Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Вранзистор C945: характСристики, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, отСчСствСнныС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Главная Β» Вранзистор

  • C945 β€” биполярный ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор.
  • НС содСрТит свинСц.
  • УдовлСтворяСт трСбованиям Π΄ΠΈΡ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ RoHS (Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅Π΄Π½Ρ‹Ρ… вСщСств).
  • ΠŸΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ корпус с 3 Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Ρ‚ΠΈΠΏ ВО-92.
  • Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° N-P-N.
  • Высокая Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния hFE.
  • Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ собствСнных ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ².

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  1. Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°
  2. Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ
  3. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
  4. ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния hFE(1)
  5. ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора
  6. ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ
  7. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора Π‘945 Π² Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, Π² соотвСтствии с Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ самого элСмСнта.

ЗначСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25Β°C.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Π΄.ΠΈΠ·ΠΌ.
VCBOНапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°60Π’
VCEOНапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр50Π’
VEBOНапряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°5Π’
ICΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°150мА
PCΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния400ΠΌΠ’Ρ‚
TJМаксимальная рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°125Β°C
TstgΠ˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€-55…125Β°C

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

ЗначСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды +25Β°C.

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π£ΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ измСрСнияВСличинаЕд. ΠΈΠ·ΠΌ.
V(BR)CBOНапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°IC=1ΠΌA, IE=060Π’
V(BR)CΠ•OНапряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC=100ΠΌΠΊA, IΠ’=050Π’
V(BR)Π•BOНапряТСниС пробоя эмиттСр-Π±Π°Π·Π°IΠ•=1ΠΌΠΊA, IΠ‘=05Π’
ICBOΠ’ΠΎΠΊ отсСчки ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCB=60Π’, IE=00,1мкА
ICΠ•OΠ’ΠΎΠΊ отсСчки ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCΠ•=45Π’, IE=00,1мкА
IΠ•Π’ΠžΠ’ΠΎΠΊ отсСчки эмиттСраVΠ•Π’=45Π’, IΠ‘=00,1мкА
hFE(1)ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒVCE=6Π’, IC=1ΠΌA70…700
hFE(2)VCE=6Π’, IC=0. 1ΠΌA40
VCE(sat)НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрIC=100ΠΌA, IB=10ΠΌA0,3Π’
VBE(sat)НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрIC=100ΠΌA, IB=10ΠΌA1Π’
fTГраничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°VCE=6Π’, IC=10mA, f=30ΠœΠ“Ρ†200ΠœΠ“Ρ†
CobВыходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°VCB=10Π’, IE=0, f=1ΠœΠ“Ρ†3ΠΏΠ€
NFΠ£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°VCE=6Π’, IC=0.1мА
RG=10кОм, f=1ΠœΠ“Ρ†
10dB

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния hFE(1)

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°OYGRBL
Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°70…140120…240200…400350…700

ΠœΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора

Π’ΠΈΠΏPcUcbUceUebTjCcIchfeftΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
C945 0. 2 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3 pf 0.15 A 130 150 MHz SOT23
2SC945 0.25 W 50 V 40 V 5 V 125 Β°C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
STC945 0.5 W 50 V 40 V 5 V 150 Β°C 2 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2PC945 0.5 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz SOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR 0.4 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 0.15 A 200 150 MHz TO-92
2SC945-Y 0.4 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 0.15 A 120 150 MHz TO-92
2SC945L 0. 25 W 50 V 40 V 5 V 125 Β°C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
2SC945LT1 0.23 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2.2 pf 0.15 A 200 150 MHz SOT23
2SC945M 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 250 pf 0.15 A 90 3 MHz SOT23
2SC945O 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2.5 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92
2SC945P 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2.5 pf 0.15 A 200 300 MHz TO-92
2SC945R 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
2SC945T 0. 25 W 50 V 40 V 5 V 125 Β°C 0.1 A 75 125 MHz TO-92
2SC945Y 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2.5 pf 0.15 A 120 300 MHz TO-92
BTC945A3 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 9 pf 0.2 A 135 150 MHz TO-92
C945LT1 0.2 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 0.15 A 40 150 MHz SOT23
C945T 0.4 W 60 V 50 V 5 V 125 Β°C 3 pf 0.15 A 70 200 MHz TO-92
CSC945 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945K 0. 25 W 60 V 45 V 5 V 125 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945P 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945Q 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
CSC945R 0.25 W 60 V 45 V 5 V 125 Β°C 4 pf 0.1 A 50 150 MHz TO-92
FPC945 0.25 W 50 V 40 V 175 Β°C 5 pf 0.1 A 200 250 MHz TO-92
FTC945B 0.4 W 60 V 50 V 5 V 125 Β°C 3 pf 0.15 A 70 200 MHz TO-92
HSC945 0. 25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 4 pf 0.1 A 135 150 MHz TO-92
KSC945 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
KSC945G 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 200 300 MHz TO-92
KSC945L 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 350 300 MHz TO-92
KSC945O 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92
KSC945R 0.25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 40 300 MHz TO-92
KSC945Y 0. 25 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 3.5 pf 0.15 A 120 300 MHz TO-92
KTC945 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2 pf 0.15 A 90 300 MHz TO-92
KTC945B 0.625 W 60 V 50 V 5 V 150 Β°C 2 pf 0.15 A 70 300 MHz TO-92

