БП НА ТРАНЗИСТОРАХ С РЕГУЛИРОВКОЙ
Схема этого блока питания очень простая и интересная, но имеет свои тонкости в настройке. Поэтому многие её повторяют и натыкаясь на грабли пишут, что схема плохая или просто забрасывают её. Мне же она очень понравилась как для БП простого и надёжного для начинающих. До полноценного лабораторного она конечно не дотягивает, но это уже уровень выше. Если хотите собирать БП с точной регулировкой тока и напряжения, плюс хорошая стабильность выхода, то только на микросхемах.
В общем очень понравился гибрид параметрического и компенсационного стабилизатора напряжения. Благодаря этому в данной схеме можно применить практически любые стабилитроны, без подбора, примерно на 8-24 В, и подбором делителя на выходе подобрать выходное напряжение.
Сначала спаял на макетной плате. Стабилизация напряжения желала лучшего. Защита от КЗ вообще не работала. Спалил пару диодов, стабилитронов, но хоть ни одного силового транзистора.
Решил всё же разобраться. Промоделировал в Мультисиме. Разобрался что к чему и затем реализовал в железе – всё прекрасно работает. Схема оказалась вполне стоящая.
Самое важное в ней это узел защиты от КЗ на двух диодах, о которую все спотыкаются. Здесь надо правильно подобрать диоды защиты. Диод, который идёт на базу транзистора, должен имень меньшее падение напряжение на нём. Проверяется элементарно цифровым прибором в режиме прозвонки. Я выяснил, что оптимально установить германиевый типа Д9. А второй кремниевый, типа КД522.
Для улучшения стабилизации выходного напряжения нужно стабилизировать узел опорного напряжения или применить ГСТ (генератор стабильного тока), или использовать TL431. Исходил из имеющихся в наличии радиодеталей и простоты схемы.
Сделал ГСТ на двух КТ315. Самый простой вариант. Регулировку по току или узел ограничения по току пока не стал делать. Для этого блока это не даст качественной и точной настройки ограничения по току, но усложнит схему.
Ещё одной особенностью схемы является Uмин на уровне 1-2 В (из-за диодов защиты). Можно подбором диодов добиться Uмин 0,7-0,8 В, но думаю для очень простого БП этого вполне хватит.
При КЗ силовой транзистор надёжно закрывается и на выходе 0 В и почти 0 мА, где то на уровне 20-200 мкА. В таком состоянии схема может находится бесконечно долго, а после устранения КЗ всё возвращается в нормальное состояние. Иногда нужно лишь кратковременно отключить нагрузку (это тоже особенность этой схемы, иногда с подключенной нагрузкой не запускается).
Резисторы R2 и R6 являются частью узла стабилизации совместно со стабилитроном. Они образуют делитель напряжения для установки максимального выходного напряжения. Оно будет равно примерно (Uст+Uled) + (Uст+Uled) х (R2/R6) – (UкэQ1+ UкэQ3).
(13+2) + (13+2) х (5,1/4,7) – (1,3+0,65) = 29,33 В. Это приблизительный расчёт.
Я рассчитывал делитель на Uвых = 32 В при Uст = 15 В. Резисторы R2 = 5K6 и R6 = 4K3. От суммарного сопротивления этих резисторов зависит и ток холостого хода (без нагрузки) и выделяемая на них мощность. При Uвых = 32 В и R2 = 5K6 и R6 = 4K3 на них выделяется мощность 61 mW и 47 mW соответственно. Можно применять резисторы 0,25 Вт (1/4W) или даже 0,125 Вт (1/8W).
При делителе 390/390 Uвых будет Uст*2 – 2Uкэ, то есть примерно в два раза больше напряжения стабилизации стабилитрона Uвых = 5 х 2 – 2 х 0,65 = 28,65 В. Ток через делитель будет порядка Iд = 36 мА и выделяемая мощность на этих резисторах будет порядка 515 mW. То есть нужно применять резисторы мощностью 1 Вт
Вывод: подбором резисторов делителя можно подбирать Uвых.макс, для уменьшения нагрева нужно их выбирать в килоОмах.
Вот скриншоты для примера:
Сила тока должна оставаться на уровне установленного, но она тоже будет плавать.
На счёт защиты при КЗ. Всё зависит от мощности питающего трансформатора, ёмкости фильтрующего конденсатора и силового транзистора. При напряжении 20 В и токе 3 А при замыкании на силовом транзисторе будет мгновенно 60 Вт выделяемой мощности плюс кратковременный бросок (импульс) тока с фильтрующего конденсатора (20 х 1,41 х 3 = 84,6 Вт), а это для большинства транзисторов китайских полный тепловой или токовый пробой. Даже наши советские типа КТ803, КТ805, КТ809 и так далее, через 10-20 секунд пробьются. А может и быстрее…
Для линейной схемы напряжением до 24-28 В, лучше брать ток не более 1,5-2 А, дабы не рисковать сжечь транзисторы. Вот как вариант:
Ограничение тока будет на уровне 3-х ампер. А полная мощность будет равна мощности потребляемой нагрузкой плюс остальное будет в виде тепловых потерь выделяться на силовом транзисторе. При КЗ вся мощность, которую сможет выдать трансформатор, выделится в виде тепла на силовом транзисторе. Автор материала TohaT.
Форум по блоку питания
Простая схема регулируемого трансформаторного блока питания на транзисторах с защитой от перегрузки и КЗ.
« ЭлектроХоббиВ этой статье предлагаю рассмотреть достаточно простую схему, классический вариант, блока питания с регулировкой выходного напряжения и тока срабатывания защиты от токовой перегрузки и короткого замыкания. Новичкам, которые первый раз видят данную схему наверняка будет не совсем понятен сам принцип действия и работа этого устройства. А что касается надежности этой схемы, то она уже проверена многими годами и многими радиолюбителями, электронщиками, которые в свое время обязательно должны были собирать этот регулируемый блок питания для своих различных электронных устройств. Так что схема проста, работоспособна и вполне надежна.
Давайте разберем эту схему. Вначале стоит обычный трансформаторный блок питания подходящей мощности. Поскольку в самой схеме регулятора напряжения стоит силовой транзистор КТ817, который может через свой переход коллектор-эмиттер пропустить до 3х ампер, то этим током пока и ограничимся. Итак, наш регулируемый блок питания будет выдавать на своем выходе постоянное напряжение от 0 до 12 вольт, с максимальной силой тока до 3 А.
Следовательно максимальная рабочая мощность блока питания будет около 36 Вт (мы 12 В умножаем на 3 А). Поскольку трансформаторы такой мощности имеют КПД примерно равный 80%, то этот трансформатор у нас должен быть мощностью где-то 50 Вт.
Чтобы мы на выходе данного блока питания получили свои максимальные 12 вольт, то нужно чтобы наш трансформатор на вторичной обмотке выдавал переменное напряжение не менее 13,5 вольт. Почему так. Просто небольшая часть напряжения, а именно где-то 1,2 вольта потеряется на схеме стабилизатора напряжения. Ну об этом чуть позже. В итоге, нужно найти трансформатор мощностью около 45-60 Вт, вторичная обмотка которого может обеспечить ток до 3 ампер и напряжение 13,5-15 вольт. Ну, и желательно чтобы размеры этого трансформатора были подходящими, компактными, а это значит что лучше приобретать тор (круглая форма магнитного сердечника). В таких трансформаторах и размеры меньше и КПД выше. На входе первичной обмотке желательно предусмотреть плавкий предохранитель (на схеме обозначен как Z1), который в случае чего обезопасит схему блока питания от выгорания трансформатора.
Далее пониженное переменное напряжение, что выходит со вторичной обмотки трансформатора, поступает на диодный выпрямительный мост. Задача моста проста, сделать из переменного тока постоянный, то есть его выпрямить. На схеме я указал, что эти диоды в мосте D1 должны быть типа 1n4007, но изначально схема была нарисована на выходной тока до 1ого ампера. Именно этот ток (до 1 А) могут обеспечить данный тип диода. Поскольку мы уже делаем блок питания на 3 ампера, то либо нужен соответствующий диодный мост типа BR310 (можно и даже нужно делать запас по току и брать мосты ампер так на 5 или 6) либо же соединить параллельно 3 или 4 моста с диодами 1n4007. Обратное напряжение диодов моста должно быть, естественно, больше, чем напряжение, что на них подается.
