характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка
По своим техническим характеристикам транзистор BC557 подойдёт для использования в выходных каскадах УНЧ, в схемах управления. Его применяют в магнитофонах и телевизорах. Он отличается неплохим коэффициентом усиления по току. Изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Структура p-n-p.
Цоколевка
Изготавливают этот транзистор в корпусе ТО-92, сделанном из пластмассы и имеющим три гибких вывода. Цоколёвка ножек BC557 располагаются в следующем порядке: слева коллектор, посередине база, справа эмиттер. Внешний вид представлен на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с рассмотрения предельно допустимых. Без их знания нельзя принимать решение о замене и проектировать устройства. Если реальные значения превысят максимальные, то транзистор выйдет из строя. Для BC557 они равны:
- разность потенциалов К-Б VCBO (Uкб max) = — 50 В;
- разность потенциалов К-Э VCЕO (Uкэ max) = — 45 В;
- разность потенциалов Э-Б VЕВO (Uэб max) = — 5 В;
- коллекторный ток
- кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = -200 мА;
- мощность PD (Рк max) = 0,5 Вт;
- тепловое сопротивление полупроводник-воздух RθJA = 200 °С/Вт;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Кроме максимальных стоит также обратить внимание на электрические характеристика BC557. От них также зависят возможности транзистора. Все они измерялись при температуре 12°С. Остальные важные параметры указаны в колонке «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Пробивное напряжение К-Б | IC = -100 мкA | V(BR)CВO | -50 | В | ||
Пробивное напряжение К-Э | IC=1 мA | V(BR)CEО | -45 | В | ||
Пробивное напряжение Э-Б | IE= 10 мкA | V(BR)EBO | 6-5 | В | ||
Обратный ток коллектора | VCВ = -20 В | ICВO | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток К-Э | VCE= -40В | ICEХ | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -5 В | IEBO | -0,1 | мкА | ||
Напряжение насыщения К-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5м A | V CE(sat) | -0,3 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -0,65 | В | ||||
Напряжение насыщения Б-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5 мA | V ВE(sat) | -0,8 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -1 | В | ||||
Напряжение Б-Э | VCE =-5 В, IC =-2 мA | VBE | -0,55 | -0,7 | В | |
VCE =-5 В, IC =-10 мA | -0,82 | В | ||||
Выходная ёмкость на коллекторе | VCB =-10В,I E =0, f=1 МГц | Cob | 8 | пФ | ||
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=-5В, IC= -10мA, f=100 МГц | fT | 50 | 150 | МГц |
Транзисторы BC557, в зависимости от коэффициента усиления делятся на три группы:
- А — hFE = 120…220;
- В — hFE = 180 … 460;
- С — hFE = 420 …800.
Аналоги
Близкими аналогами BC557 являются следующие транзисторы 2SA1015 и 2SA733. Существует три отечественных транзистора аналогичные BC557 – это КТ3107, КТ361Д и КТ668Б. Комплементарная пара для BC557 это – BC547. Также иногда используют BC546 и BC550.
Производители и Datasheet
Нам удалось найти datasheet на BC557 производителей следующих зарубежных фирм:
- Continental Device India Limited;
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- Unisonic Technologies.
В магазинах России чаше всего можно найти продукцию следующих компаний: NXP Semiconductors, Micro Commercial Components, Continental Device India Limited, ON Semiconductor и Diotec Semiconductor.
PNP
BC557B / DC Components
DC Components
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-92-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги
11 показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | Примечание | Карточка товара | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BC557B (DIOTEC)
BC557B (ONS-FAIR) | TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | |||||||||
P= | BC557B (MULTCMP)
BC557B (ONS-FAIR) | TO-92-3 |
| — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | 2N3906 (DIOTEC)
| TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | — | — | |||||||
P= | КТ361Г (Россия)
| — | 50 шт |
| — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |
P- | BC557C (DC)
| TO-92-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | BC557C (DIOTEC)
| TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | ||||||||
A+ | PDTA114TT.215 (NEX-NXP)
| TO236 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2SB1188-R (YJ)
| SOT-89 |
| — | — | — | — | |||||||||
A+ | B772M GR200-400 (JSCJ)
| TO-252-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | BC858B (DIOTEC)
BC858B (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0. 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 | |||||||||
A+ | BC859B.215 (NEX-NXP)
| TO236 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы
показать свернуть- найти BC557B.pdf
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.
2N5415 (ST) 2SC4081-R (YJ)
BC556B, BC557A, B, C, BC558B
%PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows)2007-03-29T13:43:51-07:00BroadVision, Inc.2020-09-22T10:22:28+02:002020-09-22T10:22:28+02:00приложение/ pdf
транзистор%20c%20557b техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
транзистор%20c%20557b Листы данных Context Search
Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ктд998 транзистор | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 – транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. |