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ позиция Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅, – транзистор Π‘945, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.

АналогVCEOICPChFEfT
C945500,150,470200
ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ производство
КВ3102450,10,25250300
Π˜ΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚
KSC945500,150,2540300
2N2222300,80,5100250
2N3904400,20,3140300
2SC3198500,150,420130
2SC1815500,150,47080
2SC2002600,30,39070
2SC3114500,150,455100
2SC3331500,20,5100200
2SC2960500,150,25100100

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ пСрСчня Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² транзистор КВ3102 отличаСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, поэтому Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ для Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π‘945. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅ΠΌ вашС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»Π°, – ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π½Π° 30%. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ использованиСм КВ3102 ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ мощностныС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΅ΠΌΡƒ прСдстоит Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ взяты ΠΈΠ· Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ-ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ эксплуатационныС характСристики

Рис.1 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCE).

 

Рис.2 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния (hFE) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

 

Рис.3 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр (UBEsat) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

 

Рис.4 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCEsat)ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

 

Рис.5 Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (fT) ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC).

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠΏΠΎ тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.

Вранзистор C945: характСристики, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Как написано Π² тСхничСских характСристиках транзистора C945 (2SC945) – это ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ΅, высокочастотноС, биполярноС устройство, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ n-p-n структуру. ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡΡ ΠΊ срСднСй мощности. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ усилитСли, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ элСктроника.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ 2SC945 Π² корпусС для Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ВО-92 ΠΈ для повСрхностного ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° SOT-23. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ располоТСны Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ порядкС, Ссли ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ эмиттСр, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π±Π°Π·Π°. Но Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡŽΠΆΠ½ΠΎΠΊΠΎΡ€Π΅ΠΉΡΠΊΠ°Ρ компания Kwang Myoung установила Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ порядок слСдования Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ: эмиттСр, Π±Π°Π·Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой C945 рСкомСндуСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ производитСля Ρƒ вас транзистор. Компании ΠΏΡ€ΠΈ нанСсСнии ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π½Π° ВО-92 часто ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π΄Π²Π° символа ΠΈ получаСтся C945. На ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ SOT-23 имССтся надпись CR.

ВСхничСскиС характСристики

РассмотрСниС тСхничСских характСристик Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‘ΠΌ с максимально допустимых ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Они Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ссли ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ эти значСния, Ρ‚ΠΎ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. Π˜Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 25Β°Π‘. Для 2SC945 ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹:

  • напряТСниС К – 60 Π’;
  • напряТСниС К – Π­ 50 Π’;
  • напряТСниС Π­ – Π‘ 5 Π’;
  • Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 100 мА;
  • Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ 50 мА;
  • ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 250 ΠΌΠ’Ρ‚;
  • Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния -55 … +150Β°Π‘;
  • Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла Π’j = +150Β°Π‘.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим элСктричСскиС характСристики, ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΡ… Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ зависят возмоТности транзистора. Π˜Ρ… измСрСния ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 25Β°Π‘. ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… зависят Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉΠΉ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠ΅ «Условия тСстирования»

ЭлСктричСскиС характСристики транзистора BC547 (ΠΏΡ€ΠΈ Π’ = +25
ΠΎC)
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹Π£ΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈΠ½Ρ‚ΠΈΠΏΠΌΠ°Ρ…Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ
НапряТСниС пробоя К β€” Π‘IК = 100 ΠΌΠΊA, IΠ­ = 0BVCBO60Π’
НапряТСниС пробоя К β€” Π­IК = 1,0 mA, IΠ‘ = 0BVCΠ•O50Π’
НапряТСниС пробоя К β€” Π­IΠ­ = 10 ΠΌΠΊA, IК = 0BVΠ•BO5Π’
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Uкэ=50Π’, UΠΊΠ±=0Π’ ICBO0,1мкА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСраUΠΊΠ± = 5Π’, Uэб=0Π’ICBO0,1мкА
БтатичСский ΠΊ-Ρ‚ усилСнияIК = 0,1 ΠΌA, Uкэ = 6Π’hFE150
IК = 1 ΠΌA, Uкэ = 6Π’hFE2135600
НапряТСниС насыщСния К β€” Π­IК=100ΠΌA, IΠ‘=10ΠΌAVCE(sat)0,10,3Π’
Π‘ –Э напряТСниС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡIК=2. 0ΠΌA, Uкэ=5BUбэ(Π²ΠΊΠ»)0,550,7Π’
IК=10мA, Uкэ=5B
0,77
Π’
Граничная частота ΠΊ-Ρ‚Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Uкэ=6B, IК=10ΠΌA,

f=100ΠœΠ“Ρ†

fΠ³Ρ€.150600ΠœΠ“Ρ†
Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒUΠΊΠ±=10Π’, IΠ­=0, f=1ΠœΠ“Ρ†Π‘Π²Ρ‹Ρ…1,74,5ΠΏΠ€
Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒUΠΊΠ±=10Π’, IК=0, f=1ΠœΠ“Ρ†Π‘Π²Ρ…4ΠΏΠ€

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ значСния ΠΊ-Ρ‚Π° усилСния hFE Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ свои транзисторы ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ дСлят ΠΈΡ… Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ части:

  1. R ΠΎΡ‚ 90 Π΄ΠΎ 180;
  2. Q ΠΎΡ‚ 135 Π΄ΠΎ 270;
  3. P ΠΎΡ‚ 200 Π΄ΠΎ 400;
  4. K ΠΎΡ‚ 300 Π΄ΠΎ 600.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ дСлят Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ части:

  1. O ΠΎΡ‚ 70 Π΄ΠΎ 140;
  2. Y ΠΎΡ‚ 120 Π΄ΠΎ 240;
  3. GR ΠΎΡ‚ 200 Π΄ΠΎ 400;
  4. BL ΠΎΡ‚ 350 Π΄ΠΎ 700;

Вранзисторы Π² корпусС SOT-23, ΠΏΠΎ ΠΊ-Ρ‚Ρƒ hFE, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Π΄Π²Π΅ части:

  1. L ΠΎΡ‚ 130 Π΄ΠΎ 200;
  2. H ΠΎΡ‚ 200 Π΄ΠΎ 40

ΠŸΠ°ΡΡ‚ΡŒ 2SC945 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΌΠΌ ΠΎΡ‚ транзистора ΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 с. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° паяльника Π½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ +260Β°Π‘.

Аналоги

Из Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² для c945 Π½Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‘ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅: 2SC1000

  • 2N2222;
  • 2SC1685;
  • 2N3904;
  • 2SC1815;
  • 2SC3331;
  • 2SC644;
  • 2SC3332.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ отСчСствСнныС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, это: КВ3102А, КВ3102Π‘ ΠΈ КВ3102Π”. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ для Π½Π΅Π³ΠΎ являСтся транзистор A733.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ 2SC945 (datasheet ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ½ΡƒΠ² ΠΏΠΎ названию) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Ρ‘ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ:

  • Guangdong Kexin Industrial;
  • NEC;
  • Unisonic Technologies;
  • Shenzhen Jin Yu Semiconductor;
  • Tiger Electronic;
  • Daya Electric Group;
  • Kwang Myoung;
  • Weitron Technology;
  • SeCoS Halbleitertechnologie;
  • Dc Components.

Π’ отСчСствСнных ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ… Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ издСлия ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ: Dc Components, NEC.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора C945, эквивалСнт, использованиС, особСнности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора C945, эквивалСнт, использованиС, характСристики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, подробности ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π³Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ максимальной долговСчности…

Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ объявлСния

 

ОбъявлСния

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ/тСхничСскиС характСристики:
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ:  ВО-92
  • Π’ΠΈΠΏ транзистора: NPN
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ): 150 мА
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Π’ CE ): 50 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Π’ CB ): 60 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VEBO): 5 Π’
  • МаксимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΡˆΡ‚. ): 400 ΠΌΠ’Ρ‚
  • Макс. частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (fT): 200 ΠœΠ“Ρ†
  • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‡
    FE
    ):  70–700
  • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΈ рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ: ΠΎΡ‚ -55 Π΄ΠΎ +150 ΠΏΠΎ ЦСльсию

 

PNP Complementary:

PNP Complementary of C945 is A733

 

Replacement and Equivalent:

2N2222 , 2N3904 , 2SC1815 , 2SC3198 (Pin configuration of SOME transistors are different начиная с C945, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ)

 

ОписаниС транзистора C945:

C945 β€” это NPN-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… коммСрчСских ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктронных схСмах. Он ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ Π² корпусС TO-93, максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 150 мА ΠΈΠ»ΠΈ 0,15 А, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, свСтодиодов, Ρ€Π΅Π»Π΅, ИБ, транзисторов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… частСй схСмы. НапряТСниС насыщСния транзистора составляСт всСго 0,3 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ характСристикой этого транзистора. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, транзистор Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΠΌ устройством ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ 70 Π΄ΠΎ 700.

 

Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

Как ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² каскадах схСм прСдусилитСля ΠΈ усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ усилСниС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… сигналов Π² элСктронных схСмах. НапряТСниС насыщСния Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° BJT-транзисторов составляСт 0,6 Π’, Π½ΠΎ C945 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 0,3 Π’, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ напряТСниСм ΠΈΠ»ΠΈ Π² любой схСмС, Π³Π΄Π΅ доступно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ BJT-транзисторы Π½Π΅ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π•Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² радиочастотных цСпях с частотой Π΄ΠΎ 200 ΠœΠ“Ρ†.

 

Applications:

Sensor Circuits

Audio Preamplifiers

Audio Amplifier Stages

Switching Loads under 150mA

Darlington Pairs

RF Circuits

 

How to Safely Long Run in a Circuit :

Для бСзопасного запуска этого транзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ рСкомСндуСтся Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ с напряТСниСм Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 50 Π’, всСгда ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π½Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 мА, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ этот транзистор, составляСт 150 мА. Для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΡ‹ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΎΠ³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» максимальной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, всСгда ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π½Π΅Π³ΠΎ. НС ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ +150Β°Π‘ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ -55Β°Π‘ ΠΈ всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор.

Вранзистор C945: ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора, распиновка, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΈ спСцификация

Byadharsh ОбновлСно

Вранзистор C945 Вранзистор C945

БпСцификация транзистора C945
  • Биполярный NPN Вранзистор BJT
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 700 Ρ‡ FE
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ) 150 мА
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ( Π’ CB ) составляСт 60 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ( Π’ CE ) составляСт 50 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ( Π’ EB ) составляСт 5 Π’
  • Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ° 10 Π΄Π‘
  • Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ( F T
    ) составляСт 50 ΠœΠ“Ρ†

  Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора C945
НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Имя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ОписаниС
1 Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр
2 ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
3 Π‘Π°Π·Π° Базовая ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° запускаСт транзистор

 

Распиновка транзистора Π‘945

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ВО-92

  • Вранзистор для Π‘945 – это ВО-92 ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°
  • Он состоит ΠΈΠ· пластичного эпоксидного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высокими тСрмостойкими свойствами.
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ TO-92 Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ транзистор C945 Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ совмСстимым.
ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ TO-92

Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ pdf, поТалуйста, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° эту ссылку

C945 ОписаниС
  • Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора C945 сильно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов.
  • Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ коэффициСнта усилСния C945 начинаСтся ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 700hFE, это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для усилитСлСй.
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° транзистор C945, составляСт 150 мА.
  • ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая Π½Π° этом транзисторС, составляСт 400 ΠΌΠ’Ρ‚, это максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности, рассСиваСмой транзистором.
  • Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° этого транзистора составляСт 200 ΠœΠ“Ρ†, это Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π² прилоТСниях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.
  • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° этого транзистора составляСт 125Β°C.

Вранзистор C945, паспорт Вранзистор C945, паспорт

Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ pdf, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° эту ссылку

Вранзистор C945 Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚
  • Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор для C945: 2SC1815, 2SC2458, 2SC3198, C1815 ΠΈ KSC1815.
  • ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· транзисторов Π² этом спискС являСтся ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ эквивалСнтом C945.
  • ВСхничСскиС характСристики всСх транзисторов ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹.

C945 ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с C1815 ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с H945 ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с BC547
  • Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ всС Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ эквивалСнтныС транзисторы для C9.45 транзистор.
  • ВСхничСскиС ΠΈ физичСскиС характСристики ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ пСрСчислСны здСсь для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π³ΠΎ понимания.
Π₯арактСристики C945 C1815 H945 BC547
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (VCB) 60 Π’ 60 Π’ 60 Π’ 50 Π’
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром (VCE) 50 Π’ 50 Π’ 50Π’ 45Π’
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (VEB) 5 Π’ 5 Π’ 5 Π’ 6 Π’
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) 150 мА 150 мА 150 мА 100 мА
РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 400 ΠΌΠ’Ρ‚ 400 ΠΌΠ’Ρ‚ 250 ΠΌΠ’Ρ‚ 500 ΠΌΠ’Ρ‚
Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Π’Π”ΠΆ) 125Β°C 125Β°C 150Β°Π‘ 150Β°Π‘
Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (FT) 200 ΠœΠ“Ρ† 80 ΠœΠ“Ρ† 250 ΠœΠ“Ρ† 300 ΠœΠ“Ρ†
Π¨ΡƒΠΌ (Н) 10 Π΄Π‘ 10 Π΄Π‘ 4 Π΄Π‘ 10 Π΄Π‘
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния (hFE) ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 700hFE ΠΎΡ‚ 70 Π΄ΠΎ 700hFE 90hFE ΠΎΡ‚ 110 Π΄ΠΎ 800hFE
ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ВО-92 ВО-92 ВО-92 ВО-92


ИспользованиС транзистора C945  

  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²
  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ прСдусилитСля
  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
  • РадиочастотныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ
  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ усилитСля

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ C945  
  • Вранзистор C945 Π² основном примСняСтся Π² схСмах усилитСлСй Π² сСтях прСдусилитСлСй.
  • На рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° схСма ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π½Π° Π‘945, схСма состоит ΠΈΠ· ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСбольшого количСства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².
  • На Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ рСзисторС ΠΈ кондСнсаторС ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ для постоянного напряТСния.
  • РСзистор обСспСчиваСт напряТСниС смСщСния для срабатывания транзистора ΠΈ создания усилСнного сигнала.
  • ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ, эта схСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ схСмой прСдусилитСля.
Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘945

Π¦Π΅Π½Π° транзистора Π‘945
  • Вранзистор Π‘945 ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.
  • Π¦Π΅Π½Π° Π·Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΡƒ Π‘945 стоит ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,15 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ² БША ΠΈΠ»ΠΈ 11 Ρ€ΡƒΠΏΠΈΠΉ.

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ сообщСния

Вранзистор

Вранзистор

MPSA06: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, распиновка, характСристики, спСцификация

Byadharsh

Вранзистор MPSA06 ЭлСктричСскиС характСристики транзистора MPSA06 MPSA06 β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 80 Π’. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 80 Π’. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ базой…

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Вранзистор MPSA06: эквивалСнт, распиновка, характСристики, тСхничСскоС ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

Вранзистор TIP29C: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, распиновка, спСцификация, Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚

Byadharsh

Вранзистор TIP29C Вранзистор TIP29C ЭлСктричСскиС характСристики TIP29C прСдставляСт собой транзисторноС устройство NPN BJT POWER НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 100 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 100 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт…

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Вранзистор TIP29C: эквивалСнт, распиновка, спСцификация, тСхничСскоС ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

Вранзистор 2N5087: эквивалСнт, распиновка, спСцификация, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, тСхничСскоС описаниС

Byadharsh

Вранзистор 2N5087 БпСцификация транзистора 2N5087 2N5087 прСдставляСт собой ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор PNP НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 50 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 50 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 3 Π’ ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€β€¦

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Вранзистор 2N5087: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, распиновка, спСцификация, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, тСхничСскоС ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

ВСхничСскоС описаниС транзистора

2SC4793: распиновка, эквивалСнт, спСцификация

Byadharsh

Вранзистор 2SC4793 БпСцификация 2SC4793 2SC4793 прСдставляСт собой ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° NPN НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 230 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 230 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 5 В…

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ВСхничСскоС описаниС транзистора 2SC4793: распиновка, эквивалСнт, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

bc547 Вранзистор: спСцификация, распиновка, условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΈ спСцификация

Byadharsh

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *