Что значит биполярный транзистор: Что такое биполярный транзистор и как его проверить

Что такое биполярный транзистор и как его проверить

Добрый день, друзья!

Сегодня мы продолжим знакомиться с электронными «кирпичиками» компьютерного «железа». Мы уже рассматривали с вами, как устроены полевые транзисторы, которые обязательно присутствуют на каждой материнской плате компьютера.

Усаживайтесь поудобнее – сейчас мы сделаем интеллектуально усилие и попытаемся разобраться, как устроен

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, который широко применяется в электронных изделиях, в том числе и компьютерных блоках питания.

Слово «транзистор» (transistor) образовано от двух английских слов – «translate» и «resistor», что означает «преобразователь сопротивления».

Слово «биполярный» говорит о том, что ток в приборе вызывается заряженными частицами двух полярностей – отрицательной (электронами) и положительной (так называемыми «дырками»).

«Дырка» — это не жаргон, а вполне себе научный термин. «Дырка» — это не скомпенсированный положительный заряд или, иными словами, отсутствие электрона в кристаллической решетке полупроводника.

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру с чередующимися видами полупроводников.

Так как существуют полупроводники двух видов, положительные (positive, p-типа) и отрицательные (negative, n-типа), то может быть два типа такой структуры – p-n-p и n-p-n.

Средняя область такой структуры называется базой, а крайние области – эмиттером и коллектором.

На схемах биполярные транзисторы обозначаются определенным образом (см рисунок). Видим, что транзистор представляет собой, по существу, да p-n перехода, соединенных последовательно.

Вопрос на засыпку – почему нельзя заменить транзистор двумя диодами? Ведь в каждом из них есть p-n переход, не так ли? Включил два диода последовательно – и дело в шляпе!

Нет! Дело в том, что базу в транзисторе во время изготовления делают очень тонкой, чего никак нельзя достичь при соединении двух отдельных диодов.

Принцип работы биполярного транзистора

Основной принцип работы транзистора заключается в том, что небольшой ток базы может управлять гораздо бОльшим током коллектора — в диапазоне практически от нуля до некоей максимально возможной величины.

Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления по току и может составлять величину от нескольких единиц до нескольких сотен.

Интересно отметить, что у маломощных транзисторов он чаще всего больше, чем у мощных (а не наоборот, как можно было бы подумать).

Это напоминает работу полевого транзистора (ПТ).

Разница в том, что в отличие от затвора ПТ, при управлении ток базы всегда присутствует, т.е. на управление всегда тратится какая-то мощность.

Чем больше напряжение между эмиттером и базой, тем больше ток базы и, соответственно, больше ток коллектора. Однако любой транзистор имеет максимально допустимые значения напряжений между эмиттером и базой и между эмиттером и коллектором. За превышение этих параметров придется расплачиваться новым транзистором.

В рабочем режиме обычно переход база-эмиттер открыт, а переход база-коллектор закрыт.

Биполярный транзистор, подобно реле, может работать и в ключевом режиме. Если подать некоторый достаточный ток в базу (замкнуть кнопку S1), транзистор будет хорошо открыт. Лампа зажжется.

При этом сопротивление между эмиттером и коллектором будет небольшим.

Падение напряжения на участке эмиттер – коллектор будет составлять величину в несколько десятых долей вольта.

Если затем прекратить подавать ток в базу (разомкнуть S1), транзистор закроется, т.е. сопротивление между эмиттером и коллектором станет очень большим.

Лампа погаснет.

Как проверить биполярный транзистор?

Так как биполярный транзистор представляет собой два p-n перехода, то проверить его цифровым тестером достаточно просто.

Надо установить переключатель работы тестера в положение проверки диодов, присоединив один щуп к базе, а второй – поочередно к эмиттеру и коллектору.

По сути, мы просто последовательно проверяем исправность p-n переходов.

Такой переход может быть или открыт, или закрыт.

Затем надо изменить полярность щупов и повторить измерения.

В одном случае тестер покажет падение напряжение на переходах эмиттер – база и коллектор – база 0,6 – 0,7 В (оба перехода открыты).

Во втором случае оба перехода будут закрыты, и тестер зафиксирует это.

Следует отметить, что в рабочем режиме чаще всего один из переходов транзистора открыт, а второй закрыт.

Измерение коэффициента передачи биполярного транзистора по току

Если в тестере имеется возможность измерения коэффициента передачи по току, то проверить работоспособность транзистора можно, установив выводы транзистора в соответствующие гнезда.

Коэффициент передачи по току – это отношение тока коллектора к току базы.

Чем больше коэффициент передачи, тем большим током коллектора может управлять ток базы при прочих равных условиях.

Цоколевку (наименование выводов) и другие данные можно взять из data sheets (справочных данных) на соответствующий транзистор. Data sheets можно найти в Интернете через поисковые системы.

Тестер покажет на дисплее коэффициент передачи (усиления) тока, который нужно сравнить со справочными данными.

Коэффициент передачи тока маломощных транзисторов может достигать нескольких сотен.

У мощных транзисторов он существенно меньше – несколько единиц или десятков.

Однако существуют мощные транзисторы с коэффициентом передачи в несколько сотен или тысяч. Это так называемые пары Дарлингтона.

Пара Дарлингтона представляет собой два транзистора.

Выходной ток первого транзистора является входным током для второго.

Общий коэффициент передачи тока – это произведение коэффициентов первого и второго транзисторов.

Пара Дарлингтона делается в общем корпусе, но ее можно сделать и из двух отдельных транзисторов.

Встроенная диодная защита

Некоторые транзисторы (мощные и высоковольтные) могут быть защищены от обратного напряжения встроенным диодом.

Таким образом, если подключить щупы тестера к эмиттеру и коллектору в режиме проверки диодов, то он покажет те же 0,6 – 0,7 В (если диод смещен в прямом направлении) или «запертый диод» (если диод смещен в обратном направлении).

Если же тестер покажет какое-то небольшое напряжение, да еще в обоих направлениях, то транзистор однозначно пробит и подлежит замене. Закоротку можно определить и в режиме измерения сопротивления – тестер покажет малое сопротивление.

Встречается (к счастью, достаточно редко) «подлая» неисправность транзисторов. Это когда он поначалу работает, а по истечению некоторого времени (или по прогреву) меняет свои параметры или отказывает вообще.

Если выпаять такой транзистор и проверить тестером, то он успеет остыть до присоединения щупов, и тестер покажет, что он нормальный. Убедиться в этом лучше всего заменой «подозрительного» транзистора в устройстве.

В заключение скажем, что биполярный транзистор – одна из основных «железок» в электронике. Хорошо бы научиться узнавать – «живы» эти «железки» или нет. Конечно, я дал вам, уважаемые читатели, очень упрощенную картину.

В действительности, работа биполярного транзистора описывается многими формулами, существуют многие их разновидности, но это сложная наука. Желающим копнуть глубже могу порекомендовать чудесную книгу Хоровица и Хилла «Искусство схемотехники».

До встречи на блоге!

Биполярные транзисторы.

Назначение, виды, характеристики

Транзисторы предназначены  для решения задач усиления  и переключения электрических сигналов. Время бурного развития транзисторов –  50 –  80 годы прошлого столетия. В настоящее время следует признать, что транзисторы как отдельные компоненты используются в схемах не так часто. Массово они применяются только внутри интегральных схем.

Различают  транзисторы  двух  видов:  биполярные  и  униполярные  (полевые).

В  биполярных транзисторах  в создании токов участвуют как электроны (отрицательно  заряженные  частицы),  так  и  дырки  (положительно  заряженные частицы). Отсюда название вида транзисторов.

Биполярные транзисторы устроены сложнее полупроводниковых диодов, они имеют два pn-перехода и три вывода,  называемых  база,  эмиттер  и  коллектор.  Различают  два  вида  БТ:  NPN и PNP.

Устройство, особенности и схемотехнику  будем рассматривать на при-мере  NPN-транзисторов  –  наиболее  используемых  в  современной  практике, для  PNP-транзисторов рассуждения аналогичны и различия заключаются толь-ко в подключении питающих напряжений.

Устройство и принцип действия биполярных транзисторов

Устройство и принцип действия  NPN-транзисторов  показаны  на  рисунке 2.19.

NPN-транзистор  имеет  три  микроэлектронные  области:  две  –  с  N-проводимостью и одну  –  с  P  –  проводимостью. Каждая область имеет вывод с указанными на рисунке названиями.

Структуру  NPN-БТ можно также представить в уже более понятных обозначениях: как два диода, соединённых анодами в области базы.

На рисунке  2.20   показан наиболее распространённый способ использования биполярных транзисторов, когда на базу и коллектор подаются положительные (+) потенциалы  по отношению  к  эмиттеру.  При  этом  положительный  потенциал  коллектора выше потенциала базы!  Другими словами, коллекторный  pn-переход  смещён в обратном направлении  (смотрите,  коллекторный диод формально  закрыт), а базовый – в прямом.

При этом если в базу задать ток, то в силу структурной особенности кристалла  биполярного транзистора,  этот  базовый  ток  Iб будет  «подсасывать»  из  коллекторной  области электроны и формировать коллекторный ток

Iк= β_*I_б ,  (2. 7)

где β> 1 называется коэффициентом усиления тока базы.

Типовые паспортные значения β = 20÷500. Ток эмиттера, таким образом, в соответствии с первым законом Кирхгофа

Iэ = (β +1)_*Iб   (2.8)

Линейный режим работы биполярных транзисторов

В линейном режиме работы биполярный транзистор усиливает входные сигналы.

Простейшие транзисторные схемы, с помощью которых можно усиливать малые напряжения  показаны на рисунке 2.21.  Схемы  такой конфигурации  принято называть схемами (каскадами) с общим эмиттером (схемы ОЭ), т.к. один из выводов БТ  –  эмиттер,  используется для  формирования как входного, так и выходного сигнала  –  является общим для них.  Поясним работу такого усилителя.

Пусть  усиливаемый  сигнал  –  переменное  синусоидальное  напряжение, которое  подаётся  на  вход  схемы  общего эмиттера.  Усиленный  сигнал  снимается  с  выхода схемы ОЭ.  Усиленный сигнал имеет ту же форму синусоиды, но следует в противофазе с входным: когда входная синусоида возрастает, выходная синусоида спадает.

Основная  характеристика  усилителя  –  коэффициент  усиления  входного напряжения, который рассчитывается как

К_ус=ΔU_вых/ΔU_вх ≈ R₂/r_э,   (2.9)

где  r_э  –  сопротивление  эмиттера.  Сопротивление  эмиттера  можно  подсчитать по формуле:

r_э= ϕ_т/I_э = k_*T/q_*I_э ≈ k_*T/q_*I_к,    (2.10)

где  k – постоянная Больцмана,

Т – температура в кельвинах,

q – заряд электрона.

При температуре +25ºС (300 К) ϕт = 26 мВ.

Примечания

1. Существует графический  способ  оценки  r_э.  Для  этого  требуется  знание  входной вольт-амперной характеристики выбранного биполярного транзистора;
2. Коэффициент усиления сигнала по напряжению, как видно из формулы, зависит от температуры. В том случае, когда диапазон работы усилительной схемы широк, применяют чуть более сложные модификации схемы объединенных эмиттеров, более устойчивые к изменению температуры.

Следует иметь в виду, что выражение для  К_ус приблизительное и оно будет тем более справедливо, чем больше β, хорошо, если β >100.

Расчёт схемы ОЭ по постоянному току

На этом этапе нам необходимо рассчитать значения  R1и  R2, которые  задают  режим по постоянному току, а  R2кроме  того входит в выражение для К_ус.

Работа биполярного транзистора описывается входными и выходными характеристиками (показано  на  рисунке  2.22).  Входная  характеристика  I_б=ʄ(U_э),  как  и  следовало  ожидать,  аналогична  характеристике  п/п  диода.  Однако  у  транзистора  поведение этой  характеристики  зависит  (несильно)  ещё  и  от  напряжения  U_кэ.  Поэтому  в технических  описаниях  на  выбранный  транзистор  даются  семейства  входных характеристик, где параметром является  U_кэ. Выходная характеристика ‒ также семейство зависимостей типа I_к= ʄ (U_кэ), параметром для которых является базовый ток I_б.

Оба семейства имеют принципиально нелинейное поведение, однако, это не мешает их использовать для режима линейного усиления. Для этого надо построить  нагрузочную прямую  на выходном семействе,  рассчитать положение на ней рабочей точки (РТ) и определить из графика начальный ток базы.

Нагрузочная прямая строится, как и раньше для диода, между двумя аналогичными точками: 

I_к=  E_пит/R₂  и  U_кэ=Е_пит. В нашем расчёте  мы задались  значениями  Епит=15 В и  I_к =  E_пит/R₂  =30 мА. Тогда  R2=15/0,03 = 500 Ом. Строим прямую и выбираем положение РТ  –  это середина  линейного участка    (показано  на  рисунке  2.22). Линейным участком  будем называть участок нагрузочной прямой  между  напряжением  насыщения  и  напряжением  отсечки.  Параметры РТ в нашем примере соответствуют следующим значениям (показано  на рисунке 2.23): 

U_кэ.рт  ≈ 7 В,  I_к.рт  ≈ 16 мА,  I_{б. рт} ≈ 0,3 мА.

Далее: выбираем из семейства входных ту характеристику, которая соответствует найденному значению U_кэ≈ 7,0 В, задаём I_б = 0,3 мА, и определяем U_бэ≈ 0,65 В. Строим актуальный участок входной нагрузочной прямой и рассчитываем R₁= (15-0,65) В/ 0,3 мА = 45 кОм.

Примечание   –  На практике расчёт проводиться несколько сложнее.

Рассчитаем коэффициент усиления каскада при t°=25 °С.

К_ус = I_э R₂/ ϕ_т = 16 мА × 500 Ом/ 26 мВ ≈ 308.

Важно  теперь  проверить:  не  превышает  ли  мощность,  рассеиваемая  на коллекторе, номинальное паспортное значение выбранного биполярного транзистора.

Расчёт ведётся в рабочей точке:  U_кэ.рт  ×I_к.рт  = 7 В×16 мА=112 мВт. Это значение постоянно и не меняется в режиме усиления входного сигнала, когда напряжения и токи коллектора меняются в широком диапазоне. Это объясняется тем, что напряжение и ток коллектора меняются в этой схеме в  противофазе: когда ток увеличивается, напряжения уменьшается, и наоборот.

Расчёт схемы ОЭ по переменному току

Пример формирования выходных сигналов схемы с ОЭ под воздействием изменения тока базы показан на рисунке 2.23. Под воздействием синусоидально изменяющегося тока базы (синусоида, изображённая пунктиром)  РТ смещается вдоль нагрузочной прямой  сначала вверх до своего максимума, а затем вниз до своего минимума.

По рисунку видим, что при изменении тока базы в диапазоне  от  0,05  до 0,55  мА  с  амплитудой  (0,55-0,05)/2  =  250  мкА,  ток  коллектора  изменяется  в диапазоне примерно от 3 мА до 29 мА с амплитудой (29-3)/2 =  13 мА. Имеем отсюда следующее значение коэффициента усиления по току:

К_i= 13 000/250 = 52

Напряжение коллектора изменяется в диапазоне примерно от 0,5 В до 13 В с амплитудой (13-0,5)/2 = 6,25 В. Ещё раз подчеркнём, что изменение напряжения коллектора осуществляется в противофазе  с изменением входного (усиливаемого) тока: при увеличении тока базы увеличивается коллекторный ток и уменьшается коллекторное напряжение!

Пока мы ничего не говорили о конденсаторах  С1и  С2.   Это  так называемые    разделительные конденсаторы. Они не пропускают  постоянные составляющие усиливаемых напряжений  и пропускают только переменные. Их значения  должны  быть  достаточно  большими:  чем  больше  значения  ёмкостей,  тем меньше  ʄ_н –  минимальная  усиливаемая  частота.  Обычно  эти  конденсаторы имеют значения от 1 до 100 мкФ.

Ключевой режим работы биполярных транзисторов

Смотрим на выходные характеристики БТ.  При  подаче большого тока  в базу (>0,3 мА) напряжение  U_кэ уменьшается до своего минимального значения (типовое  значение  0,2  В).  Говорят  «транзистор  переходит  в  режим  насыщения».

С  другой  стороны,  если  в  базу  ток  не  подавать  (I_{б ~} 0),  то  коллекторный ток прерывается и напряжение на выходе каскада будет равно напряжению питания Е_пит ‒ биполярный транзистор будет находится в «режиме отсечки».

Собственно эти два состояния БТ и описывают  ключевой режим его работы:  ключ (транзистор) включён или выключен, нагрузка подключена к питанию или отключена. Простейшие  ключевые схемы  на БТ показаны на рисунке 2.24.  На  представленных  принципиальных  схемах  показано,  что  управление схемами осуществляется с помощью цифровых сигналов: логического нуля  («0»)и  логической единицы  («1»). В современной практике такие сигналы формируются чаще всего микроконтроллерами.

Обращаем внимание, что оба вида БТ используется в схемах с плюсовым (положительным) питанием (+Е_пит) и нагрузка  в обоих случаях расположена в коллекторной  цепи  БТ.  При  этом:  логическая  единица  в  одном  из  случаев (NPN-транзистор) замыкает ключ, а в другом (PNP-транзистор) – размыкает.

Условие замыкания ключа: I_{б  *}  β  >I_к.нас  ≈  Е_пит/R_нагр. Ток базы приближённо можно рассчитать для обоих случаев так: I_б= (Е_пит-0,6)/R₁.

Зная  напряжение  питания,  сопротивление  нагрузки  и  коэффициент  усиления тока базы β, можно рассчитать по указанным формулам R_1.

Конструктивные разновидности биполярных транзисторов

Конструктивные разновидности биполярных транзисторов показаны на рисунке 2.25.

Проверка работоспособности биполярных транзисторов

Многие  мультиметры  позволяют  измерять  коэффициент  усиления  тока базы (β; h₂₁) транзисторов  с гибкими выводами.  На рисунке  2.26    показано типовое решение этой задачи. В специальный разъём, соблюдая указанный на лицевой панели порядок, подключается транзистор.  Значение  β  высвечивается на дисплее.

Примечания 

1. NPN- и PNP-транзисторы имеют раздельные гнёзда для подключения.
2. Для обоих типов транзисторов предусмотрено по два гнезда для подключения эмиттера. Это связано с возможными конструктивными различиями в цоколёвках транзисторов.

Введение в биполярные транзисторы (BJT)

Добавлено 29 августа 2017 в 19:10

Сохранить или поделиться

Изобретение биполярного транзистора (БТ, BJT) в 1948 году привело к революции в электронике. Технические трюки, ранее требующие относительно больших, механически хрупких, потребляющих много энергии вакуумных ламп, неожиданно достигались с помощью крошечных, механически прочных, потребляющих мало энергии частиц кристаллического кремния. Эта революция позволила разработать и изготовить легкие, недорогие электронные устройства, которые мы сейчас считаем само собой разумеющимися. Понимание того, как работают транзисторы, имеет первостепенное значение для всех, кто интересуется электроникой.

Я собираюсь максимально сосредоточиться на практических назначении и применении биполярных транзисторов, а не исследовать квантовый мир теории полупроводников. Обсуждение электронов и дырок, по-моему, лучше оставить для другой главы. Здесь я хочу выяснить, как использовать эти компоненты, а не анализировать их внутренние детали. Я не хочу умалять важность понимания физики полупроводников, но иногда интенсивное фокусирование на физике твердотельных приборов умаляет понимание функций этих приборов на уровне компонентов. Однако, используя этот подход, я полагаю, что читатель обладает определенными минимальными знаниями о полупроводниках: о разнице между легированными “P” и “N” полупроводниками, о функциональных характеристиках PN (диодного) перехода, о значениях терминов “обратное смещение” и “прямое смещение”. Если эти понятия вам не совсем ясны, то прежде, чем приступить к этой главе, лучше обратиться к предыдущим главам этой книги.

Биполярный транзистор состоит из трехслойного «сэндвича» из легированных полупроводниковых материалов, либо P-N-P на рисунке ниже (b), либо N-P-N на рисунке ниже (d). Каждый слой, образующий транзистор, имеет определенное название, и каждый слой снабжен проводным контактом для подключения к внешней схеме. Условные графические обозначения показаны на рисунке ниже (a) и (c).

Биполярный транзистор (БТ, BJT): PNP (a) условное обозначение и (b) физический макет, NPN (c) условное обозначение и (d) физический макет

Функциональной разницей между PNP транзистором и NPN транзистором является правильность (полярность) смещения перехода во время работы. Для любого заданного режима работы направления токов и полярности напряжений для каждого типа транзисторов находятся в точности противоположно друг другу.

Биполярные транзисторы работают как регуляторы тока, управляемые током. Другими словами, транзисторы ограничивают величину проходящего тока в соответствии с меньшим управляющим током. Основной поток электронов, который управляется, протекает от коллектора к эмиттеру или от эмиттера к коллектору в зависимости от типа транзистора (PNP и NPN, соответственно). Маленький поток электронов, который управляет основным током, протекает от базы к эмиттеру или от эмиттера к базе опять же в зависимости от типа транзистора (PNP и NPN, соответственно). В соответствии со стандартами обозначений полупроводниковых приборов стрелка всегда указывает в направлении, противоположном направлению потока электронов (рисунок ниже).

Маленький поток электронов база-эмиттер управляет большим потоком электронов коллектор-эмиттер, протекающим в направлении, противоположном направлению стрелки эмиттера (направления электрического тока, которое принято считать направлением от «+» к «–», совпадает с направлением стрелки эмиттера)

Биполярные транзисторы называются биполярными потому, что основной поток электронов через них происходи в двух типах полупроводникового материала: P и N, поскольку основной ток идет от эмиттера к коллектору (или наоборот). Другими словами, два типа носителей заряда – электроны и дырки – входят в состав этого основного тока через транзистор.

Как вы можете видеть, управляющий ток и управляемый ток всегда соединяются вместе в выводе эмиттера, и их электроны всегда текут против направления стрелки транзистора. Это первое и главное правило в использовании транзисторов: все токи должны протекать в правильном направлении, чтобы устройство работало как регулятор тока. Маленький управляющий ток обычно называют просто током базы, потому что он является единственным током, который проходит через вывод базы транзистора. И наоборот, большой управляемый ток называется током коллектора, потому что он является единственным током, который проходит через вывод коллектора. Ток эмиттера представляет собой сумму тока базы и тока коллектора в соответствии с законом токов Кирхгофа.

Отсутствие тока через базу транзистора выключает его подобно разомкнутому ключу и предотвращает протекание тока через коллектор. Ток базы превращает транзистор в что-то похожее на замкнутый ключ и дает пропорциональному значению тока пройти через коллектор. Ток коллектора в основном ограничивается током базы, независимо от величины напряжения, доступного для его раскачки. В следующем разделе будет более подробно рассмотрено использование биполярных транзисторов в качестве переключающих элементов.

Подведем итоги:

• Биполярные транзисторы названы так потому, что контролируемый ток должен проходит через два типа полупроводникового материала: P и N. Ток в разных частях транзистора состоит из обоих потоков: и электронов, и дырок.
• Биполярные транзисторы состоят либо из P-N-P, либо из N-P-N полупроводниковой «сэндвичной» структуры.
• Три вывода биполярного транзистора называются эмиттер, база и коллектор.
• Транзисторы функционируют как регуляторы тока, позволяя небольшому току управлять большим током. Величина тока, доступного между коллектором и эмиттером, в основном определяется величиной тока, протекающего между базой и эмиттером.
• Для правильного функционирования транзистора в качестве регулятора тока, управляющий (базовый) ток и управляемый (коллекторный) ток должны идти в правильных направлениях: складываться в эмиттере, поток электронов должен быть направлен противоположно направлению стрелки эмиттера, и, следовательно, направление электрического тока (протекающего от «+» к «–») должно совпадать с направлением стрелки эмиттера.

Оригинал статьи:

Теги

PN переходБиполярный транзисторОбучениеЭлектроника

Сохранить или поделиться

Что такое биполярный транзистор и как его проверить мультиметром? | ASUTPP

Любому пользователю, даже не владеющему тонкостями радиотехники и электроники, знакомо понятие “биполярный транзистор”. Но что это такое и как этот электронный элемент работает – известно далеко на всем. Многих любителей также интересует вопрос проверки его работоспособности.

Что это такое

Биполярный транзистор – это классический полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на возможностях двух входящих в его состав p-n переходов. Причем при производстве они могут формироваться в двух сочетаниях, обозначаемых как n-p-n и p-n-p структуры (фото ниже).

Благодаря объединению двух переходов удается получить устройство, способное изменять параметры подаваемого на его вход сигнала, увеличивая амплитуду в сотни раз. Средняя (общая) часть переходной структуры называется базой, а расположенные по ее сторонам участки – эмиттером и коллектором.

Обратите внимание: Первый получил свое называние из-за того, что из него осуществляется эмиссия электронных переносчиков заряда, а второй – потому что в этой области происходит их собирание.

За счет возможности управления потоком электронных носителей транзистор и приобрел свои удивительные свойства усиливать сигналы.

Как проверить транзистор

Для понимания сути проверки биполярного транзистора его удобно изобразить в виде пары встречно или обратно включенных диодов (в зависимости от типа проводимости). Структура p-n-p будет выглядеть так, как это изображено на фото ниже:

Использование такого графического приема очень удобно с практической точки зрения. Оно позволяет убедиться в исправности транзистора путем измерения сопротивления двух диодных переходов.

Важно! Из практики известно что для кремниевых изделий сопротивление перехода в прямом направлении составляет в среднем 0,6 Вольта (то же значение для германиевых аналогов равно 0,2-0,3 Вольтам).

При измерении сопротивления в обратном направлении на дисплее должна высвечиваться бесконечность. Из этого следует, что, измерив переходы двух диодов, можно сделать вывод об исправности транзистора.

Итак, для его проверки нужно проделать следующие операции:

• Взять мультиметр и перевести его в режим измерения диодов.
• Далее нужно приложиться концами щупов к базе и коллектору в прямом направлении (фото выше).
• Прибор должен показать 0,6 Вольта.
• Затем следует поменять полярность подсоединения щупов, после чего на табло высветится “1” (бесконечность).
• После этого те же операции проделываются со вторым переходом (результаты должны быть аналогичные).
• В заключение нужно прикоснуться щупами к коллектору и эмиттеру транзистора, меняя полярность подключения.
• В обоих случаях прибор будет показывать бесконечность.

При несоответствии хотя бы одного из показаний значениям, представленным в этой методике, транзистор следует считать неисправным. Для структуры p-n-p все проверочные операции будут отличаться только полярностью подключения щупов (фото ниже).

В чем различие между PNP и NPN транзистором?

Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP. Транзистор имеет три вывода, известные как эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). На рисунке, приведенном ниже, изображен NPN транзистор где, при основных режимах работы (активном, насыщении, отсечки) коллектор имеет положительный потенциал, эмиттер отрицательный, а база используется для управления состоянием транзистора.

Физика полупроводников в этой статье обсуждаться  не будет, однако, стоит упомянуть, что биполярный транзистор состоит из трех отдельных частей, разделенных двумя p-n переходами. Транзистор PNP имеет одну N область, разделенную двумя P областями:

Транзистор NPN имеет одну P область, заключенную между двумя N областями:

Сочленения между N и P областями аналогичны переходам в диодах, и они также могут быть с прямым и обратным смещением p-n перехода. Данные устройства могут работать в разных режимах в зависимости от типа смещения:

• Отсечка: работа в этом режиме тоже происходит при переключении. Между эмиттером и коллектором ток не протекает, практически «обрыв цепи», то еесть «контакт разомкнут».
• Активный режим: транзистор работает в схемах усилителей. В данном режиме его характеристика практически линейна. Между эмиттером и коллектором протекает ток, величина которого зависит от значения напряжения смещения (управления) между эмиттером и базой.
• Насыщение: работает при переключении. Между эмиттером и коллектором происходит практически «короткое замыкание» , то есть «контакт замкнут».
• Инверсный активный режим: как и в активном, ток транзистора пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Используется очень редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на коллектор для создания тока от коллектора к эмиттеру. В PNP транзисторе положительное напряжение подается на эмиттер для создания тока от эмиттера к коллектору. В NPN ток течет от коллектора (К) к эмиттеру (Э):

А в PNP ток протекает от эмиттера к коллектору:

Ясно, что направления тока и полярности напряжения в PNP и NPN всегда противоположны друг другу. Транзисторы NPN требуют питания с положительной полярностью относительно общих клемм, а PNP транзисторы требуют отрицательного питания.

PNP и NPN работают почти одинаково, но их режимы отличаются из-за полярностей. Например, чтобы перевести NPN в режим насыщения, U_Б должно быть выше, чем U_К и U_Э. Ниже приводится краткое описание режимов работы в зависимости от их напряжения:

Основным принципом работы любого биполярного транзистора является управление током базы для регулирования протекающего тока между эмиттером и коллектором.  Принцип работы NPN и PNP транзисторов один и тот же. Единственное различие заключается в полярности напряжений, подаваемых на их N-P-N и P-N-P переходы, то есть на эмиттер-базу-коллектор.

Что такое биполярный транзистор с изолированным затвором?

На самом простом уровне биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – это переключатель, используемый для обеспечения притока энергии, когда он включен, и для остановки потока энергии, когда он выключен. IGBT – это твердотельное устройство, то есть оно не имеет движущихся частей. Вместо того, чтобы открывать и закрывать физическое соединение, оно работает, прикладывая напряжение к полупроводниковому компоненту, называемому базой, который меняет свои свойства, чтобы создать или заблокировать электрический путь.

Самым очевидным преимуществом этой технологии является отсутствие движущихся частей. Твердотельные технологии не совершенны. Все еще существуют проблемы с электрическим сопротивлением, требованиями к питанию и даже временем, необходимым для работы коммутатора.

Биполярный транзистор с изолированным затвором – это усовершенствованный тип транзистора, разработанный для минимизации некоторых недостатков обычного твердотельного транзистора. Он предлагает низкое сопротивление и быструю скорость при включении, найденном в мощных полевых транзисторах металл-оксид-полупроводник (MOSFET), хотя его выключение немного медленнее. Это также не требует постоянного источника напряжения, как это делают другие типы транзисторов.

Когда IGBT включен, напряжение подается на затвор. Это формирует канал для электрического тока. Базовый ток затем подается и протекает через канал. Это по сути идентично тому, как работает MOSFET. Исключением является то, что конструкция биполярного транзистора с изолированным затвором влияет на то, как отключается цепь.

Биполярный транзистор с изолированным затвором имеет другую подложку или материал основы, чем полевой МОП-транзистор. Подложка обеспечивает путь к заземлению. МОП-транзистор имеет подложку N +, а подложка IGBT – P + с буфером N + сверху.

Эта конструкция влияет на способ выключения выключателя в IGBT, позволяя ему происходить в два этапа. Во-первых, ток падает очень быстро. Во-вторых, возникает эффект, называемый рекомбинацией, во время которого буфер N + в верхней части подложки устраняет накопленный электрический заряд. Выключение происходит в два этапа, это занимает немного больше времени, чем с MOSFET.

Их свойства позволяют изготавливать IGBT меньше, чем обычные MOSFET. Стандартный биполярный транзистор требует немного большей площади поверхности полупроводника, чем IGBT; МОП-транзистор требует более чем в два раза больше. Это значительно снижает стоимость производства IGBT и позволяет интегрировать большее их количество в один чип. Потребность в мощности для работы биполярного транзистора с изолированным затвором также ниже, чем в других приложениях.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

Как проверить силовые транзисторы. Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую .

Как проверить транзистор, самым сложным здесь является поиск справочной документации на конкретный транзистор. Могу предложить вам в помощь огромный справочник радиоэлементов из которых мы узнаем о нем все.

Проверка биполярных транзисторов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому транзистор можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n транзистора эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для транзистора p-n-p катодами. Транзистор считается исправным, если исправны оба перехода.

Для проверки транзистора один щуп мультиметра присоединяют к базе транзистора, а вторым щупом поочередно дотрагиваются к эмиттеру и коллектору. Затем меняют щупы местами и повторяют измерение.

Теперь чуть подробнее: Возьмем транзистор структуры N-P-N и проверим эмитерный переход для этого плюсовой щуп тестера подключаем к базе, а минусовой к эммитеру.

Как видим эмитерный переход в прямом подключение имеет небольшое сопротивление, затем мы должны увидеть аналогичные результаты на коллекторном переходе.

А вот затем мы меняем щупы местами и подключаем к области P – минусовой щуп мультиметра, а к области N соотвественно плюсовой щуп. На экране мы должны увидеть бесконечно большое сопротивление.

По результатам четырех измерений мы делаем вывод, что данный транзистор исправен и успешно может быть применен нами в наших радиолюбительских опытах

Как проверить транзистор простой пробник схема

Схема выполнена на основе симметричного мультивибратора, но отрицательными обратными связями через конденсаторы С1 и С2. В момент времени, когда второй транзистор закрыт, положительный потенциал через открытый первый транзистор создаст слабое сопротивление на входе и, таким образом, увеличит нагрузочное качество пробника. С эмиттера VT1 положительный импульс поступает через конденсатор С1 на выход мультивибратора. Через открытый VT2 и диод VD1, конденсатор С1 начинает разряжаться.

Полярность выходных импульсов с выходов мультивибратора меняется с частотой 1 кГц и амплитудой около 4 вольт. Импульсы с одного из выходов мультивибратора поступают на разъем X3 и на эмиттер проверяемого на работоспособность транзистора, с другого выхода на разъем X2 база через резистор R5, а также и на разъем X1 пробника подключенного к коллектору исследуемого на работоспособность транзистора через резистор R6, светодиоды HL1, HL2 и динамик.

Если проверяемый прибор исправен засветится один из светодиодов (в случае n-p-n структуры испытуемого – HL1, при p-n-p – HL2) Если же загорятся оба светодиода – транзистор пробит, если не загорятся совсем, значит у проверяемого транзистора внутренний обрыв.

Для проверки диодов, исследуемый полупроводник подключают к разъемам X1 и X3. При исправном диоде будет светится один из светодиодов, в зависимости от полярности. Кроме световой индикации пробник оснащен звуковой сигнализацией, что очень полезно при ремонте электронной техники.

Схема похожа на предыдущую, но в ней используется микросхема К555ЛА3, а точнее ее логические элементы.

DD1.4 используется в роли выходного инвертирующего каскада. От резистора R1 и конденсатора C1 меняется частота следования выходных импульсов. Пробник, кроме проверки транзисторов и диодов можно, использовать и для проверки электролитических конденсаторов. Его контакты подсоединены к выводам Х1 и Х3. Поочередное свечение светодиодов косвенно свидетельствует об исправном электролитическом конденсаторе. Время свечения светодиодов определяется величиной емкости конденсатора.

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.

Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).

Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.

Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.

Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).

Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром » при проверке полупроводникового диода.

Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер – n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.

В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.

Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э . Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э , что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.

Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.

Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.

Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».

Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К , результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».

Меняем полярность (красный -коллектор, черный – эмиттер) результат – «1».

Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен .

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.

При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность. Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями. Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p . Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+ ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (+ ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный ) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω , буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503 . Он имеет структуру n-p-n . Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка , поясняю. Цоколёвка – это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С ), эмиттер (Э или англ.- Е ), база (Б или англ.- В ).

Сначала подключаем красный (+ ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении . В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1 ». Если на дисплее единица «1 », то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1 », что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении .

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1 ». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1 ». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые “строчники”) и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал .

Блин, какое страшное слово! Думаю, у всех чайников транзистор ассоциируется с чем-то очень трудным и непонятным. Но, уверяю вас, мои дорогие чайники, ничего трудного нету в транзисторе. Давайте же для начала разберемся, что он вообще из себя представляет и как его можно проверить на работоспособность.

Сразу оговорюсь, в нашей статье мы будет проверять биполярные транзисторы. Что это значит? А значит это то, что эти транзисторы состоят из двух P-N переходов. P-N переходы, дырки, электроны бла бла бла… Ну нафиг! Нам это не надо знать, как там ведут себя электроны, а как дырки и тд и тп. Просто знайте, если ток будет течь через P-N переход, то он сможет течь только в одном направлении. Из P-N перехода сделаны все диоды. А как вы знаете, диод пропускает ток тольков в одном направлении, и не пропускает в другом направлении. То есть другими словами, в одном направлении сопротивление диода маленькое, а в другом – очень большое. Это мы с вами видели в статье как проверить диод мультиметром .

Биполярный транзистор, как я уже сказал, состоит из двух P-N переходов. А в зависимости, как расставлены материалы P и N, так и называется транзистор. На рисунке ниже схематическое обозначение P-N-P транзистора:

Его выводы обозначаются, как эммитер, база и коллектор. Материал, который посередине, между двумя другими материалами, называется в транзисторе базой. Эммитер и коллектор находятся по краям и состоят из одного какого либо одинакового материала. В P-N-P транзисторе ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Все просто:-). Схематическое обозначение P-N-P транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора – N-P-N. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Принцип его действия схож с P-N-P транзистором, просто здесь ток течет уже в другом направлении.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного P-N перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор.

Ну чтоже, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что нам написали на транзисторе: С4106. Теперь залезаем в интернет и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется datasheet. Прямо так и вбиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся с английскими буквами. А вот я и даташит на него нарыл:

Нас больше всего интересует распиновка контактов. То есть нам нужно узнать, какой вывод что из себя представляет. Для этого транзистора нам нужно узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор. В этом и вся прелесть даташита.

А вот и схемка распиновки:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер.

Возвращаемся к нашему рисуночку

Наш подопечный – это N-P-N транзистор. Получается, если он здоров, то у нас будет маленькое падение напряжения в миллиВольтах, если мы приложим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору или эммитеру. А если мы приложим “минус” к базе, а “плюс” к коллектору или эмиттеру, то увидим единичку на мультике. Начинаем проверять диоды транзистора, как мы это делали при проверке диодов в статье Как проверить диод мультиметром .

Ставим на прозвонку и начинаем мусолить наш транзистор. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ок, прямой P-N переход должен обладать небольшим падением напряжения для кремниевых транзисторов 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милиВольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эммитер, поставив на базу “плюс” , а на эммитер “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого P-N перехода. Все ок.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на P-N переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эммитер.

Здесь у нас мультик также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с Вами рассмотрели. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультик на прозвонку и цепляемя к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что P-N переход пробит, а раз уж он пробит, то можно смело выкидывать такой транзистор в мусорку.

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда отыскивать даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Что это значит? Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два или даже больше транзисторов или даже диоды наряду с транзистором вместе. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы выполняют, как транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы или преобразователи напряжения или даже какая нибудь заморская микросхемка. Вот так-то! Не ленитесь отыскивать даташиты на проверяемые транзисторы.

Определение биполярного транзистора | PCMag

Также называемый «транзистор с биполярным соединением» (BJT), это одна из двух основных категорий транзисторов; другой – «полевой транзистор» (FET). Хотя в первых транзисторах и первых кремниевых микросхемах использовались биполярные транзисторы, большинство современных микросхем представляют собой полевые транзисторы, подключенные по схеме КМОП, которые потребляют меньше энергии (см. Полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы). Биполярные транзисторы

доступны как отдельно упакованные дискретные компоненты, так и сотни тысяч на одном кристалле.

Высокая мощность, высокая частота
Хотя общий рынок биполярных транзисторов сократился, они по-прежнему используются для приложений большой мощности и высокочастотных (RF) приложений, которые достигают гигагерцового диапазона. Например, с 1997 по 2002 год мировые продажи биполярных микросхем упали с 1,5 миллиарда долларов до 226 миллионов долларов, что соответствует последним из 136 миллиардов долларов на рынке полупроводников. См. Транзистор, IGBT и BiCMOS.

Первый транзистор был биполярным

В 1954 году компания Texas Instruments первой изобрела биполярный транзистор.Хотя BJT изготавливаются в микроскопических пропорциях на микросхемах, отдельные дискретные BJT, подобные этому, все еще широко используются. (Изображение любезно предоставлено Texas Instruments, Inc.)

Биполярный транзистор NPN

Биполярные транзисторы представляют собой либо сэндвич из кремния p-типа, окруженный областями n-типа, либо n-тип, окруженный p-типом. Чтобы включить NPN BJT (пример выше), отрицательный потенциал подается на вывод эмиттера, а положительный – на коллектор.Когда на базу подается положительное напряжение, электроны могут перемещаться от эмиттера к коллектору. Для PNP BJT полярность обратная. Название «биполярный» происходит от использования как мобильных носителей (электронов, так и дырок).

Биполяры увеличивают мощность

Биполярным транзисторам требуется постоянное напряжение на базе, чтобы транзистор оставался закрытым (включен) и ток протекал от эмиттера к коллектору. В полевых транзисторах (FET), используемых в кристаллах CMOS, транзистор закрывается (включается) за счет зарядки затвора, и ток используется только во время периода зарядки затвора (см. FET и MOSFET).

Биполярный транзистор

– обзор

5.01.2.1 Плотность тока коллектора

В отличие от SiGe BJT с гомопереходом, наиболее выраженным явлением постоянного тока в SiGe HBT является увеличение плотности тока коллектора. В следующем анализе, чтобы получить выражение в замкнутой форме для тока коллектора, мы предполагаем случай преобладающих npn-транзисторов, хотя результаты в равной степени могут быть применены к pnp-транзисторам.Отдельно рассматриваются два случая: однородный состав Ge и градиентный состав Ge по нейтральному основанию.

Отправной точкой для обоих случаев является обобщенное соотношение Молла – Росса (Kroemer, 1985), которое представляет плотность тока коллектора в прямом активном режиме работы биполярных транзисторов:

(4) FC = qeqVBE / kT∫0WBNB ( x) DnB (x) niB2 (x) dx,

, где N _B , D _{n B} и n _{i B} – концентрация допирования , константа диффузии электронов и собственная концентрация носителей, соответственно, в области нейтрального основания и W _B – ширина нейтрального основания при смещении V _BE .

Сначала рассмотрим случай однородного состава Ge. Если мы предположим однородную концентрацию легирования и, следовательно, постоянную равномерной диффузии по базовой области, плотность тока коллектора станет

(5) FC, SiGe, unif = qniB2DnBNBWBeqVBE / kT.

Теперь вспомним общее выражение для n _i ² , которое дается как:

(6) ni2 = (NCNV) e − Eg / kT,

, где E _g – ширина запрещенной зоны, N _C и N _V – эффективная плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне соответственно.Тогда n _iB ² базовой области SiGe можно выразить как

(7) niB2 = (NCNV) SiGee− (EgB, Si − ΔEgB, SiGe) / kT,

, где Δ E _{gB, SiGe} представляет собой уменьшение ширины запрещенной зоны из-за добавления Ge в базовую область. Из уравнений (7) и (5) плотность тока SiGe HBT с однородным составом Ge на основании определяется как (Harame et al. , 1995)

(8) FC, SiGe, unif = qDnB ( NCNV) BNBWBe− (EgB, Si − ΔEgB, SiGe) / kTeqVBE / kT = γηeΔEgB, SiGe / kT · FC, Si,

, где γ и η учитывают уменьшение эффективной плотности состояний и усиление деформации. подвижности неосновных носителей заряда в базе SiGe по сравнению с аналогом Si:

(9) γ≜ (NCNV) SiGe (NCNV) Si

(10) η≜μn, SiGeμn, Si = Dn, SiGeDn, Si.

где μ _n – подвижность неосновных электронов в основной области. J _{C, Si} – плотность тока коллектора для гомоперехода Si BJT, которая задается как

(11) FC, Si = qni, Si2Dn, SiNBWBeqVBE / kT.

Следовательно, коэффициент увеличения плотности тока коллектора для SiGe HBT с однородным составом Ge равен γηeΔEgB, SiGe / kT. Поскольку произведение γη существенно не отличается от единицы, можно предположить, что усиление в основном определяется экспоненциальным множителем eΔEgB, SiGe / kT.При типичном диапазоне состава Ge 10–20% коэффициент усиления может составлять от ∼35 до ∼900 при комнатной температуре. Число может быть еще больше при более низких температурах.

Далее рассматривается база с градиентным составом Ge. Этот случай, безусловно, более сложен, поскольку нам нужно фактически выполнить интегрирование в текущем выражении, но вскоре будет показано, что мы все еще можем получить выражение в замкнутой форме, если градация является линейной. Если мы предположим однородную концентрацию легирования и введем усредненные по нейтральной базовой области значения для постоянной диффузии электронов и эффективной плотности состояний, которые обозначены тильдой, то плотность тока коллектора можно выразить как

(12) FC, SiGe , grad = q (N∼CN∼V) SiGee − EgB, Si / kTD∼nBNB∫0WBe − ΔEgB, SiGe (x) / kTdxeqVBE / kT,

, где Δ E _{gB, SiGe} ( x ) представляет собой уменьшение ширины запрещенной зоны в основной области из-за добавления Ge в позиции x .Для линейно-градиентного состава Ge уменьшение ширины запрещенной зоны может быть приблизительно равно

(13) ΔEgB, SiGe (x) = ΔEgB, SiGe (WB) −ΔEgB, SiGe (0) WBx + ΔEgB, SiGe (0) = ΔEgB , SiGe (степень) WBx + ΔEgB, SiGe (0),

, где Δ E _{gB, SiGe} (степень) определяется как общая градация ширины запрещенной зоны в нейтральной базовой области. Также мы можем определить усредненные факторы как

(14) γ∼≜ (N∼CN∼V) SiGe (NCNV) Si

(15) η∼≜D∼n, SiGeDn, Si.

Из уравнения (12) к уравнению (15) плотность тока коллектора SiGe HBT с линейно-градиентным составом Ge определяется как

(16) FC, SiGe, grad = γ∼η∼eΔEgB, SiGe (0) / kTΔEgB, SiGe (степень) kT (1 − e − ΔEgB, SiGe (степень) / kT) × qni, Si2Dn, SiNBWBeqVBE / kT = γ∼η∼eΔEgB, SiGe (0) / kTΔEgB, SiGe (степень) kT ( 1 − e − ΔEgB, SiGe (марка) / kT) ⋅FC, Si.

Следовательно, коэффициент увеличения плотности тока коллектора для SiGe HBT с линейно-градиентным составом Ge определяется как

γ∼η∼eΔEgB, SiGe (0) / kTΔEgB, SiGe (степень) kT (1 − e − ΔEgB, SiGe (марка) / тыс. Т).

Для типичной градации Ge 10–20% экспоненциальным членом в знаменателе можно пренебречь, и в этом случае коэффициент усиления будет уменьшен до

γ∼η∼eΔEgB, SiGe (0) / kTΔEgB, SiGe ( сорт) кт.

По сравнению со случаем однородного состава Ge, показатель степени в экспоненциальном члене, Δ E _{gB, SiGe} , теперь является конкретным значением на краю нейтральной базы со стороны эмиттера, а не значением по всей базе область, край.Кроме того, линейный коэффициент Δ E _{gB, SiGe} / kT накладывает дополнительный эффект на улучшение. Другими словами, есть два фактора, экспоненциальный и линейный, которые способствуют увеличению плотности тока коллектора для случая градиентного состава Ge. Экспоненциальный множитель определяется составом Ge в начальной точке сортировки по нейтральному основанию. Линейный коэффициент определяется суммой общей градации по нейтральной базовой области.Поскольку линейный фактор не очень существенен по своему влиянию, состав Ge на эмиттерной стороне нейтральной базы должен поддерживаться на значительном уровне для достижения достаточно большого увеличения плотности тока коллектора.

Обратите внимание, что приведенный выше анализ не учитывал явный эффект сужения запрещенной зоны из-за сильного легирования. Если учесть этот эффект, фактическая плотность тока коллектора будет больше в eΔEgBapp / kT раз, чем предоставленный анализ, где Δ E _gB ^app представляет собой видимое сужение запрещенной зоны из-за сильного легирования.Однако его влияние на коэффициент усиления по сравнению с Si BJT с гомопереходом будет незначительным, если сужение будет одинаковым для Si и SiGe-базы.

Биполярный переходной транзистор

Введение

Биполярный переходной транзистор определение

А биполярный переходный транзистор или BJT – трехконтактный электронное устройство, усиливающее ток.Это устройство, управляемое током. В биполярном соединении транзистор, электрический ток проводится обоими свободными электронами и дырки.

В отличие от нормальный пн переходной диод, транзистор имеет два p-n переходы.

Типы Биполярные переходные транзисторы (БЮТ)

транзисторы с биполярным переходом образованы сэндвичем либо n-тип или р-типа полупроводник слой между парами полупроводников противоположной полярности слои.

Биполярный соединение Транзисторы делятся на два типа в зависимости от их строительство: Их

• NPN транзистор
• PNP транзистор

NPN транзистор

Когда один полупроводниковый слой p-типа зажат между двумя полупроводниковые слои n-типа, транзистор называется npn транзистор

PNP транзистор

Когда один полупроводниковый слой n-типа зажат между двумя полупроводниковые слои p-типа, транзистор называется pnp транзистор.

Оба Транзисторы PNP и NPN состоят из трех выводов: они эмиттер, база и коллектор.

Клеммы БЮТ

Эмитент:

Как название предполагает, секция эмиттера обеспечивает заряд перевозчики. Секция эмиттера сильно легирована, так что она может вводят в базу большое количество носителей заряда.В размер излучателя всегда больше базы.

База:

средний слой называется базовым. База транзистора очень тонкий по сравнению с эмиттером и коллектором. Это очень слегка допированный.

Коллектор:

Функция коллектора – собирать носители заряда.это умеренно легированный. Это уровень легирования коллектора. Раздел находится между эмиттером и базой. Размер коллектор всегда больше эмиттера и базы. В площадь коллектора в транзисторе значительно больше, чем область излучателя. Это потому, что коллекторный регион должен обрабатывают большую мощность, чем эмиттер, и большую площадь поверхности требуется для отвода тепла.

В транзистор усиление достигается за счет пропускания входного тока от область низкого сопротивления к области высокого сопротивления.

Приложения биполярного переходного транзистора

различные области применения биполярных переходных транзисторов включают в себя:

• Телевизоры
• мобильный телефоны
• Компьютеры
• Радио передатчики
• Аудио усилители

Как это работает »Электроника

Описание того, что такое транзистор, как работает биполярный транзистор, а также сведения о транзисторах NPN и PNP.

---

Transistor Tutorial:
Основы транзисторов Усиление: Hfe, hfe и бета Характеристики транзистора Коды нумерации транзисторов и диодов Выбор транзисторов на замену

---

Транзисторы лежат в основе современной электронной техники. Развитие биполярного транзистора или биполярного переходного транзистора, BJT, привело ко многим изменениям в мире.

Введение биполярного транзистора позволило использовать многие технологии, которые мы сегодня воспринимаем как должное: от портативных транзисторных радиоприемников до мобильных телефонов и компьютеров, удаленного управления, функций, которые мы принимаем как должное в современных автомобилях, и т. Д.. . . Все эти и многие другие предметы повседневного обихода стали возможны благодаря изобретению транзистора.

Сегодня биполярные транзисторы доступны во многих формах. Существует базовый транзистор с выводами или транзистор для поверхностного монтажа. Но транзисторы также широко используются в интегральных схемах. Большинство цифровых ИС используют технологию полевого эффекта, но многие аналоговые ИС используют биполярную технологию для обеспечения требуемой производительности.

Вместе с их полевыми транзисторами, полевыми транзисторами, родственниками, использующими совершенно другой принцип, биполярный транзистор составляет основу большинства современного электронного оборудования, будь то дискретные устройства или интегральные схемы.

Выбор транзисторов с пластиковыми выводами

Разработка транзисторов

Полупроводниковая технология хорошо известна, но используется уже более ста лет. Первые полупроводниковые эффекты были замечены еще в начале 1900-х годов, когда использовались первые беспроводные или радиоприемники. В качестве детекторов исследовались различные идеи.

Термоэмиссионный клапан или технология вакуумных трубок была представлена ​​в 1904 году, но эти устройства были дорогими, а также требовали питания от батареи.Вскоре после этого был обнаружен детектор Cat’s Whisker. Он состоял из тонкой проволоки, помещенной на один из нескольких типов материала. Эти материалы известны сегодня как полупроводники и составляют основу современной электронной техники.

Примечание к истории транзисторов:

Биполярный транзистор был изобретен тремя исследователями, работающими в Bell Labroratories: Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли. Они работали над идеей, в которой для управления током в полупроводнике использовался эффект поля, но они не смогли реализовать эту идею.Они обратили свое внимание на другую возможность и создали трехконтактное устройство, используя два близко расположенных точечных контакта на пластине из германия. Эта идея сработала, и они смогли продемонстрировать, что она принесла прибыль в конце 1949 года.

Подробнее о История биполярных транзисторов

Старый биполярный транзистор OC71

После того, как была разработана основная идея, потребовалось некоторое время, прежде чем полупроводниковая технология была принята, но как только это произошло, она стала популярной, как мы знаем сегодня.

Что такое биполярный транзистор

стоит в двух словах определить, что такое биполярный транзистор:

Определение биполярного транзистора:

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей P-типа или N-типа – область одного типа зажата между областями другого. Транзистор в основном усиливает ток, но его можно включать в схемы, предназначенные для усиления напряжения или мощности.

Биполярный транзистор необходимо отличать от полевого транзистора.Биполярный транзистор, BJT, получил свое название от того факта, что в своей работе он использует как дырки, так и электроны. Полевые транзисторы – это униполярные устройства, использующие один или любой из типов носителей заряда.

Биполярный транзистор, или точнее биполярный транзистор с переходным соединением, BJT, имеет два PN-диодных перехода, соединенных спиной друг к другу. Биполярный транзистор имеет три вывода, которые называются эмиттер, база и коллектор.

Транзистор усиливает ток – биполярные транзисторы являются устройствами тока, в отличие от вакуумных ламп с термоэлектронными лампами и полевых транзисторов, которые являются устройствами напряжения.Ток, протекающий в цепи базы, влияет на ток, протекающий между коллектором и эмиттером.

Примечание по конструкции схемы транзистора:

Транзистор представляет собой трехполюсное устройство, обеспечивающее усиление по току. Существует три конфигурации, которые можно использовать для транзистора: общий эмиттер, общий коллектор и общая база. Каждый из них имеет разные характеристики, и, спроектировав схему на основе одной из этих конфигураций, можно достичь требуемых характеристик.

Подробнее о Схема биполярного транзистора

Базовая структура транзистора

Транзистор представляет собой устройство с тремя выводами и состоит из трех отдельных слоев. Два из них легированы, чтобы дать один тип полупроводника, а есть противоположный тип, то есть два могут быть n-типа и один p-тип, или два могут быть p-типа, а один может быть n-типом. расположены так, что два одинаковых слоя транзистора смещают слой противоположного типа.В результате эти полупроводниковые устройства обозначаются как транзисторы PNP или транзисторы NPN в зависимости от способа их изготовления.

Базовая структура и символы схем для транзисторов NPN и PNP

Названия трех электродов широко используются, но их значения не всегда понятны:

• База: База транзистора получила свое название от того факта, что в ранних транзисторах этот электрод служил основой для всего устройства.Первые транзисторы с точечным контактом имели два точечных контакта, размещенных на основном материале. Этот базовый материал сформировал базовое соединение. . . и название прижилось.
• Эмиттер: Эмиттер получил свое название от того факта, что он испускает носители заряда.
• Коллектор: Коллектор получил свое название от того факта, что он собирает носители заряда.

Для работы транзистора важно, чтобы область базы была очень тонкой.В современных транзисторах ширина базы обычно может составлять всего около 1 мкм. Тот факт, что базовая часть транзистора тонкая, является ключом к работе устройства

.

Как работает транзистор: основы

Транзистор можно рассматривать как два P-N перехода, соединенных спиной друг к другу. Один из них, а именно переход база-эмиттер смещен в прямом направлении, в то время как другой переход с коллектором базы смещен в обратном направлении. Обнаружено, что когда ток течет в переходе база-эмиттер, больший ток протекает в цепи коллектора, даже несмотря на то, что переход база-коллектор имеет обратное смещение.

Для наглядности взят пример NPN-транзистора. Те же рассуждения можно использовать для устройства PNP, за исключением того, что дырки являются основными носителями вместо электронов.

Когда ток течет через переход база-эмиттер, электроны покидают эмиттер и перетекают в базу. Однако легирование в этой области остается низким, и имеется сравнительно мало дырок, доступных для рекомбинации. В результате большая часть электронов может проходить прямо через базовую область и далее в область коллектора, притягиваясь положительным потенциалом.

Базовый режим работы транзистора
Показан режим работы транзистора NPN

Лишь небольшая часть электронов эмиттера объединяется с дырками в области базы, что приводит к возникновению тока в цепи база-эмиттер. Это означает, что ток коллектора намного выше.

Отношение между током коллектора и током базы обозначается греческим символом Β. Для большинства транзисторов с малым сигналом это значение может составлять от 50 до 500. В некоторых случаях оно может быть даже выше.Это означает, что ток коллектора обычно в 50-500 раз превышает ток в базе. Для транзистора большой мощности значение несколько меньше: 20 – довольно типичное значение.

Почему транзисторы NPN используются чаще, чем транзисторы PNP

При просмотре схем, а также в таблицах данных и т. Д. Можно заметить, что транзисторы NPN гораздо более популярны, чем транзисторы PNP.

На это есть несколько причин:

• Подвижность носителей: Транзисторы NPN используют электроны в качестве основных носителей, а не дырки, которые являются основными носителями в транзисторах PNP.Поскольку дырки перемещаются внутри кристаллической решетки гораздо легче, чем электроны, т.е.они обладают более высокой подвижностью, они могут работать быстрее и обеспечивать гораздо лучший уровень производительности.
• Отрицательное заземление: С годами отрицательное заземление стало стандартом, например в автомобилях и т. д., а полярность транзисторов NPN означает, что базовые конфигурации транзисторов работают с отрицательным заземлением.
• Производственные затраты: Производство полупроводниковых компонентов на основе кремния наиболее экономично с использованием больших кремниевых пластин N-типа.Хотя производство транзисторов PNP возможно, требуется в 3 раза больше площади поверхности пластины, а это значительно увеличивает затраты. Поскольку стоимость полупроводниковых пластин составляет основную часть общей стоимости компонентов, это значительно увеличило производственные затраты на транзисторы PNP.

Биполярные транзисторы, BJT, были первой формой изобретенного транзистора, и они до сих пор очень широко используются во многих областях. Они просты в использовании, дешевы и имеют спецификации, отвечающие большинству требований.Они идеально подходят для многих схем, хотя, естественно, спецификация биполярного транзистора должна соответствовать спецификации схемы.

Другие электронные компоненты: Резисторы
Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Что такое транзисторы?

МОП-транзисторы Дарлингтона и биполярные транзисторы

Транзистор используется для усиления и переключения электронных сигналов и электроэнергии. Они используются в различных схемах и бывают разных форм. Вы можете использовать транзистор в качестве переключателя или транзистор в качестве усилителя.

МОП-транзисторы

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник – это тип транзистора, который обычно используется в цифровых и аналоговых схемах для усиления или переключения электронных сигналов.Трехконтактное устройство имеет исток (S), затвор (G) и сток (D) и доступно как в P-канале (PMOS), так и в N-канале (NMOS). МОП-транзисторы могут также называться полевыми транзисторами с изолированным затвором (IGFET) или полевыми транзисторами металл-диэлектрик-полупроводник (MISFET). Хотя на полевом МОП-транзисторе он похож на соединительный полевой транзистор (JFET), вход затвора электрически изолирован от канала, несущего основную схему.

MOSFET доступен в двух основных формах: с истощением и с расширением.Тип истощения подобен переключателю «Нормально замкнутый» и требует напряжения затвор-исток для выключения устройства. Тип расширения похож на «нормально открытый» переключатель и требует напряжения затвор-исток для включения устройства. Типичными типами упаковки являются ТО-252, ТО-251, ТО-247, ТО-220, ТО-92, СО-8, СПТ-23 и СОТ-223.

Конструкция и тип полевого МОП-транзистора

Серия BU: Приложения для усилителя (включая серию BUZ – BUZ77 и BUZ78)
Серия IRF: Приложения для усилителя (включая серии IRFP и IRFZ – IRF540 и IRFP350)

Щелкните здесь, чтобы увидеть полный выбор МОП-транзисторов.
Щелкните здесь, чтобы увидеть полный выбор SMD MOSFET-транзисторов.

Транзисторы Дарлингтона

Транзисторы Дарлингтона – это два стандартных биполярных транзистора NPN или PNP, соединенных вместе. Эмиттер одного транзистора соединен с базой другого, чтобы получить более чувствительный транзистор с гораздо большим коэффициентом усиления по току. Пары транзисторов Дарлингтона

могут быть изготовлены из двух индивидуально соединенных биполярных транзисторов или одного устройства, выпускаемого на рынке в едином корпусе со стандартными соединительными выводами базы, эмиттера и коллектора, и доступны в широком диапазоне стилей корпуса и напряжения (и тока). ) рейтинги в версиях NPN и PNP.

Также известные как «пара Дарлингтона» или «супер-альфа-схема», транзисторы соединены вместе, так что ток эмиттера первого транзистора TR1 становится базовым током второго транзистора TR2.

Базовое соединение Дарлингтона
Щелкните здесь, чтобы увидеть полный ассортимент транзисторов Дарлингтона

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, более известный как транзистор с биполярным переходом (BJT), представляет собой тип транзистора, работа которого основана на контакте двух типов полупроводников.Они состоят из трех выводов: коллектора, базы и эмиттера, которые могут быть выполнены как усилители или переключатели. В зависимости от полярности они могут быть NPN или PNP.

Биполярные транзисторы работают как регуляторы тока с регулируемым током. Они ограничивают количество проходящего тока в соответствии с меньшим управляющим током. Они называются биполярными, потому что контролируемый ток должен проходить через два типа полупроводникового материала: P и N.

Биполярная конструкция

Нажмите здесь, чтобы увидеть биполярные переходные транзисторы
Нажмите здесь, чтобы узнать о биполярных транзисторах SMD

Другие типы транзисторов

Транзисторы общего назначения
Транзисторы общего назначения для поверхностного монтажа
JFETS
IGBTS
Transistor Arrays

