C5027 r транзистор характеристики: KSC5027-R , , datasheet, , , C5027-R

C5027 характеристики на русском

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Хочешь жить в согласии – соглашайся. Правило Рейберна Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
1250	700	600	9	2000	150	5000000	5-40

Производитель: ATE
Сфера применения:
Популярность: 10711
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора C5027S

Общий вид транзистора C5027S.	Цоколевка транзистора C5027S.

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-11 09:48:42.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора C5027S.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор KSC5027 – описание производителя. Основные параметры.

Даташиты.

Наименование производителя: KSC5027

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO220

KSC5027 Datasheet (PDF)

1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi

KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1. 5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C

1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Корпус транзистора KSC5027 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный транзистор для использования в промышленном оборудовании.

Особенности:

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттера-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный	—	—	—	3,0	А
Ip	Ток коллектора импульсный	—	—	—	10,0	А
Ib	Ток базы	—	—	—	1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	50	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 800 В, Ie = 0 В	—	—	10	мкА
Iebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, Ic = 0 В	—	—	10	мкА
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,2 А	10	—	40
Vce = 5 В, Ic = 1,0 А	8	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А	—	—	2	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 1,5 А, Ib = 0,3 А	—	—	1,5	В
tON	Время включения	Ic = 0,3 А, Ib = 0,06 А	—	—	0,5	мкс
fT	Граничная частота эффективного усиления	Vce = 10 В, Ic = 0,2 А	—	15	—	МГц
Tf	Время спада импульса	RI = 200 Ом	—	—	0,3	мкс
N	O
10 20	20 40

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

“>

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки.

На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (

+) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка – это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (

К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный (+) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «

1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1».

При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

• Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

• Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

• Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые “строчники”) и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Импортные транзисторы – Радиодетали

