характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка
По своим техническим характеристикам транзистор BC557 подойдёт для использования в выходных каскадах УНЧ, в схемах управления. Его применяют в магнитофонах и телевизорах. Он отличается неплохим коэффициентом усиления по току. Изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Структура p-n-p.
Цоколевка
Изготавливают этот транзистор в корпусе ТО-92, сделанном из пластмассы и имеющим три гибких вывода. Цоколёвка ножек BC557 располагаются в следующем порядке: слева коллектор, посередине база, справа эмиттер. Внешний вид представлен на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с рассмотрения предельно допустимых. Без их знания нельзя принимать решение о замене и проектировать устройства. Если реальные значения превысят максимальные, то транзистор выйдет из строя. Для BC557 они равны:
- разность потенциалов К-Б VCBO (Uкб max) = — 50 В;
- разность потенциалов К-Э VCЕO (Uкэ max) = — 45 В;
- разность потенциалов Э-Б VЕВO (Uэб max) = — 5 В;
- коллекторный ток
- кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = -200 мА;
- мощность PD (Рк max) = 0,5 Вт;
- тепловое сопротивление полупроводник-воздух RθJA = 200 °С/Вт;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Кроме максимальных стоит также обратить внимание на электрические характеристика BC557. От них также зависят возможности транзистора. Все они измерялись при температуре 12°С. Остальные важные параметры указаны в колонке «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Пробивное напряжение К-Б | IC = -100 мкA | V(BR)CВO | -50 | В | ||
Пробивное напряжение К-Э | IC=1 мA | V(BR)CEО | -45 | В | ||
Пробивное напряжение Э-Б | IE= 10 мкA | V(BR)EBO | 6-5 | В | ||
Обратный ток коллектора | VCВ = -20 В | ICВO | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток К-Э | VCE= -40В | ICEХ | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -5 В | IEBO | -0,1 | мкА | ||
Напряжение насыщения К-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5м A | V CE(sat) | -0,3 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -0,65 | В | ||||
Напряжение насыщения Б-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5 мA | V ВE(sat) | -0,8 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -1 | В | ||||
Напряжение Б-Э | VCE =-5 В, IC =-2 мA | VBE | -0,55 | -0,7 | В | |
VCE =-5 В, IC =-10 мA | -0,82 | В | ||||
Выходная ёмкость на коллекторе | VCB =-10В,I E =0, f=1 МГц | Cob | 8 | пФ | ||
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=-5В, IC= -10мA, f=100 МГц | fT | 50 | 150 | МГц |
Транзисторы BC557, в зависимости от коэффициента усиления делятся на три группы:
- А — hFE = 120…220;
- В — hFE = 180 … 460;
- С — hFE = 420 …800.
Аналоги
Близкими аналогами BC557 являются следующие транзисторы 2SA1015 и 2SA733. Существует три отечественных транзистора аналогичные BC557 – это КТ3107, КТ361Д и КТ668Б. Комплементарная пара для BC557 это – BC547. Также иногда используют BC546 и BC550.
Производители и Datasheet
Нам удалось найти datasheet на BC557 производителей следующих зарубежных фирм:
- Continental Device India Limited;
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- Unisonic Technologies.
В магазинах России чаше всего можно найти продукцию следующих компаний: NXP Semiconductors, Micro Commercial Components, Continental Device India Limited, ON Semiconductor и Diotec Semiconductor.
PNP
BC557B / DC Components
DC Components
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-92-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги
11 показать свернуть org/Product”> org/Product”>Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | Примечание | Карточка товара | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BC557B (DIOTEC)
BC557B (ONS-FAIR) | TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | |||||||||
P= | BC557B (MULTCMP)
BC557B (ONS-FAIR) | TO-92-3 |
| — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | 2N3906 (DIOTEC)
| TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | — | — | |||||||
P= | КТ361Г (Россия)
| — | 50 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |
P- | BC557C (DC)
| TO-92-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | BC557C (DIOTEC)
| TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | ||||||||
A+ | PDTA114TT.215 (NEX-NXP)
| TO236 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2SB1188-R (YJ)
| SOT-89 |
| — | — | — | — | |||||||||
A+ | B772M GR200-400 (JSCJ)
| TO-252-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | BC858B (DIOTEC)
BC858B (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.![]() | |||||||||
A+ | BC859B.215 (NEX-NXP)
| TO236 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы
показать свернуть- найти BC557B.pdf
- ОН Полупроводник
- BC556B, BC557A, B, C, BC558B – Усилительные транзисторы PNP Silicon UUID: db491f73-8c11-47ff-89c4-903cb4c078d3uuid: 64793dd7-38b0-49a8-a4fc-395127c3e8d0 конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9\6e92w W\Cєp}7pM953i~~y65C:5C\nhAᴉDH)&L!`B`K7HZnfUwt=zԥfYf7)k yN}Q&-2յ`m(kN#D=/QxE9O?,MׯYa)[ Y)!WT? KP/Hۡn)v-_U]~ƏHNfC7qUoयj֏)b(! !t`SB!a ih 5tyUwჶF2tzn찺ayخdՆIUOlz`t@m%thka-ɮLLYu;💣#D~E груб픔[l[-;)egUQaջ!2>Ūc%>}V=j,YUwN찚P͟auP.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.
2N5415 (ST) 2SC4081-R (YJ)
BC556B, BC557A, B, C, BC558B
%PDF-1. 4
%
1 0 объект
>
эндообъект
5 0 объект
>
эндообъект
2 0 объект
>
эндообъект
3 0 объект
>
транслировать
Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows)2007-03-29T13:43:51-07:00BroadVision, Inc.2020-09-22T10:22:28+02:002020-09-22T10:22:28+02:00приложение/ pdf

транзистор%20c%20557b техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть BD6047AGUL РОМ Полупроводник Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором БМ2П016-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включающая переключающий МОП-транзистор БМ2П0361К-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором BD9B305QUZ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БД9Д300МУВ РОМ Полупроводник Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БМ2П104ЭФ РОМ Полупроводник Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИСтранзистор%20c%20557b Листы данных Context Search
Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E
до н.![]() | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н.![]() | |
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц.![]() | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 – транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н.![]() |