что такое биполярный транзистор

Транзистор используется в качестве прерывателя (ya sea con corriente máxima, o totalmente apagado sin ninguna corriente) и como un ampificador (siempre o parcialmente encendido).Биполярные устройства могут переключать сигналы на высоких скоростях и могут быть изготовлены для обработки больших токов, так что они могут служить мощными усилителями в звуковом оборудовании и в беспроводных передатчиках. Настройки файлов cookie В то время как униполярный транзистор, т.е. Политика конфиденциальности Главной особенностью биполярных транзисторов является возможность управления большим током с использованием малого. Они используются для усиления электрического тока. http://www.green-translation-service.com Эта трехмерная анимация на английском языке объясняет внутреннюю работу биполярного транзистора с базой, коллектором и эмиттером.Транзистор, который используется для управления большим напряжением и током, представляет собой силовой BJT (биполярный транзистор), представляющий собой силовой транзистор. Однако концентрации примеси в коллекторной и эмиттерной областях сильно различаются. BJT – это трехконтактное устройство, состоящее из двух соединенных спина к спине p – n-переходов, которые имеют общую область, известную как основание. Биполярные транзисторы названы так потому, что они проводят с использованием как мажоритарных, так и неосновных носителей. Ток течет от эмиттера к коллектору или от коллектора к эмиттеру в зависимости от типа подключения.В материале N-типа носителями заряда в основном являются электроны. Просто выберите приложение и перейдите к блок-схеме, чтобы ознакомиться с нашими полупроводниковыми решениями. Он также может переключать постоянный ток или работать как генератор. Другими словами, два типа носителей заряда – электроны и дырки – образуют этот основной ток через транзистор. Следовательно, схема усилителя может быть сконфигурирована с использованием активной области. Полевой транзистор использует только один тип носителя заряда. BJT – это устройство, управляемое током.При выборе альтернативного BJT важны следующие электрические характеристики. Биполярный транзистор, известный как биполярный переходной транзистор, или BJT, представляет собой универсальное дискретное полупроводниковое устройство. Транзистор NPN является наиболее часто используемым транзистором с биполярным переходом и создается путем размещения полупроводника P-типа между двумя полупроводниками N-типа. Транзистор NPN имеет три вывода – коллектор, эмиттер и базу. Авторские права 1999-2020, TechTarget 1. Каждый метод подключения по-разному реагирует на входной сигнал внутри схемы, поскольку статические характеристики транзистора меняются в зависимости от расположения схемы.регистр (регистр процессора, регистр ЦП), социальный рекрутинг (набор в социальных сетях), PCI DSS (стандарт безопасности данных индустрии платежных карт), SOAR (управление безопасностью, автоматизация и реагирование), сертифицированный аудитор информационных систем (CISA), защищенная медицинская информация ( PHI) или личной медицинской информации, HIPAA (Закон о переносимости и подотчетности медицинского страхования). Биполярный транзистор обеспечивает изменение выходного тока в ответ на… Одна часть биполярного переходного транзистора смещена в прямом направлении, а другая половина – в обратном.Прямой активный режим (чаще всего называемый активным режимом) – соединение база-эмиттер смещено в прямом направлении, а соединение база-коллектор смещено в обратном направлении. Режим отсечки – переход база-эмиттер вообще не смещен или имеет обратное смещение. Информация, представленная в этой перекрестной ссылке, основана на критериях выбора TOSHIBA и должна рассматриваться только как предложение. Транзистор с биполярным переходом (BJT) – это тип полупроводника, в котором используются как электронные, так и дырочные носители заряда. Поскольку биполярный транзистор был первым из изобретенных транзисторов, когда просто говорят «транзисторы», иногда это означает биполярные транзисторы.Три вывода BJT – это база, коллектор и эмиттер. Это устройство, управляемое током. В этом видео я собираюсь объяснить вам, как работает BJT. Одна ИС может содержать многие тысячи биполярных транзисторов, а также другие компоненты, такие как резисторы, конденсаторы и диоды. Определите биполярный транзистор. Транзистор – это электронный компонент, используемый в схеме для управления большим током или напряжением с помощью небольшого количества напряжения или тока. Биполярный транзистор – это трехконтактный полупроводниковый прибор.В главе 3 «Транзисторы» сеанса электронного обучения представлена ​​соответствующая информация. Биполярные транзисторы – это тип транзисторов, состоящих из pn-переходов, которые также называются биполярными переходными транзисторами (BJT). Транзистор с биполярным соединением (BJT) – это тип транзистора, который использует как электроны, так и электронные дырки в качестве носителей заряда. В полупроводниковом устройстве: биполярные транзисторы. Этот тип транзистора является одним из наиболее важных полупроводниковых устройств. Когда электрический заряд входит в транзистор, он распространяется по двум областям, которые несут разные заряды.Транзисторы состоят из трех слоев полупроводникового материала, каждый из которых может пропускать ток. Транзистор с биполярным соединением – это твердотельное устройство, и в BJT ток течет по двум клеммам, они являются эмиттером и коллектором, а величина тока контролируется третьей клеммой, т.е. 2… Здесь стоит отметить, что напряжение не должно превышать of the juncti… Не продавайте мою личную информацию, См. также полевой транзистор (полевой транзистор) и, Искусственный интеллект – машинное обучение, Оборудование и поставщики услуг коммутации каналов, Бизнес-аналитика – бизнес-аналитика.Биполярный транзистор имеет преимущества и недостатки по сравнению с полевым транзистором (полевым транзистором). Поскольку биполярный транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, в основном существует три возможных способа подключения его к электронной схеме, при этом одна клемма является общей для входа и выхода. Устройство может усиливать аналоговые или цифровые сигналы. Транзистор – это устройство, которое регулирует ток или напряжение и действует как переключатель или затвор для электронных сигналов. NPN-транзистор имеет слой материала P-типа между двумя слоями материала N-типа.БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ – ОБЩЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ Оценка риска – это определение опасностей, которые могут негативно повлиять на способность организации вести бизнес. Конфигурация с общей базой – имеет усиление по напряжению, но без усиления по току. Что в нем содержится? Биполярные транзисторы – это тип транзисторов, состоящих из pn-переходов, которые также называются биполярными переходными транзисторами (BJT). Биполярный транзистор – это полупроводниковое устройство, обычно используемое для усиления. Это биполярное устройство, в котором в процессе проводимости участвуют и электроны, и дырки.Использование транзисторов в качестве переключателей с электронным управлением имеет решающее значение для построения современной цифровой логики. Это был первый массовый транзистор с базовым выводом. Стандарт безопасности данных индустрии платежных карт (PCI DSS) – это широко распространенный набор политик и процедур, предназначенных для … Управление рисками – это процесс выявления, оценки и контроля угроз капиталу и прибыли организации. Усиливает слабые сигналы. Аварийное восстановление как услуга (DRaaS) – это репликация и размещение физических или виртуальных серверов третьей стороной… RAM (оперативная память) – это аппаратное обеспечение вычислительного устройства, в котором установлена ​​операционная система (ОС), прикладные программы и данные … Анализ воздействия на бизнес (BIA) – это систематический процесс для определения и оценки потенциальных последствий прерывания to … M.2 SSD – это твердотельный накопитель, который используется во внутренних картах расширения памяти малого форм-фактора. Что такое BJT – биполярный транзистор? Существует два основных типа биполярных транзисторов, называемых PNP и NPN. Когда биполярный транзистор находится в активной области, ток коллектора в hFE умножается на ток базы.В то время как полевой транзистор является униполярным устройством, биполярный транзистор назван так потому, что в его работе задействованы два типа носителей заряда: дырки и электроны. Это означает, что его можно использовать для усиления или переключения (выпрямления) электрических сигналов или мощности, что позволяет использовать его в широком спектре электронных устройств. Эти транзисторы имеют положительный слой, расположенный между двумя отрицательными слоями. Под управлением одного из выводов, называемого базой, ток может избирательно течь от вывода коллектора к выводу эмиттера.Физически биполярный транзистор усиливает ток, но его можно включать в схемы, предназначенные для усиления напряжения или мощности. Биполярные устройства не особенно эффективны для усиления слабого сигнала или для приложений, требующих высокого импеданса цепи. Барт Дж. См. Также полевой транзистор (полевой транзистор) и транзистор. Следовательно, если контакты эмиттера и коллектора поменять местами, биполярный транзистор будет иметь гораздо более низкое hFE и не будет функционировать должным образом. биполярные транзисторы приведены выше со стрелкой в ​​символе схемы, всегда показывающей направление «обычного тока» между выводом базы и выводом эмиттера.(Например, в случае транзистора npn, коллектор и эмиттер по обе стороны от p-области базы представляют собой n областей, которые выглядят одинаково.) Это твердотельное устройство, которое пропускает ток по двум клеммам, т. Е. , коллектор и эмиттер и управляется третьим устройством, известным как терминал или базовый терминал. Биполярный переходный транзистор (BJT) – это трехконтактная схема или устройство, усиливающее ток. У Ван Зегбрука есть веб-сайт под названием «Биполярный транзистор». Биполярные транзисторы широко используются в усилителях для… трех выводов и носителя заряда электронов / дырок. Что они могут? ПОЛЯРНОСТЬ ТРАНЗИСТОРА Переходный транзистор представляет собой сэндвич из полупроводников типа “N” и “P”.Он также известен как устройство управления током-напряжением, которое работает в 4-х областях: отсечка, активная, квазинасыщение и жесткое насыщение в зависимости от питания транзистора. Информацию о работе биполярного транзистора см. В разделе часто задаваемых вопросов «Как работают npn- и pnp-транзисторы?» Вернуться к часто задаваемым вопросам о MOSFET / биполярных транзисторах, Toshiba выпускает 100-вольтовые N-канальные силовые MOSFET в компактном корпусе для автомобилей Приложения, новый дискретный IGBT Toshiba для цепей резонанса напряжения способствует снижению энергопотребления и упрощению проектирования оборудования, Toshiba запускает универсальную системную интегральную схему питания с несколькими выходами для обеспечения функциональной безопасности автомобилей, новый трехфазный бесщеточный двигатель Toshiba ИС предварительного драйвера управления включает бессенсорное управление и управление скоростью по замкнутому контуру, интерфейсные мосты для мобильных периферийных устройств, долгосрочные поставки полупроводниковой продукции, «Как работают транзисторы npn и pnp?».V E, V B, V C – напряжения на эмиттере, базе и коллекторе соответственно. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Биполярные (переходные) транзисторы (БЮТ) являются наиболее распространенной разновидностью транзисторов. Транзистор с биполярным переходом состоит из двух р-n-переходов, соединенных спина к спине, которые имеют общую тонкую область шириной w B. база. Три вывода BJT – это база, коллектор и эмиттер.Планирование спроса – это процесс прогнозирования спроса на продукт или услугу, чтобы их можно было производить и доставлять более эффективно и к удовлетворению клиентов.
Tipo De Reproducción De Los Pájaros, Vida Al Agua Cancion, Armas De Rainbow Six Siege En La Vida Real, Бенедикте Туструп Эдад, Боливар против Бока 2004 Алинасьон, Хуан Гильермо Куадрадо Биография, Plantillas De Café Para Power Point, Proceso De Mango Congelado En Cubos, Антонимо де Эстречес, Но Хасе Фальта Летра Лернер, Ла Араукана – Патрисио Маннс Летра,

Руководство по выбору малосигнальных биполярных транзисторов (BJT)

Малосигнальные биполярные переходные транзисторы (BJT) зависят от контакта между двумя различными типами полупроводников для переключения или усиления электронных сигналов и питания.Транзисторы используются почти в каждом современном электронном устройстве, а BJT часто реализуются как часть интегральной схемы.

Строительство

Производится много типов транзисторов, наиболее ощутимой разницей являются методы изготовления. Первый полезный транзистор, транзистор с биполярным переходом, был построен Bell Laboratories в 1950-х годах; он был назван так потому, что ток создается путем объединения положительных и отрицательных зарядов. Биполярные транзисторы состоят из трех частей полупроводникового материала, расположенных в виде «сэндвичей», но все полупроводниковые материалы относятся к P-типу (положительный) или N-тип (отрицательный).Таким образом, существует две основные конфигурации для BJT: тип NPN и тип PNP. Полярность тока и напряжения для PNP-транзистора противоположна полярности NPN-транзистора, но в остальном эти две конфигурации ведут себя одинаково.

Изображение предоставлено: Geyosoft

Наиболее распространенные полупроводниковые материалы включают кремний (Si) и германий (Ge). Также используются комбинации полупроводниковых материалов, таких как арсенид галлия (GaAs). С 2013 года обширные исследования графена как полупроводникового материала могут дать новое поколение транзисторов.

Операция

Двухконтактные устройства, такие как диоды и резисторы, имеют одно значение напряжения и одно значение тока, а транзисторы имеют три напряжения и три тока. Каждый из трех выводов BJT помечен, а ток назван в честь вывода, от которого он течет; напряжения – это напряжения между любыми двумя клеммами. Терминалы названы: эмиттер, коллектор и база. На диаграмме ниже, которая представляет NPN-транзистор, токи обозначены как: i _{E ,} – ток эмиттера; i _C , коллекторный ток; и i _B , базовый ток.Напряжения обозначены V _BE , V _CE и V _CB . В случае транзистора PNP эти токи и напряжения имеют противоположную полярность.

