Цоколевка полевого транзистора: Цоколевка полевых транзисторов 13−24

Полевой транзистор распиновка

Полевые транзисторы — специальный класс транзисторов, которые могут использоваться в качестве выключателей, регуляторов тока или усилителей. Полевой транзистор, отличается от обычного транзистора тем, что ток в нем двигается не пересекая P-N перехода. Величиной тока можно управлять путем регулировки затворного потенциала, подаваемого через этот переход. Существует две основные разновидности полевых транзисторов: полевые транзисторы с затвором на основе перехода и полевые транзисторы с изолированным затвором. Полевой транзистор с затвором на основе перехода состоит из канальной области канала и затвора. Когда он работает, то ток протекает через канал от клеммы истока к клемме стока.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Цоколевка широко распространенных транзисторов
• Принцип работы полевого транзистора для чайников
• Полевые транзисторы
• Полевой транзистор
• Транзистор IRF640N
• Цоколевка широко распространенных транзисторов
• Транзисторы биполярные (5 шт.)
• Транзистор IRF830

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.

Цоколевка широко распространенных транзисторов

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, то есть такие, которые управляются электрическим полем. Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением. Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током.

При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение. Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением , без протекания тока через входные электроды за исключением очень небольшого тока утечки.

На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой. Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты чем больше частота, тем больше ток.

Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается. Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора ПТ достаточно малым — в несколько сотых или тысячных долей Ома!

И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта. Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры. Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом. ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток source , сток drain , и затвор gate.

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов. В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, то есть канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме. Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями. Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами и p-каналом ток создается положительно заряженными частицами.

На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом — наружу. В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико. И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене. Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения напряжения обратной полярности.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной. Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей статье. Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует. Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос — исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится. При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения около 4 В , приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится. Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack который предназначен для монтажа на печатную плату в разъем не вставишь, но можно припаять к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем.

Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную. Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами. В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам. Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Кстати, купить полевые транзисторы можно вот здесь. А у полевого — 0. У полевого — только один диод защитный , включенный параллельно каналу. Это у тех полевиков, про которые я писал. Виктор,скажите на сегодня в схеме-всё ок или нет.

С наступающим! Да, я схему точнее нумерацию элементов давно подправил. В схеме все ок. Николай, и Вас с наступающим Новым годом, и всего самого наилучшего! Это значит, естественно, что такие выводы нужно припаять к общему проводу. Следует отличать обозначение общего провода от знака заземления, состоящего из трех параллельных черточек разной длины.

Такой знак чаще всего встречается на схемах простых приемников, для хорошей работы которых нужна не только наружная антенна, но и заземление — проводник, подпаянный к зарытому в землю металлическому предмету. Как правило, заземляют общий провод конструкции. Общий — это общий, земля — это земля. Выводы, подключенные к общему проводу, должны быть соединены между собой, иначе схема не будет работать.

Во многих случаях схема будет работать нормально, если общий провод ее не заземлять. Например, в проверочной схеме в статье ее общий провод можно не заземлять — все и так будет работать. Заземление нужно, нужно в частности, в силовых цепях для защиты от поражения электрическим током. На западе давно применяется трехпроводная система питания — фазный провод, нулевой провод и земля.

Для нормальной работы защиты земельный провод должен быть соединен с металлическим штырем их может быть несколько , вкопанным в землю. Да, в этом вопросе существует некоторая путаница. Наверное, правильнее будет, если рисовать схемы, не требующие заземления, с одной горизонтальной чертой. Да, это в интегральной технологии очень широко используется. А если брать отдельно, то транзисторы с n-каналом используются гораздо чаще, чем с p-каналом. По Вашей схеме можно проверить любые ПТ?

Ведь они различаются по напряжению. Извините за дилетантский вопрос. Геннадий, можно проверить ПТ с n-каналом. За все транзисторы говорить не буду всего многообразия их не знаю. Большинство проверить можно. Этого хватает, чтобы ПТ открылся, и сопротивление открытого канала стало небольшим. В то же время это меньше предельного напряжения исток-затвор, поэтому транзистор из строя не выйдет. Если придется проверять какой-то хитрый транзистор, надо посмотреть даташит.

