10 шт., МОП диск AON7403 AO7403 7403|Интегральные схемы|
информация о продукте
Характеристики товара
- Название бренда: IVISENCHIP
- Происхождение: Китай
- Состояние: Новый
- Тип: Привод IC
- Номер модели: AON7403
- Применение: Компьютер
- Рабочая температура: International standard
- Напряжение электропитания: International standard
- Мощность рассеивания: International standard
- Упаковка: SMD
- Индивидуальное изготовление: Да
описание продукта
|
AON7403 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 29A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Package / Case: 8-PowerVDFN Supplier Device Package: 8-DFN (3×3) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 15V Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) |
под заказ 5000 шт срок поставки 7-22 дня (дней) |
AON7403 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 11A/29A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Supplier Device Package: 8-DFN (3×3) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA |
под заказ 5776 шт срок поставки 7-22 дня (дней) |
|
AON7403 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin DFN-A EP |
под заказ 1658 шт срок поставки 6-21 дня (дней) |
|
AON7403 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 29A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Дополнительная плата за катушку в размере $7) Package / Case: 8-PowerVDFN Supplier Device Package: 8-DFN (3×3) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA |
под заказ 7062 шт срок поставки 7-22 дня (дней) |
|
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России
- 1
Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.
- 2
После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.
- 3
Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.
!
Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.
Гарантии и возврат
Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.
Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.
- У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
- Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
- 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.
Поиск электронных компонентов и запчастей
Усилители
Аналоговые ИС
Зуммеры, динамики и микрофоны
Конденсаторы
Разъемы
Кристаллы
Платы и инструменты для разработки
Диоды
ИС драйвера
ИС встроенной периферии
Встроенные процессоры и контроллеры
Фильтры / Оптимизация EMI
Функциональные модули
Предохранители
Оборудование / Припои / Аксессуары / Аккумуляторы
Дроссели / Катушки / Трансформаторы
Инструменты / Инструменты
Интерфейсные ИС
IoT / коммуникационные модули
Логические ИС
Память
Двигатель
Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт
ИС управления питанием
Кнопочные переключатели и реле
RF и радио
Резисторы
Датчики
Транзисторы
Прочие
10 шт. / Лот AON7403 AO7403 7403 MOSFET QFN-8: Amazon.com: Industrial & Scientific
В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
- Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
- Профессиональные поставщики ИС, пожалуйста, не стесняйтесь покупать.
- Вы можете искать ключевые слова в нашем магазине. Я верю, что вы сможете найти нужный вам товар.
- Расчетное время доставки в США и Канаду: 6-24 дня (отслеживается), —– Мы обеспечиваем ускоренную доставку: 3-8 дней (без учета времени обработки). Если сумма заказа превышает 150 долларов США, мы будем использовать ускоренную доставку сервис бесплатно.
- Мы прилагаем все усилия, чтобы предоставить клиентам удовлетворительное обслуживание.любой вопрос, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.
Характеристики
| Фирменное наименование | ModuleFly |
|---|---|
| Ean | 6012396439245 |
| Номер детали | MF_ICz__10013 |
| Размер | 10 шт. |
| Код UNSPSC | 32111603 |
AON7403 – АЛЬФАОМЕГА | X-ON
AON7403 МОП-транзистор с каналом P 30 В Общее описание Краткое описание продукта V -30В AON7403 использует передовую траншейную технологию для DS обеспечивают отличный R и сверхнизкий заряд затвора DS (ON) I (при V = -10V) -29A D GS с номиналом ворот 25 В.Это устройство подходит для использования в качестве R (при V = -10 В) <18 мВт DS (ON) GS переключатель нагрузки или в приложениях PWM. R (при V = -5 В) <36 мВт DS (ON) GS 100% тестирование UIS DFN 3x3_EP D Вид сверху Вид снизу Вид сверху 1 8 S D 2 7 Д S 3 S 6 D 4 G 5 D грамм Контакт 1 S Абсолютные максимальные рейтинги T = 25C, если не указано иное А Параметр Обозначение Максимальное количество единиц Напряжение сток-исток В -30 В DS Напряжение затвор-исток В 25 В GS Т = 25С -29 C Непрерывный слив я D Ток T = 100C -18 A C C Импульсный ток утечки I -80 DM Т = 25С -11 А Непрерывный слив Я DSM Ток Т = 70С -8.5 А C Ток лавины I 24 A AR C Энергия повторяющейся лавины L = 0,1 мГн E 29 мДж AR Т = 25С 25 C P W D B Рассеиваемая мощность T = 100C 10 C Т = 25С 4,1 А P W DSM А Рассеиваемая мощность T = 70C 2,6 А Диапазон температур соединения и хранения T, T от -55 до 150 C J STG Тепловые характеристики Параметр Обозначение Тип Макс Единицы А т 10 с Максимальная температура соединения с окружающей средой 22 30 C / W р A D qJA Максимальное установившееся состояние между переходом и окружающей средой 47 60 С / Вт Максимальное установившееся состояние между переходом и выводом R 4,2 5 C / W qJC Rev.4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 1 из 5 Электрические характеристики (T = 25C, если не указано иное) J Обозначение Параметр Условия Мин Тип Макс Единицы СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ BV Напряжение пробоя сток-исток I = -250 мА, В = 0 В -30 В D GS DSS V = -30 В, V = 0 В -1 DS GS I Ток утечки напряжения нулевого затвора мА DSS Т = 55С -5 J V = 0 В, V = 25 В I Ток утечки затвора 100 нА GSS DS GS V Пороговое напряжение затвора V = V I = -250 мА -1,7 -2,2 -3 В GS (th) DS GS D I Ток стока во включенном состоянии V = -10V, V = -5V -80 A GS DS ДОН) V = -10 В, I = -8 А 14 18 GS D м Вт р Статическое сопротивление сток-исток во включенном состоянии T = 125C 20 25 DS (ВКЛ) J V = -5V, I = -5A 26 36 мВт GS D g Крутизна в прямом направлении V = -5V, I = -8A 20 S DS D FS I = -1А, V = 0В Прямое напряжение диода V -0.7 -1 В SD S GS I Максимальный длительный ток корпуса-диода -22 A S ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ C Входная емкость 1130 1400 пФ мкс C Выходная емкость V = 0 В, V = -15 В, f = 1 МГц 240 пФ GS DS осс C обратная передаточная емкость 155 пФ rss V = 0 В, V = 0 В, f = 1 МГц R Сопротивление затвора 5,8 8 Вт GS DS грамм ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ Q (10 В) Общая зарядка затвора 18 24 нКл грамм V = -10 В, V = -15 В, I = -8 А Заряд источника затвора Q 5.5 нКл GS GS DS D Q Gate Drain Charge 3,3 нКл б-г t Время задержки включения 8,7 нс Дон) t Время нарастания включения V = -10V, V = -15V, R = 1.8 Вт, 8,5 нс r GS DS L R = 3 Вт t Время задержки выключения GEN 18 нс D (выкл.) t Время спада при выключении 7 нс ж t I = -8A, dI / dt = 500A / мс rr Время обратного восстановления корпусного диода F 12 16 нс Q I = -8A, dI / dt = 500A / мс нКл rr Body Diode Reverse Recovery Charge F 26 2 A. Значение R измеряется с устройством, установленным на 1-дюймовой плате FR-4 с толщиной 2 унции. Медь в спокойной воздушной среде с Т = 25С. В qJA A Рассеиваемая мощность P основана на значении R t 10 с и максимально допустимой температуре перехода 150 C. Значение в любом заданном DSM qJA Применение зависит от конкретной конструкции платы пользователя, и может использоваться максимальная температура 150 C, если это позволяет печатная плата.B. Рассеиваемая мощность P основана на T = 150 ° C с использованием теплового сопротивления между переходом и корпусом и более полезна при установке верхнего значения. D J (МАКС.) предел рассеивания для случаев, когда используется дополнительный радиатор. C. Повторяемость, длительность импульса ограничена температурой перехода T = 150C. Номинальные характеристики основаны на низкой частоте и рабочих циклах, чтобы сохранить J (МАКС.) начальная Т = 25С. J D. R - это сумма теплового сопротивления от перехода к корпусу R и от корпуса к окружающей среде. qJA qJC E. Статические характеристики на рисунках с 1 по 6 получены при использовании импульсов <300 мс, скважности 0.5% макс. F. Эти кривые основаны на тепловом сопротивлении перехода к корпусу, которое измеряется с устройством, установленным на большом радиаторе, при условии, что максимальная температура перехода T = 150C. Кривая SOA дает оценку одиночного импульса. J (МАКС.) G. Максимальный номинальный ток ограничен пакетом. 2 H. Эти тесты проводятся с устройством, установленным на 1-дюймовой плате FR-4 с толщиной 2 унции. Медь в спокойной воздушной среде с Т = 25С. А ДАННЫЙ ПРОДУКТ РАЗРАБОТАН И КВАЛИФИЦИРОВАН ДЛЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКОГО РЫНКА.ПРИМЕНЕНИЕ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОСОБЕННОСТИ КОМПОНЕНТЫ УСТРОЙСТВ ИЛИ СИСТЕМ ПОДДЕРЖКИ ЖИЗНИ НЕ РАЗРЕШЕНЫ. AOS НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА ПРЕДЕЛАМИ ТАКОГО ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЕГО ПРОДУКТОВ. AOS ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО СОВЕРШЕНСТВОВАТЬ ДИЗАЙН ПРОДУКТА, ФУНКЦИИ И НАДЕЖНОСТЬ БЕЗ УВЕДОМЛЕНИЯ. Rev.4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 2 из 5
AON7403 8-DFN-EP (3×3) MOSFET P CH 30V 29A 8DFN
- Есть на складе?
Большинство продуктов, по которым указана цена, есть в наличии, если вы можете заказать напрямую, мы можем сделать доставку немедленно, если у нас есть конкретный товар на складе.Если товары не являются ценой, пожалуйста, свяжитесь с нами для подтверждения.
- Как разместить один заказ на несколько товаров?
Найдите нужные детали и нажмите «Добавить в корзину». Оформите заказ после добавления всех деталей. Будет взиматься единовременная плата за доставку.
- Как долго я могу получить заказ?
Заказ будет готов к отправке через 2 дня (для некоторых специальных деталей требуется 3-5 дней и более).Конкретное время доставки зависит от выбранного способа доставки. Стандартная доставка выполняется медленно, ускоренная доставка выполняется быстро.
- Сколько стоит доставка?
Стоимость доставки зависит от выбранного способа доставки.
- Есть ли скидка?
Цена может быть изменена в зависимости от вашего количества. Когда вы покупаете большое количество, сообщите нам, какое количество вы хотите. Мы предложим вам лучшую цену.
- Об упаковке посылки?
Мы уверены в своей продукции и очень хорошо ее упаковываем, поэтому обычно вы получаете свой заказ в хорошем состоянии. Но из-за долгой доставки внешняя упаковочная коробка может немного деформироваться. Любая проблема качества, мы немедленно решим ее.
- О плате за таможенное оформление?
Если заказ прибывает в страну назначения, пошлина за таможенное оформление импорта несет покупатель.Мы несем только плату за таможенное оформление наших экспортных товаров.
- О изображении продукта?
Изображение продукта только для справки.
AON7403 Лист данных. Www.s manuals.com. R4 Ao
Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD 74, 7403, 7408, 7410, 74s. Даташиты AON7403L, AON7408, AON7410, BAS70-04, DTA114WE, DTA114WKA, DTA114WUA, Si7403DN.
Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF.
Количество страниц: 7
AON7403 МОП-транзистор с каналом P 30 В Общее описание Краткое описание продукта AON7403 использует передовую траншейную технологию для обеспечивают отличный RDS (ON) и сверхнизкий заряд затвора с номиналом ворот 25 В.Это устройство подходит для использования в качестве переключатель нагрузки или в приложениях PWM. VDS ID (при VGS = -10V) -30В -29А RDS (ВКЛ) (при VGS = -10 В) Электрические характеристики (TJ = 25 ° C, если не указано иное) Символ Параметр СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ BVDSS Напряжение пробоя сток-исток Условия Мин. ID = -250 мА, VGS = 0 В -30 Тип -1 Ток утечки нулевого напряжения затвора IGSS ВГС (th) Ток утечки затвора VDS = 0 В, VGS = ± 25 В Пороговое напряжение затвора VDS = VGS ID = -250 мА -1,7 ID (ВКЛ) Ток стока во включенном состоянии VGS = -10 В, VDS = -5 В -80 TJ = 55 ° C VGS = -10V, ID = -8A -5 100 nA -3 V 14 18 20 25 36 А Статический сток-источник сопротивления VGS = -5V, ID = -5A 26 год gFS Прямая крутизна VDS = -5V, ID = -8A 20 VSD Прямое напряжение диода IS = -1A, VGS = 0 В -0.7 ЯВЛЯЕТСЯ Максимальный постоянный ток корпуса-диода ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Сисс Входная емкость Выходная емкость Crss Емкость обратного переноса Rg Сопротивление ворот 1130 VGS = 0 В, VDS = -15 В, f = 1 МГц мА -2,2 RDS (ВКЛ) TJ = 125 ° C Единицы измерения V VDS = -30 В, VGS = 0 В IDSS Coss Максимум мВт мВт S -1 V -22 А 1400 ПФ 240 ПФ 155 ПФ VGS = 0 В, VDS = 0 В, f = 1 МГц 5,8 8 W 18 24 nC VGS = -10 В, VDS = -15 В, ID = -8 А 5.5 nC ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ Qg (10 В) Общий заряд затвора Qgs Заряд источника затвора Qgd Плата за дренаж ворот 3.3 nC tD (вкл.) Время задержки включения 8,7 нс tr Время нарастания при включении 8,5 нс tD (выкл.) Время задержки выключения 18 нс tf trr Время отключения выключения 7 нс IF = -8A, dI / dt = 500A / мс 12 Qrr Заряд обратного восстановления основного диода IF = -8A, dI / dt = 500A / ms 26 год Время обратного восстановления корпусного диода VGS = -10 В, VDS = -15 В, RL = 1,8 Вт, RGEN = 3 Вт 16 нс nC A. Значение RqJA измеряется с устройством, установленным на плате 1in2 FR-4 с 2oz. Медь в неподвижном воздухе с TA = 25 ° C. В Рассеиваемая мощность PDSM основана на значении R qJA t ≤ 10 с и максимально допустимой температуре перехода 150 ° C.Ценность в любом данном Применение зависит от конкретной конструкции платы пользователя, и может использоваться максимальная температура 150 ° C, если это позволяет печатная плата. B. Рассеиваемая мощность PD основана на TJ (MAX) = 150 ° C, с использованием теплового сопротивления между переходом и корпусом, и более полезна при установке верхнего значения. предел рассеивания для случаев, когда используется дополнительный радиатор. C. Повторяемость, ширина импульса ограничена температурой перехода TJ (MAX) = 150 ° C. Номинальные характеристики основаны на низкой частоте и рабочих циклах, чтобы сохранить начальная TJ = 25 ° C.D. RqJA - это сумма теплового сопротивления от перехода к корпусу RqJC и от корпуса к окружающей среде. E. Статические характеристики на рисунках с 1 по 6 получены с использованием ТИПОВЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ТЕПЛОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК. 80 80 -10В VDS = -5 В -8В -6В 60 -ИДА) -ID (A) 60 40 40 -4,5 В 125 ° С 20 20 25 ° С ВГС = -4В 0 0 0 1 2 3 4 1 5 40 3 4 5 6 Нормализованное сопротивление в открытом состоянии 1.6 35 год ВГС = -5В RDS (ВКЛ) (мВт) 2 -VGS (Вольт) Рисунок 2: Передаточные характеристики (Примечание E) -VDS (Вольт) Рис.1: Характеристики области (Примечание E) 30 25 20 VGS = -10 В 15 10 VGS = -10 В ID = -8A 1.4 17 5 2 10 1.2 1 ВГС = -5В ID = -5A 0,8 0 5 10 15 20 -ID (A) Рисунок 3: Сопротивление во включенном состоянии в зависимости от тока утечки и затвора Напряжение (Примечание E) 0 25 50 75 100 125 150 175 Температура (° C) 0 Рисунок 4: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от соединения 18 Температура (Примечание E) 50 1.0E + 01 ID = -8A 1.0E + 00 40 125 ° -ЭТО) RDS (ВКЛ) (мВт) 40 30 1.0E-01 125 ° 25 ° 25 ° 1.0E-02 20 1.0E-03 10 2 4 6 8 10 -VGS (Вольт) Рисунок 5: Сопротивление в открытом состоянии в зависимости от напряжения затвор-исток (Примечание E) Rev.4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com 0,0 0,2 0.4 0,6 0,8 1.0 1.2 -VSD (Вольт) Рисунок 6: Характеристики корпуса-диода (Примечание E) Страница 3 из 5 ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 1600 10 VDS = -15 В ID = -8A 1400 Сисс 1200 Емкость (пФ) -VGS (Вольт) 8 6 4 1000 800 600 Coss 400 2 200 0 Crss 0 0 5 10 15 Qg (нКл) Рисунок 7: Характеристики заряда затвора 20 1000,0 0 5 10 15 20 25 -VDS (Вольт) Рисунок 8: Характеристики емкости 30 10000 TA = 25 ° 100,0 10 мс 100 мс 1 мс 1.0 ОКРУГ КОЛУМБИЯ ТДж (макс.) = 150 ° C TA = 25 ° C 0,1 0,0 0,01 100 мс 10 с 0.1 1 10 -VDS (Вольт) Рисунок 9: Сейф с максимальным смещением вперед Рабочая зона (Примечание F) 10 ZqJA Нормализованный переходный процесс Термическое сопротивление 10 мс 1 Мощность (Вт) -ID (Амперы) 1000 RDS (ВКЛ) 10.0 100 10 1 0,00001 100 0,001 0,1 10 1000 Ширина импульса (с) Рисунок 10: Номинальная мощность одиночного импульса между переходом и окружающей средой (Примечание F) D = тонна / т TJ, PK = TA + PDM.ZqJA.RqJA В порядке убывания D = 0,5, 0,3, 0,1, 0,05, 0,02, 0,01, одиночный импульс RqJA = 60 ° C / Вт 0,1 PD 0,01 Тонна Одиночный импульс 0,001 0,00001 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 Т 10 100 1000 Ширина импульса (с) Рисунок 11: Нормализованное максимальное переходное тепловое сопротивление (Примечание F) Ред.4.0: ноябрь. 2013 www.aosmd.com Страница 4 из 5 Схема проверки заряда затвора и форма волны VGS Qg -10В - - VDC + VDC Qgs VDS Qgd + DUT VGS Ig Заряжать Схема тестирования резистивного переключения и формы сигналов RL VDS toff тонна VGS - DUT VGS тд (на) td (выкл.) tr tf 90% Vdd VDC + Rg VGS 10% VDS Испытательная цепь и формы сигналов индуктивной коммутации без зажимов (UIS) 2 L EAR = 1/2 LIAR VDS VDS Идентификатор - VGS VGS VDC + Rg BVDSS Vdd Идентификатор Я AR DUT VGS VGS Схема тестирования восстановления диодов и формы сигналов Q rr = - Idt Vds + DUT VGS Vds Isd VGS Ig Ред.4.0: ноябрь. 2013 L -Isd + Vdd t rr dI / dt -I RM Vdd VDC - -ЕСЛИ -Vds www.aosmd.com Страница 5 из 5 www.s-manuals.com
Исходные данные Exif:
Тип файла: PDF Расширение типа файла: pdf Тип MIME: приложение / pdf Версия PDF: 1.5 Линеаризованный: Нет PDF с тегами: Нет XMP Toolkit: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, вс, 01 октября 2006 г., 17:14:39 Формат: заявка / pdf Создатель: Название: AON7403 - Datasheet.www.s-manuals.com. Тема: AON7403 - Лист данных. www.s-manuals.com. Дата создания: 2013: 11: 20 11: 11: 54 + 08: 00 Инструмент для создания: Microsoft® Office Excel® 2007 Дата изменения: 2016: 02: 21 19: 27: 30 + 02: 00 Дата метаданных: 2016: 02: 21 19: 27: 30 + 02: 00 Производитель: Microsoft® Office Excel® 2007 Идентификатор документа: uuid: 6a13a8ab-b5fb-4d77-80bf-751144b7f939 Идентификатор экземпляра: uuid: 3bfe41e1-d82e-4844-a139-0824e1e98cab Имеет XFA: Нет Количество страниц: 7 Язык: zh-CN Ключевые слова: AON7403, -, Лист данных., www.s-manuals.com. Предупреждение: [Незначительное] Игнорирование дублирующего информационного словаря.Метаданные EXIF, предоставленные EXIF.tools
AON7403, 0,16–0,44 долл. США, загрузка AON7403 DataSheet, принципиальная схема с SeekIC.com Серия
: –Тип транзистора: –
Ток – коллектор (Ic) (макс.): –
FET Функция: логический вентиль
Напряжение от стока к источнику (Vdss): 30 В Напряжение
– пробой коллектора-эмиттера (макс.): –
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic: –
Ток – отключение коллектора (макс.): –
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) Min) @ Ic, Vce: –
Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Частота – переход: –
Тип монтажа: поверхностный монтаж
Упаковка: Cut Tape (CT) Альтернативная упаковка
FET Тип: MOSFET P -Канал, оксид металла
Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400 пФ @ 15 В Мощность
– Макс .: 3.1 Вт
Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 29A
Упаковка / футляр: 8-VDFN Exposed Pad
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc
Комплект устройств поставщика: 8-DFN-EP (3×3)
Rds On ( Макс) при Id, Vgs: 18 мОм при 8A, 10V
Заряд затвора (Qg) при Vgs: 24nC при 15V
Характеристики:
V DS (V) = -30V
I D = -8A (V GS = -10V)
R DS (ON) <18 мОм (V GS = -10V)
R DS (ON) <36 мОм (V GS = -4.5 В)
Распиновка
Технические характеристики
Параметр | Символ | Максимум | Единицы | |
| Напряжение сток-исток | В DS | -30 | В | |
| Напряжение затвор-исток | В GS | ± 25 | В | |
| Постоянный ток утечки B, G | Т С = 25 | Я Д | -20 | А |
Т С = 100 | -20 | |||
| Импульсный ток утечки C | I DM | -80 | ||
| Постоянный ток утечки | Т А = 25 | I DSM | -8 | |
Т А = 70 | -6 | |||
| Рассеиваемая мощность B | Т С = 25 | П Д | 27 | Вт |
Т С = 100 | 11 | |||
| Рассеиваемая мощность A | Т А = 25 | П DSM | 1.6 | |
Т А = 70 | 1 | |||
| Диапазон температур соединения и хранения | Т Дж , Т СТГ | -55 до 150 | ||
Описание
AON7403 / L использует передовую траншейную технологию для обеспечения отличного R DS (ON) и сверхнизкого заряда затвора с номиналом затвора 25 В.Это устройство подходит для использования в качестве переключателя нагрузки или в приложениях PWM.
AON7403 и AON7403L электрически идентичны.
-RoHS-совместимый
-AON7403L не содержит галогенов
Магазин (20 шт.) 100% новый MOSFET AON7403 AO7403 7403 (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) Часто используемый чип в Интернете с лучших графических карт на международном сайте JD.com
Магазин (20 шт.) 100% новый МОП-транзистор AON7403 AO7403 7403 (металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор) Обычно используемый чип онлайн от Best Graphics Cards на JD.com Глобальный сайт – Joybuy.com한국어 사이트 로 이동 중
Перенаправляем вас на корейский сайт…
Извините, этот товар недоступен.
О продукте
СпецификацияУпаковка
- Вес в упаковке: 0,019 кг
- Вес нетто: 0.018 кг
- Размер упаковки: 10.0cm x 10.0cm x 10.0cm
- Комплектация: (20 штук) 100% новый MOSFET AON7403 AO7403 7403 (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) Обычно используемый чип
Есть вопросы?
Заявление об ограничении ответственности: хотя мы стараемся обеспечить точность информации о продукте, продавцы могут время от времени изменять информацию о продукте.Информация на этом сайте предназначена для справочных целей, и мы рекомендуем вам связаться с продавцом для получения дополнительной информации о продукте. Наши сотрудники службы поддержки клиентов готовы ответить на ваши вопросы с 9:00 до 18:00, с понедельника по пятницу.
Перейдите в Мои заказы -> Связаться с продавцом, чтобы ввести свой вопрос.
Отправить успешно!
Чтобы проверить ответ, перейдите в Моя учетная запись -> Центр сообщений -> Сообщение продавца
ОК
.