Изображение предоставлено: Ответы

Режимы

Транзистор может работать в трех различных состояниях: отключенном, в котором транзистор не имеет токового выхода; активный, в котором выходной ток коллектора i _C управляется базовым током i _B ; и насыщенный, когда ток коллектора транзистора достигает максимального значения, и увеличение тока базы не влияет на ток коллектора.

• Отсечка : выходной ток транзистора равен нулю или пренебрежимо мал по другим причинам. Когда i _C равно нулю, выходное напряжение максимальное (обычно равно напряжению смещения источника). Следовательно, в режиме отсечки В _CE = В _CC и i _C = 0, где В _CC – напряжение смещения. Этот режим противоположен насыщенности.

• Насыщение : Транзистор будет производить максимальный ток для схемы, и значение этого тока зависит от параметров схемы.Транзистор считается насыщенным, когда напряжение коллектор-эмиттер ³ близко к нулю (или> 0,2 В). Насыщенность может быть выражена как В _CE ≈ 0, а i _C – максимальное значение. Насыщение – это когда транзистор имеет максимальный ток, но минимальное выходное напряжение; полная противоположность режиму отключения.

• Активный : В этом режиме выходной ток, i _C , управляется входным током, i _B .Активный режим полезен при проектировании усилителей тока и напряжения. Связь между токами выражается следующим образом: i _E = i _C + i _B и i _C = β · i _B . Используя последнюю формулу, мы можем выразить ток эмиттера как i _E = (β + 1) · i _B . Это демонстрирует, что токи коллектора и эмиттера являются функциями входного тока i _B . Когда управляющий ток является базовым, он известен как устройство с управляемым током.

Конфигурации

Транзисторы в схемах обычно имеют заземленную клемму. Таким образом, существует три способа подключения транзистора к схеме.

1. Общая база : Клемма базы заземлена и становится общей клеммой между входом (эмиттер) и выходом (коллектор).

Изображение предоставлено: All About Electronics

2. Общий эмиттер : Вывод эмиттера заземлен и служит общим выводом между входом (базой) и выходом (коллектором).Это наиболее важная конфигурация заземленных клемм, поскольку схема может производить более высокий выходной ток и напряжение, чем соответствующий вход.

Изображение предоставлено: All About Electronics

3. Общий коллектор : Коллектор – это общий вывод для входа (базы) и выхода (эмиттер).

Изображение предоставлено Викимедиа

Типы

Чаще всего BJT классифицируются по полярности или материалу изготовления.

название	описание	символ
NPN транзистор	В физическом устройстве транзистора основание из материала P-типа помещается между двумя слоями материала N-типа.
PNP транзистор	Транзисторы размещены на основе материала N-типа между двумя слоями материала P-типа.	Изображение предоставлено Викимедиа

Или, если указать материал, BJT будет называться кремниевым транзистором, германиевым транзистором и т. Д.

Технические характеристики

При рассмотрении биполярных переходных транзисторов важны следующие параметры:

Передаточное отношение в прямом направлении (также известное как коэффициент усиления по току ): Транзистор может обеспечивать большой выход, i _C , с маленьким входом, i _B , тем самым делая его усилителем тока – одна из самых важных функций BJT. Коэффициент, на который i _C больше, чем i _B , называется усилением постоянного тока и обозначается греческой буквой β.Хотя β обычно поставляется производителями, его можно определить по формуле β = i _C / i _B . β – фундаментальное значение способности BJT к усилению. Хотя ожидается, что ß останется постоянным значением, производители могут также предоставить диапазон ß (также иногда представленный как h _fe ) для покрытия применимого диапазона транзистора, который обычно определяется как максимум, минимум и среднее значение. Например, один популярный малосигнальный BJT, 2N3903, имеет диапазон ß от 15 до 150, который изменяется в зависимости от тока коллектора.ß является самым высоким для средних токов коллектора и уменьшается для высоких и низких токов коллектора.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (В _CEO ) – это максимально допустимое напряжение, которое может быть приложено непрерывно в обратном направлении коллекторного перехода при открытом эмиттере.

Максимальный ток коллектора – это наивысшая степень тока, который может использоваться в коллекторе.

Единичный коэффициент усиления , произведение которого равно частоте, на которой h _FE находится в единице.

Рассеиваемая мощность – это общая потребляемая мощность BJT, часто выражаемая в ваттах или милливаттах. Когда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, он также понижает напряжение между этими двумя точками. Рассеиваемая мощность равна произведению тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер. Транзисторы оцениваются в соответствии с их способностью без повреждений рассеивать мощность. Высокая температура разрушительна для всех полупроводниковых устройств, а BJT особенно подвержены термическому повреждению.Номинальные значения мощности учитывают температуру окружающей среды в рабочей среде. Если транзистор будет использоваться в теплой обстановке, номинальная мощность может быть снижена для увеличения срока службы.

Транзисторные блоки

В сопроводительном списке представлены наиболее распространенные корпуса транзисторов.

Упаковка	Описания
ТО-3	ТО-3 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-8	ТО-8 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-39	ТО-39 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-92	TO-92 – это однорядный корпус с контуром транзистора (TO), который часто используется для устройств малой мощности. Один из старейших силовых агрегатов TO-92 подходит для использования в офисном и коммуникационном оборудовании.
К-202	ТО-202 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-220	TO-220 – это корпус с контуром транзистора (TO), который подходит для силовых устройств большой мощности, среднего тока и быстрой коммутации. ТО-220 используется в бытовой технике, офисном и промышленном оборудовании, а также в персональной и бытовой электронике. Вариант корпуса TO-220 Full Pack включает полностью герметизированный радиатор, не требующий дополнительных аппаратных средств для гальванической развязки.TO-220 Full Pack имеет такую ​​же площадь основания, что и TO-220, обеспечивает гальваническую развязку до 5 кВ и часто используется в двигателях и источниках питания.
К-223	ТО-223 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-237	ТО-237 – это корпус с контуром транзистора (ТО).
К-247	TO-247 – это большой корпус транзистора со сквозными отверстиями (TO).TO-247 обеспечивает отличное рассеивание мощности и идеально подходит для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET), мощных биполярных транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT).
К-263	TO-263 – это версия корпуса TO-220 для поверхностного монтажа. TO-263 – это корпус с контуром транзистора (TO) с 2, 3, 5, 6 или 7 выводами. TO-263 может вместить большие кости из-за его большой конструкции площадки. Он подходит для приложений с высокой мощностью из-за своего низкого сопротивления.Типичное применение TO-263 включает бытовую технику и персональные компьютеры.
СО-8	SO-8 – это небольшой пакет (SO).
СОТ3	SOT3 – это небольшой корпус транзистора (SOT) с тремя выводами.
СОТ23	SOT23 представляет собой корпус прямоугольного транзистора с малым контуром (SOT) для поверхностного монтажа с тремя или более выводами типа “крыло чайки”.SOT23 имеет очень малую площадь основания и оптимизирован для максимально возможного тока. Из-за своей низкой стоимости и низкого профиля SOT23 используется в бытовой технике, офисном и промышленном оборудовании, персональных компьютерах, принтерах и коммуникационном оборудовании.
СОТ25	SOT25 – это корпус мелкоконтурного транзистора (SOT) для поверхностного монтажа с тремя выводами.
СОТ26	SOT26 – это пластиковый корпус для поверхностного монтажа с малым контуром транзистора (SOT) с тремя выводами.
СОТ82	SOT82 представляет собой корпус прямоугольного транзистора с малым контуром (SOT) для поверхностного монтажа с тремя выводами. SOT82 больше DPAK и меньше TO-220, но все же сравним с TO-220 по производительности. Выводные рамки SOT82 доступны с полным никелированием или селективным серебряным покрытием и позволяют соединять провода с золотой или алюминиевой проволокой. Часто SOT82 используется в устройствах защиты от перенапряжения в телекоммуникационном оборудовании.SOT82 также используется для упаковки мощных выпрямителей, преобразователей постоянного тока в переменный (ЦАП) и преобразователей частоты.
СОТ89	SOT89 – это пластиковый корпус с малым контуром транзистора (SOT) для поверхностного монтажа с тремя выводами и площадкой коллектора для хорошей теплопередачи. В отличие от других пакетов, ведущие посты SOT89 настроены вверх, а не вниз. SOT89 разработан для коммутации средней мощности и высокой скорости. Он также используется в приложениях с очень низким RDS (включено), без вторичного пробоя и прямым интерфейсом с комплементарным металлооксидным полупроводником (CMOS) и транзисторно-транзисторной логикой (TTL).
СОТ123	SOT123 – это корпус с фланцевым, керамическим, поверхностным монтажом и малым контуром транзистора (SOT) с двумя монтажными отверстиями и четырьмя выводами.
СОТ143	SOT143 – это пластиковый корпус с малым контуром транзистора (SOT) для поверхностного монтажа с четырьмя выводами.
СОТ233	SOT223 – это пластиковый корпус с малым контуром транзистора (SOT) для поверхностного монтажа с четырьмя выводами и радиатором.Во время пайки сформированные выводы поглощают термическое напряжение и исключают возможность повреждения матрицы. Герметизирующий материал повышает надежность устройства, позволяя SOT223 обеспечивать отличную производительность в средах с высокими температурами и уровнями влажности. SOT223 обеспечивает рассеиваемую мощность от 1 Вт до 1,5 Вт.
СОТ323	SOT323 – это пластиковый корпус с малым контуром транзистора (SOT) для поверхностного монтажа с тремя выводами.
ТО-251 / ТО252	TO-251 и TO-252 – это блоки малой и средней мощности, которые имеют схему транзистора (TO). TO-251 использует технологию сквозного отверстия (THT). TO-252 использует технологию поверхностного монтажа (SMT). Оба пакета предоставляют несколько вариантов выводных рамок и обычно используются в бытовой технике, персональных компьютерах, освещении и автомобильных системах.
FPAK	Плоская упаковка (ФПАК).

Приложения

Транзисторы

используются во многих электрических и электронных устройствах. Транзисторы являются строительными блоками всех электронных устройств и систем, от смартфонов до космических кораблей. В истории электроники нет другого компонента, который использовался бы больше, чем транзистор.

Стандарты

Некоторые ключевые промышленные стандарты, на которые следует обратить внимание при рассмотрении BJT, включают:

BS IEC 60747-7 – Полупроводниковые приборы: биполярные транзисторы

IEC 60747-7 – Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы.

.

JEDEC JESD 24-6 – Измерение теплового импеданса биполярных транзисторов с изолированным затвором

ресурсов

Википедия – Транзисторы с биполярным переходом; транзистор

Изображение предоставлено:

Infineon Technologies AG

.