Транзисторы B772F, B772O, B772Y – параметры, маркировка, расположение выводов.
Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR
Транзисторы B772 – кремниевые, высокочастотные
усилительные, структуры – p-n-p.
Предназначены для применения в выходных
каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89.
Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 1,25 Вт
для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) – 12,5Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером – 50 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – 40в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126
(datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R – от 110 до 220.
У транзисторов B772O – от 200 до 450.
У транзисторов B772Y – от 420 до 800.
Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89
(datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R – от 60 до 120.
У транзисторов B772O – от 100 до 200.
У транзисторов B772Y – от 160 до 320
У транзисторов B772GR – от 200 до 400.
Максимальный постоянный ток коллектора – 3А, пульсирующий – 5А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А – не выше 0,5в.
Обратный ток коллектор – эмиттер при температуре окружающей среды
+25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в.
не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 0,1 мА.
На главную страницу
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.
772
B772S Datasheet (PDF)
1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd
Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.
05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77
1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update
2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限
1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A
1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
1.5. b772s.pdf Size:346K _secos
B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70
1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi
TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T
1.7. b772s.pdf Size:195K _lge
B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat
1.
8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc
Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………
1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek
Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B：Base
C：Collector
E：Emitter
E C B
Absolute
1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan
PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.
,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯
B772-Y Datasheet (PDF)
1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd
B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O
1.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant.
See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd
B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O
5.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant.
See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant.
See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci
5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin
DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05
1. Base
2. Collector
3. Emitte
B772S Datasheet (PDF)
1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd
Spec. No. : C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77
1.
2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update
2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限
1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A
1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
1.5. b772s.pdf Size:346K _secos
B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70
1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi
TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.
25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T
1.7. b772s.pdf Size:195K _lge
B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat
1.8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc
Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………
1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek
Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B：Base
C：Collector
E：Emitter
E C B
Absolute
1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan
PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯
2SB772L Datasheet (PDF)
1.
1. 2sb772l 3ca772l.pdf Size:280K _update
2SB772L(3CA772L) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of 3 watts audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay
driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE
极
1.2. 2sb772l.pdf Size:24K _utc
UTC 2SB772L PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772L is a medium power low voltage
transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC
converter and voltage regulator.
FEATURES
*High current output up to 3A
*Low saturation voltage
*Complement to 2SD882L
TO-92L
1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unl
1.3. 2sb772l.pdf Size:468K _blue-rocket-elect
2SB772L(BR3CA772L)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-92LM 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, h 高且线性好。
FE
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电
Биполярный транзистор B772S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: B772S
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
B772S
Datasheet (PDF)
1.1. btb772sa3.pdf Size:352K _upd
Spec. No.
: C817A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:2013.03.21
Page:1/6
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772SA3
Features
• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTD882SA3
• Pb-free lead plating and halogen-free package
Symbol Outline
BTB77
1.2. 2sb772s 3ca772s.pdf Size:256K _update
2SB772S(3CA772S) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于 3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换器和继电器驱/Purpose: Output
stage of 3 watts audio amplifier, regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降 V 小,线性极好,h 高/Features: Low saturation voltage, excellent h
FE
CE(sat) FE
linearity and high h .
FE
极限
1.3. b772ss.pdf Size:233K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
B772SS PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC B772SS is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to D882SS
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin A
1.4. 2sb772s.pdf Size:251K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,
designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
1.5. b772s.pdf Size:346K _secos
B772S
-3A , -40V
PNP Plastic-Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
Low speed switching.
G H
1Emitter
1
1
1
2Collector
2
2
2
J
3Base
3
3
3
CLASSIFICATION OF hFE
A D
Millimeter
Product-Rank B772S-R B772S-O B772S-Y B772S-GR
REF.
B
Min. Max.
A 4.40 4.70
1.6. tsb772sct.pdf Size:78K _taiwansemi
TSB772S
Low Vcesat PNP Transistor
TO-92
Pin Definition:
PRODUCT SUMMARY
1. Emitter
BVCBO -50V
2. Collector
3. Base
BVCEO -30V
IC -3A
VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSD882S
TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk
Structure
T
1.7. b772s.pdf Size:195K _lge
B772S
Transistor(PNP)
TO-92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3 BASE
Features
Low speed switching
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
Dimensions in inches and (millimeters)
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipat
1.
8. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc
Spec. No. : HE6549
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2004.08.13
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSB772S
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………
1.9. btb772st3.pdf Size:221K _cystek
Spec. No. : C809T3
Issued Date : 2008.08.01
CYStech Electronics Corp.
Revised Date:
Page:1/5
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor
BTB772ST3
Features
• Low VCE(sat), typically -0.45 V at IC / IB = -2A / -0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Pb-free package
Symbol Outline
BTB772ST3 TO-126
B：Base
C：Collector
E：Emitter
E C B
Absolute
1.10. hb772s.pdf Size:27K _shantou-huashan
PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.
,Ltd. P
HB772S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
TO-92
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
B772M Datasheet (PDF)
1.1. b772m.pdf Size:643K _upd
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors
TO-252-2L
B772M TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
1. BASE
Low Speed Switching
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
1.
2. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _update
2SB772M(3CG772M) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver.
特点:饱和压降小, h 高且线性好/Features: Low saturation voltage, excellent h linearity
FE
FE
and high h .
FE
极限参数/Absolut
1.3. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect
2SB772M(BR3CG772M)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降小, hFE 高且线性好。
Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE.
用途 / Applications
用于音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动。
B772P Datasheet (PDF)
1.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi
R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.
,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．
1.2. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi
R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2．
2．
2．FEATURES
2
1.3. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi
R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．
B722 Datasheet (PDF)
1.
1. b722.pdf Size:207K _upd
B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features
Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-E
1.2. ksb722.pdf Size:93K _upd
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
PNP Transistor KSB772 datasheet
www.semicon-data.de
1.3. 2sb722.pdf Size:206K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors 2SB722
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -160V(Min)
(BR)CEO
·High Power Dissipation-
: P = 150W(Max)@T =25℃
C C
·High Current Capability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMB
1.4. b722 to-126.pdf Size:206K _lge
B772(PNP)
TO-126 Transistor
TO-126
1. EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
3
2
1
Features
Low speed switching
2.500
7.400
2.900
1.100
7.800 Dimensions in inches and (millimeters)
1.500
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
3.900
3.000
4.100
Symbol Parameter Value Units
3.200
10.600
0.000
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
11.000
0.300
VCEO Collector-Emitte
B772PC Datasheet (PDF)
1.1. b772pc.pdf Size:114K _jdsemi
R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2．
2．
2．FEATURES
2
1.2. b772pc 2.pdf Size:114K _jdsemi
R
B772PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．
5.1. b772p.pdf Size:116K _jdsemi
R
B772P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si PNP
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．
2SD772 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd772.pdf Size:208K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min.)
CEO(SUS)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 1.6V(Max.) @I = 5A
CE(sat) C
·High Speed Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
1.2. 2sd772 2sd772a 2sd772b.pdf Size:81K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD772 2SD772A 2SD772B
DESCRIPTION ·
·With TO-220C package
·High breakdown voltage
·High speed switching
APPLICATIONS
·For power amplifier applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITION
5.1. 2sd777.pdf Size:231K _toshiba
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
5.2. 2sd773.pdf Size:166K _nec
5.3. 2sd774.pdf Size:161K _nec
B772-R Datasheet (PDF)
1.1. b772-r b772-y.pdf Size:245K _upd
B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O
1.2. 2sb772-r.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.1. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _upd
B772-R
MCC
Micro Commercial Components
TM
B772-O
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311 B772-Y
Phone: (818) 701-4933
B772-GR
Fax: (818) 701-4939
Features
• Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon
• Collector-current 3.0A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating and storage junction temperature range: -55O
5.2. 2sb772-y.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.3. 2sb772-gr.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.4. 2sb772-o.pdf Size:287K _update
2SB772-R
MCC
2SB772-O
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
2SB772-Y
Micro Commercial Components
CA 91311
2SB772-GR
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates
PNP Silicon
RoHS Compliant. See ordering information)
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Plastic-Encapsulat
5.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci
5.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin
DIP Type Transistors
PNP Tr
ansistors
2SB772
TO-126
Unit:mm
8.00± 0.30 3.25± 0.20
■ Features
● PNP transistor High current output up to 3A
● Low Saturation Voltage
ø3.20± 0.10
● Complement to 2SD882
(1.00) (0.50)
0.75± 0.10
1.75± 0.20
1.60± 0.10
0.75± 0.10
1 2 3
#1
+0.10
2.28TYP 2.28TYP 0.50 –0.05
1. Base
2. Collector
3. Emitte
772 – smolrsute.ru
772 на сайте smolrsute.ru
Транзисторы B772r, B772o, B772y – Параметры, Маркировка…
Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR. Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89 (datasheet JIANGSU CHANGJIANG): У транзисторов B772R – от 60 до 120.B772 Datasheet(PDF) – STMicroelectronics
B772 datasheet, B772 circuit, B772 data sheet : STMICROELECTRONICS – PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR ,alldatasheet, datasheet…Транзистор b772. Чем заменить? Есть ли отечественный аналог?
