Buz11 datasheet на русском – Вместе мастерим
Транзисторы BUZ11
Т ранзисторы BUZ11 – кремниевые, полевые МДП, тип канала – n. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания , преобразователях в качестве мощных ключевых элементов. Корпус TO-220, с гибкими выводами.
Маркировка буквенно – цифровая.
Основные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) – 75 Вт(на радиаторе).
Крутизна характеристики (передаточная проводимость)gfs – 1,5 А/В.
Максимальный постоянный ток истока IDmax – 30 А, пульсирующий – 120 А.
Максимальное напряжение сток-исток UDSmax – 50В.
Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax – ±20В.
Максимальное значение сопротивления исток-сток во включенном состоянии RDS(on)max – 0,04Ом.
BUZ11 MOSFET – описание производителя.
Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. СправочникНаименование прибора: BUZ11
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
BUZ11 Datasheet (PDF)
1.1. buz111sl.pdf Size:77K _update_mosfet
BUZ111SL SPP80N05L SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ111SL 55 V 80 A 0.01 Ω TO-220 AB Q67040-S4003-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current
1.
2. buz11al.pdf Size:332K _update_mosfet
1.3. buz111s.pdf Size:112K _update_mosfet
BUZ 111S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS • N channel Drain-Source on-state resistance 0.008 RDS(on) Ω • Enhancement mode Continuous drain current 80 A ID • Avalanche rated • dv/dt rated • 175˚C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ111S P-TO220-3-1 Q67040-S4003-A2 Tub
BUZ 110 S SPP80N05 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS >
BUZ11A N – CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ11A 50 V
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры BUZ11A полевого транзистора n-канального.Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального BUZ11A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET |
| Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Tj max, °C | Fr (Ton/of) | Ciss tip | Rds |
| 75W | 50V | 50V | ±20V | 27A | 175°C | 45/300nS | 900pF | 0.055 |
Производитель: STE
Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
Популярность: 1959
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUZ11A
| Общий вид транзистора BUZ11A. | Цоколевка транзистора BUZ11A. |
Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUZ11A.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Аналоги для BUZ11 / Fairchild
| Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUZ11 (FAIR)
BUZ11 (ONS-FAIR) | TO-220-3 | 30A, 50V, 0. 040 Ohm, N-Channel Power
MOSFET | |||||||||||||||||
| Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | |||||||||||||||||||
| WMK50N06TS (WAYON)
| A+ | в линейках 1000 шт | TO-220-3 | ||||||||||||||||
| STP60NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| WMB52N06T1 (WAYON)
| A+ |
| в коробках 3000 шт | ||||||||||||||||
| WMQ098N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| 3000 шт | ||||||||||||||||
| WMO50N06TS (WAYON)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ||||||||||||||||
| IRFP044NPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 25 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFR2405PBF (INFIN)
| A+ | в линейках 75 шт | TO-252-3 DPAK | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFR48ZPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 75 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ34NSPBF (INFIN)
| A+ | в линейках 50 шт | TO-263-3 D2PAK | ||||||||||||||||
| IRFZ44EPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ44VPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ44ZPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRLR2905ZPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 75 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF (INFIN)
| A+ |
| в ленте 800 шт | ||||||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 (INFIN)
| A+ |
| в ленте 600 шт | ||||||||||||||||
| ISZ0703NLSATMA1 (INFIN)
| A+ |
| в ленте 550 шт | ||||||||||||||||
| IPD088N06N3GBTMA1 (INFIN)
| A+ |
| 2500 шт | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)
| A+ |
| в ленте 800 шт | ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5A (TI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | DFN-8 TDFN8 | 60-V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||||||||||||||
| STP55NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | |||||||||||||||||
| CSD18543Q3A (TI)
| A+ |
| 1 шт | DFN-8 | 60V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||||||||||||||
| STP45NF06 (ST)
| A+ | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0. 028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STD60NF06T4 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||||||||||||||
| CSD18537NKCS (TI)
| A+ | 50 шт | TO-220-3 | 60-V, N-Channel NexFET Power MOSFET | |||||||||||||||
| Близкий по наименованию товар | |||||||||||||||||||
| BUZ11-NR4941 (ONS-FAIR)
| SN |
| в линейках 50 шт | TO-220-3 | |||||||||||||||
| BUZ11A (ISC)
| SN |
| — | ||||||||||||||||
BUZ11 MOSFET Распиновка, объяснение, характеристики, эквиваленты, особенности, применение В этом посте мы собираемся обсудить распиновку BUZ11 MOSFET, объяснение, спецификации, эквиваленты, функции, приложения и другую важную информацию об этом устройстве.
Реклама
Реклама
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-220АБ
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 50 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 30 А
- Максимальный импульсный ток стока: 120 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,040 Ом
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
Replacement and Equivalent:
BUZ11A, BUZ11AL, BUZ11FI, BUZ11S2, IRLZ24N, IRLZ34, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06, MTP30N06EL, RFP23N06LE, STP32N05L, BUK555-60A
BUZ11 Transistor Explained / Description:
BUZ11 — широко используемый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220AB, способный выдерживать непрерывную нагрузку до 30 А.
Он в первую очередь предназначен для таких приложений, как высокоскоростное переключение, сильноточное переключение, импульсные стабилизаторы, схемы преобразования постоянного тока в переменный и постоянный ток, драйверы реле, мощные аудиоусилители и драйверы двигателей. Но его также можно использовать в самых разных общих приложениях, которые подпадают под его рейтинги.
Полевой МОП-транзистор имеет множество функций и преимуществ, таких как:
Высокая нагрузка по току и напряжению
Транзистор способен выдерживать непрерывную нагрузку с высоким током до 30 А и нагрузкой с высоким напряжением до 50 В.
Скорость переключения в наносекундах
Функция переключения в наноскорости делает его идеальным для приложений, в которых крайне важна очень высокая скорость переключения, например, в цепи ИБП.
100% лавинное тестирование
МОП-транзистор прошел 100% лавинное тестирование, благодаря чему он может выдерживать и стабильно работать, когда его напряжение сток-исток превышает максимальные пределы.
Работает непосредственно от интегральных схем
Транзистор прост в управлении и может напрямую управлять ИС и электронными платформами, такими как Arduino и Raspberry Pi.
Высокое входное сопротивление
Высокий входной импеданс снижает входной ток и рассеиваемую мощность MOSFET.
Очень низкий RDS(on)
МОП-транзистор имеет очень низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, что обеспечивает меньшее рассеивание тепла во время работы.
Другими особенностями являются возможности линейной передачи, устройство с основной несущей и т.д. ток стока 120А, максимальная рассеиваемая мощность 75Вт.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как обсуждалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для высокоскоростного переключения и переключения сильного тока, драйверов реле, регуляторов переключения, драйверов двигателей, постоянного тока в переменный.
и преобразование постоянного тока в постоянный и использование мощного аудиоусилителя, но также может использоваться для самых разных целей общего назначения.
Применение:
Источники питания
Солнечные зарядные устройства и расходные материалы
Автомобильные приложения
Другие схемы зарядных устройств батареи
Схемы управления аккумуляторами
Непрерывные источники питания
БЕЗОПАСНО производительности в ваших проектах предлагается не использовать какое-либо устройство выше его абсолютных максимальных номиналов и оставаться на 20% ниже его максимальных рейтингов, и то же самое относится к BUZ11 MOSFET. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 50 В. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 40 В и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 °C и ниже +150 °C.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/U/Z/BUZ11-FairchildSemiconductor.pdf
Посмотреть все МОП-транзисторы
10 На складе – БЕСПЛАТНАЯ доставка на следующий рабочий день
50 доступно из Европы для доставки в течение 1 рабочего дня (дней).
Добавить в корзинуTickadded
View Basket
Цена каждая (в пакете 5)
£ 1,186
(Exc. PAT)
£ 1,423
(Inc. VAT)
| Per Pack* | ||
| 5 – 5 | £1. 186 | £5.93 |
| 10 – 20 | £0.856 | £4.28 |
| 25 – 45 | £0.832 | £ 4.16 |
| 50 – 120 | £0.818 | £4.09 |
| 125 + | £0.594 | £2.97 |
| *price indicative | ||
Packaging Options:
checkmarkStandard Pack
empty-checkmarkProduction Pack
- RS Артикул:
- 761-3515
- Произв.
Деталь №: - BUZ11-NR4941
- Марка:
- onsemi
Деталь №:Технический справочник
- docPdfDatasheet
- docPdfESD Control Selection Guide V1
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
- docZipSchematic Symbol & PCB Footprint
Legislation and Compliance
Product Details
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в улучшенном режиме производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот процесс высокой плотности был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
МОП-транзисторы, ON Semi
ON Semi предлагает обширный ассортимент МОП-транзисторов, включая высоковольтные (> 250 В) и низковольтные (ON Semi MOSFET обеспечивают превосходную надежность конструкции благодаря уменьшению скачков напряжения) и перерегулирование, чтобы снизить емкость перехода и заряд обратного восстановления, исключить дополнительные внешние компоненты, чтобы системы оставались в рабочем состоянии дольше
Технические характеристики
| Attribute | Value |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Тип крепления | Сквозное отверстие |
| Количество контактов | 3 |
| 40 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2. Больше новостей |