Bfg591 характеристики: BFG591 (NPN 15В, 200мА, СВЧ 7 ГГц) – характеристики и цена в магазине 3Volta.ru

BFG591.115 NXP от 11.7 грн

10 шт. BFG591 SOT223 BFG591A SOT 223 SMD| |

Прочие электронные компоненты

Электронный компонент

Комплект Электронных Компонентов       Плата модуля         Печатная плата

Интегральная схема

Оптопара        74-серия         Микроконтроллер         Прочее

Диод

SMD       DO-41 DO-35       Светодиодный Диод       Мостовые выпрямители          Прочее

Резистор

0603 SMD       0805 SMD      1206 SMD       2512 SMD       DIP резистор        Сетевой резистор       Прочее

Транзистор

IR MOSFET       Регулятор напряжения (78 79)         (MOSFET) трубка с полевым эффектом       ТРАНЗИСТОР TO-92       Транзистор SMD       Прочее

Конденсатор

0603 SMD      0805 SMD     1206 SMD      Электролитический конденсатор       Танталовый конденсатор      Монолитный конденсатор  

 CBB      Регулируемый конденсатор       275AVC X2 конденсатор       Прочее

Прочая Электроника

Кристаллический осциллятор         IC розетка        Потенциометр

Добро пожаловать в Фантазию

Если вам нужно больше или больше продуктов, пожалуйста, свяжитесь с нами.

1. Доставка по всему миру.

2. Заказы обрабатываются своевременно после подтверждения оплаты.

3. Мы отправляем только по подтвержденным адресам заказа. Ваш адрес заказа должен совпадать с вашим адресом доставки.

4. Представленные изображения не являются фактическим товаром и предназначены только для справки.

5. Из-за наличия на складе и разницы во времени, мы выберем доставку Вашего товара с нашего первого доступного склада для быстрой доставки.

10 бр. / лот BFG591 SOT-223 NPN високочестотен транзистор нов оригинален Безплатна доставка В категория активни съставки

Плаќање
1.- Ве молиме бидете сигурни дека вашата исплата сметка е достапна пред да конкурираат на објектот.
2.- Сите плаќања што треба да се расчисти во 7days откако ќе ја прими стварта. Ако навистина имаат потешкотии во плаќањето на објектот, ве молиме контактирајте со нас прво, ние ќе ви помогнат да се реши тоа.
3.- Ако имате било какви посебни барање за деталите на објектот, ве молиме оставете белешка во својата цел.
Испорака
1.- Ние можеме да брод на сите производи во светот.
2.- DHL, Fed Ex, ТНТ, UPS-от, EMS, Пост, Хонгконг Пост се сите достапни.
3.- Објектот ќе бидат испратени со 3 дневна по добивањето на плаќање.
4.- Ве молиме бидете сигурни дека вашата испорака, адреса и контакт телефонски број се точни кога ќе понудата на објектот.
5.- Можете да ги пратите на состојбата на вашиот производ веб-сајт, откако тие се испраќаат надвор
Увозните Даноци или Давачки
1.- Увозни давачки, даноци и други давачки што се случи во вашата страна не се вклучени во цената на објектот. Овие надоместоци се обезбедени од страна на купувачот.
2.- Ве молиме проверете со што земјата е Царинската испостава за да се утврди она што овие дополнителни трошоци кои ќе бидат пред да купите.
3.- Ве молиме потврди детални информации за достава на фактурата. На пример, колку цената што треба да ја напишете товарен лист, фактура, или како да се опише објект, итн.
Повратни информации
1.- Како вашите повратни информации е многу важен за нашиот развој, срдечно ве покануваме да ја напушти позитивни повратни информации и за нас, доколку сте задоволни со нашите производи и услуги. Благодарам многу за вашето време.
2.- Нашата програма ќе ја напушти назад истиот повратни информации за вас, по вашите позитивни повратни информации.
3.- Ве молиме контактирајте со нас пред да ја напушти неутрални или негативни повратни информации, ние ќе се обидеме потрудиме да ги реши проблемите.
Ви благодарам многу за вашата поддршка и посакуваме да имате пријатен ден!

10 бр. / лот BFG591 SOT-223 NPN високочестотен транзистор нов оригинален Безплатна доставка

Плащане
1. – моля, уверете се, че разплащателната сметка е на разположение, преди да дадете този продукт.
2. – Всички плащания трябва да бъдат почистени в рамките на 7 дни след получаване на стоката. Ако имате наистина затруднения с изплащането на продукта, моля, свържете се с нас на първо място, ние ще ви помогнем да разрешите този проблем.
3. – Ако имате някакъв специален запитване за подробности на продукта, моля, оставете бележка на вашата поръчка.
Доставка
1. – ние можем да кораб продукти на целия свят.
2. – DHL, Fed Ex, TNT, UPS, EMS, Post, Hongkong Post всичко на разположение.
3. – детайл ще бъде изпратен извън 3дни след получаване на обезщетение.
4. – моля, уверете се, че вашия адрес за доставка и телефон за контакт са правилни, когато предлагате цената на стоката.
5. – Можете да следите състоянието на вашия уеб сайт на продукта след като те ще бъдат изпратени
Данъци и такси върху вноса
1. – вносни мита, данъци и други такси, произтекли от ваша страна, не са включени в цената на стоките. Тези такси са предоставени на купувача.
2. – моля, свържете се с митниците вашата страна, за да се определи какви ще бъдат тези допълнителни разходи, преди да купите.
3. – Моля, потвърдете подробна информация за фактурата за доставка. Например, каква цена ще трябва да напишете в товарителницата на товарителница, или как да се опише стока, и т.н.
Коментари
1. – Тъй като вашата обратна връзка е много важно за нашето развитие, ние искрено ви каним да оставите положителен отзив за нас, ако сте доволни от нашия продукт и обслужване. Много благодаря за отделеното време.
2. – Нашата програма ще ви оставя същата обратна връзка след своя положителен отзив.
3. – моля, свържете се с нас, преди да напусне неутрална или отрицателна обратна връзка, ще се опитаме да направим всичко възможно, за да разреши тези проблеми.
Много ви благодаря за подкрепата и ви пожелавам хубав ден!

КВ трансивер SW-2019: доставка по Украине переговорные устройства от “МИР РАДИО”

Оригинальное описание от производителя:

По просьбам радиолюбителей в полную версию SW2016/2019 вместо блока УКВ (многим УКВ не надо) поставил диапазонные ФНЧ. Раз платы уже получаются другие, то заодно внес некоторые изменения. А именно:

1. Часть транзисторов в коммутации заменил на цифровые в которых цепь базы имеет 2 встроенных резистора. Значит меньше мелких элементов придется паять.
2. Выводные диоды в ВЧ коммутаторах RX-TX заменил на диодные сборки BAS70-05. Так меньше ошибок будет при сборке, а то иногда путают полярность диода и не могут найти причину. Да и штыревых диодов меньше, значит меньше ножек обкусанных на столе будет.
3. В схеме изменил управление мощностью и формирователя посылок телеграфа. Мощность регулируется более плавно от нуля до максимальной, и лучше форма посылок телеграфа. И деталей при этом меньше.
4. Вместо кварца 39 мгц поставил генератор. Все-таки с ним стабильность лучше, чем просто кварц. И не дефицит сейчас.
5. Микросхему смесителя ADG774 заменил на меньший корпус QSOP16 а то в корпусе SO16 пошли китайские подделки. А эта дешевле вполовину, и подделок нет.
6. Питание драйвера BFG591 перевел на стабилизированное 8 вольт. Из соображений надежности. Часто палят повышенным напряжением более 20 вольт. Все выдерживает кроме драйвера. Поэтому ОС на выходном каскаде RD16HHF1 уменьшил, что бы хватало раскачки с запасом от 8 вольт питания. И BFG591 до ограничения при этом не доходили.
7. Немножко лучше стало по технологичности, и проще при снятии оконечника в случае замены вых транзисторов. КСВ-метр сейчас на основной плате, и не мешает как раньше при демонтаже. Антенное гнездо теперь одно, а вместо гнезда УКВ поставил клеммы питания.

Работает чисто, и хорошо, по передаче так же, а форма ВЧ сигнала на НЧ диапазонах 1.8-3.6 мгц конечно лучше на полной мощности за счет выходных ФНЧ.
 

Появился диапазон от 30 до 225 КГц.