A 1010	C 6090	BUL 810
A 1011  —	C 6093	BUP 213
A 1012	C 6351 G	BUP 314(D)
A 1013  —	C 638	BUT 11 A —
A 1015  —	C 763 —	BUT 11 AF
A 1015  smd	C 8050 (=S 8050)	BUT 11 AX
A 102	C 815	BUT 12 A —
A 1020  —	C 829	BUT 12 AF-
A 1023	C 8550 (=S 8550)	BUT 12 AI
A 103	C 9012 org	BUT 18 A
A 1036	C 9013	BUT 18 AF-
A 1037	C 9013 smd	BUT 56 A —
A 1038	C 9014	BUV 48 A  ( не ориг. )
A 104	C 9014 smd	BUV 48 A  orig
A 1046	C 9015	BUV 48 B —
A 1048  —	C 9015 smd	BUW 12A
A 1102  —	C 9018	BUW 13A
A 1111  —	C 930	BUW 13AF (пласт)
A 1112  —	C 937	BUX 48 A —
A 1115 —	C 945 —	BUX 84   —
A 1123  —	CT30TM8	BUX 84 B фирм.
A 1127	D 1047	BUX 86
A 1129	D 1062	BUX 87P
A 114	D 1088	BUX 98(BUX 348)
A 1145	D 1094 —	BUZ 10  —
A 1156	D 10SC4M	BUZ 100
A 1162smd-	D 1111 —	BUZ 100T
A 1175  —	D 1691	BUZ 102 S
A 1186  —	D 1710    ориг	BUZ 102 SL
A 1186 ориг	D 1710 C    ориг	BUZ 11
A 1220 A-	D 1710 не ориг	BUZ 11 A-
A 124  —	D 1711	BUZ 12  —
A 1241	D 1729	BUZ 171
A 1242	D 1758 —	BUZ 20
A 1243	D 1760	BUZ 22
A 1244	D 1760 TO-252	BUZ 332A
A 1246  —	D 1763A   Б/У	BUZ 334
A 1249	D 1776	BUZ 355A
A 1263	D 1790 PY	BUZ 41 А-
A 1264 N	D 1796 —	BUZ 71 (A)
A 1265	D 1802	BUZ 72
A 1266  —	D 1802 D-PAC	BUZ 73 (A)
A 1267  —	D 1805	BUZ 77A. =78
A 1268  —	D 1815 —	BUZ 80  —
A 1270	D 1825 org	BUZ 80 A
A 1271  —	D 1828 —	C 2073 —
A 1273 Y	D 1829	C 2075 —
A 1275  —	D 1843 —	C 2078
A 1276	D 1853 —	C 2120 —
A 1282	D 1856	C 2209
A 1286	D 1857	C 2210 —
A 1300  —	D 1858 —	C 2229 —
A 1302  —	D 1864	C 2230
A 1304	D 1876 не ориг	C 2231 A
A 1306	D 1876 ориг,	C 2233 —
A 1307	D 1877 —      ориг	C 2235
A 723	D 1877 —    не  ориг	C 2236
A 733	D 1878 —	C 2240 —
A 910	D 1878 —    ориг	C 2258
A 916	D 1879 —	C 2271 —
A 928A	D 1881   ориг	C 2274 —
A 933	D 1881 не ориг	C 2275 —
A 934	D 1883 —    ориг	C 2275 —  (A)   ориг
A 935	D 1883 —   не ориг	C 2314
A 940  —	D 1884 —   ориг	C 2316
A 949	D 1886	C 2320
A 950  —	D 1887 —    ориг	C 2328
A 952	D 1887 — не   ориг	C 2330 —
A 965	D 1889	C 2331 —
A 966  —	D 1912	C 2333 —
A 968	D 1913	C 2335 — F   пласт
A 970  —	D 1933	C 2335 — R    мет
A 984	D 1941	C 2383 —
A 988	D 1944 —	C 2389
A 992	D 1959	C 2412  smd
AF 124	D 1971 —	C 2458 —
AF 201	D 1991 AR	C 2482 —
B 1010  —	D 1994	C 2498
B 1015A	D 1994 AR	C 2500 —
B 1016	D 2006 —	C 2539 —
B 1033	D 2007 —	C 2555-
B 1064	D 2012 —	C 2562
B 1097-O	D 2025	C 2570
B 1100	D 2033	C 2581
B 1109	D 2037	C 2611
B 1134	D 2041 —	C 2625 —
B 1135	D 612 F	C 2655 —
B 1142	D 612 K	C 2665
B 1184	D 613	C 2681
B 1185	D 638 -S	C 2682
B 1186	D 639-R	C 2688
B 1187	D 655	C 2690
B 1202	D 6600	C 2705
B 1203	D 667	C 2785 —
B 123	D 669 A	C 2802
B 1237	D 718	C 2810 —
B 1238	D 73-Y	C 2837
B 1240	D 734 —	C 2839
B 1243  —	D 756	C 2878
B 1273	D 772	C 2901
B 1274  —	D 773	C 2921
B 1322	D 774	C 2979 —
B 1342	D 789	C 3039 —
B 1366	D 794	C 3040
B 1370 мет	D 871 —	C 3616 —
B 1370 пласт	D 879 —	C 3679 —
B 1375  —	D 880 —	C 3688 — мет
B 1412	D 882 —	C 3688 -пласт
B 1438	D 882 -smd	C 3746 —
B 1443	D 882 -TO 252	C 3752
B 1545  D2 PAC	D 896	C 3752  ориг
B 1545  TO 220	D 900	C 3795 A
B 1548	D 92-02	C 3795 B
B 1560	D 965 —	C 3807 —
B 1565  —	D 966	C 3835
BC 327-40=BC 327	D 998 больш корпус	C 3844 —
BC 328	FP 1016	C 3852 (А)
BC 337   —	FS 10KM -10A	C 3853
BC 337-25	FS 10SM-16A	C 3855
BC 337-40	FS 12KM -12	C 3856
BC 338   —	FS 14KM -10	C 3866  изол , не ориг
BC 338 -25	FS 16KM -5	C 3866 —     ориг
BC 338 -40	FS 2KM —	C 3868
BC 368	FS 2KM — 16A	C 3883 — мет
BC 369   —	FS 2KM -18A	C 3883 — пласт
BC 393	FS 3KM — 10A	C 3884 A
BC 394	FS 3KM — 18	C 3886  А не ориг
BC 505 A	FS 4KM — 12 (16)	C 3886 А  ориг
BC 517	FS 5KM	C 3895 —
BC 546B  —	FS 7KM-14	C 3896 —
BC 547 B	FS 7KM-16	C 3907
BC 547 C	J 103	C 3940 —
BC 548B,C-	J 162	C 3940 S
BC 549   —	J 200	C 3942
BC 550 C	J 201	C 3950
BC 556	J 306 —	C 3953
BC 557 B	J 307	C 3964
BC 557 C	J 377	C 3979
BC 558   —	J 448 org	C 3979 plast
BC 559	J 449	C 3987 —
BC 560	J 5027-R met	C 3997
BC 618	J 5027F orig plast	C 4004
BC 635	J 512	C 4040
BC 636	J 557 smd	C 4106 —
BC 637   —	MJ 15027	C 4108
BC 638   —	MJ 15031  (MJE)	C 4111    ориг
BC 639   —	MJ 2955	C 4111 не ориг
BC 640	MJE 13003 = MNE 13003	C 4123 — не ориг
BC 807-25 smd	MJE 13005 F изолир,	C 4123 ориг,
BC 807-40 smd	MJE 13005-	C 4138 ориг,
BC 817-25 smd	MJE 13007 мет	C 4160     ориг
BC 817-40 smd  (6CW)	MJE 13008 (=MNE13009)	C 4160    не ориг
BC 818-25 smd	MJE 13009 (=MNE 13009)	C 4161 —
BC 846 Bsmd	MJE 15030	C 4204 —
BC 847 Asmd	MJE 15031=(MJ 15031)	C 4231 —
BC 847 BLT1G smd	MJE 15032	C 4234 —
BC 847 Bsmd	MJE 15033	C 4236
BC 847 C smd	MJE 15034	C 4237 —
BC 847 smd	MJE 15035	C 4242 —    met
BC 848 C smd	MJE 2955T	C 4242 —    plast
BC 850 B. 215 smd	MJE 340	C 4294 —
BC 850 C smd	MJE 350  = KSE 350	C 4300 —
BC 856 smd	MJL 21195	C 4304 —
BC 857 Bsmd	MJW 16212	C 5086
BC 857 Csmd	MMBF 5484	C 5088
BCP 51-16  E6327	MMBT 2222	C 5088 smd
BCP 53T1	MMBT 2907	C 5100
BCP 53T1G	MMBT 3904/T1	C 5103
BCP 54	MMBT 3906/T1	C 5108 smd
BCP 56-10	MMBT 4401	C 5129 —   ориг
BCP 56-10T1G	MMBT 4403	C 5129 -не ориг
BCP 56-16	MMBT 5401	C 5144
BCP 56-16.115	MMBT 5551	C 5148 — orig
BCP 69 T1G	MMBTA 06	C 5148 — не ориг
BDX 34C	MMBTA 42	C 5149 —
BDX 43	MMBTA 56	C 5149 — orig
BDX 53C  —	MMBTA 92 smd   =(MPSA 92) =(PMBTA92)	C 5150
BDX 54 C	MNE 13001	C 5171
BDX 84B  —	MNE 13002 TO 126	C 5197
BDX 87	MNE 13002 TO 92 (MJE13002)	C 5200
BDX 88	MNE 13003 =(MJE 13003)	C 5207 A
BDY 56S	MNE 13003-2 =(MJE 13003-2)	C 5239 —  (мет)
BF 1012R	MNE 13005 =(ST13005)	C 5239 —  (пл)
BF 173	MNE 13007- MJE=ST пл.	C 5241
BF 198	MNE 13007-2( MJE=ST)	C 5242
BF 199	MNE 13009 TO-220 не ор.	C 5244
BF 240  —	MNE 13009 =ST13009L пласт=MJE пласт	C 5249 —
BF 244	MNE 13009 L (б. корп.)	C 5250 —    ориг
BF 245   (2N5458)	MNE 13009 or =MJE=ST	C 5250 — не ориг
BF 247 A —	MNE 18004 (MJE 18004)	C 5251
BF 258	MNE 18004 (MJF 18004) пл.	C 5253
BF 324	MNE 18006 (MJF 18006)	C 5287 org. met
BF 421	MNE 18008	C 5287 org. plast
BF 422	MNE 18204 (MJF)	C 5296
BF 423	MNE 2955T (MJE 2955T)	C 5299
BF 458	MNE 800	C 5302 ориг
BF 459		C 5339
BF 469	TIP 102-	C 5353
BF 487	TIP 107	C 536
BF 488	TIP 110-	C 5386
BF 506	TIP 111	C 5387
BF 680	TIP 112	C 5388 org = BU 808 DFX
BF 763	TIP 115	C 5388 не ор. = BU 808 DFX
BF 819	TIP 116	C 5404 —
BF 869	TIP 120	C 5406 —
BF 871	TIP 121	C 5407-
BF 961	TIP 122	C 5411
BF 964	TIP 125	C 5440
BF 966	TIP 126	C 5445
BF 970	TIP 127-	C 5449
BF 979	TIP 132	C 5480
BF 982	TIP 135	C 549
BF 998	TIP 136	C 5507
BFG 135/T1   SOT223	TIP 140	C 5515
BFG 540/T1   SOT143	TIP 141	C 5516
BFG 591	TIP 142 TO-218 б. корпус	C 5521 orig
BFG 67	TIP 142T	C 5570
BFG 94	TIP 146	C 5583
BFQ 540	TIP 147 TO-218 (б. корп.)	C 5584
BFR 31	TIP 29 (A) (C)	C 5586
BFR 84	TIP 30 (C)	C 5587
BFR 90A —	TIP 3055	C 5588
BFR 91A —	TIP 31 C	D 1135
BFR 91A -ориг.	TIP 32A-	D 1138
BFR 92A —	TIP 33 C orig	D 1175 —
BFR 93A —	TIP 34 C orig	D 1207 —
BFS 17A	TIP 35 C	D 1212
BFY 90-	TIP 35 C пласт	D 1218
BLT50/T1	TIP 36 C	D 1225 M
BLT80/T1	TIP 41 C =(аналог КТ 817Г)	D 1237
BPW 85C (фототр-р)	TIP 42C	D 1246
BS 108	TIP 47 —	D 1266 —
BS 170  —	TIP 50	D 1272
BU 4506 AF orig	TK 10A60 D	D 1273
BU 4506 DF orig	TK 20A60D изолиров.	D 1275
BU 4507 AX orig	TK 4A60DA	D 1275 A
BU 4507 DX orig	TK 4P60DB	D 1275 B
BU 4508 AX orig	TK 5A50D	D 1292 —
BU 4508 DX orig	TK 5P50D	D 1302
BU 4508 DZ	TK 6A60D	D 1330 —
BU 4522 AX	TK 6A65D	D 1330 -T
BU 4522 AX orig	TK 7A50D	D 1351
BU 4523 AX orig	TT 2134	D 1379
BU 4525 AX orig	TT 2138	D 1392 —
BU 4525 DX orig	TT 2140	D 1398 —
BU 4530 AL	TT 2144	D 1402 —    не ориг
BU 4532 AL	TT 2148	D 1402 -orig
BU 4584 BCP	TT 2170	D 1403 —