Но как известно после диодного моста выходит пульсирующее напряжение, хотя оно уже и не меняет свою полярность. Чтобы эти пульсации убрать, или по крайней мере их свести к минимуму, то обычно для этого ставиться обычный фильтрующий конденсатор электролит.
В схеме он обозначен как C1 и его емкость 500 микрофарад, хотя можно поставить и побольше, микрофарад так на 5000, будет только лучше. Учтите, что напряжение конденсаторов должно быть чуть больше того, которое на них подается в схеме при работе. Поскольку в противном случае возникает опасность выхода из строя данного конденсатора. Даже может бабахнуть.
Далее в регулируемом блоке питания, с защитой по току от КЗ и перегрузок, стоит сама схема, которая выполняет функцию регулируемого стабилизатора напряжения, и токовой защиты. В начале этой схемы стоит обычный параметрический стабилизатор напряжения, состоящий из стабилитрона VD1 и резистора R1.
На стабилитроне оседает опорное напряжение, то на какое рассчитан сам стабилитрон. В этой схеме нужен стабилитрон с напряжением стабилизации 13,5 вольт (14 В). Причем стоит заметить, выходное напряжение будет равно напряжению стабилитрона плюс 1,2 вольта, что потеряются на составном транзисторе, состоящем из VT1 и VT2 (на их база-эмиттерном переходе).
Напряжение питание должно быть больше хотя бы на 0,5-2 вольта, чем напряжение стабилитрона. Именно эта добавленное напряжение и нужно для нормальной, стабильной работы стабилитрона (параметрического стабилизатора). Сам стабилитрон можно поставить например Д814Д, либо поставить несколько параллельно соединенных стабилитронов и диодов, общее напряжение стабилизации чтобы было равно 14 вольтам.
Параллельно стабилитрону подключен переменный резистор R2. Именно им осуществляется регулировка величины выходного напряжения. Со среднего вывода этого резистора, относительно минуса, напряжение снимается и подается на базу первого транзистора VT1 (составного). Этот составной транзистор состоит из VT1 и VT2 и включен по схеме с общим коллектором (эмиттерный повторитель). А как известно, при таком подключении транзисторов усиление происходит только по току, напряжение же остается практически неизменным, и даже чуть меньше. И получается, что какое напряжение будет выставлено на переменном резисторе, то такое напряжение (с вычетом 1,2 В) и будет на выходе регулируемого блока питания.
Но при этом через составной транзистор будет проходит максимально возможный ток, ограничивается только величиной нагрузки и максимально допустимым током самих силовых транзисторов (напомню, что КТ817 может выдерживать до 3 ампера). Этот транзистор следует установить на радиатор для лучшего охлаждения.
Ну и теперь что касается функции защиты по току от короткого замыкания и чрезмерной перегрузки. Как видно на схеме коллектор-эмиттерный переход транзистора VT3 подключен параллельно выводам переменного резистора, с которых снимается регулируемое напряжение. Следовательно, если этот транзистор защиты по току будет открываться, то тем самым он будет способствовать снижению выходного напряжения. А это, естественно, приведет и к снижению величины силы тока в нагрузке. Ну, а чтобы транзистор защиты начал открываться, нужно появление напряжения на его база-эмиттерном переходе, который подключен к еще одному переменному резистору R3. Именно этим резистором можно регулировать силу тока перегрузки и КЗ.
Этот переменный резистор подключен к еще одному резистору R4, который и выполняет роль датчика величины тока в цепи нагрузки.
Работа этого датчика тока проста. На рисунке под схемой (в нижнем, правом углу) можно увидеть три последовательно соединенных резистора, что соответствует сопротивлениям силового транзистора (коллектор-эмиттерный переход), сопротивления самой нагрузки и сопротивления резистора R4. Если мы увеличим нагрузку, уменьшив ее сопротивления, то напряжение будет перераспределяется между другими сопротивлениями в этой цепи. Следовательно на резисторе R4 при перегрузке или коротком замыкании увеличится напряжение, что и приведет к открытию защитный транзистор VT3. Сопротивления датчика тока R4 можно подбирать под нужный диапазон тока перегрузки и его величина может быть от 0,1 до 10 Ом. При этом мощность этого сопротивления должна быть не менее 1 Ватта.
Ну и на выходе нашего блока питания стоит еще один конденсатор электролит, который еще лучше фильтрует возможные пульсации, делая выходное постоянное напряжении более стабильным и ровным.
Его емкость может быть от 500 мкф до 2200 мкф и напряжением 16 или 25 вольт.
Видео по этой теме:
P.S. Эта схема проверена десятилетиями, и она собиралась и успешно использовалась многими электронщиками и радиолюбителями. Так что если Вы начинающий электронщик, обязательно попробуйте собрать эту схему. При чем она начинает работать сразу после сборки, ну а если что-то не получается, сначала попытайтесь понять сам принцип действия этой схемы, который я описал в данной статье. Ну, а на этом пожалуй и все, удачи и благополучия в делах.
Быстродействующие полевые транзисторы с черным фосфором приближаются к баллистическому пределу
1. Li X., Yang L., Si M., Li S., Huang M., Ye P., Wu Y., Потенциал производительности и предел транзисторов MoS 2 . Доп. Матер. 27, 1547–1552 (2015). [PubMed] [Google Scholar]
2.
Фиори Г., Бонаккорсо Ф., Яннакконе Г., Паласиос Т., Ноймайер Д., Сибо А., Банерджи С. К., Коломбо Л.,
Электроника на основе двумерных материалов. Нац. нанотехнологии.
9,
768–779 (2014). [PubMed] [Академия Google]
3. Ли Л., Ю Ю., Е Г. Дж., Гэ К., Оу С., У Х., Фэн Д., Чен С. Х., Чжан Ю., Полевые транзисторы на черном фосфоре. Нац. нанотехнологии. 9, 372–377 (2014). [PubMed] [Google Scholar]
4. Ся Ф., Ван Х., Цзя Ю., Новое открытие черного фосфора как анизотропного слоистого материала для оптоэлектроники и электроники. Нац. коммун. 5, 4458 (2014). [PubMed] [Google Scholar]
5. Du Y., Liu H., Deng Y., Ye P.D., Перспективы устройств для полевых транзисторов с черным фосфором: контактное сопротивление, амбиполярное поведение и масштабирование. АКС Нано 8, 10035–10042 (2014). [PubMed] [Академия Google]
6. Бушема М., Грунендейк Д. Дж., Блантер С. И., Стил Г. А., ван дер Зант Х. С. Дж., Кастелланос-Гомез А.,
Быстрый и широкополосный фотоотклик малослойных полевых транзисторов на черном фосфоре.
Нано Летт.
14,
3347–3352 (2014). [PubMed] [Google Scholar]
7. Мяо Дж., Чжан С., Цай Л., Шерр М., Ван С., Чернофосфорные полевые транзисторы сверхкороткой длины канала. АКС Нано 9, 9236–9243 (2015). [PubMed] [Google Scholar]
8. Аллен А., Канг Дж., Банерджи К., Кис А., Электрические контакты к двумерным полупроводникам. Нац. Матер. 14, 1195–1205 (2015). [PubMed] [Google Scholar]
9. Ду Ю., Ян Л., Чжоу Х., Е П. Д., Повышение производительности полевых транзисторов с черным фосфором путем химического легирования. IEEE Electron Device Lett. 37, 429–432 (2016). [Google Scholar]
10. Li X., Xiong X., Li T., Li S., Zhang Z., Wu Y., Влияние диэлектрического интерфейса на характеристики транзисторов MoS 2 . Приложение ACS Матер. Интерфейсы 9, 44602–44608 (2017). [PubMed] [Google Scholar]
11. Chen X., Chen C., Levi A., Houben L., Deng B., Yuan S., Ma C., Watanabe K., Taniguchi T., Naveh D. , Ду Х., Ся Ф.,
Высокоскоростное насыщение в тонкопленочных чернофосфорных транзисторах.
