Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Buz11 datasheet на русском – Вместе мастерим

Транзисторы BUZ11

Т ранзисторы BUZ11 – кремниевые, полевые МДП, тип канала – n. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания , преобразователях в качестве мощных ключевых элементов. Корпус TO-220, с гибкими выводами.
Маркировка буквенно – цифровая.

Основные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощностьDmax) – 75 Вт(на радиаторе).

Крутизна характеристики (передаточная проводимость)gfs1,5 А/В.

Максимальный постоянный ток истока IDmax30 А, пульсирующий – 120 А.

Максимальное напряжение сток-исток UDSmax50В.

Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax±20В.

Максимальное значение сопротивления исток-сток во включенном состоянии RDS(on)max0,04Ом.

BUZ11 MOSFET – описание производителя.

Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: BUZ11

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220

BUZ11 Datasheet (PDF)

1.1. buz111sl.pdf Size:77K _update_mosfet

BUZ111SL SPP80N05L SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ111SL 55 V 80 A 0.01 Ω TO-220 AB Q67040-S4003-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current

1. 2. buz11al.pdf Size:332K _update_mosfet

1.3. buz111s.pdf Size:112K _update_mosfet

BUZ 111S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS • N channel Drain-Source on-state resistance 0.008 RDS(on) Ω • Enhancement mode Continuous drain current 80 A ID • Avalanche rated • dv/dt rated • 175˚C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ111S P-TO220-3-1 Q67040-S4003-A2 Tub

1.4. buz110s.pdf Size:88K _update_mosfet

BUZ 110 S SPP80N05 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >

BUZ11A N – CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Hи одно готовое к бою подразделение не прошло проверки.

Основные параметры BUZ11A полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ11A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd max Uds max Udg max Ugs max Id max Tj max, °C Fr (Ton/of) Ciss tip Rds
75W 50V 50V ±20V 27A 175°C 45/300nS 900pF 0.055

Производитель: STE
Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
Популярность: 1959
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BUZ11A

Общий вид транзистора BUZ11A. Цоколевка транзистора BUZ11A.

Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ11A.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Аналоги для BUZ11 / Fairchild

Исходное наименование i Упаковка Корпус Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
BUZ11 (FAIR)

 


BUZ11 (ONS-FAIR)
TO-220-3
30A, 50V, 0. 040 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена
WMK50N06TS (WAYON)

 

A+ в линейках 1000 шт TO-220-3
STP60NF06 (ST)

 

A+ в линейках 50 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
WMB52N06T1 (WAYON)

 

A+

 

в коробках 3000 шт
WMQ098N06LG2 (WAYON)

 

A+

 

3000 шт
WMO50N06TS (WAYON)

 

A+

 

в ленте 2500 шт
IRFP044NPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 25 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFR2405PBF (INFIN)

 

A+ в линейках 75 шт TO-252-3 DPAK HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFR48ZPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 75 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ34NSPBF (INFIN)

 

A+ в линейках 50 шт TO-263-3 D2PAK
IRFZ44EPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 50 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ44VPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 50 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ44ZPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 50 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRLR2905ZPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 75 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRLZ44NSTRLPBF (INFIN)

 

A+

 

в ленте 800 шт
ISC0703NLSATMA1 (INFIN)

 

A+

 

в ленте 600 шт
ISZ0703NLSATMA1 (INFIN)

 

A+

 

в ленте 550 шт
IPD088N06N3GBTMA1 (INFIN)

 

A+

 

2500 шт
IRFI1010NPBF (INFIN)

 

A+

 

в линейках 50 шт HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)

 

A+

 

в ленте 800 шт
CSD18537NQ5A (TI)

 

A+

 

в ленте 2500 шт DFN-8 TDFN8 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
STP55NF06 (ST)

 

A+ в линейках 50 шт
CSD18543Q3A (TI)

 

A+

 

1 шт DFN-8 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
STP45NF06 (ST)

 

A+ 50 шт Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0. 028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STD60NF06T4 (ST)

 

A+ в ленте 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
CSD18537NKCS (TI)

 

A+ 50 шт TO-220-3 60-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Близкий по наименованию товар
BUZ11-NR4941 (ONS-FAIR)

 

SN

 

в линейках 50 шт TO-220-3
BUZ11A (ISC)

 

SN

 

BUZ11 MOSFET Распиновка, объяснение, характеристики, эквиваленты, особенности, применение В этом посте мы собираемся обсудить распиновку BUZ11 MOSFET, объяснение, спецификации, эквиваленты, функции, приложения и другую важную информацию об этом устройстве.

Реклама

Реклама

 

Характеристики/технические характеристики:
  • Тип упаковки:  ТО-220АБ
  • Тип транзистора: Канал N
  • Максимальное напряжение от стока к источнику: 50 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный постоянный ток утечки: 30 А
  • Максимальный импульсный ток стока: 120 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
  • Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,040 Ом
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть:  от -55 до +150 по Цельсию

 

Replacement and Equivalent:

BUZ11A, BUZ11AL, BUZ11FI, BUZ11S2, IRLZ24N, IRLZ34, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06, MTP30N06EL, RFP23N06LE, STP32N05L, BUK555-60A

 

BUZ11 Transistor Explained / Description:

BUZ11 — широко используемый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220AB, способный выдерживать непрерывную нагрузку до 30 А. Он в первую очередь предназначен для таких приложений, как высокоскоростное переключение, сильноточное переключение, импульсные стабилизаторы, схемы преобразования постоянного тока в переменный и постоянный ток, драйверы реле, мощные аудиоусилители и драйверы двигателей. Но его также можно использовать в самых разных общих приложениях, которые подпадают под его рейтинги.

 

Полевой МОП-транзистор имеет множество функций и преимуществ, таких как:

Высокая нагрузка по току и напряжению

Транзистор способен выдерживать непрерывную нагрузку с высоким током до 30 А и нагрузкой с высоким напряжением до 50 В.

 

Скорость переключения в наносекундах

Функция переключения в наноскорости делает его идеальным для приложений, в которых крайне важна очень высокая скорость переключения, например, в цепи ИБП.

 

100% лавинное тестирование

МОП-транзистор прошел 100% лавинное тестирование, благодаря чему он может выдерживать и стабильно работать, когда его напряжение сток-исток превышает максимальные пределы.

 

Работает непосредственно от интегральных схем

Транзистор прост в управлении и может напрямую управлять ИС и электронными платформами, такими как Arduino и Raspberry Pi.

 

Высокое входное сопротивление

Высокий входной импеданс снижает входной ток и рассеиваемую мощность MOSFET.

 

Очень низкий RDS(on)

МОП-транзистор имеет очень низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, что обеспечивает меньшее рассеивание тепла во время работы.

 

Другими особенностями являются возможности линейной передачи, устройство с основной несущей и т.д. ток стока 120А, максимальная рассеиваемая мощность 75Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как обсуждалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для высокоскоростного переключения и переключения сильного тока, драйверов реле, регуляторов переключения, драйверов двигателей, постоянного тока в переменный. и преобразование постоянного тока в постоянный и использование мощного аудиоусилителя, но также может использоваться для самых разных целей общего назначения.

 

Применение:

Источники питания

Солнечные зарядные устройства и расходные материалы

Автомобильные приложения

Другие схемы зарядных устройств батареи

Схемы управления аккумуляторами

Непрерывные источники питания

БЕЗОПАСНО производительности в ваших проектах предлагается не использовать какое-либо устройство выше его абсолютных максимальных номиналов и оставаться на 20% ниже его максимальных рейтингов, и то же самое относится к BUZ11 MOSFET. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 50 В. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 40 В и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 °C и ниже +150 °C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/U/Z/BUZ11-FairchildSemiconductor.pdf

Посмотреть все МОП-транзисторы


10 На складе – БЕСПЛАТНАЯ доставка на следующий рабочий день

50 доступно из Европы для доставки в течение 1 рабочего дня (дней).

Добавить в корзину

Tickadded

View Basket

Цена каждая (в пакете 5)

£ 1,186

(Exc. PAT)

£ 1,423

(Inc. VAT)

920202020203

(Inc. VAT)

2020202020202
Per Pack*
5 – 5 £1. 186 £5.93
10 – 20 £0.856 £4.28
25 – 45 £0.832 £ 4.16
50 – 120 £0.818 £4.09
125 + £0.594 £2.97
*price indicative

Packaging Options:

checkmarkStandard Pack

empty-checkmarkProduction Pack

RS Артикул:
761-3515
Произв. Деталь №:
BUZ11-NR4941
Марка:
onsemi

Технический справочник

  • docPdfDatasheet
  • docPdfESD Control Selection Guide V1
  • docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
  • docZipSchematic Symbol & PCB Footprint

Legislation and Compliance


Product Details

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Полевые транзисторы (FET) в улучшенном режиме производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс высокой плотности был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.



МОП-транзисторы, ON Semi


ON Semi предлагает обширный ассортимент МОП-транзисторов, включая высоковольтные (> 250 В) и низковольтные (ON Semi MOSFET обеспечивают превосходную надежность конструкции благодаря уменьшению скачков напряжения) и перерегулирование, чтобы снизить емкость перехода и заряд обратного восстановления, исключить дополнительные внешние компоненты, чтобы системы оставались в рабочем состоянии дольше

Технические характеристики

Максимальное сопротивление стока0205
Attribute Value
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 30 A
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Package Type TO-220AB
Тип крепления Сквозное отверстие
Количество контактов 3
40 mΩ
Channel Mode Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage 2.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *