Характеристики и Datasheet на транзистор BC327-40 – Мир Схем
Как указанно в технических характеристиках, BC327-40 – это биполярный, кремниевый n-p-n транзистор. При его изготовлении используется эпитаксиально-планарная производственная технология. Его устанавливают в УНЧ и переключательных схемах.
Цоколевка
Транзистор BC327-40 выпускают в корпусе ТО-92. Ножки расположены в следующем порядке, если смотреть слева направо: коллектор, база и в конце эмиттер. С внешним видом можно познакомиться по рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь следует рассмотреть предельно допустимые характеристики рассматриваемого транзистора. Превышение данных параметров приведёт к выводу устройства из строя. Их исследование проводилось при температуре +25°С.
Для BC327-40 эти характеристики равны:
- напряжение К -Э — 45 В;
- напряжение К — Б — 50 В;
- напряжение Э -Б — 5 В;
- ток коллектора — 500 мА;
- мощность 625 мВт;
- максимальная температура 150°С;
- диапазон температур -55°С … +150°С
Теперь следует рассмотреть электрические характеристики. Их тестировали при температуре +25°С. Другие важные параметры можно найти в специальной колонке таблицы.
Электрические характеристики транзистора BC327-40 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы тестирования | Обозн. | min | тип | max | Ед. изм |
Разность потенциалов К – Б (на пробой) | IC = -100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -50 |
|
| В |
Разность потенциалов К — Э(на пробой) | IC = 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -45 |
|
| В |
Разность потенциалов Э — Б(на пробой) | IE= 10 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 |
|
| В |
Ток К – Б (обратное) | VCВ = -30 В, IЕ = 0 | ICВO |
|
| -0,1 | мкА |
Ток К – Э (обратное) | VCE= -40В, IВ= 0 | ICEХ |
|
| -0,2 | мкА |
Ток Э –Б (обратное) | VEB = -5 В, IC | IEBO |
|
| -0,1 | мкА |
К-т усиления | VCE=-1 В,IC=-100мA | hFE | 250 | 400 | 630 |
|
VCE=-1 В,IC=-300мA | hFE | 170 | 320 |
|
| |
Разность потенциалов насыщения К-Э | IC = — 500 мA, IB = — 50 мA | V CE(sat) |
|
| -0,7 | В |
Разность потенциалов включения Б-Э | VCE= -1 В, IC=500мA | V ВE(on) |
|
| -1,2 | В |
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=-5 В, IC= -10мA, f=100 МГц | fT |
| 100 |
| МГц |
Выходная коллекторная ёмкость | VCВ= -10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц | Cob |
| 4 |
| пФ |
Аналоги
Основные иностранные аналоги BC327-40:
- BC214;
- 2N3906;
- 2N4403.
Существует также отечественный аналог, это — КТ686В. В качестве комплементарной пары используют устройство BC337.
Производители и Datasheet
В списке ниже приведём datasheet на BC327-40 от производителей:
- Unisonic Technologies;
- First Silicon;
- Motorola;
- Pan Jit;
- KEC;
- Jiangsu Electronics;
- NXP;
- Siemens;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH.
В отечественных магазинах можно приобрести продукцию таких фирм:
- ON Semiconductor;
- SEMTECH;
- Fairchild;
- Dc Components;
- Diotec.
PNP; биполярный; 50В; 0,8А; 625мВт; TO92 производства SEMTECH ELECTRONICS LIMITED BC327-40-BULK
Производитель
SEMTECH ELECTRONICS LIMITED
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Рассеиваемая мощность
625мВт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
россыпью
-
Частота
100МГц
Тип транзистора
PNP
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Ток коллектора
0,8А
Вес
0. 199g
199gБесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
bc327%20equivalent Технический паспорт и указания по применению
| Каталог Технический паспорт | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
2006 – бк 7-25 пнп Резюме: BC327 32725 BC32 bc 7-40 pnp BC327-25 bc327 схема выводов BC327-16 эквивалент для BC327 BC327G | Оригинал | БК327, БК327-16, БК327-25, БК327-40 BC327/D бк 7-25 пнп до н.э.327 32725 до н.э.32 бк 7-40 пнп БК327-25 распиновка bc327 БК327-16 эквивалент для BC327 BC327G | |
2003 – BC327-25 Реферат: BC327 BC327-40 BC33740 BC337-40 т д BC32725 BC327-25-AP BC327-40-AP BC337-25 BC337-40 | Оригинал | БК327-25
БК327-40
БК327-25
БК327-25-АП
БК327-40
БК327-40-АП
до н. э.327
BC33740
BC337-40 т д
BC32725
БК327-25-АП
БК327-40-АП
БК337-25
БК337-40 | |
2004 – BC327 НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Реферат: BC327 BC328 cbc327 BC337 BC327 hfe BC327 to92 BC327-16 BC327-16-BULK BC327-40 | Оригинал | до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 БК327-16 D-74025 19 мая 2004 г. BC327 НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК до н.э.328 cbc327 BC327 hfe до н.э.327 до 92 БК327-16 BC327-16-НАВАЛ БК327-40 | |
2001 – BC327 Резюме: BC327-16 BC327-25 Эквивалент BC327 BC327-40 BC327/BC327 | Оригинал | БК327, БК327-16, БК327-25, БК327-40 до н.э.327 р14525 BC327/D до н.э.327 БК327-16 БК327-25 Эквивалент BC327 БК327-40 БК327/БК327 | |
2009 – транзистор c32725 Резюме: c32725 c32740 C32740 Транзистор PNp C32740 Транзистор NPN C32725 Транзистор NPN C32716 Транзистор c32725 Транзистор c32725 информация о выводах C3274 | Оригинал | до н. э.807;
BC807W;
до н.э.327
до н.э.807
до н.э.817
BC807W
ОТ323
СК-70
BC817W
до н.э.327
транзистор c32725
c32725
c32740
Техническое описание транзистора C32740 PNp
C32740 NPN-транзистор
C32725 NPN-транзистор
C32716
c32725 транзистор
Информация о выводах транзистора c32725
C3274 | |
2005 – транзистор c32725 Реферат: c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740 | Оригинал | до н.э.807; BC807W; до н.э.327 до н.э.807 до н.э.817 BC807W ОТ323 СК-70 BC817W транзистор c32725 c32725 c32740 БК327 С327 C32740 NPN-транзистор C32725 NPN-транзистор Транзистор C32740 PNp c32716 c32725 транзистор транзистор c32740 | |
102 ТРАНЗИСТОР Резюме: BC327 BC328 BC327A ТРАНЗИСТОР BC327-40 BC327-16 BC327-25 BC328-16 BC328-25 BC337 | OCR-сканирование | до н. э.327
BC327A
до н.э.328
БК327,
БК327А,
до н.э.328
БК337,
BC337A
до н.э.338
до н.э.327
102 ТРАНЗИСТОР
BC327A
ТРАНЗИСТОР BC327-40
БК327-16
БК327-25
БК328-16
БК328-25
до н.э.337 | |
bC328 филипс Аннотация: транзистор bc32 BC327A BC327 BC338 BC327-16 BC328 BC337 BC337A BC338 ТРАНЗИСТОР | OCR-сканирование | до н.э.327 BC327A до н.э.328 БК327, БК327А, БК337, BC337A до н.э.338 bC328 филипс bc32 транзистор БК327-16 до н.э.337 BC338 ТРАНЗИСТОР | |
2002 – конфигурация контактов Bc327 Резюме: Транзистор BC327 NPN Техническое описание BC327 bc327 vishay Конфигурация выводов BC338 PNP транзистор BC327 PNP BC327 Транзисторы BC328 VISHAY | Оригинал | до н.э.327
до н.э.328
О-226АА
до н.э.338
08 мая 2002 г.
конфигурация контактов Bc327
Техническое описание транзистора BC327 NPN
bc327 вишай
конфигурация выводов PNP-транзистор BC327
ПНП BC327
до н. э.328
транзисторы ВИШАЙ | |
2009 – C32725 NPN-транзистор Реферат: C32740 NPN-транзистор C32740 C32716 C32725 | Оригинал | до н.э.807; BC807W; до н.э.327 до н.э.807 до н.э.817 BC807W ОТ323 СК-70 BC817W до н.э.327 C32725 NPN-транзистор C32740 NPN-транзистор C32740 C32716 C32725 | |
bc327 Аннотация: bc328 BC327 hfe | Оригинал | БК327/328 до н.э.327 до н.э.328 BC327 hfe | |
2005 – BC327 Вт 75 Резюме: BC327 BC338 bc337 m конфигурация контактов Bc337 конфигурация контактов Bc327 BC328 BC327 вывод | Оригинал | БК327/А до н.э.328 БК337/А до н.э.338 С-120 338Rev 201205Е BC327 Вт 75 до н.э.327 до 337 м конфигурация контактов Bc337 конфигурация контактов Bc327 Распиновка BC327 | |
ТРАНЗИСТОР BC327-40 Реферат: ТРАНЗИСТОР bc327 | Оригинал | БК327/328
БК337/338
до н. э.327
до н.э.328
QW-R201-038
ТРАНЗИСТОР BC327-40
bc327 ТРАНЗИСТОР | |
2005 г. – эквивалент для BC327 Реферат: BC327 BC328 BC338 bc337 m 337a | Оригинал | БК327/А до н.э.328 БК337/А до н.э.338 338Rev 290606D С-120 эквивалент для BC327 до н.э.327 до 337 м 337а | |
bc327 Аннотация: моторола bc328 BC327 | OCR-сканирование | до н.э.327 до н.э.328 О-226АА) BC327 моторола | |
2004 – BC327 Резюме: BC327 PNP транзистор скачать техническое описание BC327 транзистор utc BC328 328 транзистор BC327 pnp транзистор техническое описание PNP BC327 транзистор bc327 BC328 транзистора BC337 | Оригинал | БК327/328
БК337/338
до н. э.327
до н.э.328
QW-R201-038
до н.э.327
Скачать техническое описание транзистора BC327 PNP
Транзистор BC327
UTC BC328
328 транзистор
Таблица данных транзистора BC327 pnp
ПНП BC327
транзистор bc327
до н.э.328
ТРАНЗИСТОРА BC337 | |
И3С327 Реферат: BC327 BC328 cbc327 103 мА BC327/BC328 транзистор bc 102 BC337 BC338 BC 160 | OCR-сканирование | БК327, до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 до н.э.327 до н.э.327 до н.э.328 I3C327 cbc327 103 млн лет БК327/БК328 транзистор ВС 102 160 г. до н.э. | |
BC327 Аннотация: транзистор BC328 BC328 | Оригинал | BC327/ до н.э.328 до н.э.327 -100 мА -300 мА -500мА, -50 мА до н.э.327 до н.э.328 транзистор BC328 | |
BC327 Реферат: BC328 ТРАНЗИСТОР BC327 | Оригинал | БК327/БК328
до н. э.327
до н.э.328
29 июня 2006 г.
270ТИП
до н.э.327
до н.э.328
ТРАНЗИСТОР BC327 | |
BC327 Резюме: BC327-16 BC327-25 BC327A BC328 BC328-16 BC337 BC337A BC338 bC328 Philips | OCR-сканирование | ГГ27С24 до н.э.327 BC327A до н.э.328 БК327, БК327А, до н.э.328 БК337, BC337A до н.э.338 до н.э.327 БК327-16 БК327-25 BC327A БК328-16 до н.э.337 bC328 филипс | |
2004 – BC327 НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Резюме: *327-25 bc327 bc338 комплементарный bc3271 BC327 vishay BC328-25 | Оригинал | до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 БК327-16 БК327-25 БК327-40 БК328-16 БК328-25 БК328-40 BC327 НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК *327-25 bc338 дополнительный до н.э.3271 BC327 Вишай | |
BC327 Аннотация: BC328 BC337 BC338 C338 BC327-25 | OCR-сканирование | до н. э.327
до н.э.328
О-226АА)
БК337,
БК338,
до н.э.337
до н.э.338
C338
БК327-25 | |
бк327б Реферат: BC327 ITT Intermetall bc328 | OCR-сканирование | БК327, до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 bc327b до н.э.327 ИТТ Интерметалл до н.э.328 | |
К327а Аннотация: C337A | OCR-сканирование | до н.э.327 BC327A до н.э.328 БК327, до н.э.328 БК337, до н.э.338 БК327; C327a C337A | |
2006 – распиновка BC327 Резюме: bc 7-25 pnp схема выводов bc327 bc327 примечания по применению bc 7-40 pnp BC327 PNP транзистор скачать техническое описание bc 7-25 bc 7-40 bc327 BC327-025G | Оригинал | БК327,
БК327-16,
БК327-25,
БК327-40
BC327/D
Распиновка BC327
бк 7-25 пнп
распиновка bc327
примечания к применению bc327
бк 7-40 пнп
Скачать техническое описание транзистора BC327 PNP
7-25 г. до н.э.
7-40 г. до н.э.
до н.э.327
БК327-025Г | |
Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next
arduino — Могу ли я заменить 2N222 на BC558B, BC549C или BC327?
Вы правильно поняли, что вы должны быть осторожны, подвергая контакты ввода-вывода непосредственно внешним устройствам. Иногда это связано с тем, что внешнему устройству требуется другое (обычно, когда это вызывает беспокойство, это означает более высокое) напряжение, чем может обеспечить или выдержать ваш вывод ввода-вывода. Иногда это происходит из-за того, что текущего соответствия вывода ввода-вывода недостаточно. (Это способность снижать [по направлению к земле] или подавать [от источника питания] ток.) Также рекомендуется оставаться значительно ниже максимального соответствия по току, потому что само напряжение на контактах ввода-вывода отклоняется от своего номинального значения. значение при более высоких токах в пределах его диапазона соответствия.
Тот факт, что вы иногда видите отрицательные, а не положительные значения для разных транзисторов, когда читаете их таблицы данных, является вопросом соглашения.
Существует два типа биполярных транзисторов (BJT): NPN и PNP. По соглашению в спецификациях используется другой знак для аналогичных параметров, указанных на листе. Рассматривая ограничения того или другого, вы больше сосредотачиваетесь на величине, чем на знаке. Если вы видите «неправильный» знак, это, вероятно, просто означает, что вы смотрите на PNP вместо NPN, который вы хотели, или что вы смотрите на NPN, когда вам нужен PNP.
Термин \$V_{ce}\$ обычно важен для одной из двух вещей: (1) определения максимального напряжения, которое транзистор может безопасно выдержать в выключенном состоянии, или (2) определения рассеяния на вашем транзисторе, когда работает как выключатель, который находится в положении ON. В первом случае, если вы пытаетесь, например, управлять двигателем на 12 В, вы хотите убедиться, что биполярный транзистор выдерживает 12 В в выключенном состоянии. (Большинство сделает это.) Итак, вы проверяете этот параметр в таблице данных. Иногда вам может понадобиться переключить 60 В постоянного тока, и в этом случае есть ряд BJT, которые не справятся с этим.
Но, как правило, почти все могут выдерживать 30 В или около того, а часто и 40 В. Во втором случае вам нужно посмотреть на некоторые кривые для транзистора и посмотреть, что такое \$V_{ce}\$ при работе в «насыщенном режиме». Как правило, маломощные биполярные транзисторы с достаточной нагрузкой достигают всего $200 мВ\$ и, возможно, даже меньше (чем меньше, тем лучше). самого БЖТ.
Значение \$V_{be}\$ обычно принимается равным 0,7 В, не читая таблицы данных в качестве первого приближения для маломощных биполярных транзисторов (большинство маломощных). Это просто оценка, используемая для получения приблизительного представления о настройке значение базового резистора, используемого для управления биполярным транзистором. Например, если у вас есть выходы \$5В\$, вы можете “оценить”, что фактический выход будет \$4,8В\$ (просто чтобы дать себе небольшой запас), и признать, что \$V_{be} \приблизительно 0,7В \$, оставив только \$4.1V\$. Это должно появиться на базовом резисторе, который вы используете.
Если базовый ток должен быть, скажем, 20 мА, то вы знаете, что резистор равен \$\frac{4.1V}{20mA} = 205\Omega\$. Таким образом, вы можете выбрать \$220\Omega\$ или Резистор \$180\Omega\$ для этой цели.
Вы упомянули, что вам нужен пиковый ток 1 А и постоянный ток 800 мА. Это много для большинства маломощных биполярных транзисторов. Таким образом, это говорит о том, что вам нужно быть осторожным и выбрать BJT, который хорошо с этим справится. Возможно, \$V_{ce}\$ здесь будет немного выше, во-первых, из-за более высокого тока. Так, например, если \$V_{ce}\$ будет \$300 мВ\$, а непрерывная нагрузка будет \$800 мА\$, то рассеяние составит \$\frac{1}{4}Вт\$. BC637 и BC639 — это устройства NPN, которые могут выдерживать непрерывный ток 1 А, а при \$800ma\$ они также имеют типичное \$V_{ce} \приблизительно 300 мВ\$, при \$\beta=10\$. Здесь может быть вариант, за исключением того, что ваш ввод-вывод не может обрабатывать диск \$100 мА\$ (что составляет \$\frac{1}{10}\$th от 1A.) Так что это начинает выглядеть либо решение MOSFET или решение с двумя BJT.