Главное здесь — чтобы канал был хорошо открыт, и прилагаемые напряжения не превысили максимально допустимых. А после, уже рассказать про ПТ со встроенным и индуцированным каналом, про то что у них затвор полностью изолирован от этих каналов и это одно из главных его свойств. Что же касаемо ПТ с изолир. Отличие в том, что канал пропускает незначительный ток от приложенного напряжения между стоком и истоком как и канал ПТ с управляющим p-n переходом о котором шла речь в самом начале.

Но, почему говорим незначительный ток — да потому, что встроенный канал имеет туже проводимость что сток и исток только очень слабо легированную, в то время как сток и исток всегда сильно легированы так же как весь канал в ПТ с управляющим p-n переходом. Вот это и придает этому типу ПТ его характеристики и отличительные свойства от ПТ с индуцированным каналом и ПТ с управляющим p-n переходом. Так что в ПТ со встроенным слаболегтрованым каналом — своя структура транзистора и его способ управления.

И как же он управляется и как при этом воздействует на ток в канале. Очень просто: ток как уже стало понятно протекает но не значительный. Такое нас конечно не устраивает. При подаче соответствующей полярности управляющего напряжения на затвор и исток канал можно настолько отсечь, выгнать из него основные носители зарядов соответствующего типа проводимости канала, что он полностью заглохнет. А поменяв полярность управляющего напряжения между затвором и истоком, можно создать условия для лавинного втягивания основных носителей зарядов соответствующего типа проводимости канала и он — этот канал, станет проводить большой ток насколько это возможно: Таким образом стало понятно как управлять тем или тем ПТ и все это благодаря только их структуры.

Блог у меня о компьютерах. Поэтому и был рассмотрен только ПТ с индуцированным n-каналом. Такие как раз и используются в цифровой технике. ПТ в сильноточном стабилизаторе схемы питания ядра процессора, в блоке питания компьютера, в бесперебойных источниках питания как раз такие. Была приведена простая аналогия, позволяющая уяснить принцип работы.

А так, да — существуют несколько типов ПТ. Но я не стал усложнять картину, и не рассказал об обогащенных и обедненных ПТ, об отсечке, крутизне, лавинном пробое, V-канавке, основных и неосновных носителях в канале. Сколько терминов, скорее всего, сразу отпугнет новичка.

Принцип работы полевого транзистора для чайников

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях. Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:. При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

Один из самых первых отечественных полевых транзисторов, заслуживший Технические параметры транзистора КП, распиновка и цоколевка.

Полевые транзисторы

Не знаю, как вы, а я лично постоянно забываю, где у полевых МОП-транзисторов a. Поэтому я решил сделать себе небольшую шпаргалку, ну и заодно поделиться ею с вами. Я также подготовил упрощенную PDF-версию этого поста , которую можно распечатать на половине листа A4 и повесить на стену. Итак, у МОП-транзисторов три ноги, называемые затвором gate , истоком source и стоком drain :. При использовании незнакомого полевика, естественно, следует свериться с его даташитом. Транзистор с N-каналом подключается, что называется, в нижнем плече low-side , а с P-каналом — в верхнем плече high-side. По такой схеме полевые транзисторы используются для нагрева паяльника, управления двигателями , и так далее. Fun fact! На самом деле, полевые транзисторы разделяют еще на две категории : enhancement mode и depletion mode. Последние встречаются существенно реже и обычно являются N-канальными.

Полевой транзистор

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Новости: 9. Высказывания: Одинаковые приборы, проверенные одинаковым образом, будут в эксплуатации вести себя совершенно по разному.

Транзистор IRF640N

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли? Из всех видов транзисторов их немало мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Цоколевка широко распространенных транзисторов

В транзисторе имеется PN переход, но его единственное назначение — обеспечить непроводящую обедненную область, которая используется для ограничения тока через канал. Обратите внимание на то, что вывод стока соединяется с любым концом N-канала, и что вывод затвора прикреплен к металлической пластине, отделенной от канала тонким изолирующим барьером. Этот барьер иногда выполняется из двуокиси кремния основного химического соединения, находимого в песке , которая является очень хорошим изолятором. Также обратите внимание на то, что у полевого транзистора с изолированным затвором имеется четыре вывода. На практике вывод подложки непосредственно соединен с истоком , чтобы сделать эти два вывода общими.

Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET. Приведена методика как проверить полевой транзистор р- и n-канального.

Транзисторы биполярные (5 шт.)