Как происходит замена биполярного транзистор B772? Можно ли заменить B772 на транзисторы КТ819В, КТ827, КТ825, КТ816?772 год — Википедия
772 (семьсот семьдесят второй) год по юлианскому календарю — високосный год, начинающийся в среду. Это 772 год нашей эры, 772 год 1 тысячелетия, 72 год VIII века, 2 год 8-го десятилетия VIII века, 3 год 770-х годов. Поход Карла Великого в Саксонию.2SB772 транзистор параметры, характеристики… – RadioLibrary
Цоколевка транзистора 2SB772. Характеристики транзистора 2SB772. Структура – p-n-p. Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В.B772 – Транзистор Биполярный, Его Параметры, Аналоги, Даташиты…
B772 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты. 1.11. b772ss.pdf Size:233K _utc. Unisonic technologies co., ltd B772SS pnp silicon transistor medium…Boeing 777-200. Самолет Боинг 777-200, фото и схема… | АвиаТабло
Международный код: 772.Транзистор B772 (Б772 ), Аналоги
Транзистор B772 (Б772 ). Параметры и характеристики. Описание и техническая документация. Даташит для B772 . RthJ-case Thermal resistance junction-case_max. 2SB772. Figure 2. Reverse biased safe operating area Figure 3. DC current gain. 2SB772.Транзистор b772 – Форум РадиоЛоцман
Транзистор b772 Электронные компоненты. Подскажите, пожалуйста, характеристики транзистора фирмы NEC b772.Расписание автобуса №772 Метро "Выхино" (к/ст)…
Расписание автобуса №772 г.Москва. Расписание маршрутов на все дни недели. Чтобы скрыть лишние ячейки выберите день. 2SB772. Pnp silicon transistor. The UTC 2SB772 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator.2sb772, Транзистор Pnp 30в 3a [To-126] | Купить В Розницу И Оптом
2SB772 2SB772L-P-T60-K, Структура pnp, Макс. напр. к-б при Главная > Электронные компоненты > Транзисторы > Биполярные > 2SB772, Транзистор PNP 30В 3A [TO-126].Icao: B772
IATA: 772. ICAO: B772. Боинг 777-200 (Boeing 777-200) – пассажирский самолет для авиалиний большой протяженности.Кадры из фильма : Значение числа 772
3Б722 станок плоскошлифовальный с горизонтальным шпинделем универсальныйСхемы, описание, характеристики
Сведения о производителе плоскошлифовального станка 3Б722
Производитель плоскошлифовального станка 3Б722 – Липецкий станкостроительный завод
, основанный в 1929 году.В 1956 года ремонтно-тракторный завод был переориентирован на выпуск станков и переименован в Липецкий станкостроительный завод.
Станки модели 3Б722 В являются типовыми представителями гаммы плоскошлифовальных станков с прямоугольным столом среднего типоразмера и позволяет с микронной точностью обрабатывать плоские поверхности самых различных деталей. При применении дополнительных приспособлений на этих станках возможна обработка и фасонных поверхностей.
Станки, выпускаемые Липецким станкостроительным заводом, ЛСЗ
3Б722 станок плоскошлифовальный с горизонтальным шпинделем универсальный. Назначение и область применения
Станок плоскошлифовальный 3Б722 заменил в производстве устаревшую модель 3А722 и был заменен на более совершенную модель 3Д722.
Плоскошлифовальный станок модели 3Б722 – станок общего назначения с прямоугольным столом и горизонтальным шпинделем, предназначен для шлифования плоскостей различных деталей периферией круга. Станина имеет продольные направляющие, по которым возвратно поступательно движется рабочий стол. По вертикальным направляющим стойки перемещается шлифовальная бабка со шлифовальным кругом.
Принцип работы и особенности конструкции станка
Главное движение в станке — вращение шлифовального круга; продольная подача — прямолинейное возвратно-поступательное движение стола с заготовкой. Поперечная и вертикальная подачи сообщаются шлифовальной бабке с шлифовальным кругом.
Шлифовальный круг крепится на конце шпинделя шлифовальной бабки. Обрабатываемую деталь устанавливают на столе станка. В процессе работы стол получает прямолинейное возвратно-поступательное движение, а шлифовальный круг — вращательное. Если ширина обрабатываемой детали больше ширины круга, то шлифовальной бабке сообщается периодическая поперечная подача после каждого одинарного или двойного хода стола. Шпиндельной бабке с кругом сообщается также вертикальная подача для снятия необходимого припуска.
Станок 3Б722, продольношлифовальный с прямоугольным столом и горизонтальным шпинделем, предназначен для шлифования плоскостей различных деталей периферией круга как в индивидуальном, так и в крупносерийном производстве.
Шлифуемые детали, в зависимости от материала, формы и размеров, могут закрепляться или на электромагнитной плите, или непосредственно на рабочей поверхности стола, или в специальных приспособлениях.
Конструктивная особенность станка – поперечная подача шлифовального круга обеспечивается перемещением стойки со шлифовальной бабкой по горизонтальным направляющим станины стойки. Шлифовальная бабка перемещается только в вертикальном направлении и имеет постоянный вылет относительно стойки.
Применение в станке винтовых пар качения, системы цифровой индикации вертикальных перемещений шлифовальной бабки, высокоточных подшипников в шпиндельном узле и ряда других конструктивных решений позволило повысить точность, долговечность и производительность станка по сравнению с аналогичными серийно выпускаемыми станками.
Корректированный уровень звуковой мощности LpA не должен превышать 99 дБА.
Кинематика станка 3Б722 обеспечивает:
- перемещение стола (стол – крестовой суппорт-станина)
- возвратно-поступательное продольное перемещение: стол – крестовой суппорт
- поперечное перемещение: крестовой суппорт-станина
- автоматическую вертикальную и поперечную подачи
- автоматический реверс суппорта
Жесткая конструкция станины гарантирует высокоточное шлифование.
Конструкция сборочных единиц станка, в т.ч шпиндельного узла, позволяет выбирать различные режимы шлифования с сочетанием различных подач и скоростей стола, обеспечивает шлифование деталей с заданной точностью и шероховатостью.