12. Ян Л.М., Цю Г., Си М.В., Чарнас А.Р., Миллиган С.А., Землянов Д.Ю., Чжоу Х., Ду Ю.К., Линь Ю.М., Цай В., Падуано К., Снур М., Йе П.Д., Фью- 2 O 3 двухслойный подзатворный диэлектрик: I на =850 мкА/мкм, g m =340 мкСм/мкм, R 90 003 c =0,58 кОм · мкм, на Международной конференции по электронным устройствам IEEE (IEDM) 2016 г., Сан-Франциско, Калифорния, 3–7 декабря 2016 г., стр. 5.5.1–5.5.4. [Академия Google]
13. М. Си, Л. Ян, Ю. Ду, П. Д. Е, Полевой транзистор с черным фосфором с рекордным током стока, превышающим 1 А/мм, на 75-й ежегодной конференции по исследованию устройств (DRC), 2017 г., Саут-Бенд, Индиана , 25–28 июня 2017 г., стр. 1–2. [Google Scholar]
14. Декер Р., Ван Ю., Брар В. В., Риган В., Цай Х.-З., Ву К., Ганнетт В., Зеттл А., Кромми М. Ф.,
Локальные электронные свойства графена на подложке BN с помощью сканирующей туннельной микроскопии.
15. Цуй С., Ли Г.-Х., Ким Ю., Арефе Г., Хуан П.Ю., Ли С.-Х., Ченет Д.А., Чжан С., Ван Л., Е Ф., Пиццоккеро Ф. ., Джессен Б.С., Ватанабэ К., Танигучи Т., Мюллер Д.А., Лоу Т., Ким П., Хон Дж., Многотерминальные транспортные измерения MoS 2 с использованием платформы гетероструктур Ван-дер-Ваальса. Нац. нанотехнологии. 10, 534–540 (2015). [PubMed] [Google Scholar]
16. Ассадераги Ф., Синицкий Д., Бокор Дж., Ко П. К., Гау Х., Ченмин Х., Перенос электронов и дырок инверсионного слоя в сильном поле, включая выброс скорости. IEEE транс. Электронные устройства 44, 664–671 (1997). [Google Scholar]
17. Коги Д. М., Томас Р. Э., Подвижность носителей в кремнии эмпирически связана с легированием и полем. проц. IEEE 55, 2192–2193 (1967). [Google Scholar]
18. Ван Х., Ван С., Ся Ф., Ван Л., Цзян Х., Ся Ц., Чин М. Л., Дубей М., Хань С.-Дж.,
Чернофосфорные радиочастотные транзисторы. Нано Летт.
14,
6424–6429 (2014).
[PubMed] [Google Scholar]
19. Gao T., Li X., Xiong X., Huang M., Li T., Wu Y., Оптимизированные транспортные свойства в транзисторах с черным фосфором, легированных литием. IEEE Electron Device Lett. 39, 769–772 (2018). [Google Scholar]
20. Zhu W., Park S., Yogeesh M. N., McNicholas K. M., Bank S. R., Akinwande D., Гибкие тонкопленочные транзисторы с черным фосфором на гигагерцовых частотах. Нано Летт. 16, 2301–2306 (2016). [PubMed] [Google Scholar]
21. Quay R., Moglestue C., Palankovski V., Selberherr S., Температурно-зависимая модель скорости насыщения в полупроводниковых материалах. Матер. науч. Полуконд. Процесс. 3, 149–155 (2000). [Google Scholar]
22. Джин З., Ли С., Маллен Дж., Ким К. В., Собственные транспортные свойства электронов и дырок в монослойных дихалькогенидах переходных металлов. физ. Преподобный Б 90, 045422 (2014). [Google Scholar]
23. Рахея С., Лундстром М. С., Антониадис Д. А.,
Усовершенствованная транспортная модель на основе виртуального истока для квазибаллистических транзисторов.