На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности. Чтобы не запутаться и получить наиболее полное представление о том, какой всё-таки транзистор используется в схеме, сопоставим условное графическое обозначение униполярного транзистора и его отличительные свойства, и особенности. Независимо от разновидности полевого транзистора он имеет три вывода. Один из них называется Затвор З.

Транзистор IRF830

Что вам в них? Схемы принципиальные Библиотечка литературы Радиолюбительская хрестоматия Новости электроники Карта сайта Магазинчик на сайте Загрузка Топ 10! В приемнике, рассчитанном на два диапазона средневолновый и длинноволновый , используются две лампы типа СО

Что вам в них? Схемы принципиальные Библиотечка литературы Радиолюбительская хрестоматия Новости электроники Карта сайта Магазинчик на сайте Загрузка

Полевые транзисторы. Транзисторы малой мощности. Транзисторы средней и большой мощности. Цветовая и кодовая маркировка полевых и биполярных транзисторов. Метки: маркировка транзистора , транзистор , цоколевка транзистора. Рекомендуемый контент.

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом — это очень мутная тема для многих начинающих электронщиков. Как вы знаете, поле бывает разным. Бывает такое:.

Цоколёвки полевых транзисторов.

У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).

Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:

1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).

 

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).

 

3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).

 

4)Корпус типа SuperSO-8, он же – TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).

 

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet – официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:

• на рис. 1 – uPA2724UT1A,

• на рис. 2 – TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,

• на рис. 3 – LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),

• на рис. 4 – MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,

• на рис. 5 – VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.

 

Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A

 

Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C

 

Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)

 

Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N

 Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY

IRF5210 MOSFET Распиновка, объяснение, эквиваленты, характеристики и применение

IRF5210 — это мощный MOSFET, доступный в корпусе TO-220. В этом посте описывается распиновка IRF5210 MOSFET, объяснение, эквиваленты, функции, приложения и другая полезная информация об этом устройстве.

Реклама

Реклама

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-220
1414
• Тип транзистора: P-канал
• Максимальное напряжение от стока к источнику: -100 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: -40A
• Максимальный импульсный ток стока: -140 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
• Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,06 Ом
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +175 градусов Цельсия

Замена и эквивалент:

IRF5210PBF

IRF5210 MOSFET ENVELSED / Описание:

IRF5210-Power Power MosFET в размере 220. Это качественный полевой МОП-транзистор, предназначенный для использования в самых разных приложениях. Максимальное напряжение сток-исток, или мы также можем сказать, что максимальное напряжение нагрузки, которое может управлять этот транзистор, составляет -100 В, максимальный непрерывный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять, составляет -40 ампер, максимальный импульсный ток стока / максимальная нагрузка, которую вы можете управлять импульсами. составляет -140 ампер, максимальное значение RDS(on) составляет всего 0,06 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт.

Транзистор имеет множество функций, таких как «быстрое переключение», что делает его идеальным для использования в приложениях, где быстрое переключение имеет решающее значение, «полностью лавинный номинал» означает, что он будет стабильно работать в условиях, когда его напряжение сток-исток превышает его пределы, максимальная рабочая температура до 175°C делает его способным стабильно работать при этих температурах по сравнению с другими полевыми МОП-транзисторами, максимальная рабочая температура которых составляет 150°C. Транзистор имеет низкое сопротивление RDS(on)/сток-исток, что обеспечивает низкие потери мощности и низкое тепловыделение во время работы. Другими особенностями являются динамические рейтинги dv/dt, передовые технологические процессы и т. д.

 

Где и как использовать:

IRF5210 можно использовать в самых разных приложениях, которые подпадают под его рейтинги. Например, его можно использовать в любых целях коммутации и усиления. Приложения, в которых он может использоваться, включают источники питания, автомобильную промышленность, резервное питание, солнечную энергетику, коммутацию нагрузок и т. д. Более подробную информацию о том, какие приложения можно использовать, можно найти в разделе «Приложения» ниже.