Общие характеристики:
 

1. Диапазон частот КВ 0,1-30 мгц LSB,USB,CW, DIGI
2. Выходная мощность по всем диапазонам в легком режиме (LP) 15-18 ватт, и 40-50 ватт (HP) Регулировка мощности от нуля.
3. Диапазон УКВ убран, вместо него поставлены диапазонные ФНЧ.
4. Чувствительность на КВ без УВЧ не хуже 0,5 мкв, с УВЧ 0,25 мкв
5. Динамический диапазон по блокированию на КВ выше 100 ДБ
6. Подавление несущей более 60 ДБ
7. Первая ПЧ 45 мгц с полосой 15 кгц
8. Вторая ПЧ 6 мгц с полосой 2,7 кгц SSB и 0,5 кгц CW. (полоса переключается в любом режиме коротким нажатием FUN)
9. Имеется встроенный телеграфный ключ с программными регулировками
10. Имеется управление подачей-снятием ВЧ при переходе прием-передача (секвенсор) и выход для управления внешним усилителем.
11. Имеется режим передачи непрерывной несущей “tune”для настройки внешнего усилителя мощности
12. Потребляемый холостой ток в режиме приема при питании 13,5 – 300 ма
13. Потребляемый ток при передаче на КВ 3-4 ампер в легком режиме (LP), и 8-10 ампер полный режим (HP)
14. В режиме молчания ток при передаче в SSB 750 ма
15. Габарит 175 Х 185 Х 67 мм
16. Вес около 1 кг.

Строим цифровой DDC SDR приёмник своими руками (часть 5)

Увеличиваем чувствительность, додавливаем зеркальный канал и делаем удобный интерфейс.

Первая доработка заключается в том, чтобы отпаять ножку SENSE АЦП AD9226 (она припаяна к земле) и спаять с ногой VREF. Тем самым мы снизим опорное напряжения с 2В до 1В, что почти в двое увеличит чувствительность.

Вторым этапом был собран УВЧ на транзисторе BFG591 по схеме UR5KIM.

Также, УВЧ содержит в себе коммутацию и ФНЧ, что улучшает приёмные качества.

Общий вид тестового стенда приёмника теперь примерно такой (справа-сверху виден радиатор блока питания на 7812 и 7805):

Была проведена работа над FIR фильтрами и преобразователем Гильберта, что позволило подавить зеркальный канал на более чем 60дБ.

Для преобразований коэффициентов фильтра из плавающей точки в десятичные был написан небольшой скрипт.  Это требуется, чтобы использовать данные из программы IowaHills в Quartus.

Arduino UNO была заменена на Arduino DUE, которая основана на ARM процессоре и обладает намного лучшими характеристиками и скоростью работы.

К ардуино был подключен TFT LCD экран разрешением 320*240 точек и имеющим резистивный сенсорный датчик.

Далее из FPGA в ардуино сделана трансляция данных, которые через быстрое преобразование Фурье (FFT) выводит спектрограмму принимаемого сигнала.

Также, наличие тач-пада позволило организовать удобный интерфейс (По нажатию на Band открывается список диапазонов).

В итоге погонял приёмник в FT-8 — слышно было и австралию, и китай, качество приёма не уступало настольному Yaesu FT-450.

Исходный код проекта доступен тут.

Полезные статьи, используемые в проекте:

1. http://www.cqham.ru/forum/showthread.php?35923-DDC-DUC-%F2%F0%E0%ED%F1%E8%E2%E5%F0-%F1-%E8%ED%F2%E5%F0%F4%E5%E9%F1%EE%EC-Ethernet-%E8%E7-%EC%EE%E4%F3%EB%E5%E9-%F1-%C0%EB%E8&p=1516500&viewfull=1
2. http://misc.ws/2013/11/08/touch-screen-shield-for-arduino-uno/
3. https://github.com/kosme/arduinoFFT/blob/master/Examples/FFT_01/FFT_01.ino

10 бр./лот BFG591 SOT-223 BFG591A SOT-223 SMD в наличност купи ~ Смесени

100% чисто нов и високо качество

Характеристики:

Облечи си бутилка вино и добавяне на празничен завършек на празничната сезон.

Лесно за носене и забавен начин да направите необичайни обикновени бутилки от вино.

Те са отлични за използване в собствения си празнично събиране или за да дарят вино за вашите празнични подаръци на администраторите, семейство, приятели.

Дали това е демонстрация на бутилката по време на празника или връчване на подарък за домакинята, тя непременно ще добави на шега и празнична оттенък.

Този красив подарък елф на Дядо Коледа ще бъде идеалното допълнение към вашата превъзходна бутилка вино и Рождественскому домашно декора, както и към пасхалната ден.

Идеален подарък за разпространение на същността на традиционния празник и най-добрият подарък за колекционер на вина.

Само за покриване на винена бутилка, други аксесоари демо на снимката не са включени.

Спецификация:

Материал: Трикотажное Платно + Кашмир

Размер: приблизително 28x12cm/11.02×4.72in

Цвят: както е показано на снимката

Брой: 1 Бр.

Забележка:

Няма търговията на дребно опаковки.

Моля, позволете 0-1 см грешка се дължи на ръчно измерване.pls, уверете се, че нямате нищо против, преди да предложите цена.

Поради разлика между различните монитори изображение може да не отразява действителния цвят на елемента.Благодарим ви!

Пакетът включва:

1 x капак винени бутилки

Етикети: ЕКО мотор 2306 xing, ауспух guzzi griso, гривни за ръка на момчетата, Гуя обръща толстовку с качулка, дъска econ 32hs011b, ЕКО сламки преносими, екологични гамаши, gvu 3d cover iphone, guyker черни тунери.

BFG591 лист данных – BFG591; NPN 7 ГГц широкополосный транзистор ;; Упаковка: SOT223

2SA985 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP (низкочастотный усилитель мощности). Характеристика Коллектор-База Напряжение Коллектор-Эмиттер Напряжение Эмиттер-База Напряжение Коллектор Ток (DC) Рассеяние коллектора (Tc = 25) Температура перехода Обозначение температуры хранения VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg Номинальная единица Характеристика Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Постоянный ток Усиление Коллектор- Напряжение насыщения эмиттера Коэффициент усиления по току.

BSP752-R : Недорогие переключатели верхнего плеча. Защита от перегрузки Ограничение тока Защита от короткого замыкания Тепловое отключение с перезапуском Быстрое размагничивание индуктивных нагрузок Обратная защита аккумулятора с помощью внешнего резистора Диагностический выход с открытым стоком для перегрева и короткого замыкания Обнаружение обрыва нагрузки в ВЫКЛ.

CM300E3U-12H : Тип = модуль Igbt ;; Напряжение = 600В ;; Ток = 300А ;; Конфигурация схемы = Чоппер, Понижающий, Повышающий ;; Рекомендуется для дизайнов = ;; Кривые потерь при переключении =.

FQD2N50 : N-канальный QFET 500 В.

IRFZ48RL : Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным шестигранным полевым транзистором 60 В в корпусе TO-262. Усовершенствованный технологический процесс Динамический рейтинг du / dt 175C Рабочая температура Быстрое переключение Полностью лавинное падение при замене IRFZ48 для линейных / аудио приложений В усовершенствованных силовых полевых МОП-транзисторах на полевых транзисторах HEXFET от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Это преимущество в совокупности.

IXFK34N80 : Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™: 800 В, 34a. Обозначение VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv / dt PD TJ TJM Tstg TL Md Вес, мм (0,063 дюйма) от корпуса в течение 10 с Монтажный момент TO-264 PLUS 247 TO-264 Условия испытаний до 150 ° C; RGS 1 MW Continuous Transient = 25C, ширина импульса ограничена TJM IS IDM, di / dt 100 A / ms, VDD VDSS = 25C ​​Международные стандартные пакеты Низкий RDS (on) процесс HDMOSTM.

SF207 : выпрямитель со сверхбыстрым восстановлением. ВЫПРЯМИТЕЛЬ СУПЕР БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ Обратное напряжение до 1000 вольт прямого тока – 2.0 ампер Сверхбыстрое время восстановления Низкое прямое напряжение, возможность высокого тока Герметичность Низкая утечка Высокая устойчивость к скачкам напряжения Пластиковая упаковка имеет класс воспламеняемости 94V-0 Underwriters Laboratories с использованием огнестойкого эпоксидного формовочного компаунда. Корпус: литой.

SFS9540 : A-FET с P-каналом, 100 В. n Технология защиты от лавин n Надежная оксидная технология затвора n Более низкая входная емкость n Улучшенная зарядка затвора 175 C Рабочая температура n Расширенная безопасная рабочая зона n Более низкий ток утечки 10 A (макс.) @ VDS -100V n Низкое RDS (ВКЛ.): 0,161 (тип.) Символ VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv / dt TJ, TSTG TL Постоянное характеристическое напряжение сток-источник.

SLA5037 : Массив. Переключатель коррекции S-образной формы для ЭЛТ-дисплея. Символ VDSS VGSS ID ID (импульс) EAS * Номинальные параметры PT (PW1ms) 200 Символ V (BR) DSS IGSS IDSS VTH Re (yfs) RDS (ON) Ciss Coss td (on) tr td (off) tf VSD trr s min typ макс Единица В нс 5 (Ta = 25C, при работе всех цепей, без радиатора) 40 (Tc = 25C, при всех работающих контурах, с бесконечным радиатором) W 25 (Junction-Air, Ta = 25C, при всех работающих контурах) C / Вт.

0603YC821J4T2A : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 16 В, X7R, 0,00082 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 8.20E-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 16 вольт; Тип установки:.

C0805C202JDRACTU : CAP, CERAMIC, 2NF, 1KVDC, 5% -TOL, 5% + TOL, X7R TC CODE, -15,15% TC, 0805 CASE.s: Диэлектрик: Керамический состав.

K5A-035045 : 1 ФУНКЦИИ, ФЕРРИТОВЫЙ БУСИНИК. s: Форм-фактор борта: чип; Устройств в упаковке: 1.

MA40284 : КРЕМНИЙ, НИЗКИЙ БАРЬЕР SCHOTTKY, X-KU BAND, СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: смеситель; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4.

MC2512-100-JB201 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 5%, 200 ppm, 10 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 2512. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 2512, CHIP; Диапазон сопротивления: 10 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1 Вт.

PR1 / 2B-101-JTW : RES, ОСЕВОЙ, ПРОВОДНОЙ, 100 ОМ, 350WV, 5% +/- ДОПУСК, -100,100PPM TC. s: Категория / Применение: Общее использование.

2221X102J101N : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BX, 0,001 мкФ, УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ, 2221. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E-3 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Тип установки:.

306CNQ200 : 150 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 150000 мА; Упаковка: ПЛАСТИК, PRM4, 2 PIN; Количество контактов: 2; Количество диодов: 2.

671-4345-LF1 : 4 ЭЛЕМЕНТ, 7960 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 4; Стиль поводка: ПЛОСКИЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, ФИЛЬТР ДРОССЕЛЬ; Диапазон индуктивности: 7960 мкГн; Номинальный постоянный ток: 90 мА.

BFG591,115 datasheet – Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Коллектор

LS411860 : ДИОДНЫЙ МОДУЛЬ, 1,8 кВ, 600 А, POW-R-BLOK. s: Количество фаз: -; Тип диода: -; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс .: 1,8 кВ; Прямой ток, если (AV): 600A; Конфигурация диода: -; Максимальное прямое напряжение VF: 1,19 В; Конфигурация модуля: одиночный; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Прямой импульсный ток Ifsm Max: -; Диапазон рабочих температур: – ; Диод.

1N3913 : ДИОД БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ, 30 А, 400 В, DO-5.s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 400 В; Ток в прямом направлении, если (AV): 30А; Прямое напряжение VF Max: 1,4 В; Максимальное время обратного восстановления trr: 200 нс; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 300A; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса диода: DO-5; Количество контактов: 2; MSL: -.

BY255GP-E3 / 54 : СТАНДАРТНЫЙ ДИОД, 3А, 1,3 кВ, DO-201AD. s: Тип диода: Стандартное восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 1,3 кВ; Прямой ток, если (AV): 3А; Максимальное прямое напряжение VF: 1.1В; Время обратного восстановления trr Макс .: 3 с; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 100A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 175 ° C; Тип корпуса диода: DO-201AD; Количество контактов: 2; MSL :.

MMBD301LT3G : ВЧ ДИОД ШОТТКИ, 0,9 пФ, 30 В, SOT-23. s: Конфигурация диода: одиночный; Тип диода: -; Обратное напряжение Vr: 30 В; Емкость Cd Max @ Vr F: -; Сопротивление @ Если: -; Ток в прямом направлении, если макс .: -; Максимальное прямое напряжение VF: 450 мВ; Центральная частота: -; Емкость Ct: 0,9 пФ; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс .: -; Прямой ток, если (AV): -; Операционная.

1N4728A-TP : стабилитрон, 1 Вт, 3,3 В, DO-41. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 3,3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1 Вт; Тип корпуса диода: DO-41; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 200 ° C; MSL: -.