Современные аналоги плоскошлифовального станка 3Б722
3711Б – 1000 х 200, производитель Оршанский станкостроительный завод Красный борец
3Б721 – 1000 х 320, производитель Оршанский станкостроительный завод Красный борец
ОШ-400 – 1100 х 400, производитель Оршанский станкостроительный завод Красный борец
Присоединительные и посадочные базы станка 3Б722
Присоединительные и посадочные базы станка 3Б722
Общий вид плоскошлифовального станка 3Б722
Фото плоскошлифовального станка 3Б722
Фото плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
Фото плоскошлифовального станка 3Б722
Фото плоскошлифовального станка 3Б722
Расположение составных частей шлифовального станка 3Б722
Расположение составных частей шлифовального станка 3Б722
Спецификация составных частей шлифовального станка 3Б722
- Кожухи – 3Б722-80
- Каретка – 3Б722-35
- Шлифовальная бабка – 3Б722-30
- Электрооборудование – 3Б722-90а
- Стол – 3Б722-20
- Станина – 3Б722-10
- Панель управления гидрокоробки подач – 3Б722-41
- Гидрокоробка подач шлифовальной бабки – 3Б722-54
- Панель управления стола – 3Б722-40
- Гидрокоробка реверса стола – НГ-52
- Пульт управления – 3Б722-91
- Трубопровод электрооборудования – 3Б722-92
- Кран манометра – 3Б722-48
- Гидрокоробка сказки направляющих стола – НГ-60
- Золотник подачи реверсивный – 3Б722-59а
- Установка смазки шпинделя – 3Б722-57а
- Сильфонное реле – НГ-65В
- Механизм ускоренного перемещения – 3Б722-37б
- Охлаждение – 3Б722-75
- Плита электромагнитная на напряжение 110, ГОСТ 3860-56 ЭП-32Г
- Магнитный сепаратор – CM-3МA
- Принадлежности – 3Б722-85
- Цилиндр стола – 3Б722-50
- Насосная установка – 3Б722-56
- Трубопровод – 3Б722-51
- Колонка – 3Б722-15
- Гидрокоробка реверса шлифовальной бабки – 3Б722-53
- Узел конечных выключателей – 3Б722-46б
- Редуктор каретки – 3Б722-26
- Цилиндр шлифовальной бабки – 3Б722-52
- Редуктор колонки – 3Б722-27
- Опора привода винта – 3Б722-28
- Механизм вертикальной подачи – 3Б722-36
- Плунжер механизма подач – 3Б722-55
фильтр НГ-62
Расположение органов управления шлифовальным станком 3Б722
Расположение органов управления шлифовальным станком 3Б722
Пульт управления плоскошлифовальным станком 3Б722
Перечень органов управления шлифовальным станком 3Б722
- Передвижные упоры стола
- Рычаг реверса стола от упоров
- Рукоятка реверса гидравлического поперечного перемещения шлифовальной бабки
- Упоры реверса гидравлического перемещения шлифовальной бабки
- Рукоятка включения ручного поперечного перемещения шлифовальной бабки
- Маховик ручного поперечного перемещения шлифовальной бабки
- Упор
- Кран системы охлаждения
- Маховик ручной вертикальной подачи шлифовальной бабки
- Рукоятка изменения характера поперечной подачи
- Рукоятка дросселя для регулирования величины непрерывной поперечной подачи
- Рукоятка дросселя для регулирования прерывистой поперечной подачи
- Рукоятка установки величины автоматической вертикальной подачи
- Рукоятка подготовки включения ускоренного вертикального перемещения шлифовальной бабки
- Рукоятка установки жесткого упора
- Кнопка для разъединения лимба с маховиком
- Рукоятка дросселя для регулирования скорости стола
- Рукоятка ручного реверса стола
- Рукоятка “Пуск”, “Стоп”, “Разгрузка” стола
- Выключатель освещения “Включено”, “Отключено”
- Переключатель электромагнитной плиты “Включено”, “Отключено”, “Размагничено”
- Переключатель “Работа с плитой”, “Работа без плиты”
- Лампа сигнальная “Плита включена”
- Лампа сигнальная “Наличие смазки в подшипниках шпинделя”
- Кнопка “Общий стоп”
- Кнопка “Пуск” гидравлики
- Кнопка “Стоп” гидравлики
- Кнопка ускоренного перемещения шлифовальной бабки “Вверх”
- Кнопка ускоренного перемещения шлифовальной бабки “Вниз”
- Кнопка “Пуск” шлифовального круга
- Кнопка “Стоп” шлифовального круга
- Переключатель включения охлаждения “Включено”, “Отключено”
- Выключатель автоматической вертикальной подачи “Включено”, “Отключено”
Кинематическая схема плоскошлифовального станка 3Б722
Кинематическая схема плоскошлифовального станка 3Б722
1. Схема кинематическая плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
2. Схема кинематическая плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
Цепь вертикальной подачи шлифовальной бабки
Ручная подача. Движение от маховика 35 передается через шестерни 23, 22, муфту 21, коническую пару шестерен 20, 19 на гайку 18, связанную с ходовым винтом IX..
Так как гайка зафиксирована от вертикального перемещения, то при ее вращении винт IX будет перемещаться в осевом направлении и передвигать каретку со шлифовальной бабкой.
Автоматическая подача. В момент реверса шлифовальной бабки масло подается в ту или иную полость цилиндра механизма подачи 46 и перемещает плунжер-рейку 47. Последняя через шестерню 48 вращает кривошип 45, который черев шатун 44 поворачивает на угол 40-50° рычаг 43 с сидящей на нем собачкой 37.
Собачка поворачивает храповик 25, соединенный с маховиком 35. Далее движение передается по описанной выше цепи к винту.
Регулирование величины автоматической подачи осуществляется поворотом перекрышки 24, в результате чего собачка 37 может поворачивать храповик 25 на всем пути своего движения или на части его. Изменение положения перекрышки 24 осуществляется от рукоятки 30 через шестерни 28, 27, 29, 26 и зубчатый сектор, нарезанный на перекрышке 24.
Для автоматического прекращения подачи после снятия установленного припуска служит сектор 31, 88 крепленный на лимбе 36. При этом он входит в зону качения собачки 37, которая начинает скользить по нему, не задевая зубьев храповика 25.
При работе вручную до “жесткого упора” рукояткой 39 подводится жесткий упор 38, в который упирается в конце хода упор, закрепленный на лимбе 32. Лимб связан с маховиком 35 посредством зубчатого фиксатора 33, включение которого производится нажатием кнопки 34.
Ускоренное перемещение. Ускоренное установочное перемещение подготавливается поворотом рукояти 41. При этом при помощи винтовой канавки на валу рычагом 49 шестерня 22 выводится из зацепления с шестерней 23 и маховиком 35 отключается от цепи подачи. Одновременно кулачок 40 нажинает на конечный выключатель 42, который разблокирует кнопочную станцию пуска электродвигателя механизма ускоренного перемещения.
При включении электродвигателя движение от вала электродвигателя передается бесшумной цепью через звездочки 52, 53. шестерни 50, 51 на винт IX по рассмотренной ранее цепи.
При этом шлифовальная бабка перемещается вверх или вниз.
Цепь поперечной подачи шлифовальной бабки
Ручная подача. От маховика 12 через червячную передачу (червяк 5 – шестерня 4) вращение передается реечной шестерне 2, которая находится в зацеплении с рейкой I, укрепленной на шлифовальной бабке.
Для того, чтобы при гидравлическом перемещении шлифовальной бабки от цилиндра не произошла поломка передачи, червяк 5 выводится из зацепления с шестерней 4 путем поворота рукоятки II. При этом эксцентриковая гильза кулачком 6 и рычагом 3 осуществляет блокировку, исключая перемещение шлифовальной бабки от гидроцилиндра при включенном червяке.
Автоматическая подача. При поперечном перемещении шлифовальной бабки от гидроцилиндра палец 17, укрепленный на корпусе бабки, скользит по спиральному пазу вала III, заставляя его вращаться. Далее через шестерни 16 и 15 приводится во вращение диск с переставляемыми упорами 13. Диск с упорами при максимальном поперечном проходе шлифовальной бабки делает почти полный оборот, и упоры, воздействуя на реверсивную рукоятку 14, поворачивают ее вместе с валиком и сидящим на нем рычагом 9. Рычаг одним из своих пальцев воздействует (при реверсе шлифовальной бабки) поочередно на конечные выключатели 7 и 10, которые дают команду на вертикальную автоматическую подачу, а другим пальцем переключает рычаг 8, связанный с реверсивным золотником гидрокоробки реверса шлифовальной бабки.
Рукояткой 14 можно произвести также и ручной реверс шлифовальной бабки.
Привод шлифовальной бабки. Шпиндель шлифовального круга получает вращательное движение через муфту от фланцевого электродвигателя мощностью 10 кВт при 1460 оборотов в мину.
Схема электрическая плоскошлифовального станка 3Б722
Электрическая схема плоскошлифовального станка 3Б722
Схема электрическая плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
Напряжение общей питающей сети переменного тока 380 В.
Напряжение цепей управления – 110 В, местного освещения – 24 В, сигнализации – 5 в, цепей управления постоянного тока – 110 В.
Описание действия электросхемы станка
Поворотом рукоятки вводного пакетного выключателя ПП1 в положение “Включено” включается цепь питания станка (рис. 18).
Для подготовки схемы к работе необходимо включить выключатель AI и А2 в положение “Включено”. Включение вращения шлифовального круга.
Включение вращения шлифовального круга производится повторным нажатием на кнопку КУ1.
Кнопка КУ1 имеет два Н.О. контакта 7-9 и 17 – II
Первый контакт включает цепь контактора КЗ, второй контакт включает контактор KI, который Н.О. контактом 17—II становится на самопитание и включает электродвигатель Д1.
Включение и выключение электромагнитной плиты
Станок оборудован магнитной плитой для удержания деталей из магнитных материалов в процессе шлифования.
Работать можно и без магнитной плиты. Для выбора рода работ на пульте установлен переключатель П1 “Работа с плитой” – “Без плиты”.
Поворотом рукоятки этого переключателя в положение “Работа с плитой” подготавливается к включению цепь питания электромагнитной плиты.
Поворотом рукоятки переключателя П4 в положение “Включено” замыкаются контакты П1-П3 и П4-П2 и на магнитную плиту подается напряжение по цепи П1-П3-П5-П4-П2
При этом срабатывает электромагнитное реле Р> катушка которого включена последовательно с магнитной плитой. Реле Р> своим Н.О. контактом 5-19 подготавливает к включению цепь контактора К2, а контактом 3-107 включает сигнальную лампу ЛС1 “Плита включена”. Для снятия изделий с магнитной плиты необходимо рукоятку барабанного переключателя перевести в положение “Размагничено” и отпустить.
Под действием пружины рукоятка возвратится в нулевое положение. В нулевом положении замыкается контакт П4-П6, все остальные контакты разомкнуты, плита, отключенная от выпрямителя, шунтируется сопротивлением Р. Реле Р> выключается, отключая сигнальную лампу ЛС1, а контакт 5-19 размыкается.
В положении рукоятки переключателя П4 “Размагничено” замкнуты его контакты П1-П4 и П2-П7 и в катушках электромагнитной плиты протекает ток обратного направления пониженной силы из-за наличия в цепи части сопротивления R. Кратковременный импульс тока обратной полярности необходим для размагничивания магнитной плиты и частично шлифуемых деталей.
Схема гидравлическая плоскошлифовального станка 3Б722
Гидравлическая схема плоскошлифовального станка 3Б722
1. Схема гидравлическая плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
2. Схема гидравлическая плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
Гидрооборудование плоскошлифовального станка 3Б722
Гидрооборудование плоскошлифовального станка 3Б722
Гидрооборудование плоскошлифовального станка 3Б722. Смотреть в увеличенном масштабе
Гидравлическая схема плоскошлифовальных станков модели 3Б722 и 3Б724
- фильтр
- фильтр
- насос
- насос
- напорный золотник
- фильтр
- напорный золотник
- редукционный клапан
- дроссель
- распределитель управления
- гидроцилиндр перемещения стола
- гидроцилиндр перемещения шлифовальной бабки
- распределитель управления шлифовальной бабкой
- дроссель
- обратный клапан
- рычаг
- распределитель управления шлифовальной бабкой
- гидрокоробка реверса шлифовальной бабки
- блокировочный распределитель
- рычаг реверса
- обратный клапан
- коробка подач шлифовальной бабки
- дозирующий распределитель
- дроссель
- распределитель управления
- распределитель, управляющий сменой подач
- дроссель
- дроссель
- обратный клапан
- обратный клапан
- дроссель
- цилиндр вертикальной подачи
- панель управления столом
- дроссель регулировки плавности реверса стола
- распределитель
- распределитель
- дроссель регулировки скорости стола
Описание гидропривода плоскошлифовальных станков 3Б722 и 3Б724
Гидропривод станка (рис. 44) осуществляет:
- возвратно-поступательное движение стола
- возвратно-поступательное движение шлифовальной бабки
- вертикальную подачу шлифовальной бабки
- смазывание направляющих стола
- смазывание подшипников шпинделя
Гидропривод станка имеет три основные системы:
- высокого давления (рабочую систему)
- низкого давления (систему управления)
- смазывание подшипников шлифовальной бабки
Передвижение и реверс стола. Масло из бака через фильтр 1 подается насосом 3 через напорный золотник 7 к распределителю 36.
При правом положении золотника распределителя 36 масло поступает в левую полость цилиндра 11, прикрепленного к столу. Стол движется влево. Масло, вытесняемое из правой полости цилиндра 11, через распределитель «95 и дроссель 37 сливается в бак. Дроссель 37 служит для регулировки скорости стола. При движении стола влево упор при помощи рычага 20 перемещает золотник распределителя 25. При этом масло от насоса 4 через напорный золотник 5, распределитель 25, обратный клапан 29 поступит под правый торец золотника распределителя 35 и переместит его в крайнее левое положение. Масло из-под левого торца золотника 35 вытесняется через дроссель 34 распределителя 25 в бак. Дроссель 34 служит для регулировки плавности реверса стола.
Как только золотник распределителя 35 переместится в крайнее левое положение, масло начнет поступать в правую полость цилиндра 11. Стол будет перемещаться вправо до тех пор, пока упор не передвинет золотник распределителя 25, после чего цикл повторится.
Поперечные подачи и реверс шлифовальной бабки. Золотник распределителя 26 может занимать одно из трех положений (см. рис. 44): крайнее правое соответствует прерывистой подаче, крайнее левое — непрерывной подаче и среднее — отсутствию подачи. Золотник распределителя 13 может занимать одно из двух крайних положений: правое, соответствующее перемещению шлифовальной бабки гидравлическим приводом, и левое, соответствующее перемещению шлифовальной бабки вручную.
Непрерывная подача шлифовальной бабки. Масло от насоса 4 через напорный золотник 5, дроссель 27, распределители 26 и 19 поступает в распределитель 13. Если золотник распределителя 13 находится в левом положении, то масло поступает в штоковую полость цилиндра 12 и шлифовальная бабка движется влево. Из поршневой полости цилиндра 12 масло через распределители 13 и 17 сливается в бак.
При перемещении рычагом 16 золотника распределителя 17 вправо масло от насоса 4 через распределители 26, 19, 13, 17 и обратный клапан 15 попадает под левый торец золотника распределителя 13 и перемещает его в правое положение, направляя поток масла в поршневую полость цилиндра 12. Шлифовальная бабка движется вправо. Из штоковой полости цилиндра 12 масло через распределители 13 и 17 сливается в бак. Дроссели 14 регулируют скорость перемещения золотника распределителя 13.
Прерывистая поперечная подача шлифовальной бабки происходит при каждом реверсе стола, т. е. при каждом перемещении золотника распределителя 25. От насоса 4 через распределитель 25 и обратный клапан 21 масло поступает в правую полость дозирующего распределителя 3. Из левой полости дозирующего распределителя 23 через дроссель 24 распределителя 25 масло сливается в бак. Во время перемещения дозатора из одного крайнего положения в другое часть масла от насоса 3 через напорный золотник 7, дроссель 28, распределитель 26, дозатор 23 поступает в распределитель 19 и далее идет так же, как в случае непрерывной подачи.
Вертикальная прерывистая подача шлифовальной бабки. При реверсе поперечной подачи шлифовальной бабки рычаг 16 через конечные выключатели включает один из электромагнитов распределителя 10, перемещая его золотник в одно из крайних положений. Если золотник распределителя 10 находится в левом положении, то масло от насоса через напорный золотник 5 и обратный клапан 30 попадает в цилиндр 32 вертикальной подачи — происходит вертикальная подача шлифовальной бабки. Из левой полости цилиндра 32 масло через дроссель 31 и распределитель 10 сливается в бак.
Вертикальная подача бабки в противоположном направлении происходит аналогично.