 

Применение:

Солнечные зарядные устройства

Контроллеры солнечных зарядов / Солнечные зарядные устройства

Системы управления батареями (BMS)

Различные приложения для транспортных средств

Обработка батареи

. Источники питания

Приложения для драйверов двигателей

Преобразователи постоянного тока в постоянный

Мощные аудиоусилители

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные значения:

Чтобы обеспечить долгосрочную производительность этого устройства в ваших приложениях, рекомендуется следовать приведенным ниже рекомендациям:

1. Не допускайте использования МОП-транзистора на его абсолютных максимальных значениях и всегда оставайтесь на уровне 20%. ниже от его максимальных оценок.
2. Максимальный непрерывный ток стока составляет -40 А, поэтому не подключайте нагрузку более 32 А.
3. Максимальное напряжение сток-исток составляет -100 В, поэтому не подключайте нагрузку выше -80 В.
4. Используйте подходящий радиатор с полевым МОП-транзистором.
5. Всегда храните или используйте транзистор при температуре выше -55°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF5210_InternationalRectifier.pdf

IRLZ34N MOSFET Распиновка, техническое описание, эквивалент, схема и технические характеристики

19Октябрь 2021 – 0 комментариев

МОП-транзистор IRLZ34N
Распиновка МОП-транзистора IRLZ34N

N-канальные высокомощные полевые МОП-транзисторы (металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы) популярны для управления более высокими напряжениями и токами от микроконтроллера. У них очень низкое сопротивление в открытом состоянии (@0,035 Ом или 35 мОм), следовательно, они рассеивают меньше тепла и обычно не нуждаются в радиаторе (пока нагрузка не превышает 2,5 А). Семейство мощных полевых МОП-транзисторов IR MOSFET используется в широком спектре устройств для поддержки различных приложений, таких как двигатели постоянного тока, инверторы, импульсные источники питания, освещение, переключатели нагрузки, а также приложения с питанием от батарей.

 

IRLZ34N MOSFET Конфигурация контактов

Номер контакта	Название контакта	Описание контакта
1	Ворота	Управляет смещением MOSFET
2	Слив	Ток поступает через сток
3	Источник	Ток протекает через источник и покидает МОП-транзистор

 

Особенности и характеристики

• Производитель: Infineon
• Способ монтажа: компонент сквозного отверстия
• Упаковка/кейс: Чемодан ТО-220
• Высота: 15,65 мм
• Длина: 10 мм
• Ширина: 4,4 мм
• Время нарастания: 100 нс
• Время падения: 29 нс
• Полярность транзистора: N-канальный
• Режим канала: расширение
• Диапазон рабочих температур: от – 55 ⁰ C до + 175 ⁰ C
• Напряжение пробоя сток-исток (VDSS) = 55 В
• Непрерывный ток стока (I _d ) = 30 А
• Вкл. — Сопротивление сток-исток (R _ds ): 0,035 Ом
• Рассеиваемая мощность (P _d ): 68 Вт
• Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток: ±16 В

 

IRLZ34N Equivalent MOSFETS

IRLZ44Z, IRLZ44N, IRFB3607G, IRFB3207Z, IRF3205Z, IRF1407, IRFB4310ZG, IRFB4510G, IRF3710, IRF1407, IRF1010EZ, IRFB4321, IRFZ44V, IRFB4410, etc.

 

IRLZ34N MOSFETs Working (n- канал, тип улучшения)

Чтобы протестировать полевые МОП-транзисторы (тип улучшения), давайте кратко разберемся, что происходит внутри. Сейчас МОП-транзисторы обычно используются в качестве переключателей. На контакт Gate подается напряжение, это включает путь стока к истоку и, следовательно, действует как переключатель. В некоторых случаях это лучше, чем механические переключатели, потому что в них нет движущихся частей. Затвор изолирован от стока и истока и действует как очень маленький конденсатор с положительным напряжением на затворе по отношению к истоку, включает канал и устройство проводит. Когда напряжение затвор-исток падает до нуля, устройство выключается.

 

Как использовать цифровой мультиметр для проверки состояния включения и выключения МОП-транзистора

Теперь, чтобы проверить МОП-транзистор, установите цифровой мультиметр на функцию диода. Чтобы протестировать МОП-транзистор в выключенном состоянии, оставьте затвор без подачи на него напряжения и проверьте соединение между стоком и истоком. Итак, подключите отрицательный щуп цифрового мультиметра к источнику, а положительный вывод — к стоку. А цифровой мультиметр должен показывать OL (перегрузка, значит обрыв цепи). Теперь мы должны подать небольшое напряжение на вывод Gate и посмотреть, как он действует как небольшой конденсатор. Для этого возьмите положительный щуп цифрового мультиметра и на мгновение коснитесь штифта Gate и соедините положительный щуп обратно со сливом. Теперь мы видим, что произошло короткое замыкание (вы должны услышать звуковой сигнал, указывающий на короткое замыкание).