BU 508 A —    мет	TT 2190	D 1414
BU 508 A -пласт. ориг.	TT 2194	D 1414 мет
BU 508 AF не фирм.	TT 3034	D 1415
BU 508 AF фирм,	TT 3043	D 1426 —
BU 508 AM  мет.	TT 6061A	D 1427 —
BU 508 D -мет	A 1309 A	D 1428
BU 508 D pl = BU 508 DF	A 1315	D 1431 —
BU 508 DF-	A 1318	D 1432
BU 508 DW	A 1319  —	D 1433
BU 806   —	A 1348  —	D 1499
BU 807   —	A 1358  —	D 1521
BU 808 AX org	A 1370  —	D 1525
BU 808 DFH	A 1371  —	D 1545 —  ориг
BU 808 DFI (DFX) = C 5388	A 1372  —	D 1545 не ориг
BU 808 DFI (на рад-ре) б/у	A 1376	D 1548
BU 808 DFX (=C5388)	A 1380  —	D 1554 —    ориг
BU 931	A 1428	D 1554 -не ориг
BU 931 P	A 143	D 1555 —   ориг
BU 931 RP	A 144  —	D 1555 — не ориг
BU 931 ZPFI пласт	A 1441	D 1556 ориг.
BU 941 ZP	A 1469	D 1557
BU 941 ZPF	A 1512  —	D 1581 —
BU 941 ZT	A 1516  —	D 1616
BUF 405 AFP(AX) -пл	A 1527  —	D 1649
BUH 1015	A 1535  —	D 1650 —   ориг
BUH 1215 мет	A 1615	D 1650 не ориг
BUH 1215 пласт	A 1624	D 1651 —   ориг
BUH 315 D   изолир	A 1625	D 1651 не ориг
BUH 315 орг.	A 1626	D 1654
BUH 515 D  ориг.	A 1627	D 1667 —
BUH 515 D не ориг.	A 1657	D 1669
BUH 516 (TH)	A 1658	D 1682
BUH 517	A 1659	D 1684
BUH 517 D orig	A 1668	D 2045 —
BUH 713	A 1693	D 2058 —
BUH 715	A 1694	D 2061 —
BUK 444(500V)   *	A 1695	D 2089
BUK 444(600V)   *	A 1725	D 2092 — не ориг
BUK 444(800V)   *	A 1726	D 2092 orig
BUK 446-800A	A 1837  —	D 2095
BUK 454 (800V)   *	A 1908	D 2098 —
BUK 454(500V)   *	A 1930	D 2107-
BUK 455-100	A 1941 orig	D 2133
BUK 455-200	A 1943	D 2137
BUZ 80 AF-	A 1952	D 2144
BUZ 90 (A)	A 1962	D 2251
BUZ 90 AF —	A 1972	D 2253
BUZ 90 ориг.	A 1980	D 2331 —
BUZ 91 AF  пласт	A 1986	D 2333 —   ориг
BUZ 91( А)- met	A 2040	D 2333 -не ориг
BUZ 92  —	A 2099	D 2335
BUZ 93 orig	A 3048 DC	D 2375
BV 806 —	A 562  —	D 2389
BYV 29-400	A 564  —	D 2394
BYV 29FX-600	A 5700 EC	D 2395 —
BYV 32E-200	A 603  —	D 2396 —
BYVF 32-200	A 608  —	D 2494
C 1006	A 608 KF	D 2495
C 1008	A 673	D 2495     ориг
C 102	A 708 пласт.	D 2498 orig
C 1026	A 708A мет —	D 2499 —   ориг
C 103	B 1566	D 2499 —   ориг  б/у
C 106D1	B 1647	D 2499 -не ориг
C 106M	B 544  —	D 2539
C 114	B 561	D 2544
C 1162	B 562  —	D 2624
C 1213	B 564	D 2627
C 1213 C-	B 598	D 2634
C 124 (DTC 124)	B 621	D 313
C 1312	B 631	D 325
C 1392	B 644	D 361
C 1393 —	B 647	D 362
C 143 —	B 649 A	D 362R
C 144 —	B 686	D 400 —
C 1470H,L	B 688   —	D 468 —
C 1473 —	B 698   —	D 471A —
C 1474 —	B 716	D 5023
C 1507	B 734   —	D 5071    ориг.
C 1627	B 744	D 5071 — не ориг
C 1684	B 764   —	D 5072 —   ориг
C 1685	B 772   —	D 5072 не ориг
C 1710	B 774   —	D 5072 ор. SAMSUNG
C 1730	B 778   —	D 5073
C 1740	B 794   —	D 5287
C 1741 —	B 817	D 5287 б/у
C 1775(A)	B 834	D 560 —
C 1815 —	B 856   —	D 5701
C 1815 smd	B 857   —	D 5702  ориг
C 1841	B 857   -ориг	D 5702 не ориг
C 1846	B 861	D 5703    не фирм.
C 1854 R	B 891   —	D 5703 A
C 1906	B 892   —	D 600 К
C 1941	B 893   —	J 5801
C 1946 —	B 897	J 5804
C 1959	B 926	J 585
C 1969 ориг,	B 948	J 598
C 1971 –	B 985	J 6806 D
C 1972 –	B 986	J 6810
C 1984	B 988   —	J 6810 A orig
C 2000L	BC 107   —	J 6812
C 2001(L)	BC 108 A,B	J 6820 (L)
C 2026	BC 109	J 6820 (L) б. корпус
C 2061 —	BC 141	J 6822
C 3089 —	BC 170   —	J 6910
C 3112	BC 171   —	J 6916 orig
C 3113	BC 174   —	J 6920 A = HD 1750 FX
C 3117	BC 177В  —	J 6920 ориг.
C 3150    ориг	BC 179 B —	KD 501
C 3180	BC 182   —	KD 502
C 3181	BC 183	KD 503
C 3192 —	BC 212   —	KD 616
C 3198 —	BC 213	KSC 5030F =( C 5030 F)
C 3199 —	BC 237	KSP 42   ( = MPSA 42 )
C 3200	BC 238	KSP 44   ( = MPSA 44 )
C 3202	BC 239	KSP 94-112 (=MPSA 94)
C 3203 —	BC 251	KU 602 VC
C 3205 —	BC 307	KU 607 VC
C 3207 —	BC 308	KU 611
C 3225 —	BC 313   —	M 1261 M-
C 3228	BC 327-25	M 1661  S-
C 3229	BCX 42	MIP 0122 SY
C 323	BCX 52-16/T1	MIP 0123 SY
C 3246 —	BCX 56-16/T1	MIP 0127 SY
C 3247 —	BCY 58	MIP 0223 SY
C 3271	BCY 79	MIP 0227 SY
C 3279	BD 135-16	MIP 122
C 3281 —	BD 136	MIP 289
C 3282	BD 137	MIP 2F3
C 3298 (A)	BD 139	MIP 2h3
C 3299 —	BD 140	MIP 2K2S
C 3305	BD 234	MIP 2K3
C 3306	BD 235	MIP 2K4
C 3309	BD 236	MIP 3E3DMY
C 3311	BD 237	MIP 3E3SMY
C 3328	BD 238	MIP 3E4DMY
C 3331 —	BD 239	MIP 3E7DMY
C 3355 —	BD 240  —	MIP 411
C 3356	BD 241B plast	MIP 414S
C 3357  smd	BD 241C met	MJ 11015G
C 3377 —	BD 242 A	MJ 11016G
C 3399	BD 242 C	MJ 11032
C 3400 —	BD 243 C	MJ 11033
C 3401	BD 244 C	MJ 15003
C 3402	BD 245 C	MJ 15004
C 3415	BD 249 C	MJ 15022
C 3420 —	BD 250	MJ 15023
C 3456 —	BD 434  —	MJ 15024
C 3457 —	BD 435	MJ 15025
C 3460	BD 435 ориг,	MJ 15026
C 3461 —     ориг	BD 436
C 3461 —   не  ориг	BD 437  —	MPSA 06
C 3466 —	BD 438 orig	MPSA 12
C 3467	BD 646	MPSA 13 (KSP13)
C 3468 —	BD 649	MPSA 14
C 3482	BD 6655 FP	MPSA 18
C 3503	BD 677 A	MPSA 2907A (PN 2907)
C 3504	BD 678	MPSA 42  —
C 3510	BD 679	MPSA 44
C 3518	BD 680	MPSA 56
C 3552	BD 681	MPSA 64
C 3559	BD 682	MPSA 75
C 3576	BD 683	MPSA 92
C 4369 -(А)	BD 825	MPSA 92
C 4370	BD 839	MPSA 94
C 4408 —	BD 840	MPSW 06
C 4458	BD 897	MPSW 42
C 4466	BD 907	MPSW 92
C 4468	BD 908	PMBT…=MMBT…  АНАЛОГИ
C 4517A met	BD 909	PMBT2222A  =MMBT…
C 4517A orig	BD 910 orig	R 1003
C 4517AF(изолиров. )	BD 911 orig	R 1004
C 4518 A	BD 912 orig	R 2004
C 4538	BD 948	RD 06HVF1 = 2SC 1971
C 4544	BDW 46  —	RD 15HVF1 = 2SC 1971
C 4581	BDW 93C	RD 16HHF1
C 460	BDW 93CFP	RJH 3047
C 4636	BDW 94C	RJH 30E2
C 4672	BDX 33C	S 1854
C 4672  smd	BDX 34B(BDX 34A)	S 2000A —
C 4706 —	BS 250	S 2000AF-  не ориг
C 4740 —	BSN 254	S 2000AFI    ориг
C 4742 -plast	BSN 274	S 2000N
C 4742 met	BSP 171	S 2055AF ( ориг.)
C 4743 —	BSP 254	S 2055AF-
C 4744 —	BSP 373	S 2055N
C 4745 —	BSR 14	S 8050 = (C 8050 )
C 4746 —	BSR 16	S 8050 smd
C 4762	BSR 50	S 8550 = (C 8550)
C 4763	BSR 52	S 8550 smd
C 4769	BSS 129	S 9011 —
C 4770 —	BSS 138	S 9012 —
C 4775 —	BSS 295	S 9012 smd
C 4776 —	BSS 84	S 9013  см. С 9013
C 4778 —	BSS 88	S 9013 smd = C 9013 smd
C 4779 —	BSS 92	S 9014 smd = C 9014 smd
C 4786 —	BST 70A	S 9015 smd = C 9015 smd
C 4793	BU 1508 AX	S 9016-
C 4800 —	BU 1508 DX	S 9018 smd
C 4801 —	BU 2040	SD 3055 ( SG 3055 ) мет.
C 4802 —	BU 2040 F smd	TIC 106M
C 4804     не ориг	BU 208(A)-	TIC 116D   (5A,400V)
C 4804  ориг  пласт	BU 2090	TIC 116M   (5A,600V)
C 4815 —	BU 2090 A	TIC 126 M
C 4833  изолир.	BU 2090 AF
C 4833 ориг	BU 2090 F	2N 1711
C 4834 —    ориг	BU 2092 F	2N 2219
C 4834 не ориг	BU 2506DF-	2N 2222A
C 4908 —	BU 2506DX	2N 2369A —
C 4916 —	BU 2508 DX ориг	2N 2904
C 4924	BU 2508AF-    фирм	2N 2905  металл.
C 4927	BU 2508AX	2N 2905  пластмас.
C 4941 —	BU 2508DF-  не фирм.	2N 2906
C 4953 —	BU 2508DF-фирм	2N 2907 ПЛАСТМ.
C 5027 R металл	BU 2515 AX	2N 2907A
C 5027( F) пласт	BU 2515 DX	2N 3055 (КТ 819 ГМ)
C 5030  —	BU 2520AF-	2N 3417
C 5030 F-	BU 2520AF-   orig	2N 3632
C 5042F	BU 2520AX-	2N 3772
C 5044	BU 2520DF-   фирм	2N 3866
C 5047	BU 2520DF- не фирм	2N 3904
C 5048	BU 2520DX-	2N 3906
C 5589	BU 2522DF	2N 4211
C 5609 —	BU 2525AF- ориг	2N 4401
C 5610	BU 2525AW- ориг	2N 4403
C 5679	BU 2525AX- ориг	2N 4430
C 5686  Б/У	BU 2525DF-	2N 5191
C 5694	BU 2525DX orig	2N 5401
C 5696	BU 2527AF	2N 5551  —
C 5698	BU 2527AX-  ориг.	2N 5962
C 5706	BU 2527AX- не ориг.	2N 6027
C 5707	BU 2527DX	2N 6248  —
C 5707 длин. ноги.	BU 2532 AL	2N 6385-
C 5801	BU 2720DF	2N 6472  —
C 5802	BU 406	2N 6488
C 5803	BU 406 ориг.	2N 6491
C 5855	BU 407  —	2N 6517
C 5856	BU 407  D-	2N 6718
C 5858	BU 408	2N 7000
C 5859	BUK 455-500	2N 7002 smd
C 5884	BUK 455-600
C 5885	BUK 456-1000	3DD 200
C 5886	BUK 456-200	3DD 202
C 5888	BUK 456-500	3DD 207
C 5902	BUK 456-800	3DD 300
C 5903	BUK 854-500 SI	3DD 303 A
C 5904	BUK 854-800	3DD 303 C
C 5905	BUK 9640-100A
C 5906	BUL 310 A
C 5909	BUL 310 FP
C 5914	BUL 38D
C 5931	BUL 39D
C 5935	BUL 6802
C 5936

