Bf960 datasheet: BF960 Datasheet(PDF) – Vishay Telefunken

Запрашиваемая страница не найдена!

• Главная
• Запрашиваемая страница не найдена!

Категории

• УФ-ППЗУ (Eprom)
• Flash, Eeprom, Firmware Hub
• Serial Eeprom, Serial Flash
• Static RAM
• Микроконтроллеры Atmel
• PIC-микроконтроллеры Microchip
• Микроконтроллеры Winbond/Nuvoton
• Микроконтроллеры NXP/Philips
• Микроконтроллеры Texas Instruments
• Микроконтроллеры ST Microelectronics
• Устройства программирования микросхем (переходники, клипсы, УФ-приборы), прочие приборы, инструмент
• Макетные платы, текстолит
• Панели, разъёмы, переключатели, герконы, кабель
• Микросхемы импортные для ремонта (TDA, AN, LA, STR и пр. )
• Логика
• Компоненты Analog Devices
• Компоненты Maxim/Dallas
• Компоненты FTDI
• Компоненты International Rectifier
• Светодиоды
• Транзисторы
• Диоды, мосты, стабилитроны
• Тиристоры, симисторы
• Оптоэлектроника
• Кварцы, генераторы
• AC/DC преобразователи
• Магниты
• Импортные выводные (=К50-35, К50-24) и SMD электролитические конденсаторы, ионисторы
• Импортные выводные керамические конденсаторы (=К10-17Б, К15-5, КД-2)
• Импортные выводные плен. полиэстер. конденсаторы (=К73-9)
• Чип конденсаторы керамические
• Чип танталовые конденсаторы
• Резисторы подстроечные
• Чип резисторы
• Резисторы выводные МЛТ-0,25 (С1-4), МЛТ-1, МЛТ-2 (С2-33)
• Звукоизлучатели
• Реле
• Аккумуляторы свинцово-кислотные герметизированные
  • Наборы для переделки шуруповерта с Ni-Cd на Li-ion аккумуляторы
• Тюнеры
• Прочее
• Товары под заказ

Транзистор полевой КП327 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КП327

 

Описание

Кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа.

Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового диапазонов для улучшения чувствительности, избирательности и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.

 

Параметры транзистора КП327

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КП327А		BF960, BF980, 3SK133 *3, 3SK186*3, 3SK137 *3 , 3SK137V*3, 3SK103 *2, 3SK104*2, 3SK104V *2, BF981 *2
		КП327Б		BF961, 3SK95 *2, 3SK132 *3, 3SK194 *3, BF980 *2
		КП327В		BF964,  3SK133 *3, 3SK186*3, 3SK137 *3, 3SK137V*3, 3SK103 *2, 3SK104*2, 3SK104V *2, BF981 *2
		КП327Г		BF966, 3SK95 *2, 3SK132 *3, 3SK194 *3, BF980 *2
Структура			—	C двумя изолированными затворами о защитными диодами, с n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	PСИ, P*СИ, т max	КП327А	—	200	мВт, (Вт*)
		КП327Б	—	200
		КП327В	—	200
		КП327Г	—	200
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	UЗИ отс, U*ЗИ пор	КП327А	—	≤2.7	В
		КП327Б	—	≤2.7
		КП327В	—	—
		КП327Г	—	—
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	UСИ max, U*ЗC max	КП327А	—	18	В
		КП327Б	—	18
		КП327В	—	14; 16*
		КП327Г	—	14; 16*
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	UЗИ max	КП327А	—	6	В
		КП327Б	—	6
		КП327В	—	5
		КП327Г	—	5
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	IС, I*С, И	КП327А	—	30	мА
		КП327Б	—	30
		КП327В	—	30
		КП327Г	—	30
Начальный ток стока	IС нач, I*С ост	КП327А	—	≤10	мА
		КП327Б	—	≤10
		КП327В	—	≤17
		КП327Г	—	≤17
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП327А	10 В; 10 мА	≥11	мА/В
		КП327Б	10 В; 10 мА	≥11
		КП327В	10 В; 10 мА	≥9. 5
		КП327Г	10 В; 10 мА	≥9.5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C11и, С*12и, С*22и	КП327А	—	≤2.5	пФ
		КП327Б	—	≤2.5
		КП327В	—	≤2.5; ≤1.6*
		КП327Г	—	≤3.6; ≤3*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ	КП327А	0. 8 ГГц	≥12*	Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
		КП327Б	0.2 ГГц	≥18*
		КП327В	0.8 ГГц	≥12*
		КП327Г	0.2 ГГц	≥18*
Коэффициент шума транзистора	Кш, U*ш, E**ш,  Q***	КП327А	0.8 ГГц	≤4.5	Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
		КП327Б	100 кГц	≤3
		КП327В	0.8 ГГц	≤4.5
		КП327Г	0.2 ГГц	≤3
Время включения транзистора	tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT	КП327А	—	—	нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
		КП327Б	—	—
		КП327В	—	—
		КП327Г	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Технические данные bf960 и примечания по применению

