Bd875: BD875 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

Изтеглете файла от тук >

Где купить

C-67079-A1601-A2 : Переключатели переменного тока Sitaco без переключателя нулевого напряжения

C67070-A2517-A67: Модуль питания Igbt (один переключатель, включая быстродействующие диоды с увеличенной площадью диода)

KPY67A : Кремниевый пьезорезистивный датчик абсолютного давления

Q60203-X121-S6 : Кремниевые транзисторы NPN

SAB-C517A-L24M: 8-разрядный микроконтроллер CMOS

Q62702-C2115 : Кремниевые высоковольтные транзисторы PNP

Q62702-P1614 : Кремниевые высоковольтные транзисторы PNP

Q62702-P33 : Кремниевые высоковольтные транзисторы PNP

Q62703-Q4895 : Сизиконовый транзистор

C515C_9711 : 8-битный микроконтроллер CMOS

2SC4485 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, низкочастотный усилитель мощности.

2SK3121 : . s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая мощность рассеивания Температура канала Температура хранения Обозначение VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 1 : Gate 2 : Drain 3 : Источник SANYO : PCP (вид снизу) Параметр Напряжение пробоя сток-исток Нулевое напряжение затвора Ток стока затвор-исток.

HGTP10N50F1D : 10a, 400v и 500v N-канальные Igbts с встречно-параллельными сверхбыстрыми диодами.

IRGMC40U : Среднее напряжение 600-1199 Вольт. Дискретный IGBT-транзистор высокого класса на 600 В в корпусе TO-254AA.

NTE2418 : кремниевые комплементарные транзисторы Digital с 2 встроенными резисторами смещения 47k (поверхностный монтаж).

STU6NA90 : Высокое напряжение. Старый ПРОДУКТ: Не подходит для дизайна. N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ БЫСТРОГО ПИТАНИЯ MOS ТРАНЗИСТОР ТИПИЧНЫЙ RDS(on) 30 В НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ЗАТВОР-ИСТОЧНИК ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ИСПЫТАНИЯ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ ЕМКОСТЬ тот же размер, что и у отраслевого стандарта TO-220.

YG811S04R : кремниевый диод. Low VF Сверхскоростное переключение. Высокая надежность за счет конструкции рубанка. Области применения Параметр Повторяющееся пиковое обратное напряжение Повторяющееся пиковое обратное напряжение Напряжение изоляции Средний выходной ток Импульсный ток Рабочая температура перехода Температура хранения Обозначение VRRM VRSM Viso IO IFSM Tj Tstg Условия tw=500 нс, коэффициент заполнения=1/40 Клеммы к корпусу,.

BSW67A-JQR : 1000 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ГЕРМЕТИЧНЫЙ, ТО-39, 3 ШТЫР.

BTA12-600B/F2 : 600 В, 12 А, симистор. s: Тип тиристора: симистор; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество выводов: 3; ВДРМ: 600 вольт; ИТ (RMS): 12 ампер; Стандарты и сертификаты: RoHS.

CDC4D20-101KB : 1 ЭЛЕМЕНТ, 100 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 100 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/- %); DCR: 1,77 Ом; Номинальный постоянный ток: 230 мА; Частота тестирования: 1 кГц.

CPh4448TL : 4000 мА, 30 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.): 0,0500 Ом; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА, CPh4, SC-95, SC-96, SOT-457, 3 PIN; Количество единиц в ИС: 1.

FS5ASJ-06-T1 : 5 А, 60 В, 0,19 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 60 вольт; RDS(вкл.): 0,1900 Ом; Количество единиц в IC: 1.

h2313NL : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).

IRL510AJ69Z : 5,6 А, 100 В, 0,44 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл. ): 0,4400 Ом; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество единиц в IC: 1.

SKKT57B16EG6 : 86,35 А, 1600 В, SCR. с: ВДРМ: 1600 вольт; ВРРМ: 1600 вольт; ИТ (СКЗ): 86,35 А; IGT: 100 мА; Тип упаковки: ПОЛУПАКЕТ-7; Количество выводов: 7.

1N4963DUS : 16 В, 5 Вт, КРЕМНИЕВЫЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

2SD2687STP : 5000 мА, 12 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN. zПрименение Усилитель низкой частоты Storobo zРазмеры (единица измерения: мм) Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Обозначение Ограничения VCBO 15 VCEO 12 VEBO IC 5 Ток коллектора ICP PC 400 Мощность siddipation tj 150 Температура перехода tstg Диапазон температур хранения до +150 Параметр Напряжение пробоя коллектор-база Коллектор-эмиттер.

50ML10M5X7 : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 50 В, 10 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ.

Больше новостей