Aon7403 datasheet: Hoja de datos ( Datasheet PDF ) de componentes electrónicos

AON7403 за 30.72 ₽ в наличии производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Купить Транзистор P-MOSFET полевой AON7403 производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR можно оптом и в розницу с доставкой по всей России, Казахстану, Республике Беларусь и Украине, а так же в другие страны Таможенного союза (Армения, Киргизия и др.).

Для того, чтобы купить данный товар по базовой цене в розницу, положите его в корзину и оформите заказ следуя детальной инструкции. Обращаем Ваше внимание, что в зависимости от увеличения объёма продукции перерасчёт розничной цены будет произведен автоматически. Оптовая цена на транзистор p-mosfet полевой -30в -18а AON7403 выставляется исключительно после отправки коммерческого запроса на e-mail: [email protected] или [email protected]

• Более подробная информация находится в разделе Оплата.

Мы работаем со всеми крупными транспортными компаниями и гарантируем оперативность и надежность каждой поставки независимо от региона присутствия заказчика. Данный товар так же поставляются с различных складов Европы, Китая и США. Возможные варианты поставки запрашивайте у специалистов компании SUPPLY24.ONLINE.

• Более подробная информация находится в разделе Доставка.

Гарантия предоставляется непосредственно заводом-изготовителем ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR . Гарантийный ремонт или замена оборудования осуществляется исключительно после проведения экспертизы и установления факта гарантийного случая.

• Более подробная информация находится в разделах Гарантия и Условия Гарантийных Обязательств.

Транзисторы с каналом P SMD практически всех известных мировых брендов представлены нашей компанией. В случае если интересующий Вас товар не был найден на нашем сайте, обратитесь в службу технической поддержки или обслуживающему Вас менеджеру и наши инженеры подберут аналоги для Вашего оборудования. Таким образом, возможно снизить затраты до 20% на обслуживание оборудования и оптимизировать Ваши расходы.

Компания SUPPLY24.ONLINE берёт на себя полную ответственность за правильность подбора аналога. Наша компания предлагает только разумный подход, если по ряду критериев запрашиваемый товар не подразумевает замену на аналог, мы не предлагаем замену.
Стратегическая цель нашей компании помочь Вам подобрать оборудование и товар с оптимальными характеристиками, и разобраться в огромном количестве товарных позиций и предложений.

---

Внимание!

• Характеристики,внешний вид и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
• Изображение продукции дано в качестве иллюстрации для ознакомления и может быть изменено без уведомления.
• Точную спецификацию смотрите во вкладке “Характеристики” .
• При необходимости установки программного обеспечения и использования аксессуаров сторонних производителей, просьба проверить их совместимость с устройством, детально изучив документацию на сайте производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
• Запрещается нарушение заводских настроек и регулировок без привлечения специалистов сертифицированных сервисных центров.

Характеристики

Производитель

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Корпус

DFN3x3 EP

Монтаж

Тип транзистора

P-MOSFET

Полярность

полевой

Напряжение сток-исток

Напряжение затвор-исток

Сопротивление в открытом состоянии

Вид канала

обогащенный

Ток стока

Заряд затвора

Рассеиваемая мощность

ДОСТАВКА ПО РОССИИ

Доставка осуществляется в течении 2-3 дней с момента зачисления средств на р/с компании при наличии товара на складе в РФ. В отдельных случаях, при большой удаленности Вашего региона, срок доставки может быть увеличен.

• Полный перечень городов, в которые осуществляется доставка, смотрите ниже.

ДОСТАВКА В СТРАНЫ ТАМОЖЕННОГО СОЮЗА

Доставка осуществляется в течении 3-5 дней с момента зачисления средств на р/с компании в следующие страны.

• Казахстан
• Армения
• Беларусь
• Киргизия

Обращаем Ваше внимание на то, что сроки доставки товаров напрямую зависят от наличия товара на Российском складе компании.

В случае, если выбранные товарные позиции находятся на одном из внешних складов Европы или США, то срок доставки товара может составлять до 3-4 недель. Для избежания недоразумений, рекомендуем уточнить актуальные сроки поставки в отделе логистики или у менеджера компании.

В данном случае, как правило, 90% заказов доставляются заказчикам в течении первых 2 недель.

Если какая-либо часть товара из Вашего заказа отсутствует на складе, мы отгрузим все имеющиеся в наличии товары, а после поступления с внешнего склада оставшейся части заказа отправим Вам её за счёт нашей компании.

ОФИСЫ ВЫДАЧИ ТОВАРА:

Доставка до ТК осуществляется бесплатно

CКЛАДЫ

AON7403 Лист данных. Www.s manuals.com. R4 АО

Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD 74, 7403, 7408, 7410, 74с. Даташиты AON7403L, AON7408, AON7410, BAS70-04, DTA114WE, DTA114WKA, DTA114WUA, Si7403DN.

AON7403

30V

P-Channel MOSFET

Общее описание Краткое описание продукта

ID (при VGS=-10V) -29A

RDS(ON) (при VGS=-100VDS) ) (при VGS=-5 В) < 36 мВт

100 % Испытано UIS

Символ

TJ, TSTG

Символ

T ≤ 10S

Устойчивый

Стациональный состояние

Термические характеристики

Параметр

Максимум-соединение-ямп. Напряжение затвор-исток

Максимальное расстояние переход-вывод

В AON7403 используется усовершенствованная траншейная технология, обеспечивающая

отличное RDS(ON) и сверхнизкий заряд затвора

при номинальном напряжении затвора 25 В. Это устройство подходит для использования в качестве

переключатель нагрузки или в приложениях PWM.

Максимум

Параметр

Абсолютные максимальные рейтинги TA = 25 ° C, если не указано иное

Максимальный соединение к ямке A D

TC = 100 ° C

Импульсный ток дренажа C

Непрерывный слив

Current

TC=25°C

TA=70°C

Непрерывный слив

Ток

TA=25°C

Рассеиваемая мощность B

TC=25°C

2 TC=

Avalanche Curance C

Диапазон температуры соединения и хранения

-55 до 150

Диссипация мощности A

TA = 25 ° C

Пецитиватная энергия лавины L = 0,1mh C

TA = 70 ° C

DFN C

TA = 70 ° C

DFN DFN C

TA = 70 ° C

DFN D = 0,1 мх C

TA = 70 ° C

DFN D = 0,1 мх C

TA = 70 ° C

DFN D = 0,1 мх C

TA = 70 ° C

DFN. 3x3_EP

Вверху вид внизу

PIN 1

Верхний вид

S

S

S

G

D

D

D

D

Rev.4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 1 из 5

Обозначение Мин. Тип. Макс. Единицы измерения

BVDSS -30 В

VDS=-30 В, VGS=0 В -1

TJ=55°C -5

IGSS 100 нА -2,2 -3 В

ID(ON) -80 A

TJ=125°C 20 25

gFS 20 S

VSD -0,7 -1 В

IS-22 A

90 3 90 30 p 0 90 20 p 0 1 1 0 0 0 2 Ciss 4 Coss 240 пФ

Crss 155 пФ

Rg5.8 8 Вт

Qg(10V) 18 24 нКл

Qgs 5,5 нКл

Qgd 3,3 нКл

TD (ON) 8,7 NS

TR8,5 NS

TD (OFF) 18 NS

TRR 12 16 NS

QRR 26 NC

Этот продукт был разработан и квалифицирован на рынок потребителей. ПРИМЕНЕНИЕ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В КАЧЕСТВЕ КРИТИЧЕСКИХ

КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ НЕ РАЗРЕШЕНО. AOS НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ

В РЕЗУЛЬТАТЕ ТАКИХ ПРИЛОЖЕНИЙ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СВОИХ ПРОДУКТОВ. AOS ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО СОВЕРШЕНСТВОВАТЬ КОНСТРУКЦИЮ ПРОДУКТА,

ФУНКЦИИ И НАДЕЖНОСТЬ БЕЗ УВЕДОМЛЕНИЯ.

Диод диод диод обратный заряд восстановления

if = -8a, di/dt = 500a/ms

Максимальный диод тела непрерывный ток

Входная емкость

Выходные емкости

Время задержки

Динамические параметры

поворот. -Время нарастания при включении

Время задержки при выключении

VGS=-10 В, VDS=-15 В, RL=1,8 Вт,

RGEN=3 Вт

Прямое сопротивление

Сопротивление затвора

VGS=0 В, VDS=0 В, VDS=0 В, VDS=0 В, VDS=0 В, VDS=0 В f=1 МГц

Время спада выключения

Полная зарядка затвора

VGS=-10В, VDS=-15В, ID=-8A

Зарядка источника затвора

Зарядка стока затвора

Электрические характеристики (TJ=25°C, если не указано иное)

СТАТИЧЕСКИЕ 9 ПАРАМЕТРЫ

Параметр

Условия

Напряжение пробоя сток-исток

Ток стока в состоянии

ID=-250 мА, VGS=0 В

VGS=-10 В, VDS=-5 В

, ID=-8

Емкость обратной передачи

IS=-1A,VGS=0V

VDS=-5V, ID=-8A

VGS=-5V, ID=-5A

Прямое напряжение диода

IF=-8A, dI/dt=500A/мс

VGS=0В, VDS=-15В, f=1МГц

ПАРАМЕТРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

VDS=0В, VGS= ±25В

VDS=VGS ID=-250 мА

RDS(ON)

Статическое сопротивление сток-источник во включенном состоянии

A. Значение RqJA измеряется устройством, установленным на плате 1in2 FR-4 с 2 унциями. Медь, в условиях неподвижного воздуха при ТА =25°С.

Рассеиваемая мощность PDSM основана на значении R qJA t ≤ 10 с и максимально допустимой температуре перехода 150°C. Значение в любом заданном приложении

зависит от конкретной конструкции платы пользователя, и может использоваться максимальная температура 150°C, если это позволяет печатная плата.

B. Мощность рассеяния PD основана на TJ(MAX)=150°C с использованием теплового сопротивления переход-корпус и более полезна при установке верхнего предела рассеивания

для случаев, когда используется дополнительный радиатор.

C. Повторяющийся номинал, ширина импульса ограничена температурой перехода TJ(MAX)=150°C. Номинальные значения основаны на низкой частоте и рабочих циклах, чтобы поддерживать начальную

TJ =25°C.

D. RqJA представляет собой сумму теплового сопротивления от перехода к корпусу RqJC и от корпуса к окружающей среде.

E. Статические характеристики на рисунках с 1 по 6 получены с использованием импульсов <300 мс, рабочий цикл макс. 0,5%.

F. Эти кривые основаны на тепловом импедансе переход-корпус, измеренном с устройством, установленным на большом радиаторе, в предположении, что

максимальная температура перехода TJ(MAX)=150°C. Кривая SOA обеспечивает рейтинг одного импульса.

G. Максимальный номинальный ток ограничен комплектом.

H. Эти тесты проводятся с устройством, установленным на плате FR-4 размером 1 дюйм2 с 2 унциями. Медь, в условиях неподвижного воздуха при TA=25°C.

Ред. 4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com 2 из 50003

18

40

20

40

60

80

1 2 3 4 5 6

-ID (A)

-VGS (Вольты)

Рисунок 2: Переводя

10

15

20

25

30

35

40

0 5 10 15 20

RDS (ON) (MW)

-ID (A)

Рис. Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от тока стока и напряжения затвора

(Примечание E)

1,0E-03

1,0E-02

1,0E-01

1,0E+00

1,0E+01

0,0 0,2 0,4 0,8 1,0 1,2

-IS (A)

-VSD (Volts)

Рисунок 6: Характеристики диода тела (примечание E)

0,8

1

1,2

1,4

1,6

0 25 50 75 100 125 150 175

Нормализованная на резистентности

ТЕМПРЕГА (°C)

Рисунок 4: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от температуры перехода

(Примечание E)

VGS = -5 В

ID = -5A

VGS = -10 В

ID = -8a

10

20

30

40

50

9000 2 4602 8 10

RDS(ON) (мВт)

-VGS (В)

VGS=-10В

ID=-8A

20

40

60

80

0 1 2 3 4 5

-ID (A)

-VDS (В)

Рис. 1: Характеристики для региона (Примечание E)

VGS=-4V

Rev.4.0: Ноябрь. 2013 www.aosmd.com Page 3 из 5

Типичные электрические и тепловые характеристики

2

4

6

8

10

0 5 10 15 20 0003

-VGS (Volts)

QG (QG ( nC)

Рисунок 7: Характеристики заряда затвора

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

0 5 10 15 20 25 30

. Действие (PF)

-VDS (Volts)

Рисунок 8: Параметр Capacitance

VDS (Volts)

Рисунок 8: CAPCATINCE = -15V

ID = -8a

1

10

100

1000

10000

0,00001 0,001 0,1 10 1000

Сила (W)

Width Puls Номинальная импульсная мощность от перехода к

Амбиент (примечание F)

TA = 25 °

0,0

0,1

1,0

10,0

100,0

1000,0

0,01 0,1 1 10 100.

-ID (AMPS)

-VDS 0,1 1 10 0003

-ID (AMPS)

-VDS). Вольт)

Рисунок 9: максимальная смещная сейф,

Работа (примечание F)

RDS (ON)

TJ (MAX) = 150 ° C

TA = 25 ° C

0,001

0,01

0,1

1

10

0,00001 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 1000

ZqJA Нормализованный переходный режим

Тепловое сопротивление

Длительность импульса (с)

.ZqJA.RqJA

В порядке убывания

D=0,5, 0,3, 0,1, 0,05, 0,02, 0,01, одиночный импульс

RqJA=60°C/Вт

Rev.4.0: Ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 4 из 5

VDC

Ig

Vds

DUT

VDC

Vgs

Vgs

Qg

Qgs Qgd

Charge

Gate Charge Test Circuit & Waveform

–

+

–

+

-10V

Vdd

VGS

ID

VGS

RG

DUT

VDC

VGS

VDS

ID

VGS

ОБЛАСТЬ0003

Vds

L

–

+

2

E = 1/2 LIAR

AR

BVDSS

IAR

Ig

Vgs –

+

VDC

DUT

L

VGS

ISD

Тестовая схема восстановления диода и формы волны

VDS –

VDS +

DI/DT

RM

RR

VDD

VDD

Q = -IDT

VDD

Q = -IDT

VDD

Q = -IDT

VDD

Q = -IDT

VDD

Q = -IDT.

VDD

QRR

VDD

VDD

rr0003

-ISD

-VDS

F

-I

-I

VDC

DUT VDD

VGS

VDS

VGS

RL

RG

VGS

RL

RG

VGS

RL

VGS

RL

VGS

RL.

–

+

VGS

VDS

TT

T

TT

T

90%

10%

R

на

D (OFF) F

D (OFF) F

D (OFF) F

D (OFF) F

D (OFF) F

D (OFF).0002 d(on)

Rev.4.0: Ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 5 из 5

www.s-manuals.com

AON7403 N7403 7403 QFN-8 P-Channel MOSFET

Главная / Товары / AON7403 N7403 7403 QFN-8 P-канальный МОП-транзистор

org/Offer”> ₱300.00

Совершенно новый 30-вольтовый P-канальный МОП-транзистор AON7403 QFN-8

В AON7403 используется передовая траншейная технология для обеспечения отличного RDS(ON) и сверхнизкого заряда затвора при номинальном напряжении затвора 25 В. Это устройство подходит для использования в качестве переключателя нагрузки или в ШИМ-приложениях.

• Rdson @ -10 В: 18 МОм
• Rdson @ -4,5 В: 36 МОм

Спецификация — http://aosmd.com/pdfs/datasheet/AON7403.pdf

---

Делиться:

Сопутствующие товары

+ Быстрый магазин

AON6414A N6414A 6414A 6414 N-канальный МОП-транзистор DFN5x6 ₱300. 00 ₱350.00

AON6414A N6414A 6414A 6414 N-канальный МОП-транзистор DFN5x6

₱300.00 ₱350.00

Совершенно новый 30-вольтовый N-канальный МОП-транзистор Описание В AON6414A используется передовая траншейная технология для обеспечения отличного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве переключателя на стороне высокого напряжения в…

Посмотреть полную информацию о продукте

---

+ Быстрый магазин

AO4413 4413 SOP-8 P-канальный МОП-транзистор ₱300.

00

AO4413 4413 SOP-8 P-канальный МОП-транзистор

₱300.00

В AO4413 используется усовершенствованная траншейная технология для обеспечения отличного RDS(ON) и сверхнизкого заряда затвора с номинальным напряжением затвора 25 В. Это устройство подходит для использования в качестве переключателя нагрузки…

Посмотреть полную информацию о продукте

---

+ Быстрый магазин

P0603BD 0603B 0603 ТО-252 ₱400.