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

Больше новостей

БФ960 Аннотация: транзистор BF960 Text: BF960 _ / КРЕМНИЕВЫЙ N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с двойным затвором Полевой транзистор обедненного типа в пластиковом X-корпусе с соединенными между собой истоком и подложкой, предназначен для использования в сверхвысоких частотах. применения в телевизионных тюнерах и профессиональном коммуникационном оборудовании. T , МГц F Декабрь 1988 г. 0035033 001 291 BF960 J V R A T I G S Ограничение , положение для измерения. 292 декабря 1988 г. r T4 f l BF960 Кремниевый n-канальный двойной затвор M	OCR-сканирование	PDF	BF960 BF960 транзистор BF960
БФ960 Реферат: транзистор BF960 МАРКИРОВКА 4ФЛ Text:  BF960 J\_ КРЕМНИЕВЫЙ N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с двойным затвором Полевой транзистор обедненного типа в пластиковом X-корпусе с соединенными между собой истоком и подложкой, предназначен для использования в сверхвысоких частотах. применения в телевизионных тюнерах и профессиональном коммуникационном оборудовании. Этот тетрод MOS-FET защищен от , его соответствующий производитель BF960 ОЦЕНКИ Предельные значения в соответствии с абсолютным максимумом, двойной затвор МОП-транзистор BF960 СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Tj = 25 °C, если не указано иное Отсечка затвора	OCR-сканирование	PDF	BF960 BF960 транзистор BF960 МАРКИРОВКА 4FL
БФ960 Реферат: транзистор БФ960 БФ-960, транзистор БГ 20 Текст: 711GÃ2b DDb7S31 Ã33 «RHIN BF960 КРЕМНИЕВЫЙ N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с двойным затвором Полевой транзистор обедненного типа в пластиковом X-корпусе с соединенными между собой истоком и подложкой, предназначен для использования в сверхвысоких частотах. применения в телевизионных тюнерах и профессиональном коммуникационном оборудовании. Этот тетрод MOS-FET, этот материал защищен авторским правом соответствующего производителя? Ii 1 Qà 5b D0b7532 77M  «PHIN BF960, Производитель — 7110fl2b D0b7S33 bDO — PHIN Кремниевый n-канальный МОП-транзистор с двойным затвором J V BF960 STATIC	OCR-сканирование	PDF	DDb7S31 BF960 800 МГц BF960 транзистор BF960 БФ-960 транзистор БГ 20
БФ960 Реферат: транзистор BF960 BF-960 SOT103 mosfet истощение UHF Dual Gate mosfet тетрод Text: b3E D â bbSB’ìSM 00742=57 E2S «SIC3 napc/philips SEMICON» BF960 ПОДРОБНУЮ ИНФОРМАЦИЮ СМ. В ПОСЛЕДНЕМ ВЫПУСКЕ РУКОВОДСТВА SC07 ИЛИ ТЕХНИЧЕСКИХ ДАННЫХ SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FET Истощение полевой транзистор в пластиковом X-корпусе с соединенными между собой истоком и подложкой, предназначенный для использования в СВЧ. применения в телевизионных тюнерах и профессиональном коммуникационном оборудовании. Этот тетрод MOS-FET защищен от чрезмерных скачков входного напряжения встроенными встречно-параллельными диодами.	OCR-сканирование	PDF	BF960 BF960 транзистор BF960 БФ-960 SOT103 истощение МОП-транзистора Двойной вход УВЧ МОП-тетрод
БФ960 Реферат: транзистор BF960 BF-960 двухзатворный Text: Philips Semiconductors Краткая спецификация продукта Кремниевый N-канальный полевой МОП-транзистор с двумя затворами ПРИМЕНЕНИЕ · Применение УВЧ в телевизионных тюнерах и профессиональном коммуникационном оборудовании. ОПИСАНИЕ Полевой транзистор обедненного типа в пластиковом X-корпусе с соединенными между собой истоком и подложкой. Этот тетрод MOS-FET защищен от чрезмерных скачков входного напряжения с помощью встроенных встречно-параллельных диодов между затворами и истоком. ШТЫРЬ 1 2 3 4 СИМВОЛ s, b d 92 BF960 ОПИСАНИЕ исток, сток смещения	OCR-сканирование	PDF	BF960 SQT103) BF960 транзистор BF960 БФ-960 двойные ворота
bfw11 jfet Реферат: jfet bfw10 Полевые транзисторы BFW12 BFW10 JFET BF256B BF964S BF96 BF964 BF960 Текст: 5 – 20 35 50 Полевые транзисторы Dual-Gate MOSFET Тип VDS BF960 BF964 BF964S BF965	OCR-сканирование	PDF	2N4859 2N4860 2N4861 БФ245А/0 BF245A BF245B BF245C BF247A BF247B BF247C бфв11 джет бфв10 Полевые транзисторы BFW12 BFW10 JFET BF256B BF964S БФ96 BF964 BF960
буз90аф Резюме: P7NB60FP P4NB80FP P6N60 P5NB60FP 2SK30A buz91a 2SK2645 BUZ100 2SK163 Текст: www.i-t.su ¡[email protected] MHTEPTEKC Ten: (495) 739-09-95, 644-41-29 электроника Tpah4MCTopbi N-FET copTMpoBKa no HanpflweHMro UDS Kofl: Vd8! Ids Rds(on) Pmax Копник [B] [A] [Om] [Br] 2SK192 18 0,003 – – ДПАК 2СК212 20 0,0006 – 0,2 ДПАК 2СК241 20 0,0015 – – ДПАК БФ960 20 0,025 – 0,2 Т050 БФ961 20 0,03 – – Т050 БФ964 20 0,03 – – Т050 БФ966С 0,03 – 0,2 T050 BF981 20 0,02 – – SOT103 BF996 20 0,03 – – SOT14 2N3819 25 0,02 – 0,36 T092 2N5457 25 0,001 – 0,35 T092 2SK125 25 0,1 – 0, 3	OCR-сканирование	PDF	2СК192 2СК212 2СК241 BF960 BF961 BF964 BF966S BF981 ОТ103 БФ996 buz90af P7NB60FP P4NB80FP П6Н60 P5NB60FP 2СК30А буз91а 2SK2645 БУЗ100 2СК163
БФ981 Резюме: philips rf mosfets philips bf988 sot 143 T103 BF96 BF98 BF991 BF960 Текст: (мСм) Тип Cis (пФ) Тип Cos BF960	OCR-сканирование	PDF	BF960 BF964S BF965 BF966S BF980A BF981 BF747 BF748 БФГ67 BFG67X филипс радиочастотные мосфеты Philips BF988 Сот 143 Т103 БФ96 БФ98 BF991
БАВ90 Реферат: bd139 smd PMBT2369A BF981 BF966 SMD 2n2907 smd BF980 2N4858 смд BFG65 BC547 смд Текст: BF939 BSR51 BST51 HPS6523 BC859C BF960 BF989 BSR52 BST52 MPSAÃ5 PMBTA05 BF964 BF994 BSR60 BST60	OCR-сканирование	PDF	0D12DEÃ БА243 BC146/02 BC849B/C до н.э.338 до н.э.818 БА314 БАС17 БКФ32/33 BCX20 БАВ90 бд139 смд PMBT2369A BF981 БФ966 СМД 2н2907 смд BF980 2Н4858 смд БФГ65 BC547 смд
ВВ409 Реферат: BF960 BF966 BF963 GP 004 DIODE BB505G LT 5202 диод Текст: (°C) ! (°C/Вт> Sf. (mS> BF960 TV UHF вход и каскады микшера 20 10 30 150 200 450 BF960S TV UHF вход и каскады микшера 20 10 30 150	OCR-сканирование	PDF	8С3т320 /200см 8-121А BB409 BF960 BF966 BF963 GP 004 ДИОД BB505G Диод LT 5202
тда 2038 Реферат: TDA3791 tda вертикальная ИС tv crt tda 3658 dbx 2151 TDA8302 tda9854 TDA 3030 tda 2790 транзистор BF960 Текст: ; BF872 BF904; BF904R BF960 BF964S BF966S BF980A BF981 BF982 BF988 BF989 BF990A BF991 BF992 BF994S BF996S	OCR-сканирование	PDF	80С528; 83C528 80С652; 83C652 83C654 83CE654 84С44Х; 84С64Х; 84C84X 87C528 тда 2038 TDA3791 tda вертикальный IC телевизор ЭЛТ тда 3658 dbx 2151 TDA8302 tda9854 ТДА 3030 тда 2790 транзистор BF960
ТДА2658 Резюме: BB909B VARICAP DIODE IC SOUND 2026 TDA 2038 tda2593 применение TDA3791 tda вертикальная IC tv элт tda3833 TDA4865 аудиоусилитель philips ic guide Текст: серия BY359F-1500 BY359X-1500 Двойной затвор n-канальный MOSFET BF904; BF904R BF960 BF964S BF966S BF980A BF981	OCR-сканирование	PDF	САБ6456; САБ6456Т САБ8726 OA8725T TSA5511 TSA5512 TSA5514 TSA5515T ТСА5520; TSA5521 TDA2658 BB909B ВАРИКАПНЫЙ ДИОД ИК ЗВУК 2026 ТДА 2038 приложение tda2593 TDA3791 tda вертикальный IC телевизор ЭЛТ тда3833 TDA4865 Руководство по микросхеме аудиоусилителя Philips
м2222а Резюме: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 ФЕТ BFW11 BF345C BC558B ФИЛИПС Текст: FET 613 BF908R SOT143R FET BF989 SOT143 FET BF960 BF990A SOT 143 FET	OCR-сканирование	PDF	БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a SOD80C ФИЛИПС BCB47B 1N4148 СОД80С ПМБТА64 PXTA14 BF960 полевой транзистор BFW11 BF345C BC558B ФИЛИПС
бф0262а Резюме: BF0262 OM335 1N5821ID OM336 OM2061 OM926 BUK645 OM2060 BLY94 Текст: BF869BF870 BF871 BF872 BF926 BF960 BF964 BF964S BF965 BF966 BF966S BF970A BF979 BF980 BF980A BF981	OCR-сканирование	PDF	1Н821 1Н821А 1Н823 1Н823А 1Н825 1Н825А 1Н827 1Н827А 1Н829 1Н829А бф0262а BF0262 ОМ335 1N5821ID ОМ336 ОМ2061 ОМ926 БУК645 ОМ2060 БЛИ94
1984 – бу2527аф Реферат: wk16412 WK16413 WK16414 Тесла каталог VQE24 VQE14 4DR823B 206 ₽ 5DR801B Текст: · BF960 ‘BF964 ·BF964S ·BF965 ‘BF966 ·BF966S ·BF980A ·BF981 ·BF982 ‘BF982 ·BF988 ·BFQ69 ·BFR34A ·BFR90	Оригинал	PDF	року1984/85, VQB200 VQB201 VQC10 VQE11 VQE12 VQE13 VQE14 VQE21 VQE22 bu2527af wk16412 WK16413 WK16414 Каталог Теслы VQE24 4ДР823Б 206 крон 5DR801B
ФЕТ BFW10 Реферат: KP101A FET BFW11 BDX38 KPZ20G CQY58A BFW10 FET RPW100 B0943 FET BFW11 Текст: Тип №. BF820 BF821 BF822 BF823 BF824 BF840 BF841 BF92. ТИП НОМЕР КОНВЕРТА ПРИМЕЧАНИЯ СТР.	OCR-сканирование	PDF	LCD01 BGY41 Полевой транзистор BFW10 CQY58 германий RX101 эквивалентные компоненты FET BFW10 бд643 бф199 Транзистор 283-92 600А стабилитрон фк
ТРАНЗИСТОР ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ D1555 Реферат: транзистор д1555 ТРАНЗИСТОР Д1651 Д1555 Д1557 Д1554 транзистор д1651 с1854 транзистор д1555 транзистор д1878 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2Н109 2Н1304 2Н1305 2Н1307 2Н1613 2Н1711 2Н1893 2Н2102 2Н2148 2Н2165 ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРА D1555 транзистор д1555 ТРАНЗИСТОР D1651 Д1555 Д1557 Д1554 д1651 транзистор с1854 транзистор д1555 транзистор д1878
ТСД10К40 Реферат: TXD10K60 BT1690 BT808 1N5004 TXD10H60 mp8706 TXC10K40 BSTC1026 BT13G Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	bbS3131 синий52 1Н321 BYW56 1Н321А БЛВ97 1Н322 TXD10K40 TXD10K60 BT1690 BT808 1N5004 ТСД10Х60 mp8706 TXC10K40 BSTC1026 БТ13Г
ММБД2103 Реферат: ДИОД ЗЕНЕРА t2d MMBD2101 MMBD2102 MMBD2104 SMD коды bc107 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 Транзистор NEC 05F BAT15-115S NDS358N Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БЗВ49 БЗВ55 500 мВт БАС32, БАС45, БАВ105 ЛЛ4148, LL4448 BB241 BB249 ММБД2103 ЗЕНЕР ДИОД t2d ММБД2101 ММБД2102 ММБД2104 SMD-коды bc107 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 Транзистор НЭК 05F БАТ15-115С NDS358N
ММБД2104 Реферат: Транзистор NEC 05F hp2835 диод ZENER DIODE t2d что является аналогом транзистора ZTX 458 MMBD2103 T2D DIODE 3w T2D 8N 2n2222 как аналог для bfr96 mmbf4932 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БАС32, БАС45, БАВ105 ЛЛ4148, LL4448 BB241 BB249 LL914 ЛЛ4150, ММБД2104 Транзистор НЭК 05F диод hp2835 ЗЕНЕР ДИОД t2d что эквивалентно транзистору ZTX 458 ММБД2103 T2D ДИОД 3 Вт Т2Д 8Н 2n2222 как аналог для bfr96 ммбф4932
SMD-коды Реферат: ТРАНЗИСТОР SMD T1P MMBD2104 BAW92 smd транзистор A6a диод Шоттки s6 81A a4s smd транзистор Транзистор SMD a7s транзистор SMD P2F MMBD2101 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БЗВ49 БЗВ55 500 мВт БАС32, БАС45, БАВ105 ЛЛ4148, LL4448 BB241 BB249 SMD-коды ТРАНЗИСТОР SMD T1P ММБД2104 BAW92 smd-транзистор A6a диод шоттки s6 81А smd-транзистор a4s Транзистор СМД а7с транзистор SMD P2F ММБД2101
1982 – PA0016 Резюме: STR11006 SO41P PIONEER PA0016 7-сегментный преобразователь 74c915 SAJ141 74HC145 tms1122 IC PA0016 KOR 2310 транзистор Текст: BF960 38,00 BF961 38,00 BF964 38,00 BF966 12,30 BF967 9,60 BF970 11,10 BF979 14,00 BF981	Оригинал	PDF	14-й день PA0016 STR11006 SO41P ПИОНЕР PA0016 Конвертер 7 сегментов в двоично-десятичный код 74c915 SAJ141 74HC145 тмс1122 IC PA0016 Транзистор КОР 2310
к2645 Реферат: K4005 U664B MOSFET K4005 MB8719 Транзистор MOSFET K4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	МК135 МК136 МК137 МК138 МК139 МК140 Мк142 МК145 МК155 157 крон к2645 к4005 U664B мосфет к4005 MB8719 транзистор мосфет к4004 СН16880Н стк5392 STR451 BC417