BLS6G3135-120,112 : N CH S-BAND LDMOS ТРАНЗИСТОР, 32 В, 3100 МГц – 3500 МГц, 2-SOT-502B. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 32 В; Id постоянного тока утечки: 7,2 А; Рассеиваемая мощность Pd: 120 Вт; Диапазон рабочих частот: от 3100 МГц до 3500 МГц; Типовой коэффициент шума: 11 дБ; Диапазон рабочих температур: – ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-502Б; Нет.контактов: 2; MSL :.

7MBR35SB-120-50 : IGBT, 7 МОДУЛЕЙ УПАКОВКИ, 1200 В, 35 А, M712. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Постоянный ток коллектора: 35А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.1V; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Количество контактов: 24.

DMN2990UDJ : МОП-транзистор, NN CH, W ESD, 20 В, SOT963. s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор постоянного тока утечки, канал N: -; Идентификатор постоянного тока стока, канал P: -; Напряжение истока стока Vds, N Канал: -; Напряжение истока стока Vds, канал P: -; On Resistance Rds (on), канал N: -; On Resistance Rds (on), канал P: -; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 4.5В; Порог.

3N163-E3 : МОП-транзистор P CH, -40 В, 50 мА, TO-206AF. s: Полярность транзистора: канал P; Id постоянного тока стока: -50 мА; Напряжение истока стока Vds: -40 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 250 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -20 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: -2,5 В; Рассеиваемая мощность Pd: 375 мВт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-206AF; Количество контактов :.

BSS84AK, 215 : МОП-транзистор P CH, TRENCH, 50 В, 180 мА, SOT-23.s: Полярность транзистора: канал P; Id постоянного тока стока: -180 мА; Напряжение истока стока Vds: -50V; На сопротивлении Rds (вкл.): 4,5 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10V; Пороговое напряжение Vgs Typ: -1,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 420 мВт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23.

BC847BV, 115 : BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 100MA, 6-SOT-666. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 45V; Частота перехода Типичная: 100 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 200; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SOT-666; Нет.контактов :.

PBSS4032SPN : ТРАНЗИСТОР, NPN / PNP, 30 В, SO8. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: NPN / PNP; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 30V; Частота перехода Типичная: 115 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: -; Постоянный ток коллектора: 5,7 А; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: -; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса транзистора: SOIC; Количество контактов: 8; MSL: -.

2N3055 : ТРАНЗИСТОР, NPN, 60В, 15А, ТО-3. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 60V; Частота перехода Типичная: 2.5 МГц; Постоянный ток коллектора: 15А; Рассеиваемая мощность Pd: 115 Вт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 20; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-3; Количество контактов: 2; MSL: -.

BC848A-TP : BJT, NPN, 30 В постоянного тока, SOT-23. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 30V; Типичная частота перехода: -; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 225 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 110; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Нет.контактов: 3; MSL: -.

PBRP113ZT, 215 : BRT ТРАНЗИСТОР, PNP, -40V, -800MA, 1KOHM / 10KOHM, 3-SOT-23. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -40V; Постоянный ток коллектора Ic: -800 мА; Базовый входной резистор R1: 1 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 10 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 10; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-23; Количество контактов: 3.

PDTC123EE, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, NPN, 50 В, 100 мА, 2,2 кОм / 2,2 кОм, 3-SOT-416. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 2.2кОм; Резистор база-эмиттер R2: 2,2 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-416; Количество контактов: 3.

PDTC144WE, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, NPN, 50 В, 100 мА, 47 кОм / 22 кОм, 3-СОТ-416. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 47 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 22 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 2,1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-416; Количество контактов: 3.

MPSW06RLRAG : ВЧ транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, TO-92.s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 80V; Частота перехода Типичная: 50 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 1 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 500 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 80; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Корпус ВЧ транзистора: ТО-92; Количество контактов: 3.

Q4006L4 : TRIAC, 400 В, 6 А, TO-220. s: повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 400 В; Максимальный ток срабатывания затвора (QI), Igt: 25 мА; В состоянии действующее значение тока IT (среднеквадратичное значение): 6A; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 65 А; Максимальный ток удержания Ih: 50 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора Vgt: 1.3В; Пиковая мощность затвора: 500 мВт; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C; Корпус тиристора :.

ФИЛИПС BFG591

Загрузить

ФИЛИПС BFG591