13003 транзистор характеристики, цоколевка, аналоги, datasheet

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003)  транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1. 5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары  у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Безплатна доставка, 100 бр. / лот KRC103M C103 TO92S ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ планарный NPN транзистор

Безплатна доставка, 100 бр. / лот KRC103 M C103 TO92 S ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ планарный NPN транзистор

Налично за поръчка

Към свойства

Работна Температура:

PDF

Мощност На Разсейване:

PDF

подаване на напрежение:

PDF

Състояние:

НОВО

Номер На Модела:

КРС103М

Тип:

PDF

Приложение:

PDF

[] SELECT blog_post.

* FROM blog_post WHERE `status` = ‘published’ AND `url` = ‘2016/?page=3’ LIMIT 1

Цены указанные на сайте для ориентира. Наличие, цену и сроки поставки уточнять по письму или у оператора. Цены указанные на сайте не являются публичной офертой согласно ГК РК.

В связи с большим количеством обращений просим Вас писать письма на почту [email protected] Мы обязательно ответим на каждое письмо в порядке очереди. Обычно отвечаем в течение 24 часов.

Как заказать: для юридических лиц: добавить в корзину, получить счет и оплатить, для физических лиц: можете оплатить на карточку или в офисе по адресу Алматы, пр. Гагарина 93, 510 офис, связаться можете по телефонам: +7-727-394-37-25; +7-727-394-39-71; Бесплатно доставка по городу или Казахстану по соглашению, оплата любым удобным способом, Торг уместен, с нами можете поторговаться, Мы понимаем, что есть много конкурентов и мы стараемся быть впереди и заработать репутацию надежного партнера и поставщика. Мы предоставляем полный перечень документов, счета на оплату, счета фактуры, накладные, гарантийные талоны. сертификаты при необходимости. Мы не плательщики НДС. Цены, описание и фотографии могут отсутствовать. Связывайтесь с оператором и мы Вам поможем получить всю подробную информацию о товаре. Пишите и мы решим все Ваши трудности и потребности, мы здесь для того чтобы Вам было комфортно. Мы намерены работать и сотрудничать с ВАМИ долго и плодотворно. Мы хотим чтобы Вы также зарабатывали от сделок. Ваши успехи – наше вдохновение.

Изготавливаем сертификаты соответствия, письма о том что не входит в список товаров подлежащих обязательной сертификации, вносим в реестр средств измерений, делаем метрологическую аккредитацию и поверку средств измерении.

Для клиентов из Российской Федерации предлагаем оплату в рублях по курсу. на счет юридического лица. Доставка до Москвы бесплатно. Доставка в другие регионы по соглашению сторон. Мы также доставляем в другие страны таможенного союза Беларуссию, Армению и Кыргызстан. оплата в долларах или Евро. Для других стран только по соглашению сторон.

Мы доставляем в Алматы, Астана, Караганда, Актау, Атырау, Актобе, Кызылорда, Шымкент, Тараз, Талдыкорган, Кокшетау, Петропавловск, Костанай, Оскемен, Семей, Павлодар, Жезказган, Балхаш

Мы предлагаем Компрессоры, антенны, спец одежду на заказ с лого или без, аудио, видео, спец технику, штрих бар код, кабеля, провода, камеры и видеонаблюдение, выключатели, автоматы, компоненты, компьютеры, ТНП, контакторы, стартеры, контроллеры, индикаторы, системы контроля данных, Электрическая продукция, двигатели, моторы, ESD, GPS, конвейеры, нагревательные элементы, гидравлика, пожарной безопасности, Лабораторное оборудование, тестовое оборудование, тестеры, блоки питания, пневматика, инструменты, датчики, измерители времени, весы, клапана, серво приводы. в нашем каталоге более десяти миллионов наименований. напишите нам и мы обязательно найдем.

Мы поставляем оборудование: 3COM, 3M, ABB, ALLEN BRADLEY, ROCKWELL AUTOMATION, BOSCH, CARLO GAVAZZI, DANAHER CONTROLS, DANFOSS, DATALOGIC, EATON CORPORATION, EMERSON, FANUC, FEDERAL SIGNAL, FUJI ELECTRIC, GENERAL ELECTRIC, GROUPE SCHNEIDER, HONEYWELL, IDEC, JOHNSON CONTROLS, MITSUBISHI, NATIONAL CONTROLS, OMRON, PARKER, PHOENIX CONTACT, RELIANCE ELECTRIC, SANYO, SCHNEIDER AUTOMATION INC, SICK OPTIC ELECTRONIC, SIEMENS, TELEMECANIQUE, TOLEDO SCALE, TOSHIBA, TURCK ELEKTRONIK, TYCO, WAGO, WARNER ELECTRIC, WHITE WESTINGHOUSE, YOKOGAWA, YORK и еще более 20 000 производителей

Pleae be informed that we can ship item after full payment. for orders we do not have in stock lead time 1 week. shipping should be discussed and agreed before payment. Payment offered is TT wire in EURO OR USD. We do ship to the most countries where DHL operated. Before makeing payment please contact us. We can also offer paypal as payment method. price given on this site is not valid. you should ask for quote by email 1[@]bdk.kz thanks

Даташиты (Datasheets C5027) электронных компонентов

Параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы. Цоколевка, продавцы и производители транзистора 2SC5027-R.

Характеристики транзистора KSC5027-R

• Структура – n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 30
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
• Корпус: TO-220

Основные параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5027-R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)

Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
50W	1100V	800V	7V	3A	150°C	15MHz	35	15/30

Производитель: SAMSUNG
Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 30658
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

C5027-Search —–> KSC5027

Наименование:	C5027
Производитель:	Fairchild Semiconductor
Скачать даташит (datasheet):
Описание:	Search —–> KSC5027
Другие, ссылающиеся на этот файл:	C5027

Описание товара

Биполярный транзистор, характеристики S, CTV-HA-Tr, 300/300V, 0,1A, 70MHz

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSC5027 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор

KSC5027-N

имеет коэффициент усиления в диапазоне от

10

до

20

,

KSC5027-R

– в диапазоне от

15

до

30

,

KSC5027-O

– в диапазоне от

20

до

40

.

Схемы транзистора 2SC5027-R

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Аналоги транзистора 2SC5027-R

Где купить транзистор 2SC5027-R?

NTE2303 Обзор

Description: The NTE2303 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for use in small screen black and white deflection circuits.Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Switching Times with Inductive Loads: tf = 0.65µs (Typ) @ IC = 2A

Просмотреть все

KSC5027R Datasheet (PDF)

7. 1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi

KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

7.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220HIGH SPEED SWITCHINGWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A1.Base 2.Collector 3.Emitter

 7.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYHIGH SPEED SWITCHINGTO-220FWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1. 5 A Collector Dissipation (TC

7.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage and high reliability High speed switching Wide area of safe operation PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO

 7.5. ksc5027f.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027FDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applicationsHigh speed DC-DC converter applications.ABSOLUT

Другие транзисторы… KSC5026, KSC5026N, KSC5026O, KSC5026R, KSC5027, KSC5027F, KSC5027N, KSC5027O, 2SC5200, KSC5028, KSC5028N, KSC5028O, KSC5028R, KSC5029, KSC5029N, KSC5029O, KSC5029R.

 

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5027-R.

Вы знаете больше о транзисторе 2SC5027-R, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SC5027-R.
Добавить рисунок транзистора 2SC5027-R.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SC5027-R.

KSC5027 Аналоги

образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить KSC5027R

TO-220-3 NPN

Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220 KSC5027 и KSC5027R аналог BUL416

TO-220 NPN 1. 6kV 6A

ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 6A KSC5027 и BUL416 аналог BUL1403ED

TO-220 NPN 650V 3A 80W

ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 650V 3A KSC5027 и BUL1403ED аналог NTE2303 NTE Electronics Дискретное устройство Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 750V 2. 5A KSC5027 и NTE2303 аналог KSC5026R Fairchild Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 1.5A KSC5027 и KSC5026R аналог KSC5027 ON Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и KSC5027 аналог 2SC2979 New Jersey Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и 2SC2979 аналог

KSC5027 отечественный анало NTE2303, KSC5027R: KSC5027 , NTE2303 , KSC5027R TO-220-3 NPN. KSC5027 характеристики и его российские аналоги NTE2303, KSC5027R: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220. KSC5027 аналоги NTE2303, KSC5027R Корпус/Пакет: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220.

Радиодетали классификация электронных компонентов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

c5027% 20r% 20transistor% 20mosfet техническое описание и примечания по применению

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

C5027 Аннотация: C5027 r c5027-R c5027- r C5027 транзистор KTC5027 эквивалент транзистора c5027 c5027 полупроводниковый c5027r C5027- 2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	KTC5027 О-220АБ C5027 C5027 C5027 r c5027-R c5027- r C5027 транзистор KTC5027 эквивалент транзистора c5027 c5027 полупроводник c5027r C5027- 2
c5047 Аннотация: C5027 C5048 C5071 C5022 C5074 C5060 C5068 C5072 C5021 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	C5000 C5001 C5012 C5038 C5049: C5013 C5033 C5050 C5070: C5034 c5047 C5027 C5048 C5071 C5022 C5074 C5060 C5068 C5072 C5021
2004 – Транзистор С5027 Аннотация: c5027 C5027 r эквивалент транзистора c5027 C5027 s 2SC5027 транзистор C5027 c5027 полупроводник npn c5027 2SC5027 F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5027 C5027 транзистор c5027 C5027 r эквивалент транзистора c5027 C5027 с 2SC5027 транзистор С5027 c5027 полупроводник npn c5027 2SC5027 F
2006 – Транзистор С5027 Аннотация: C5027 C5027 s 2SC5027 F транзистор C5027 2SC5027 c5027 полупроводник npn c5027 C5027 F IC801 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5027 C5027 транзистор C5027 C5027 с 2SC5027 F транзистор С5027 2SC5027 c5027 полупроводник npn c5027 C5027 F IC801
2013 – c5856 Аннотация: C5027 C5802 C5836 C0616A C116-2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1322R 5000FE 5000UE 5002UE 5020FL 5020UL 5100FE 5100UE 5102УЭ 5120FL c5856 C5027 C5802 C5836 C0616A C116-2
2004 – Транзистор С5027 Аннотация: C5027 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5027 C5027 транзистор C5027
c5802 Аннотация: транзистор C5802 C1162 C5856 транзистор C1162 c5027 c6067 C1318 транзистор C3169 C1106 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	558AFS 558GMS 658AFS 658GMS 1300СБ 1306СБ 1694SB 5000FE 5000UE 5002UE c5802 C5802 транзистор C1162 C5856 транзистор С1162 c5027 c6067 C1318 транзистор C3169 C1106
c5129 Аннотация: C5149 c5147 C5134 C5148 C5027 C5161 C5083 C5085 C5068 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	100 нФ G36030011099 C5168 C5169 C5170 PJ100 c5129 C5149 c5147 C5134 C5148 C5027 C5161 C5083 C5085 C5068
2005 – д5023 Аннотация: C5027 R d3000 mosfet C5027 r транзистор mosfet c5027 эквивалентный транзистор D5023 C6017 трансформатор ei33 NEC2501 эквивалент транзистора c5027 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	56F8013 56800E 16 бит DRM075 56F8013 d5023 C5027 R D3000 MOSFET – описание производителя C5027 R транзисторный MOSFET c5027 эквивалентный транзистор D5023 C6017 Трансформатор ei33 NEC2501 эквивалент транзистора c5027
Принципиальная схема Регулятор скорости двигателя постоянного тока 180 В Аннотация: Транзистор C4106 C4106 t5001 ic tl8850ap транзистор c4060 tl8850 C6113 EM-553-F9T транзистор C4054 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	VX-G142 OS753 GP1U281R EM-553-F9T DTC114TS CY759 EQ-552F9T Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 180 В C4106 транзистор C4106 t5001 ic tl8850ap c4060 транзистор tl8850 C6113 EM-553-F9T C4054 транзистор
2005 – аналог транзистора с5027 Аннотация: эквивалентный транзистор D5023 D5023 C5027 d3000 mosfet C5027 r r2003 Транзистор IN4007 документация на диод.свободный эквивалент транзистора c6017 транзистор d3002 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	56F8013 56800E 16 бит DRM077 эквивалент транзистора c5027 эквивалентный транзистор D5023 D5023 C5027 D3000 MOSFET – описание производителя C5027 r R2003 ТРАНЗИСТОР Документация на диод IN4007. бесплатно эквивалент транзистора c6017 d3002 транзистор
c4137 Аннотация: c6067 C4106 c2539 c06-15 транзистор C2216 транзистор C4125 C4106 транзистор c2534 c4125 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2002/95 / EC c4137 c6067 C4106 c2539 c06-15 Транзистор С2216 транзистор С4125 C4106 транзистор c2534 c4125
2008 – C4151 Аннотация: C0626A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2002/95 / EC C4151 C0626A
с5586 Абстракция: c5679 C5694 c5487 47N253 c5664 c5598 c5717 C5488 ez 4r 823 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 июня 2004 г. QC5420 R1388 C5704 LP2996MRX 6 мая 2004 г. c5586 c5679 C5694 c5487 47N253 c5664 c5598 c5717 C5488 EZ 4R 823
C5473 Аннотация: C5630 * c5586 c5586 C5679 c5470 Inventec 23D14 C5244 CN503 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	21-мая-2004 QC5420 R1388 C5704 LP2996MRX 6 мая 2004 г. C5473 C5630 * c5586 c5586 C5679 c5470 Inventec 23D14 C5244 CN503
МКС 951417 Аннотация: RC410MD asus C5019 FB F13 C5027 r F02JK2E C5027 стабилизатор напряжения IC A6R SB450 IT8510 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Yonah / RC410MD / IXP450 ICS951417 MAX6657) 100 МГц RC410MD SB450 R5C841 33HDD 33 МГц RTL8100CL RC410MD asus C5019 FB F13 C5027 r F02JK2E C5027 регулятор напряжения IC A6R SB450 IT8510
В3В РЭВ-1.1 Абстракция: asus C5027 r d5703 47N217 X7RA C5706 ICS954310BG Calistoga ddr2533 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LPC47N217 RTL8111B PCI – 1394 R5C832 12VSUS JP6302 В3В РЭВ-1.1 asus C5027 r d5703 47N217 X7RA C5706 ICS954310BG Калистога ddr2533
2005 – c2240 транзистор Аннотация: c5129 c5088 c2335 c5936 c2166 транзистор c2335 r c2165 c5928 datasheet c2240 транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	REJ10B0161-0100 H8 / 300 Unit2607 c2240 транзистор c5129 c5088 C2335 C5936 c2166 транзистор c2335 r c2165 C5928 даташит c2240 транзистор

C5027-R ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ PDF

Высокое напряжение и высокая надежность.База 2. Коллектор 3. Кремниевый транзистор NPN. V CBO. V генеральный директор.

8

Автор:	Gulabar Dozahn
Страна:	Сейшельские острова
Язык:	Английский (испанский)
Жанр:	Опубликованная литература
21 августа 2007 г.
Страницы:	62
Размер файла PDF:	9,38 Мб
Размер файла ePub:	5.19 Мб
ISBN:	124-2-87659-686-2
Загрузки:	77985
Цена:	Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ]
Загрузчик:	Tukora

Высокое напряжение и высокая надежность. База 2. Коллектор 3. Кремниевый транзистор NPN. V CBO. V генеральный директор. V EBO. Т СТГ. Напряжение коллектор-база.

Напряжение коллектор-эмиттер.Напряжение эмиттер-база. Ток коллектора постоянный. Импульс тока коллектора. Базовый ток. Температура перехода. Температура хранения. BV CBO. Генеральный директор BV. BV EBO. V CEX sus. Я СВО. Я EBO. V CE сб. V BE сб. Напряжение пробоя коллектор-база. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер. Напряжение пробоя эмиттер-база. Поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер. Ток отключения коллектора. Ток отсечки эмиттера.

Коэффициент усиления постоянного тока. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер. Напряжение насыщения база-эмиттер. Выходная емкость.Произведение на коэффициент усиления по текущему каналу. Включите время. Срок хранения. Осеннее время. Условия тестирования. A, февраль. Ниже перечислены зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки, которые Fairchild Semiconductor принадлежит или имеет право использовать.

Используется в данном документе :. Устройства или системы жизнеобеспечения – это устройства или системы. Критический компонент – это любой компонент жизнеобеспечения. Значение терминов. Идентификация в паспорте.

Предварительная информация. Статус продукта. Формирующий или In. Первая продукция. Идентификация не требуется.Полное производство. Это техническое описание содержит технические характеристики для. Технические характеристики могут измениться. В этом листе данных содержатся предварительные данные, и. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право производить. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения на.

Не в производстве. Это техническое описание содержит спецификации продукта. Таблица данных печатается только для справочной информации. А, 1 февраля, страница www. В данном контексте: 1. Устройства или системы жизнеобеспечения – это устройства или системы, которые: a предназначены для хирургической имплантации в тело; b поддерживают или поддерживают жизнь; c – не работают при правильном использовании в соответствии с предоставленными инструкциями по применению. в маркировке, можно разумно ожидать, что это может привести к серьезным травмам пользователя.

Критический компонент – это любой компонент устройства или системы жизнеобеспечения, отказ от работы которого, как можно обоснованно ожидать, вызовет отказ устройства или системы жизнеобеспечения или повлияет на их безопасность или эффективность. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Эта таблица содержит предварительные данные, дополнительные данные будут опубликованы позже. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.

Не выпускается, не выпускается В этом техническом описании содержатся спецификации продукта, производство которого прекращено Fairchild Semiconductor. E 5 Стр. Вон-Топ Электроникс. Hitachi Semiconductor.

Аналоговые устройства.

LIBRETO DE LA FLAUTA MAGICA DE MOZART PDF

KSC5027-R Транзистор биполярный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте At CircuitsThyristors.Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение рабочих дней с момента оплаты.

JEDANAEST MINUTA PAULO COELHO PDF

Лист данных SB3040 – Semikron DIODE, SCHOTTKY, 30 A, 40 V, AXIAL

.

ВОССТАНОВЛЕНИЕ ХИВАЛИЙСКОГО КОЛЕСА PDF

C5027 PDF Лист данных – Кремниевый транзистор NPN – Fairchild

.

БЕТТИ ЭДВАРДС ГАРАНТЬЕР ЦЕЙХНЕН ЛЕРНЕН PDF

C5027 R Лист данных, Pdf

.

Статьи по теме

C5027 r книги технических паспортов транзисторов

C5027 r книги технических паспортов модель и транзисторное усиление. Я получаю даташиты из вашей схемы, определяющей выходной ток. Fairchild, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Itt intermetall 3 страница содержание 195–199 транзисторы смещения смещения 201–204 адреса буквенно-цифровой список типов 4 список типов 189–193 транзисторов Дарлингтона. Компания Ibs Electronics была основана в южной Калифорнии. C5027 ksc5027 datasheet, pdf предоставлено datasheet, pdf поиск для c5027.

Справочник по транзисторам, один из серии справочников по компонентам, содержит ответы на все ваши повседневные вопросы по применению. C5027 техническое описание: 55 страниц Fairchild высокого напряжения и. Техническое описание C5027, c5027 pdf, техническое описание c5027, техническое описание, техническое описание, pdf. Fairchild высокого напряжения и высокой надежности, все технические данные, технические данные, поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Для участия вы c даташит транзистора зарегистрировать.Toshiba транзистор кремний pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложений драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe. Rohs 2sc5027 series rohs semiconductor nell high power products кремниевый npn планарный транзистор с тройной диффузией 3a 800v 50w отличается высокоскоростным переключением, высоким напряжением пробоя и высокой надежностью c широкая зона безопасности soa to220 корпус, который может быть установлен на радиатор с одним винтом bbc applications ce e .Справочник по основам транзисторов Allieds.

Вам доступен широкий выбор вариантов транзистора c5027, например, сквозное отверстие, поверхностный монтаж. Техническое описание силового транзистора, pdf-файл силового транзистора, технический паспорт силового транзистора, техническое описание, технический паспорт, pdf домой все производители по категории, названию детали, описанию или изготовителю Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на n материала. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba, 1983 г., корпорация Toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52.Высокое напряжение и высокая надежность, техническое описание c5027, схема c5027, техническое описание c5027. Бесплатен и соответствует нормам RoHS. Максимальный рейтинг. Символ номинального значения. Коллекционер. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн. Установление точки смещения. Смещение – это состояние системы при отсутствии сигнала. C5027 pdf datasheet npn кремниевый транзистор Fairchild, схема, распиновка, схема, эквивалент, замена, данные, лист, руководство и.Rohs 2sc5027 series rohs semiconductor nell high power products кремниевый npn планарный транзистор с тройной диффузией 3a 800v 50w отличается высокоскоростным переключением, высоким напряжением пробоя и высокой надежностью c широкая зона безопасной работы to220 корпус, который может быть установлен на радиатор с одним винтом bbc приложения c e . C5027 pdf datasheet npn кремниевый транзистор Fairchild.

Символ транзистора имеет стрелку на эмиттере. Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием.Также обсуждаются индикаторы кривой и области насыщения и отсечки транзистора. Эта книга easytouse охватывает все типы транзисторов, в том числе. C5027 r datasheet pdf cr datasheet pdf скачать, cr технический паспорт. Следующие ниже товарные знаки являются зарегистрированными и незарегистрированными товарными знаками, которыми владеет или имеет право использовать Fairchild Semiconductor, и не являются исчерпывающим списком всех таких товарных знаков. Однако на рисунке 4 представлен график зависимости i b от v ce. Обозначение параметра условия единица измерения rthja тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде примечание 1 500 кВт.Напряжение насыщения базового эмиттера Напряжение насыщения коллектора-передатчика Рисунок 4. Биполярные, силовые, высокочастотные, цифровые, igbt, однопереходные, гетеродиновые, полевые транзисторы и МОП-транзисторы. В таблице данных показано внутреннее устройство транзистора, которое выглядит как грубое приближение с использованием типичных npn r2 и r3 внутри транзистора.

Ksc5027r c5027 r техническое описание pdf, ksc5027r техническое описание, ksc5027r pdf. Fairchild, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники. C5027 r datasheet, pdf cr биполярные транзисторы bjt доступны на сайте mouser electronics.C5027 datasheet vceo 800v, ​​3a, npn transistor fairchild, ksc5027 datasheet, c5027 pdf, распиновка c5027, эквивалент, данные, схема, выход, микросхема, схема. Примечания к тепловым характеристикам транзистора высокого напряжения pnp pmbta92 1. Силовые кремниевые транзисторы npn Силовые транзисторы кремниевые npn предназначены для использования в усилителях мощности и схемах переключения. Ksc5027, c5027 производитель высокого напряжения и высокой надежности. C5027fr datasheet, c5027fr pdf, c5027fr data sheet, c5027fr manual, c5027fr pdf, c5027fr, datenblatt, electronics c5027fr, alldatasheet, free, datasheet. Fjp5027r транзистор npn 800v 3a to220 fairchild semiconductor техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Симулятор схем электроники транзисторов и физика. Эти транзисторы подразделяются на три группы q, r и s в соответствии с их коэффициентом усиления по постоянному току. Бесплатные книги по транзисторным схемам, электронные книги, онлайн-учебники. R1 не является частью транзистора, это просто типичная нагрузка, с которой нужно работать для моделирования.Hfe имеет минимальное и максимальное значения, хотя оба могут отсутствовать в списке.

C5027 datasheet vceo 800v, ​​3a, npn транзистор Fairchild. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 on и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Список спецификаций силовых транзисторов 2n3055 npn 60v 14a 20 до 70 155w 2n6036 pnp, darlington 80v 4a 750 to 15000 40w 2n6039 npn, darlington 80v 4a от 750 до 15000 40w 2n6109 pnp 50v 7a от 30 до 150 40w bd9 npn 80v 1. В этой книге также есть очень подробный глоссарий, указатель и уравнения.C5027 datasheet, c5027 pdf, c5027 data sheet, c5027 manual, c5027 pdf, c5027, datenblatt, electronics c5027, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. Если я посмотрю на график для i c 150ma, а затем перейду к i b 15ma, я увижу v ce. 21 декабря, 2019 b to92 datasheet 11 страниц jiangsu transistor pnp.

В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна его ограничивать. Ознакомьтесь с нашим разделом бесплатных электронных книг и руководств по транзисторным схемам. Заменяет данные сентябрьского файла в разделе “Дискретные полупроводники”, sc mar bd транзистор техническое описание pdf, эквивалент bd.Руководство по тиристорам и диодам RCA SC14, а также большой выбор сопутствующих книг, произведений искусства и предметов коллекционирования доступны сейчас на сайте. Практические транзисторы и линейные интегральные схемы. Acexbottomlesscoolfetcrossvolte2cmos поиск в технических таблицах, таблицы данных, поиск в таблицах электронных компонентов и полупроводников.

Книга данных силовых транзисторов Toshiba на полупроводники за 1983. B техническое описание, b pdf, b техническое описание, b руководство, b pdf, b, datenblatt, электроника, b, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание, данные.Техническое описание C5027: 55 страниц Fairchild высокого напряжения и высокого напряжения. Около 49% из них – транзисторы, 42% – интегральные схемы и 3% – конденсаторы. C5027 pdf, описание c5027, таблицы данных c5027, вид c5027. За исключением случаев, прямо разрешенных в этом соглашении, лицензиат не имеет права и не должен ограничивать клиентов от. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего значения. Согласно техническому описанию, типичные значения – 2В для включения. E абсолютные максимальные значения tc 25c, если не указано иное, параметр символ номинальные значения единица измерения базовое напряжение коллектора vcbo 850 в напряжение коллектора vceo 750 в напряжение коллектора vebo 7 в пиковый ток коллектора ic 3 a импульс тока коллектора icp 10 a. 10 сентября 2015 г. c5027 datasheet vceo 800v, ​​3a, npn transistor fairchild, ksc5027 datasheet, c5027 pdf, c5027 распиновка, эквивалент, данные, схема, выход, микросхема, схема.

C5027s datasheet vcbo700v, npn transistor ate, 2sc5027s datasheet, c5027s pdf, распиновка c5027s, руководство c5027s, схема c5027s, эквивалент c5027s. Например, в этом транзисторе p2n2222a npn я могу посмотреть в таблице характеристик и увидеть, что v ce имеет макс. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы.St 2sc828 828a npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты C5027 r техническое описание pdf y0 c5027 r техническое описание pdf cr биполярные транзисторы bjt доступны на сайте Mouser Electronics. В этом разделе содержатся бесплатные электронные книги и руководства по транзисторным схемам, некоторые ресурсы в этом разделе можно просмотреть в Интернете, а некоторые можно загрузить.

C5027 r техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. В главах рассматриваются ограничители схем, зажимы диодов, фотодиоды и байт-транзисторы.Транзисторы To92 в пластиковом капсуле Транзистор s9018 npn имеет максимальные характеристики t a25 продукта с высокой шириной полосы усиления по току. Gnd out in gnd out 100 мА, 50 В, цифровые транзисторы со встроенными резисторами. Техническое описание C5027, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf.11 ноября, 2016 c5027s datasheet vcbo700v, npn transistor ate, 2sc5027s datasheet, c5027s pdf, c5027s pinout, c5027s manual, c5027s schematic, c5027s аналог. Philips pnp power transistor, alldatasheet, datasheet, datasheet – поиск по электронным компонентам. Npn тройной диффузионный планарный кремниевый транзистор 400v7a код заказа приложений для импульсного стабилизатора. Процесс pct эпитаксиального типа pnp кремния Toshiba транзистора. Pdf c5027 r datasheet загрузить это соглашение может быть составлено в экземплярах, каждый из которых считается оригиналом, и которые вместе являются одним и тем же соглашением. Проектирование и применение схем переключения транзисторов. Если транзистор pnp, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае – на выход. Лист данных C5027, таблицы данных c5027, c5027 pdf, схема c5027. Это техническое описание содержит технические характеристики для.

Переключатель высокого напряжения Транзистор 2SC5027 J5027 C5027-R 3A 800V TO-220: Amazon.com: Industrial & Scientific

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• Мы являемся профессиональным поставщиком профессиональных микросхем.
• Расчетное время доставки в развитые страны: 7-20 дней по специальной линии. 10-30 дней для других стран. Мы предоставляем услуги ускоренной доставки: 3-8 дней (без учета времени обработки). Если сумма заказа превышает 150 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугами ускоренной доставки.
• Вы можете искать ключевые слова в нашем магазине. Я верю, что вы сможете найти нужный вам товар.
• Если товар неудовлетворительный, просто отправьте мне запрос на возврат, и мы полностью вернем деньги.

]]>

---

Характеристики

Фирменное наименование	DIYЭлектроника
Ean	6011978064387
Номер детали	diy_ICx_10133
Код UNSPSC	32111600

---

C5027-R, C5027R, C5027-R., C5027-RH, C5027R-408 Список поставщиков

Каталожный номер	Дистрибьютор Склад DC Производитель Описание
C5027-R	11 – FSC TO-220 3949 – FSC TO-220 48050 12 – – 1565 – FSC TO-220 9 10 F TO220 129000 – FAIRCHILD . 32727 O5 TO-220 F 31588 TO-220 FSC 15 10000 16 SEC TO-220 – 0,3 7000 2020 FAIRCHILD TO-200 386750 20PB FAIRCHILD TO-220 4 2021 FAIRCHILD TO-220
C5027R	48050 12 – – 15000 2016 RoHs Оригинал и новый 43 09 FSC TO-220 300 – FAIRCHILD – 10000 16 SEC TO-220 – 0,3 38000 2013 Н / Д Оригинал новый
C5027-R.	75 05 FAIRCHILD TO-220
C5027_R	5000 05 FS TO 220
C5027-RH	1 – SEC TO-220 0 – – – 8 2021 SEC 7
C5027-R (H09) TO220	48050 12 – – 3285 – – –
C5027 R-408	60 – SAMSUNG –
C5027 R-531	110 – SAMSUNG –
C5027-R TO220
KSC5027-R	1240 – FSC TO-220 5210 12 FSC TO-220 21562 – FAIRCHILD TO220 11 – FSC TO-220 621853 12 TO-220 FSC 9830 15 FSC TO-220 50000 – FSC TO-220 30006 07 FSC TO-220 500 16 FSC TO-220 10000 16 FSC TO-220 – 0,3 4194 2020 SAMSUNG – 386750 20PB FAIRCHILD – 12000 1516 FAIRCHILD TO-220 30000 2019 FAIRCHILD TO220 4600 – Fairchild / ON Semiconductor –
2SC5027-R	4120 12 FSC TO-220 61285 12 – – 4120 – FSC TO-220 950 TO220 ST 06 33000 16 FSC – 46000 17 FSC TO-220 170485 – FSC TO-220 – 0,79 80 2020 FAIRCHILD TO-220 48855 O6 FAIRCHIL оригинал 50000 2019 FAIRCHILD / E TO-220 974 15 FAIRCHI TO-220
KSC5027RTU	621853 12 ST / FSC – 21580 – FAIRCHILD TO220 11000 2016 FAIRCHIL.. Оригинал и новый 8958 09 FSC TO-220 50000 – FAIRCHIL .. TO220 30003 10 FAIRCHILD TO220 800 03 FAIRCHILD TO-220 86100 20PB FAIRCHILD – 24 – Fairchild / ON Semiconductor – 1500 2021 FSC –
KSC5027R	621853 12 – – 33550 2016 Н / Д Оригинал новый 18PB FSC – 50000 – FAIRCHIL TO-220 3 10 FAIRCHILD TO220 35000 2013 Н / Д Оригинал новый 386750 20PB – – 12888 16 FAIRCHILD TO-220 50000 2019 FAIRCHILD / E TO-220 40 2021 FSC – 2SC5027R 35000 2013 Н / Д – 61285 12 – – 0 18PB sanyo TO-220 0 18PB sanyo TO-220 35000 2013 Н / Д Оригинал новый 25140 НЕТ sanyo новые и оригинальные 200 DC98 SAM DC98 DHC5027R 15000 2016 RoHs Оригинальное и новое 50 05 WXDH TO-220 32000 548 WXDH TO-220 2000 TO-220 WXDH 17 50000 2019 WXDH TO-220 1997 19 WXDH TO-220 74841 12 – – KSC5027RHTU 621853 12 – – 33550 2016 Н / Д Оригинал новый 10000 06/07 FAIRCHILD TO-220 35000 2013 Н / Д Оригинал новый KSC5027-RTU 621853 12 – – 990 09 SEC TO-220 30890 09 SEC TO-220 890 09 SEC TO-220 2SC5027-R C5027-R J5027-R 8192 11 S TO-252 / TO 0 – – – WGC5027-R 89967 2018 WG TO220 0 – – – 2SC5027-R. 80800 2015 FSC TO-220 0 – – – KSC5027-R C5027-R 138 10 fsc TO220 2SC5027REU КСК5027-Р-ТУ KSC5027-R. 25000 2012 FSC TO-220 KSC5027-R / 2SC3148 KSC5027-R / FJPC5027-R 50000 – Н / Д Н / Д 2SC5027 / R / O 2000 09 MIT / MIT TO-220 2SC5027-ROy KSC5027R / BU406 2SC5027-R-115 KTC5027-R-U / P 107650 1817 KEC TO-220AB KSC5027-R – 129C5027-R J5027 R эквивалент Резюме: Транзистор J5027R j5027 – r j5027 FJP5027TU Транзистор J5027R FJP5027OTU TO220 Semiconductor Packaging FJP5027… Аннотация: SPA11N80C3 ice1qs02 tda16846 CoolMOS Power Transistor tda4605 Транзистор питания TDA4605 TDA4608… 9279–3.1. 2sc5027.pdf Размер: 241 КБ _toshiba. 7.2. 2sc5027.pdf Размер: 49K _utc. UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD 2SC5027 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ И ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ. 1 ОСОБЕННОСТИ TO-220 * Высокое напряжение (VCEO = 800V) * Высокоскоростное переключение * Широкий SOA 1TO-220F * Номер продукта с бессвинцовым покрытием: 2SC5027L. Высокое напряжение и высокая надежность, таблица данных C5027, схема C5027, таблица данных C5027: FAIRCHILD, все данные, таблица данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Оригинальный транзистор Transistororiginaltransistor K75T60 TO-247 Новый оригинальный эквивалент транзистора Npn Mosfet мощности. 0,70–0,90 долл. США / шт. 10 частей (минимальный заказ) CN Шэньчжэнь Luohu District Fengdeli Электронный… Транзистор J5027 R Транзистор J5027 – R силовой транзистор C5027 NPN 800V 3A 50W TO-220. 0,10–1,00 долл. США / шт. 1 шт. (Мин. Заказ) CN… C5027 Datasheet, C5027 PDF, C5027 Data Sheet, C5027 manual, C5027 pdf, C5027, datenblatt, Electronics C5027, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet… All Transistors Datasheet .Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов. Rg = 12, RD = 95, см. Рис. 10b-12 – нс время нарастания tr -33 – время задержки выключения td (off) -82 – время спада tf-30 – внутренняя индуктивность стока LD между выводом, 6 мм (0,25) от корпуса и центром контакта матрицы -4,5 – Внутренняя индуктивность источника нГн LS-7.5 – Характеристики диода в корпусе сток-исток Непрерывный ток истокового диода IS MOSFET, 29.12.2014 · 2n3708 si-n 30v 0.03a 0.36w 80mhz | 2n3716 si-n 100v 10a 150w 4mhz, SUV System Ltd.6A, Guoyi Building, Longhe Road, Longgang Dis, Shenzhen, CN, 518000 Тел .: + 86-755-8 23 Fx: + 86-755-8 23 Электронная почта: [электронная почта защищена] База данных C5027-r – calumniation.torsebaonline.site Высокое напряжение и высокая надежность, таблица данных C, схема C, таблица данных C: FAIRCHILD, все данные, таблица данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. C Datasheet, C PDF, C Data sheet, C manual, C pdf, C, datenblatt, Electronics C, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, техпаспорт.CR Datasheet, CR PDF, CR Data Sheet, CR manual, CR pdf, CR, datenblatt, Electronics CR, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, Datasheets. C datasheet, C datasheets, C pdf, C схема: FAIRCHILD – Высокое напряжение и высокая надежность, alldatasheet, datasheet, сайт поиска Datasheet для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. (PDF) CR Datasheet скачать. Указанные здесь средства правовой защиты не являются исключительными, а скорее представляют собой справочную информацию и в дополнение ко всем другим средствам защиты c листом данных транзистора для ON Semiconductor.Для участия вы c даташит транзистора зарегистрировать. Лицензиат соглашается с тем, что доставка любого Программного обеспечения не является продажей, а Программное обеспечение предоставляется только по лицензии. Или вы можете составить техническое описание продукта и согласовать сумму возмещения напрямую с продавцом. Требуемые страницы – это c cr datasheet datasheet pdf, открытый ударом. Причина: c r datasheet, перекрестная ссылка, схемы и примечания по применению в формате pdf. Обратитесь к администратору сервера c cr datasheet datasheet pdf, веб-мастеру gdcy.Аннотация: CR d mosfet C r транзистор mosfet c эквивалентный транзистор DC Transformer ei33 NEC эквивалент транзистора c Текст: VT2 VT4 VT6 IM VT0 C AC Input i BA LOAD i Vdc r * Осциллограф, скорость, r, между угловой скоростью, s, магнитной волны и механической угловой скорости r называется скоростью скольжения. Аннотация: C R d mosfet C r транзистор mosfet c эквивалентный транзистор D C трансформатор ei33 NEC эквивалент транзистора c Текст: силовые MOSFET и IGBT. A Power MOSFET – это транзистор, управляемый напряжением. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт