Bdx33C: BDX33C, Транзистор Дарлингтона NPN [TO-220], ST Microelectronics

BDX33C от 70 рублей в наличии 3214 шт производства STMicroelectronics BDX33C

всего в наличии 3214 шт

Количество	Цена ₽/шт
3	105
10	94
50	37900″> 85
250	75
1000	31200″> 70

В корзину

Минимально 3 шт и кратно 1 шт

+10 баллов

BDX33C (транзистор) ST від 12.9 грн

Код товару: 88924

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 10 А
Монтаж: THT

у наявності: 114 шт

47 шт – склад Київ
15 шт – РАДІОМАГ-Київ
26 шт – РАДІОМАГ-Львів
3 шт – РАДІОМАГ-Харків
13 шт – РАДІОМАГ-Одеса
10 шт – РАДІОМАГ-Дніпро

2+	16 грн
10+	14. 4 грн
100+	12.9 грн

Технічний опис BDX33C (транзистор) ST

Інші пропозиції BDX33C (транзистор) за ціною від 19.11 грн до 174.53 грн

BDX33C	Виробник: STMicroelectronics Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65…+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3	на замовлення 5 шт термін постачання 2-3&nbspдні (днів)	5+  44. 88 грн 10+  41.89 грн 100+  38.89 грн
BDX33C	Виробник: STMicroelectronics Material: BDX33C NPN THT Darlington transistors	на замовлення 3527 шт термін постачання 7-14&nbspдні (днів)	7+  38.41 грн 10+  33.35 грн 36+  24.26 грн 97+  22.93 грн
BDX33C	Виробник: STMicroelectronics Material: BDX33C NPN THT Darlington transistors	на замовлення 3527 шт термін постачання 21-30&nbspдні (днів)	46+  32. 01 грн 51+  26.76 грн 57+  24.01 грн 67+  20.21 грн 97+  19.11 грн
BDX33C	Виробник: onsemi Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN – Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A Current – Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current – Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power – Max: 70 W	на замовлення 1898 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	555+  35. 37 грн
BDX33C	Виробник: Harris Corporation Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN – Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A Current – Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current – Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power – Max: 70 W	на замовлення 1195 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	555+  35. 37 грн
BDX33C	Виробник: Fairchild Semiconductor Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN – Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A Current – Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current – Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power – Max: 70 W	на замовлення 14232 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	555+  35. 37 грн
BDX33C	Виробник: STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS – BDX33C – Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 750 DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: – Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: – Verlustleistung: 70 Bauform – Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: – Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: – Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)	на замовлення 5433 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	8+  94. 15 грн 10+  80.39 грн 100+  65.83 грн 500+  50.5 грн 1000+  37 грн 5000+  36.25 грн
BDX33C	Виробник: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO – BDX33C – Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 750 DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: – Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 70 Bauform – Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: – Kollektor-Emitter-Spannung, max. : 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: – Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	на замовлення 3387 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	5+  174.53 грн 10+  139.77 грн 100+  99.94 грн 500+  64.83 грн
BDX33C	Виробник: ST Darl.NPN 10A 100V 80W 20MHz BDX33C TBDX33c кількість в упаковці: 50 шт	на замовлення 940 шт термін постачання 28-31&nbspдні (днів)	50+  21. 13 грн
BDX33C	Виробник: STMicroelectronics Darlington Transistors Silicon Pwr Trnsistr	на замовлення 10968 шт термін постачання 385-392&nbspдні (днів)	4+  91.89 грн 10+  81.67 грн 25+  67.14 грн 100+  55.13 грн 500+  45.58 грн 1000+  36.15 грн

З цим товаром купують

IRF9540NPBF Код товару: 31944

Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT

216 шт – склад Київ
51 шт – РАДІОМАГ-Київ
28 шт – РАДІОМАГ-Львів
20 шт – РАДІОМАГ-Харків

на замовлення 10843 шт – ціна та термін постачання

2+  24. 5 грн 10+  21.8 грн

IRFZ46NPBF Код товару: 48533

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT

196 шт – склад Київ
40 шт – очікується

на замовлення 28172 шт – ціна та термін постачання

2+  24 грн 10+  21.6 грн 100+  18.9 грн

IRL530NPBF Код товару: 79755

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT

45 шт – склад Київ
22 шт – РАДІОМАГ-Київ

на замовлення 38 шт – ціна та термін постачання

2+  26 грн 10+  23. 4 грн 100+  21.1 грн

STP60NF06 Код товару: 2993

Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT

859 шт – склад Київ
14 шт – РАДІОМАГ-Київ
10 шт – РАДІОМАГ-Львів
21 шт – РАДІОМАГ-Одеса
24 шт – РАДІОМАГ-Дніпро

на замовлення 1871 шт – ціна та термін постачання

1+  46.5 грн 10+  41.6 грн 100+  37.8 грн

Можливі заміни

STP60NF06L Код товару: 105102

BD244C Код товару: 27506

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 3 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 6 А
h31,max: 30

175 шт – склад Київ
16 шт – РАДІОМАГ-Львів
45 шт – РАДІОМАГ-Харків
8 шт – РАДІОМАГ-Дніпро

на замовлення 39520 шт – ціна та термін постачання

2+  16. 5 грн 10+  14.9 грн 100+  13.1 грн

Дополнительные кремниевые силовые транзисторы

Darlington

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать приложение/pdf

ON Semiconductor

BDX33B – Комплементарные кремниевые силовые транзисторы Дарлингтона

Эти устройства предназначены для приложений общего назначения и низкоскоростного переключения.

2014-11-11T11:30:56+01:00BroadVision, Inc.2020-09-23T08:56:13+02:002020-09-23T08:56:13+02:00Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows)uuid:5eee095b-9cc5-4a82-984d-eea361b02ad6uuid:404759e5-07c5-4cfb-adff-91f0aa2132c7Print конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > транслировать HUMoFz9Yr PM8n-i#3),֟]J

BDX33C STMicroelectronics | Дискретные полупроводниковые продукты

Показанное изображение является только представлением. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

Номер детали Digi-Key	497-12439-5-ND
Manufacturer	STMicroelectronics
Manufacturer Product Number	BDX33C
Description	TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
Стандартное время изготовления	22 недели
Detailed Description	Bipolar (BJT) Transistor NPN – Darlington 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220
Customer Reference
Datasheet	Datasheet

Атрибуты продукта

40018..8.88.8

19922299

.0009

2999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999009а

Тип	Описание	Выбрать
6 0 00002 Category	Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single Bipolar Transistors
Mfr	STMicroelectronics
Series
Упаковка
Статус продукта	Активен
Тип транзистора	NPN – Darlington
Current – Collector (IC) (MAX)	10 A
10000 2 9002.	100 В
VCE Saturation (MAX) @ IB, IC	2,5V @ 6MA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 3A, 3V
Power – Max
Frequency – Переход
Рабочая температура	150 ° C (TJ)
ТИП 9009
	0134
Package / Case	TO-220-3
Supplier Device Package	TO-220
Base Product Number	BDX33

Документы и медиа

Тип ресурса	Link
DataSheets	222259			222229
0018
Other Related Documents	BDX33C View All Specifications
HTML Datasheet	BDX3xx
EDA Models	BDX33C by Ultra Librarian

Environmental & Export Classifications

Attribute	Описание
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (Unlimited)
REACH Status	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS	8541. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт