеристик Si-rich-SiO 2 и Si-rich-Al 2 O 3 показали, что образование нанокристаллов Si при отжиге происходит быстрее в слоях Si-rich-Al 2 O 3 , чем в слоях Si-rich-SiO 2 фильмов. В то же время спектр люминесценции слоев Si-rich-SiO 2 определяется в основном рекомбинацией экситонов в нанокристаллах Si, тогда как излучение материалов Si-rich-Al 2 O 3 определяется преимущественно носителями ‘ рекомбинация через радиационные дефекты на границе раздела Si/Al 2 O 3 или оксидная матрица (Н.
О. Корсунская, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Стара).
Идентифицированы полосы люминесценции катионных вакансий для эпитаксиальных гетероструктур с квантовыми точками CdSe/ZnSe . Показано, что в процессе роста образуются вакансии, препятствующие самоорганизации крупных квантовых точек и вызывающие быстрое растворение точек до отжига за счет стимуляции латеральной диффузии (Л.В.Борковская, Н.О.Корсунская).
Впервые проведено аналитическое решение системы уравнений модели независимого захвата носителей в квантовых точках в соединениях A 2 B 6 и экспериментально подтверждено, что эта модель хорошо описывает процесс термического тушения люминесценция в эпитаксиальных структурах с квантовыми точками CdSe/ZnSe. В то же время показано, что термическое тушение фотолюминесценции структур InAs/InGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs в асимметричной квантовой яме InGaAs описывается моделью двухстадийного теплового излучения экситонов из квантовой точки в квантовую яму.
ямы и от квантовой ямы до барьера GaAs (Л.В. Борковская, Н.О. Корсунская).
Разработаны механизмы спектрального сдвига максимума полосы люминесценции коллоидных квантовых точек (тип ядро/оболочка CdSe/ZnS), сопряженных с биомолекулами. Этот эффект было предложено использовать для определения наличия иммунокомплексов и позволяет значительно повысить точность иммунофлуоресцентного анализа (Л.В.Борковская, Н.О.Корсунская, Л.В.Щербина). Новый механизм эффекта фотостимулированного повышения эффективности люминесценции коллоидных квантовых точек CdSe при ультрафиолетовом облучении был предложен Н.О.Корсунской.
Найдена зависимость спектров фотолюминесценции коллоидных квантовых точек CdSe, внедренных в полимерную матрицу из желатина и поливинилового спирта, от условий синтеза. Обнаружена возможность низкотемпературного управления этим превращением при отжиге на воздухе. Показано, что изменение спектров люминесценции квантовых точек при отжиге зависит от характера физико-химических изменений в полимерной матрице на границе раздела квантовая точка/полимер.
Обнаружен эффект фотостимулированного усиления люминесцентного излучения квантовых точек CdSe, внедренных в матрицу из поливинилового спирта, под действием видимого излучения (Борковская Л.В., Корсунская Н.О.).
Разработки
Наиболее значимые научно-технические разработки:
Метод газофазного синтеза монокристаллов и ряда А 2 В 6 выращены монокристаллы с совершенной кристаллической структурой (CdS, CdSe, CdTe, ZnO) (Булах Б.М., Пекар Г.С., 1966-2003: Булах Б.М., А.С.135227, СССР, 01.06.60;А.С.209417, СССР, 08.07.66; Б.М. Булах, Г.С. Пекар, А.С. 1678972, СССР, 07.05.71 )
Способ повышения светочувствительности полупроводниковых соединений А 2 В 6 (Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, М.Д. Мойн, Е.А. Сальков, А.С. 982487, СССР, 1982). | ||
Способ изготовления омических контактов к полупроводникам (Н.Е. Корсунская, М.Д. Мойн, Е.А. Сальков, В.Д. Фурсенко, А.С.
7, СССР, 1982).
Способ изготовления конструкций «фотокондуктор – прозрачный контакт» (Корсунская Н.Е., Мойн М.Д., Шаблий И.Ю., А.С. 982486, СССР, 1982 г.).
Экспресс-метод контроля качества (прогнозирование надежности) фотоэлектрических устройств на основе А 2 B 6 полупроводники, испытание кристаллов на «фотохимические реакции» (Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман, И.В. Маркевич, А.С. 993174, СССР, 1983).
Способ изготовления фоточувствительных элементов (Н.Е. Корсунская, А. Байдулаева, И.Я. Городецкий, П.Е. Мозоль, А.С. 1091768, СССР, 1984).
Способ изготовления светочувствительных тонкопленочных гетеропереходов (Атдаев Б.
С., Булах Б.М., Горягдыев Г., Рахлин М.Я., Шейнкман М.К., А.С. 1356917, СССР, 08.01.87)
Способ получения твердых растворов монохалькогенидов металлов II группы твердофазным замещением (Булах Б.М., Друзь Б.Л., Евтухов Ю.Н., Сальков Е.А., А.С. 1637379, СССР, 13.04.89; Булах, Б.Л.Друзь, Ю.Н.Евтухов, А.В.Томсон, А.С.1637378, СССР, 13.04.89)
Способ совершенствования промышленной технологии гетероструктур AlGaAs/GaAs для применения в космических солнечных элементах. Результаты исследования двойных GaAlAs-структур использованы при изготовлении светодиодов АЛ307ЛМ (Светловодск, Украина) (Торчинская Т.В.).
Способ получения фоточувствительных монокристаллов CdS с низким содержанием протяженных дефектов (Н.Е.Корсунская, И.В.Маркевич, Г.С.Пекар, А.Ф.Сингаевский, 1992). Предложенный метод был применен для выращивания монокристаллов CdS с уникально высокой оптической прочностью, низкой плотностью дислокаций, включений и малоугловыми границами. Эти кристаллы использовались для изготовления экранов мощных лазеров с накачкой электронным пучком. Предложенная технология внедрена в НПО «Платан» (г. Фрязино, Россия), НИИ Материалов (г. Зеленоград, Россия) и ПИАС (г. Москва, Россия). Патент России № 183189.4 (Н.В. Климова, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Г.С. Пекар, А.Ф. Сингаевский (1992). |
| Способ низкотемпературного экспресс-легирования и очистки кристаллов А 2 В 6 (Маркевич И.В., Корсунская Н.О., Борковская Л.В., Хоменкова Л.Ю.). |
| Разработана технология изготовления слоев макро- и нанопористого кремния с управляемыми люминесцентными свойствами методом анодирования (Булах Б.М., 1991-1999). |
Бесконтактный и неразрушающий метод контроля пространственного распределения концентрации свободных носителей и компенсирующих примесей в коммерческих пластин и эпитаксиальных пленок SiC , основанных на сравнении пространственного распределения интенсивностей фото- и термостимулированной люминесценции (Н.