Возможные неисправности в гидроприводе плоскошлифовального станка 3Б722, ЗБ724
Перед отысканием неисправностей надо проверить давление в гидросистеме. Давление должно быть равно: высокое (в рабочей системе) 1,5—2МПа, низкое (в системе управления) — 0,6..0,8 МПа, в системе смазывания направляющих станины — 0,05 МПа, в системе смазывания подшипников шлифовальной бабки — 0,1 МПа.
Читайте также: Заводы производители шлифовальных станков в России
3Б722 станок плоскошлифовальный с горизонтальным шпинделем универсальный. Видеоролик.
Технические данные и характеристики станка 3Б722
| Наименование параметра | 3Б722 | 3Д722 | 3Л722В |
|---|---|---|---|
| Основные параметры | |||
| Класс точности по ГОСТ 8-82 | П | П | В, А |
| Наибольшие размеры обрабатываемых изделий (длина х ширина х высота), мм | 1000 х 360 х 400 | 1000 х 320 х 400 | 1250 х 320 х 400 |
| Наибольшие размеры обрабатываемых изделий на плите электромагнитной (длина х ширина х высота), мм | 900 х 320 х 280 | 1250 х 320 х 280 | |
| Наименьшие размеры обрабатываемых изделий на плите электромагнитной (длина х ширина х высота), мм | 50 х 40 х 5 | 50 х 40 х 3 | |
| Расстояние от оси шпинделя до зеркала стола, мм | 190..630 | 210..625 | 210..625 |
| Наибольшая масса изделий обрабатываемых на столе, кг | 600 | 600 | |
| Наибольшая масса изделий обрабатываемых на плите электромагнитной, кг | 300 | 400 | |
| Рабочий стол станка | |||
| Размеры рабочей поверхности стола (длина х ширина), мм | 1000 х 320 | 1000 х 320 | 1000 х 320 |
| Размеры поверхности электромагнитной плиты (длина х ширина), мм | 900 х 320 | 900 х 320 | |
| Продольное перемещение стола от гидравлики (наименьшее/наибольшее, мм | 300..1050 | 300..1010 | |
| Скорость возвратно-поступательного движения стола (регулирование бесступенчатое), м/мин | 2..40 | 3..45 | 3..35 |
| Шлифовальная бабка | |||
| Размеры шлифовального круга (наименьший и наибольший наружный диаметры), мм | 325…450 | ||
| Размеры шлифовального круга (внутренний диаметр/ высота), мм | 203/ 63 | ||
| Размеры шлифовального круга по ГОСТ 2424-75 | ПП450х80х203 | ПП450х80х203 | |
| Число оборотов шлифовального круга в минуту | 1460 | 1460 | 1460 |
| Наибольший допустимый крутящий момент на шпинделе, кгс*м | 6,7 | ||
| Наибольшая скорость шлифования, м/с | 34,4 | ||
| Конец шпинделя шлифовальной бабки по ГОСТ 2323-67, ГОСТ 2323-76 (конструкция/ конусность/ наибольший диаметр) | 1/ 1:5/ 80 | 1/ 1:5/ 80 | |
| Наибольшее поперечное перемещение шлифовальной бабки (стойки), мм | 400 | 410 | 430 |
| Цена деления лимба поперечного перемещения шлифовальной бабки, мм | 0,05 | ||
| Поперечное перемещение шлифовальной бабки на один оборот лимба, мм | 4,5 | ||
| Ускоренное поперечное перемещение шлифовальной бабки, м/мин | 1,2 | ||
| Пределы скоростей поперечной подачи шлифовальной бабки (бесступенчатое регулирование), м/мин | 0,05..3,0 | 0,5..3,0 | |
| Автоматическая поперечная подача на каждый ход стола (бесступенчатое регулирование), мм/ход | 1..30 | 2..48 | 1..60 |
| Наибольшее вертикальное перемещение шлифовальной бабки, мм | 440 | 415 | 415 |
| Цена деления лимба вертикального перемещения шлифовальной бабки, мм | 0,005 | 0,004 | 0,002 |
| Вертикальное перемещение шлифовальной бабки на один оборот лимба, мм | 1,0 | 0,5 | 0,2 |
| Автоматические вертикальные подачи шлифовальной бабки, мм | 0,005..0,1 | 0,004..0,1 | 0,002..0,128 |
| Скорость вертикального ускоренного перемещения, м/мин | 0,450 | 0,450 | 0,200 |
| Привод и электрооборудование станка | |||
| Количество электродвигателей на станке | 6 | 8 | 13 |
| Электродвигатель шпинделя шлифовальной бабки (М1), кВт | 10 | 15 | 11 |
| Электродвигатель насоса гидросистемы (М2) (гидростанция), кВт | 5,5 | 7,5 | 4,0 |
| Электродвигатели воздушного теплообменника (М3, М11) (гидростанция), кВт | нет | 0,12 | 0,09 |
| Электродвигатель насоса системы смазки (М4), кВт | 0,12 | 0,25 | 0,25 |
| Электродвигатель привода механизма правки круга (М5), кВт | 0,09 | ||
| Электродвигатель насоса системы охлаждения (М6), кВт | 0,12 | 0,6 | 0,75 |
| Электродвигатель магнитного сепаратора (М7), кВт | 0,12 | 0,12 | 0,12 |
| Электродвигатель фильтра транспортера (М8), кВт | нет | 0,12 | 0,09 |
| Электродвигатель регулировки дросселя скорости движения стола (М9) (гидростанция), кВт | |||
| Электродвигатель насоса охлаждения масла (М10) гидростанция, кВт | 1,1 | ||
| Электродвигатель вертикального ускоренного перемещения шлифовальной бабки (М12), кВт | 1,1 | 0,75 | 0,6 |
| Электродвигатель привода поперечной подачи стойки (М13), кВт | 0,75 | ||
| Электродвигатель вертикальной подачи шлифовальной бабки (М14), кВт | шаговый | ||
| Электродвигатель насоса откачки утечек, кВт | нет | 0,25 | нет |
| Общая установленная мощность всех электродвигателей, кВт | 3,685 | 18,25 | |
| род тока питающей сети | 50Гц, 380 В | 50Гц, 380 В | 50Гц, 380 В |
| Габариты и масса станка | |||
| Габарит станка (длина х ширина х высота), мм | 3410 х 2020 x 2290 | 3510 х 2130 х 2360 | 4810 х 2660 х 2660 |
| Масса станка, кг | 6950 | 8400 | 7000 |
- Продольно-шлифовальный станок 3Б722. Руководство по эксплуатации, 1978
- Продольно-шлифовальный станок 3Б722. Руководство по эксплуатации, 1973
- Плоско-шлифовальные станки 3Б722, 3722. Альбом чертежей быстроизнашивающихся и запасных деталей
- Альперович Т.А., Константинов К.Н., Шапиро А.Я. Конструкция шлифовальных станков, 1989
- Альперович Т.А., Константинов К.Н., Шапиро А.Я. Наладка и эксплуатация шлифовальных станков, 1989
- Дибнер Л.Г., Цофин Э.Е. Заточные автоматы и полуавтоматы, 1978
- Генис Б.М., Доктор Л.Ш., Терган В.С. Шлифование на круглошлифовальных станках, 1965
- Кащук В.А., Верещагин А.Б. Справочник шлифовщика, 1988
- Куликов С.И. Хонингование, 1973
- Лисовой А.И. Устройство, наладка и эксплуатация металлорежущих станков, 1971
- Лоскутов В.В. Шлифование металлов, 1985
- Лоскутов В.В. Шлифовальные станки, 1988
- Лурье Г.Б. Шлифовальные станки и их наладка,1972
- Лурье Г.Б. Устройство шлифовальных станков,1983
- Меницкий И.Д. Универсально-заточные станки ,1968
- Муцянко В.И. Братчиков А.Я. Бесцентровое шлифование, 1986
- Наерман М.С., Наерман Я.М. Руководство для подготовки шлифовщиков. Учебное пособие для ПТУ, 1989
- Наерман Е.С. Справочник молодого шлифовщика, 1991.
- Попов С.А. Шлифовальные работы, 1987
- Терган В.С. Шлифование на круглошлифовальных станках, 1972
- Шамов Б.П. Типы и конструкции основных узлов шлифовальных станков, 1965
Список литературы:
Связанные ссылки. Дополнительная информация
Boeing 727. Фото. Видео. Схема салона. Характеристики. Отзывы.
Boeing 727, это трехдвигательный узкофюзеляжный пассажирский самолет, предназначенный для авиалиний малой и средней дальность. Данный самолёт был спроектирован компанией «Boeing Commercial Airplanes», прежде всего для эксплуатации на внутренних рейсах США. Универсальность, надёжность и возможность использовать достаточно короткие взлетно-посадочные полосы в небольших аэропортах, сделала Boeing 727 одним из самых распространенных и успешных среднемагистральных авиалайнеров в мире.
Работа над проектом среднемагистрального самолета, компанией «Boeing», начались в 1956 году. Проект получил обозначение Model 727. В 1959 году был утвержден окончательный дизайн и конструкция самолёта.
Boeing 727 фото
Boeing 727, получил форму моноплана с низкорасположенным крылом стреловидной формы, тремя турбореактивными двигателями размещенными в хвостовой части фюзеляжа и «Т»-образным хвостовым оперением имеющим также стреловидную форму. Так как самолет предполагалось использовать на не больших взлетно-посадочных полосах, то на нём была применена передовая механизация крыла с трехщелевыми закрылками Крюгера. Такая конструкция позволяет самолёту оставаться устойчивым на малых скоростях полёта, например при заходе на посадку. Пассажирский салон авиалайнера способен был, разместит в двух классах 131 пассажирское место. Первоначально на самолёте была применена силовая установка из трех двигателей Pratt & Whitney JT8D-1 каждый тягой по 59,9 кН. Но затем были использованы моторы Pratt & Whitney JT8D-7 с тягой по 62,3 кН.
Boeing 727 также стал первым самолётом компании «Boeing» с установленной вспомогательной силовой установкой (ВСУ). На Boeing 727 была применена авионика производства фирм «Honeywell» и «Rockwell Collins» с электромеханической приборной панелью.
Boeing 727 фото салона
Первая модификация самолёта получила обозначение Boeing 727-100. Тестовая версия этого самолёта поднялась в воздух 9 февраля 1963 года. В декабре этого же года был получен американский сертификат FAA о летной годности. 9 февраля первые серийные, коммерческие самолёты Boeing 727-100 поступили в авиакомпанию «Eastern Airlines».
Помимо пассажирского варианта производились грузовые версии – Boeing 727-100F и Boeing 727-100C, а также конвертируемый грузопассажирский вариант Boeing 727-100QC (Quick Change).
Развитие Boeing 727-100 привело в августе 1965 года к созданию удлинённого варианта самолёта, получившему наименование Boeing 727-200. Длина самолёта увеличилась до 46,69 метров. Количество пассажирских мест в двухклассовой конфигурации возросла до 145 пассажирских кресел. На эту версию были установлены моторы Pratt & Whitney JT8D-9 с тягой 64 кН.
Первый полет Boeing 727-200 состоялся 27 июля 1967 года. А 14 декабря 1967 этим самолётом был совершён первый коммерческий рейс. Также как и модели Boeing 727-100 у Boeing 727-200 имеются грузовая и конвертируемая версия – Boeing 727-200F и Boeing 727-200QC соответственно.
На основе Boeing 727-200 была произведена версия Boeing 727-200 Advanced, имеющая увеличенную до 4000 километров дальность полёта. На эту версию установлены двигатели Pratt & Whitney JT8D-17R с тягой 77 кН.
Boeing 727 схема салона
Производство самолётов версии Boeing 727-100 было прекращено в 1973 году.
Выпуск остальных моделей продолжался до 1984 года. Всего за весь период производства было построено 1832 единиц самолёта Boeing 727.
На сегодняшний день в эксплуатации находятся около 200 самолётов Boeing 727. В основном оставшиеся самолёты используются на рынке грузоперевозок.
Технические характеристики самолета Boeing 727-100
- Первый полет Boeing 727-100: 9 февраля 1963 год
- Годы производства Boeing 727-100: c 1963 года по 1973 год
- Длина: 40,59 м.
- Высота: 10,36 м.
- Размах крыла: 32,92 м.
- Вес пустого: 36560 кг.
- Площадь крыла: 157,90 кв.м.
- Крейсерская скорость: 960 км./ч.
- Максимальная скорость: 995 км./ч.
- Экономичная крейсерская скорость: 917 км./ч.
- Потолок: 11500 м.
- Дальность полета с полной нагрузкой: 4300 км.
- Двигатели: 3 ТРД Pratt & Whitney JT8D-7 (62,3 кН)
- Длина разбега: 1770 м.
- Длина пробега: 1465 м.
- Экипаж: 2-3 человека
- Количество пассажирских мест: 131 мест, в двух классах.
Технические характеристики самолета Boeing 727-200
- Первый полет Boeing 727-200: 27 июля 1967 года
- Годы производства Boeing 727-200: c 1967 года по 1984 год
- Длина: 46,69 м.
- Высота: 10,36 м.
- Размах крыла: 32,92 м.
- Вес пустого: 44600 кг.
- Площадь крыла: 157,90 кв.м.
- Крейсерская скорость: 960 км./ч.
- Максимальная скорость: 995 км./ч.
- Экономичная крейсерская скорость: 917 км./ч.
- Потолок: 13000 м.
- Дальность полета с полной нагрузкой: 3100 км.
- Двигатели: 3 ТРД Pratt&Whitney JT8D-9 (64 кН)
- Длина разбега: 1770 м.
- Длина пробега: 1575 м.
- Экипаж: 2-3 человека
- Количество пассажирских мест: 145 мест, в двух классах.
Boeing 727 видео
Посмотреть все самолёты…
Китайский контроллер включения/выключения ДХО при пуске двигателя за 4$ » Полезные самоделки
Тест и обзор китайского автоматического контролера включения ДХО при старте двигателя
Приехало мне из Китая такое интересное устройство — контролер автоматического включения ДХО при запуске двигателя. Довольно компактное и не дорогое (около 4 у.е.) у китайцев получилось устройство.
Микросхема находится в пластиковом коробе полностью залитым черным компаундом, так что влаги устройство не боится вообще.
Подключается только к клеммам аккумулятора и непосредственно к светодиодным огням. Эта штука включается только тогда, когда на клеммах батареи напряжение превысит 13.4 вольта (это я определил опытным путем, есть в видео) и выключается когда напряжение упадет ниже 13.4 вольт, но выключается не сразу, а спустя 15 секунд.
Есть еще и белый сигнальный провод, он подключается к + габаритных огней, чтобы при включении габаритов светодиодные дневные огни притухали и не слепили других участников движения. Исходя из китайского описания этого устройства оно выдерживает 35-60 ваттную нагрузку. Но при проведении тестов, оказалось что при нагрузке в 2 ампера (25 ватт при 12 вольтах) транзистор B772M (который стоит внутри) нагревается выше 100 градусов по Цельсию, что на мой взгляд не особо безопасно для эксплуатации в авто.
Поэтому использовать с этой штуковиной нагрузку больше 20 ватт не рекомендую хоть бы что там китайцы не писали. К тому же можно просто посмотреть на даташит транзистора B772M (ссылка на даташит ниже). Для подключения более мощной нагрузки можно использовать отдельное реле, которым управлять с помощью этого китайского контролера.
B772M TRANSISTOR datasheet:
Цена вопроса: $4
B772 Распиновка, характеристики, техническое описание и применение транзистора B772
Привет, ребята! Надеюсь, ты сегодня здоров. Спасибо, что нажали на это чтение. Сегодня в этом посте я расскажу вам о B772. B772 – это биполярный транзистор средней мощности, который в основном используется для коммутации и усиления и принадлежит к семейству транзисторов PNP. Он поставляется в корпусе TO-126 и имеет ток коллектора 3А, что означает, что он может выдерживать нагрузку до 3А. 60 В – это напряжение коллектор-база, 30 В – это напряжение коллектор-эмиттер, а 5 В – это напряжение эмиттер-база, что означает, что требуется 5 В для смещения транзистора и запуска транзистора.В этом посте я буду обсуждать распиновку, техническое описание, принцип работы, номинальную мощность, физические размеры и применение B772. Давайте приступим. Введение в B772
- B772 – это транзистор с биполярным переходом, который относится к категории транзисторов PNP.
- Он содержит три контакта, которые называются клеммами эмиттера, коллектора и базы. Во время процесса усиления в цепи небольшой входной ток, присутствующий на базовом выводе, используется для создания большого выходного тока на остальных выводах.
- Этот PNP-транзистор изготовлен из кремниевого материала и поставляется в корпусе TO-126.
- B772 имеет три слоя, два из которых легированы p-легированием, а один – n-легированным. Слой с примесью n-типа находится между двумя слоями с p-легированием.
- Два n-легированных слоя представляют коллектор и эмиттер, а один n-легированный слой представляет собой вывод базы и указывает, что для вывода базы требуется отрицательное напряжение для запуска работы транзистора.
- Вы уже знаете, что и электроны, и дырки играют решающую роль в процессе проводимости внутри транзистора, в случае транзистора PNP дырки являются основными носителями, а электроны – неосновными носителями в случае транзисторов NPN.
- Для сравнения, транзисторы NPN предпочтительнее транзисторов PNP, потому что подвижность электронов лучше, чем движение дырок в транзисторе PNP. В редких случаях как PNP, так и дополнительные к нему NPN-транзисторы объединены в одну схему.
- Это устройство производится с использованием строгальной технологии, которая создает прочные высокопроизводительные компоненты.
- Эти клеммы используются для внешнего соединения с электронной схемой. Все эти штыри имеют разную концентрацию легирования и разную функциональность.
- Сторона эмиттера более легирована по сравнению с другими выводами. Кроме того, вывод эмиттера содержит весь ток транзистора, то есть Ie = Ic + Ib
- B772 – это устройство с низким напряжением насыщения и высоким током, в котором клемма базы отвечает за общее действие транзистора. .
- Сторона эмиттера и коллектора имеет обратное смещение, когда на клемме базы присутствует ток, и в этом случае устройство считается выключенным.
- И когда на стороне базы нет тока, коллектор и эмиттер смещены в прямом направлении, и транзистор включен.
- Напомним, это транзистор PNP, здесь n-легированный слой представляет отрицательную сторону базы. На стороне базы подается отрицательное напряжение для запуска рабочего процесса транзистора.
| Абсолютные максимальные характеристики B772 | ||||
|---|---|---|---|---|
| № | Номинальный | Символ | Значение | Единица |
| 1 | Напряжение коллектор-эмиттер | Vce | 30 | В |
| 2 | Напряжение коллектор-база | Vcb | 60 | В |
| 3 | Напряжение эмиттер-база | Veb | 5 | В |
| 4 | Ток коллектора | Ic | 3 | A |
| 5 | Коэффициент усиления по току | hfe | от 30 до 300 | |
| 6 | Рассеиваемая мощность | Ptot | 12.5 | Вт |
| 7 | Температура хранения | Tstg | от -65 до 150 | C |
- Из таблицы видно, что 60 В – это напряжение коллектор-база, а 30 В – напряжение напряжение между коллектором и эмиттером. При этом напряжение между эмиттером и базой 5В.
- Общая рассеиваемая мощность составляет 12,5 Вт, что указывает на количество энергии, высвобождаемой во время работы этого транзистора.
- Температура перехода составляет 150 ° C, а температура хранения составляет от 65 до 150 ° C.
- Это так называемые рейтинги стресса.Когда вы включаете это устройство в свой проект, убедитесь, что рейтинги не превышают абсолютный максимум.
- Если они превысят требуемые характеристики, это приведет к повреждению устройства и, следовательно, всего проекта.
- И NPN, и PNP являются транзисторами с биполярным переходом и работают одинаково, за некоторыми исключениями. Направления тока и полярности напряжения поменяны местами.
- В случае транзистора PNP, проводимость осуществляется от эмиттера к стороне коллектора, в то время как в случае транзистора NPN процесс проводимости осуществляется от коллектора к стороне эмиттера.
- Кроме того, дырки являются основными носителями в случае транзисторов PNP и неосновными носителями в случае транзисторов NPN. В то время как электроны являются основными носителями в транзисторах NPN и неосновными носителями в случае транзисторов PNP.
- И отрицательное напряжение прикладывается к выводу базы в транзисторе PNP, а положительное напряжение прикладывается к выводу базы в случае транзистора NPN.
- BD186
- BD132
- КСБ772
- BD188
- BD190
- MJE232
- КШ772
- MJE235
- Используется для коммутации и усиления средней мощности.
- Используется в цепи управления двигателем.
- Включен в драйверы реле.
- Встраивается в цепи регулятора напряжения.
- Используется для управления нагрузками до 3А.
- Используется в нестабильных и бистабильных мультивибраторах.
- Используется в Н-мостовых схемах.
| رقم القطعة | Обновление до | المصنعين | |
| 2N7000G | МОП-транзистор малых сигналов | ON Semiconductor | |
| 2N7001 | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Siliconix | |
| 54L71 | Триггер AND-Gate R-S Master-Slave | Техас | |
| ATmega644V | 8-битный микроконтроллер Atmel | Корпорация ATMEL | |
| CDP1856 | 4-битный буфер / разделитель шины | ETC | |
| CDP1856C | 4-битный буфер / разделитель шины | ETC | |
| CDP1857 | 4-битный буфер / разделитель шины | ETC | |
| CDP1857C | 4-битный буфер / разделитель шины | ETC | |
| EN25Q16A | Последовательная флэш-память 16 мегабит | Кремниевый раствор Eon | |
| ГБДЖ2506А | Однофазный мостовой выпрямитель с пассивированной защитой от лавинного стекла | NELL | |
| ГБДЖ25А | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВАТОР МОСТ ОДНОФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТОВ | MOSPEC | |
| ГБДЖ25Б | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ МОСТ ОДНОФАЗНЫЕ МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ | МОСПЕК | |
| ГБДЖ25Д | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ МОСТ ОДНОФАЗНЫЕ МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ | MOSPEC | |
| ГБДЖ25Г | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ МОСТ ОДНОФАЗНЫЕ МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ | МОСПЕК | |
| ГБJ25J | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ МОСТ ОДНОФАЗНЫЕ МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ | MOSPEC | |
| ГБДЖ25К | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВНЫЙ МОСТ ОДНОФАЗНЫЕ МОСТОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ | МОСПЕК | |
| ГБДЖ25М | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВАТОР МОСТ ОДНОФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТОВ | MOSPEC |
Мощный усилитель D882 и транзисторы B772
D882 и B772 – это обычные многоцелевые мощные транзисторы с усилением мощности общего назначения.Благодаря своим высоким характеристикам и характеристикам они также используются в широком диапазоне образовательных, инженерных, любительских, промышленных и коммерческих приложений. Максимальный ток коллектора 3А и напряжение возбуждения обеспечивают достаточный коэффициент мощности для переключения и функционирования светодиодов, лампочек, двигателей и других элементов электронных схем. Минимальное напряжение, обеспечиваемое транзистором для усиления мощности, составляет всего 0,3 В.
Электронная схема усилителя мощности с усилением низких частот суммирует левый и правый входы и отфильтровывает высокие частоты диапазона в зависимости от передачи аудиосигналов для качественной передачи и четкости звука.Итак, здесь мы подробно узнаем о функционировании, принципе и передаче электронной схемы усилителя мощности басов. Так чего же вы ждете, приступим!
Принцип:
Принцип работы и автоматизация этого усилителя мощности с усилением низких частот такие же, как и у других усилителей мощности, которые мы обычно используем в повседневной жизни и в коммерческих целях. Входной сигнал, подаваемый в систему, модулируется в соответствии с требуемыми звуковыми частотами и передается с максимальной четкостью.Хорошее напряжение насыщения и стабилизация при высоковольтных нагрузках, превышающих установленный расчетный предел, делают его более удобным для широкого спектра электронных силовых приложений.
Необходимые компоненты:
- D882 Транзистор NPN (1) https://utsource.net/sch/D882.html
- Транзистор B772 PNP (1) https://utsource.net/sch/B772.htmls
- Резистор 100 кОм (1)
- Конденсатор 100 мкФ (1)
- Аудиокабель
- Динамик 4-8 Ом
- Источник питания 4-6В
- Соединительные провода
Схема подключения:
Пошаговая процедура:
- Возьмите оба транзистора D882 и B772 и прикрепите к радиатору
2.Подключите резистор 100 Ом к базе D882 и эмиттеру B772, как показано на рисунке ниже
.3. Подключите коллектор к базе, коллектор к эмиттеру и базу к эмиттеру с конденсатором 100 мкФ, как показано ниже на рисунке
.4. Обеспечьте подключение аудиоколонки 4-8 Ом и аудиокабеля, см. Принципиальную схему для наглядности подключения
5. подключите разъем аудиокабеля к смартфону и ощутите превосходное качество и безупречную четкость звука усилителя мощности на высоких частотах
6.Наш проект усилителя мощности с усилением низких частот, использующий D882 и B772, теперь готов обеспечить усиление четкости низких частот на выходе.
Альтернативный / заменяющий / замещающий / дополнительный номер детали:
Если вы не можете найти транзисторы D882, B772, вы также можете заменить транзистор, дополнительный эквивалент транзистора с 2SD882, 2SB772.
Номер детали Эквивалент D882:
Эквивалентный номер детали D882: BD349, BD185, TIP122L, 2SC4342, 2SD1712 или 2SD1018
Номер детали Эквивалент B772:
Номер детали, эквивалентный транзистору B772: BD187, BD189
Скачать бесплатно техническое описание D882:
Скачать бесплатно техническое описание B772:
Номер детали, относящейся к деталям D882 и B772:
Соответствующий номер детали для D882 и B772: BC338, S8550, 2N7000
Вывод:
Таким образом, усилитель мощности с повышением мощности используется в широком диапазоне приложений, таких как релейный драйвер, аудиоусилитель, переключение нагрузок, Darlington Paris и другие приложения электронной техники.Частота, передаваемая и передаваемая усилителем, дает высокие басы с максимальной четкостью и качеством.
Техническое описание продукта Fujitsu B772-1 17IN, 72 кГц, 0,27 мм, ЭЛТ-монитор, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей, Мониторы, ЭЛТ (S26361-K909-V150)
Длинное название продукта Fujitsu B772-1 17IN 72KHZ 0,27MM ЭЛТ-монитор 43,2 см (17 дюймов) 1280 x 1024 пикселей :Краткое редакционное описание Fujitsu B772-1 17IN 72KHZ 0.ЭЛТ-монитор 27 мм, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей
B772-1 17 дюймов 72 кГц 0,27 мм 1280X1024 TCO99 дюймов (ПК)
Подробнее >>>
Fujitsu B772-1 17IN, 72 кГц, 0,27 мм, ЭЛТ-монитор, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей:Официальный маркетинговый текст Fujitsu B772-1 17IN 72KHZ 0.ЭЛТ-монитор 27 мм, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей, поставляемый производителем
Fujitsu Siemens B772-1 Обзор
Fujitsu Siemens Computers дает людям свободный доступ к информации и услугам в любом месте и в любое время с лучшими в мире продуктами, услугами и решениями, что обеспечивает успех людей в обществе, основанном на знаниях. Fujitsu Siemens стремится оправдать и превзойти ваши ожидания и заслужить ваше уважение в качестве долгосрочного предпочтительного партнера в области ИТ.
Характеристики Fujitsu Siemens B772-1 включают:
Гарантия производителя – 3 года
Размеры (ШхГхВ) – 41 см x 42 см x 40,2 см
Масса – 15 кг
Питание AC – 100/240 В (50/60 Гц)
Тип устройства – Дисплей / ЭЛТ
Размер по диагонали – 17 дюймов
Размер видимой области экрана – 15,7 “
Шаг точки – 0,27 мм
Максимальное разрешение – 1280 x 1024/64 Гц
Соответствующие стандарты – CE, ISO 9241-3, ISO 9241-8, ISO 9241-7, DDC-1, DDC-2B, EN 60950, EN55022, GS, TCO ’99, VESA DDC / CI,
EN55024
Потребляемая мощность – рабочее 75 Вт
Этот краткий обзор технических данных Fujitsu B772-1 17IN, 72 кГц, 0,27 мм, ЭЛТ, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей создан автоматически и использует название продукта и первые шесть основных характеристик.
Fujitsu B772-1 17IN 72KHZ 0,27 мм, 43,2 см (17 дюймов), 30 см, 23 см, 50–160 Гц, 30–72 кГц, 1280 x 1024 пикселей
Общее описание Fujitsu B772-1 17IN 72KHZ 0.ЭЛТ-монитор 27 мм, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей:Это автоматически сформированный общий итог Fujitsu B772-1 17IN, 72 кГц, 0,27 мм, ЭЛТ-монитор, 43,2 см (17 дюймов), 1280 x 1024 пикселей, основанный на первых трех спецификациях из первых пяти групп спецификаций.
Fujitsu B772-1 17IN 72 кГц 0,27 мм. Диагональ дисплея: 43,2 см (17 дюймов), видимый размер по горизонтали: 30 см, видимый размер по диагонали: 23 см.Максимальное разрешение: 1280 x 1024 пикселей, Разрешение дисплея: 1280 x 1024 пикселей. Потребляемая мощность: 75 Вт. Сертификация: Соответствие стандартам – CE, ISO 9241-3, ISO 9241-8, ISO 9241-7, DDC-1, DDC-2B, EN 60950, EN55022, …. Вес: 15,4 кг
2SB772 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, характеристики
B772 или 2SB772 – транзистор общего назначения в корпусе TO-126; В этом посте вы найдете распиновку транзистора 2SB772, эквивалент, использование, функции и другую полезную информацию об этом транзисторе.
Характеристики / Технические характеристики:- Тип упаковки: TO-126
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): – 3A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): – 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): – 40 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
- Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 10 Вт
- Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 60-400
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
MJE172, KSB772, 2N6407, 2SA715, 2SA738, 2N6414, 2N6415, 2SA963 2SB743, 2SB744, 2SB772, BD788, BD816, BD826, BD386, BD386-28, BD386, BD386, BD386, BD386, BD386, BD386, BD386, BD386 BD834, BD836, KSB744, KSB744A, KSB772, MJE170, MJE171, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234.
2SB772 Транзистор объяснил / Описание:2SB772 – это PNP-транзистор общего назначения TO-126, который можно использовать для различных целей переключения и усиления звука. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 3 А и может использоваться для управления различными нагрузками в цепях. Кроме того, напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет всего 0,3 В, что также делает этот транзистор идеальным для использования в местах, где требуется переключение при низком напряжении.
С другой стороны, его усиление по постоянному току 60-400 и рассеивание коллектора 10 Вт делают его идеальным для использования в различных целях усиления звука, его можно использовать в каскадах аудиоусилителя, а также хорошо работать в качестве отдельного усилителя для управления динамиком.
Где и как использовать:Как описано выше, 2SB772 может использоваться в различных приложениях, он может управлять максимальной нагрузкой 3 А или 3000 мА, благодаря чему его можно использовать в ваших схемах для одновременного управления множеством нагрузок.Как мощные двигатели постоянного тока, светодиоды, реле, переключатели, целая часть цепи и т. Д. Кроме того, он также может использоваться для создания мощного аудиоусилителя, а также может использоваться на выходе радиоприемников, звонков / сигналов, mp3. плееры, чтобы управлять динамиком напрямую.
Заявки:Преобразователи постоянного тока в постоянный
Драйвер реле
Усилитель звука
Каскады усилителя звука
Коммутационная нагрузка до 3А
Как безопасно долго работать в цепи:Чтобы получить хорошую и долгосрочную производительность от 2SB772, всегда оставайтесь как минимум на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный ток коллектора транзистора составляет 3 А, поэтому не управляйте нагрузкой более 2,4 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 30 В, в целях безопасности не нагружайте нагрузку более 24 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните его при температуре от -55 до +150 по Цельсию.
