BU808DFI — кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор — DataSheet
Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный составной транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный составной транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1400 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 700 | |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 10,0 | — |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3 | А |
| Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 6 | А | |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 52 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1400 В, Veb = 0 В | — | — | 400 | мкА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5,0 А | 60 | — | 230 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 0,5 А | — | 1,6 | В | |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5,0 A, Ib = 0,5 А | — | — | 2,1 | В |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 5,0 А | — | — | 3 | В |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,8 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
Замена BU808DFI
Несколько способов замены транзистора BU808.
Если у кого телевизор сломался, рекомендуем ссылку: - Ремонт телевизоров на дому
Ещё попадают в ремонт телевизоры Vestel, Sanyo и Vityaz с установленным в строчной развёртке транзистором BU808DFI.
К сожалению, в свободной продаже эти транзисторы уже давно отсутствуют. Нигде не найти и BU808DFX.
Следует отметить, аналог - 2SC5388, так же стал малодоступен. Появились в продаже подделки, и цены на этот транзистор растут.
Отличить оригинальный транзистор от поддельного можно с помощью омметра, замерив сопротивление между выводами Б и Э. Если в обе стороны менее 50 Ом - перемаркирован из какого-либо дешёвого, но похожего по корпусу. У оригинального мультиметр покажет сопротивление между базой и эмиттером, обычно 200-300 Ом.
Чем же заменить составной транзистор в строчной развёртке? Этот вопрос неоднократно обсуждался на форумах и актуален до настоящего времени.
Автором статьи опробованы и проверены два варианта:
1. Установка функционального аналога из двух транзисторов.
2. Установка 2SD2499 с некоторыми изменениями в схеме.
Внимание! Важное примечание:
В большинстве случаев виновником пробоя BU808 является разделительный электролитический конденсатор в драйвере 10uFx63V.
Необходимо заменить его на новый, имеющий минимальные потери по активному сопротивлению (ESR). Качество конденсатора критично.
Иногда пробой происходит по причине образования кольцевой трещины в пайке вывода разъёма ОС строчных катушек.
1. Функциональный аналог BU808 - по сути составной транзистор Дарлингтона.
Внутреннее устройство представлено на рисунке ниже:
При использовании строчного транзистора (Q2 на схеме) с демпферным диодом и резистором, например 2SD2499,
в схему остаётся добавить три элемента - транзистор Q1, как усилитель тока, а так же резистор и диод в его базе.
Номинал резистора R1 270-330 ом. Диод D1 можно взять любой с максимальным током от 1 А, желательно более быстрый,
например серии HER или UF. Транзистор Q1 лучше использовать в маленьком корпусе, например BU1508AX, к радиатору его крепить нет необходимости.
Вся конструкция из трёх элементов монтируется навесом и крепится к выводам второго транзистора (Q2), согласно соединениям по схеме.
Q2 прикручивается к радиатору на штатное место. Выводы его коллектора и эмиттера впаиваются в штатные контактные площадки.
Такое включение несколько усложняет конструкцию, но не меняет схемное решение.
При правильном и аккуратном монтаже, излишний нагрев и другие негативные последствия маловероятны.
2. Установка биполярного транзистора вместо составного возможна в случае применения транзистора с достаточным
коэффициентом усиления по току и хорошими динамическими характеристиками.
Внимание!
Способ замены проверен автором статьи, но не может быть рекомендован ремонтникам, не имеющим достаточного опыта и теоретических знаний.
В связи с тем, что этот вариант замены несколько ненадёжен, противоречит схемному решению производителя и может быть реализован лишь с отдельными типами и экземплярами строчных транзисторов, подробно его рассматривать и рекомендовать нельзя, во избежании негативных последствий при его использовании неквалифицированными мастерами или владельцами телевизоров.
Применение транзистора с достаточным коэффициентом усиления по току и хорошими динамическими характеристиками - обязательное условие.
Необходимые доработки в случае применения оригинального 2SD2499:
- Качество разделительного конденсатора в драйвере критично. Номинал 10х63 менялся автором на 47х50 Jamicon.
- Дроссель в драйвере - закоротить.
- Штатный резистор БЭ 47 ом, установленный на плате - удалить.
- Установить диод БЭ, катодом к базе, анодом на корпус. Подойдёт любой от 2А, желательно быстрый.
Обязательно произвести температурный контроль.
Проверено автором статьи более чем на 20 экземплярах телевизоров c шасси Vestel 11АК30.
Возможность перегрева не исключена и зависит от свойств конкретного экземпляра транзистора.
Впервые публично это метод был предложен на форуме monitor.net.ru, где до сих пор обсуждения периодически появляются с предложениями и опытом использования разных типов строчных транзисторов вместо составного.
Замечания и предложения принимаются и приветствуются!
tel-spb.ru
Чем заменить BU808DF, аналог
Транзистор BU808DFI
Аналогом составного транзистора BU 808DF1 (BU808DFX, BU808DFH) – является транзистор 2SC5388. К сожалению цены на эти транзисторы в несколько раз выше, чем на обычные (например 2SD2499, 2SD2508 и т. д.), да и не всегда найдешь в продаже.
К обычному транзистору типа 2SD2499, 2SD1555 (или другой) навесным монтажом согласно datasheet BU808
Datasheet BU 808DFX
прикрепите элементы, сопротивление R1- 270-330 ом, R2 есть в транзисторе, D1 типа HER с максимальным током от 1 А, транзистор Q1 такой же типа BU508 или подобный с меньшим корпусом. Коллектор и эмиттер впаиваем как обычный, а базу Q1 отрезком провода. Правильно собранная замена BU 808 работает отлично.
Есть еще один способ, несколько проще чем первый, но менее надежный.
Для этого нужен транзистор с большим коэффициентом усиления по току (например тот же 2SD2499 только оригинальный).
В схеме закорачиваем дроссель L601, удаляем R603 и вместо него впаиваем диод БЭ, катодом к базе, подойдёт любой от 2 А. После включения обязательно проверяем температурный режим.
xn--80aanab4adj2bicdg1q.xn--p1ai