Часть I. Учет эффектов вырождения носителей, зависимости емкости затвора от смещения стока и нелинейного сопротивления доступа к каналу. IEEE транс. Электронные устройства
62,
2786–2793 (2015). [Google Scholar]
24. С. Датта, Уроки наноэлектроники: новый взгляд на транспорт (World Scientific Publishing Co Inc, 2012), vol. 1. [Google Академия]
25. Лю Ю., Луизиер М., Мажумдар А., Антониадис Д. А., Лундстром М. С., Об интерпретации баллистической скорости инжекции в крупномасштабных полевых МОП-транзисторах. IEEE транс. Электронные устройства 59, 994–1001 (2012). [Google Scholar]
26. М. Чой, В. Мороз, Л. Смит, Дж. Хуанг, Расширение парадигмы дрейфа-диффузии в эпоху FinFET и нанопроводов, в 2015 г. Международная конференция по моделированию полупроводниковых процессов и устройств (SISPAD). ), Вашингтон, округ Колумбия, 9–11 сентября 2015 г., стр. 242–245. [Академия Google]
27. Эминенте С., Эссени Д., Палестри П., Фиенья К., Селми Л., Санджорджи Э.
,
Понимание квазибаллистического транспорта в нано-MOSFET: Часть II — Масштабирование технологии вдоль ITRS. IEEE транс. Электронные устройства
52,
2736–2743 (2005). [Google Scholar]
28. Li X., Grassi R., Li S., Li T., Xiong X., Low T., Wu Y., Аномальная температурная зависимость в контакте металл–черный фосфор. Нано Летт. 18, 26–31 (2018). [PubMed] [Google Scholar]
29. Пенумача А. В., Салазар Р. Б., Аппенцеллер Дж., Анализ транзисторов с черным фосфором с использованием аналитической модели МОП-транзистора с барьером Шоттки. Нац. коммун. 6, 8948 (2015). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
30. Arutchelvan G., Lockhart de la Rosa C.J., Matagne P., Sutar S., Radu I., Huyghebaert C., De Gendt S., Heyns M. , От металла к каналу: исследование инжекции носителей через интерфейс металл/2D MoS 2 . Наномасштаб 9, 10869–10879 (2017). [PubMed] [Google Scholar]
31. Liu Y., Guo J., Wu Y., Zhu E., Weiss N. O., He Q., Wu H., Cheng H.-C., Xu Y.
, Shakir И., Хуан Ю., Дуань С.,
Расширение предела производительности транзисторов из дисульфида молибдена с размером менее 100 нм. Нано Летт.
16,
6337–6342 (2016). [PubMed] [Академия Google]
bp%20109%20описание транзистора и примечания по применению
bp%20109%20транзистор Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
1999 – б621а Реферат: 1R3A B750A CDR12 AQ13 Конденсатор 10 пикофарад 271C 431a F 82 бп CDR11 | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681E CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681E МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 б621а 1Р3А Б750А CDR12 AQ13 конденсатор 10 пикофарад 271С 431а F 82 п.н. CDR11 | |
2001 – B512A Резюме: 681a b560 0R8A B910 B331 5r1a 1R2A b621a B750A | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681E CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681E МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 Б512А 681а б560 0R8A B910 B331 5р1а 1Р2А б621а Б750А | |
2005 – CDR33BX Резюме: CDR34BP CDR31BX CDR03BX | Оригинал | CDR-MIL-PRF-55681
МИЛ-ПРФ-55681. CDR01,
CDR31,
CDR32
CDR33
CDR02,
CDR03,
CDR04,
CDR06,
CDR33BX
CDR34BP
CDR31BX
CDR03BX | |
1999 – ХЗФ16БП Реферат: код 6bp HZF12BP HZF10 HZF11 HZF12 HZF13 HZF15 стабилитрон z5.6bp HZF18 | Оригинал | АДЭ-208-129А HZF15CP ХЗФ16БП код 6бп ХЗФ12БП ХЗФ10 ХЗФ11 ХЗФ12 ХЗФ13 ХЗФ15 стабилитрон z5.6bp ХЗФ18 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | IL-C-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-С-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, | |
2006 – CDR31 Резюме: CDR32 CDR33 CDR35 MIL-PRF-55681 | Оригинал | MIL-PRF-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, CDR32 CDR33 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | MIL-C-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-С-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, | |
2001 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | MIL-PRF-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, CDR35 | |
2004 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | MIL-PRF-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | СТЛ602 СТЛ604-04-01 СТЛ606 5М237Д5 | |
2008 – M123A04BXB222KW Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | МИЛ-ПРФ-123/Радиальный МИЛ-ПРФ-123/СТИЛЬ CKS05, M123A01BPC4R7 M123A01BPC5R1 M123A01BPC5R6 M123A01BPC6R2 M123A01BPC6R8 M123A01BPC7R5 M123A01BPC8R2 M123A04BXB222KW | |
2010 – CDR32 Резюме: CDR35 CDR31 CDR33 MIL-PRF-55681 CDR31BP CDR33BX 8291эт | Оригинал | MIL-PRF-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, CDR32 CDR35 CDR33 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31BP CDR33BX 8291F | |
2009 – CDR32 Резюме: CDR33-1210 MIL-PRF-55681 CDR31 CDR33 CDR35 82 п. | Оригинал | MIL-PRF-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-ПРФ-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, CDR32 CDR33-1210 МИЛ-ПРФ-55681 CDR33 CDR35 82 п.н. 81 п.н. | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | MIL-C-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-С-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, | |
КДР33БС Резюме: MIL-C-55681 | OCR-сканирование | MIL-C-55681/Чипы CDR31 CDR35 МИЛ-С-55681 CDR31 CDR31, CDR32, CDR33, CDR34, CDR35 CDR33BX МИЛ-С-55681 | |
1999 – BP 34 техпаспорт Резюме: HZF10 HZF11 HZF12 HZF13 HZF15 HZF16 HZF18 HZF20 HZF22 | Оригинал | АДЭ-208-129Б БП 34 техпаспорт ХЗФ10 ХЗФ11 ХЗФ12 ХЗФ13 ХЗФ15 ХЗФ16 ХЗФ18 ХЗФ20 ХЗФ22 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | BF321CW600-6V-БП BF321CW600-14V-БП 12/14В BF321CW600-24V-БП BF321CW600-28V-БП BF321CW600-48V-БП BF321CW600-60V-БП 120 МБ, NE51H BF321 | |
2007 – Б-152А Аннотация: B561B B152A | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681 CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681 МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 Б-152А B561B Б152А | |
2011 – cdr14bg101 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681 CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681 МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 cdr14bg101 | |
2008 – CDR02 Реферат: CDR03 CDR31 CDR32 CDR33 CDR01B-121B cdr01 конденсаторы cdr32bp CDR34BP CDR03BX | Оригинал | CDR-MIL-PRF-55681
МИЛ-ПРФ-55681
18 июля 2008 г. CDR02
CDR03
CDR31
CDR32
CDR33
CDR01B-121B
конденсаторы cdr01
cdr32bp
CDR34BP
CDR03BX | |
2005 – В910 Реферат: 7R5A B-130 821A | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681 CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681 МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 В910 7Р5А Б-130 821А | |
2001 – В680 Аннотация: B910 | Оригинал | МИЛ-ПРФ-55681E CDR11/12 CDR13/14 AVX/MIL-PRF-55681E МИЛ-С-55681 CDR11 CDR12 CDR13 CDR14 B680 B910 | |
2005 – CDR34BP Резюме: CDR03BX CDR-MIL-PRF-55681 | Оригинал | CDR-MIL-PRF-55681 МИЛ-ПРФ-55681. 08 апр. 05 CDR34BP CDR03BX CDR-MIL-PRF-55681 | |
2006 – CDR34BP Резюме: CDR03BX CDR-MIL-PRF-55681 | Оригинал | CDR-MIL-PRF-55681
МИЛ-ПРФ-55681
08 апр. Больше новостей | |
н. 81 п.н.