Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх , мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
Транзисторы BC546 – BC550 – кремниевые, высокочастотные
усилительные общего назначения, структуры – n-p-n. Наиболее важные параметры.Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт. Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц; Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC546 65в. Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC546 80в. Максимальное напряжение эмиттер – база – У транзисторов BC546, BC547 6в. Коэффициент передачи тока: Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в. Использованы материалы с Popular Transistors.BC547. Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском
Союзе
в свое время – КТ315. BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда – наоборот). BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и
усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением
радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты,
после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. На главную страницу Использование каких – либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”. |
В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных
BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450).
BC548, эквивалент, работа в качестве усилителя/переключателя и техническое описание
16 марта 2018 – 0 комментариев
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
2 | Базовый | Управляет смещением транзистора |
3 | Излучатель | Утечка тока через эмиттер |
Характеристики транзистора BC548
- Биполярный транзистор NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 800
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 500 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) составляет 5 В
- Базовый ток (IB) составляет максимум 5 мА
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полную техническую информацию можно найти в техническом описании транзистора BC548 в конце этой страницы.
BC547
BC548 Эквивалентные транзисторыBC549, BC636, BC639, 2N222222222222222222222222222222222222 гг., 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200
Краткое описание BC548
быть закрытым (смещенным вперед), когда сигнал подается на базовый контакт. BC548 имеет значение усиления от 110 до 800 , это значение определяет мощность усиления транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 500 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 500 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на базовый вывод, этот ток (I B ) должен быть ограничен 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 500 мА через коллектор и эмиттер.
Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (V CE ) или базой-эмиттером (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 660 мВ.
BC548 в качестве переключателя
Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как разомкнутый ключ во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения должен быть не более 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, последовательно с базовым выводом всегда добавляется резистор для ограничения тока.
Номинал этого резистора (R B ) можно рассчитать по приведенной ниже формуле.
R B = V BE / I B
Где значение V BE должно быть 5 В для BC548 и тока базы (I B зависит от тока коллектора (I C ) Значение I B не должно превышать 5 мА
BC547 в качестве усилителя
Транзисторы A действуют как усилитель при работе в активной области.Он может усиливать мощность, напряжение и ток при различных конфигурациях.
Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:
- Усилитель с общим эмиттером
- Усилитель с общим коллектором
- Усилитель с общей базой
Из вышеперечисленных типов тип общего эмиттера является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам
.Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I C ) / Базовый ток (I B )
Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I C ) / Базовый ток (I B ) Приложения
- Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т. д.
- Усилительные модули, такие как аудиоусилители, усилители сигналов и т. д.
- Пара Дарлингтона
2D-модель и размеры
Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.
Теги
Транзистор NPN
Транзистор
Транзистор
BC548 Распиновка, технические характеристики, техническое описание и применение
BC458 — это NPN-транзистор общего назначения, используемый во многих электронных проектах и устройствах. Транзистор BC548 используется для усиления и переключения в электрических цепях.
Как и любой другой NPN-транзистор, он состоит из трех выводов: коллектора, базы и эмиттера.
Table Of Contents
- BC548 Transistor Pinout
- BC548 Transistor Datasheet
- Features / technical specifications:
- Circuit Applications of BC548 transistor:
| Pin No | Название контакта | Описание |
| 1 | Коллектор | Ток будет проходить через клемму коллектора. Он обозначен буквой «C» |
| 2 | Основание | Этот вывод управляет смещением транзистора. Обозначается буквой «B» |
| 3 | Эмиттер | Ток поступает через клемму эмиттера. Некоторые другие широко используемые заменители BC458: BC549 , BC547 , 2N3904, BC108, BC550, BC546, 2N2222, BC548 Transistor Datasheet Arduino UNO Specs, Pinout, layout . Please enable JavaScript Arduino UNO Характеристики, распиновка, схема с подробным описанием выводов BC547 поставляется в двух упаковках: SMD и TO-92 соответственно. Техническое описание BC548 (стр. 1)Щелкните эту ссылку, чтобы просмотреть полное техническое описание BC548 Вы можете найти подробную информацию о BC548 в таблице данных, приведенной выше. Спецификации и характеристики, такие как абсолютные максимальные значения, блок-схема, методы смещения и размеры корпуса, можно найти в техническом описании. Особенности / Технические характеристики:
Рабочие состояния ИЛИ режимы работы BC548: Как и любой другой транзистор, транзистор BC548 работает в трех областях:
(a) Область отсечки В области отсечки транзистор работает как разомкнутая цепь или открытый ключ. Токи базы, коллектора и эмиттера в этой области равны нулю. В области отсечки коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении. I C = I E = I B = 0 Здесь I C = ток коллекционера, I E = Эмиттер -ток и I B B. (b) Область насыщения В области насыщения транзистор работает как короткое замыкание или замкнутый переключатель. Токи коллектора и эмиттера максимальны в этой области. В области насыщения и коллекторный, и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении. Другими словами, транзистор работает как короткозамкнутый или закрытый ключ, пропускающий максимальный ток, что означает: I C = I E здесь I C = ток коллектора и I E E E (c) Активная область Активная область находится между областями отсечки и насыщения. I C = β I B here, I C = collector current Β = current amplification factor I B = base current Таким образом, ток коллектора увеличивается пропорционально току базы. BC548 ТРАНЗИСТОР КАК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ Области, отвечающие за работу транзистора в качестве переключателя, — это область насыщения и область отсечки. Когда мы подаем достаточно большой ток на базу транзистора, он создает путь для тока коллектора, который проходит через базу к эмиттеру. Чтобы использовать транзистор в качестве переключателя, его необходимо перевести в область насыщения с достаточным базовым током. А транзистор работает как замкнутый ключ в области насыщения. |
..
Рассеяние коллектора (Pc): 625 мВт 
Следовательно, в области отсечки ток базы, эмиттера и коллектора равен нулю. Это дает
В активной области эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В активной области ток коллектора в β раз больше тока базы, т. е.
