D13007K: Транзистор D13007K: характеристики и аналоги

Содержание

Транзистор D13007K: характеристики и аналоги

Давайте рассмотрим технические характеристики D13007K – это биполярный транзистор, имеющий n-p-n проводимость. Он отличается небольшим током утечки, большим коэффициентом усиления, хорошей скоростью переключения, способностью выдерживать высокое напряжение. Обычно его используют в импульсных блоках питания, системах управления электрическим двигателем и в усилителях мощности.

Цоколевка

Транзистор D13007K изготавливается в корпусе ТО-220. Если смотреть прямо на маркировку, то расположение ножек будет таким: база, коллектор, эмиттер. Внешний вид и расположение выводов представлены на рисунке.

Технические характеристики

Для того, чтобы понять, на что способен D13007K, нужно познакомиться с его предельно допустимыми параметрами. При их превышении транзистор может выйти из строя. Эти характеристики снимались при стандартной температуре +25°С.

напряжение К-Э (при нулевом напряжении база эмиттер) V_CЕ_S = 700 В;
напряжение К-Э (если ток базы равен 0) V_CEО = 400 В;
напряжение Э-Б V_EBO = 9 В;
ток коллектора (постоянный) I_C = 8 А;
ток коллектора (импульсный) I_CМ = 16 А;
ток через базу (постоянный) I_В = 4 А;
ток через базу (кратковременный) I_ВР = 8 А;
мощность на коллекторе (с теплоотводом) Р_С = 80 Вт;
максимальная температура кристалла T_J = +150^ОС;
термосопротивление кристалл-корпус R_θJC = 1,56 °С/Вт;
рабочие т-ры Tstg = от -65 до +150^ОС.

После предельных характеристик рассмотрим электрические. Они также влияют на сферу применения транзистора. Также, как и в предыдущем случае их измерение происходит при температуре +25°С. Остальные параметры, способные повлиять на результаты измерения, представлены в отдельном столбце следующей таблицы.

*Электрические характеристики транзистора D13007K (при Т = +25* ^оC)
Параметры	Режимы изм	Обозн.	мин	тип	макс	Ед. изм
Напряжение К — Э(пробой)	I_C= 10 мA, I_В= 0	V_(BR)CEО	400			В
Напряжение К – Б (пробой)	I_C = 1 мA, I_В = 0	V_(BR)CВO	700			В
Напряжение Э — Б(пробой)	I_E= 1 мA, I_C= 0	V_(BR)EBO	9			В
Ток К – Б (направление обратное)	V_CВ= 700 В, I_Е = 0	I_CВO			100	мкА
Ток К – Э (направление обратное)	V_CE= 400 В, I_В= 0	I_CEХ			50	мкА
Ток Э –Б (направление обратное)	V_EB = 9 В, I_C = 0	I_EBO			10	мкА
Коэффициент усиления	V_CE=5 В,I_C= 2 A	h_FE	8		50
Коэффициент усиления	V_CE=5 В,I_C= 5 A	h_FE	5
Напр. насыщения коллектор-эмиттер	I_C = 5 A, I_B = 1 A	V _CE(sat)			1,2	В
Напр. насыщения коллектор-эмиттер	I_C = 8 A, I_B = 2 A	V _CE(sat)			3	В
Напр. насыщения база-эмиттер	I_C = 5 A, I_B = 1 A	V _ВE(sat)			1,8	В
Граничная частота к-та передачи тока	V_CE= 0 В, I_C= 0,5 A,	f_T	4			МГц
Время спада	V_CC = 24 В, I_C = 5 A, I_B1 = -I_B2 = 1 A	t_f			0,7	мкс
Время рассасывания	V_CC = 24 В, I_C = 5 A, I_B1 = -I_B2 = 1 A	t_s			4	мкс

У транзисторов одни значения некоторых параметров зависят от других. Рассмотрим некоторые из таких зависимостей. Для начала рассмотрим, как соотносится величина коэффициента усиления от тока коллектора.

Как видно из рисунка, при увеличении коллекторного тока от 0,01 до 1 А к-т усиления увеличивается. При больших значениях тока он начинает падать, и при токе равном 10 А его величина уменьшается до 10. Таким образом максимального усиления транзистора D13007K можно добиться при токе через коллектор 1 А.

Также важной для практического использования транзистора является зависимость мощности от температуры окружающей среды.

Как можно увидеть на представленном выше рисунке при температуре ниже +25°С мощность D13007K остаётся все время постоянной и равной 100% от номинального значения (80 Вт). При повышении температуры она начинает падать и становиться равной 0 при температуре +150°С, то есть при максимальной температуре кристалла.

Аналоги

Прямых аналогов данному D13007K нет, но есть схожие устройства по параметрам с небольшими отличиями. Все их мы привели ниже в таблице.

Производители и DataSheet

Транзисторы D13007K изготавливает китайская компания AUK corp (datasheet), а поэтому в отечественных магазинах модно встретить изделия только этой фирмы.

3DD13007K (D13007K) | Биполярные транзисторы

Транзистор 3DD13007K (13007, маркировка D13007K, аналог E13007-2, J13007)

D13007K – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, 400V, 8A, TO-220

Характеристики, параметры, особенности
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control

Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.
Выберите аналогичный товар как “3DD13007K (D13007K)”. Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.

Код товара :	M-109-2443
Обновление:	2022-09-22
Тип корпуса :	TO-220

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 3DD13007K (D13007K), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд.

Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с 3DD13007K (D13007K) ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд. ) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
2443	3DD13007K (D13007K)	Транзистор 3DD13007K (13007, маркировка D13007K, аналог E13007-2, J13007) – HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, 400V, 8A, TO-220	15 pyб.
3527	Предохранитель H520-1.5А/250В (5х20мм)	Предохранитель (вставка плавкая стекло) H520-1.5А/250В (ВПБ6-10). Ток срабатывания 1,5A. Размер 5×20 мм.	3.2 pyб.
515	BD9897FS	Микросхема BD9897FS – для инверторов LCD-панелей (DC-AC Inverter Control IC), SSOP-32	95 pyб.
6931	Макетная плата SYB-170 (35x47mm, зеленая)	Макетная плата для монтажа без пайки SYB-170 (170 контактов, зеленая)	32 pyб.
1431	h30R1203 (IHW20N120R3)	IGBT транзистор IHW20N120R3 (маркировка h30R1203) для индукционных печей, 1200V, 20A, аналог h30R1202	110 pyб.
3436	PCR406	Тиристоры PCR406 – 600V, 0.6A, Glass passivated, sensitive gate thyristors in a plastic envelope, intended for use in general purpose switching	3.2 pyб.
7661	STP5NK60Z	Транзистор STP5NK60Z (маркировка P5NK60Z) – Power MOSFET Transistor, N-Channel, 600V, 5A, TO-220	43 pyб.
6618	Макетная плата (Breadboard) MB-102	Макетная плата(Breadboard) для монтажа без пайки (безпаячная), MB-102	95 pyб.
1929	NE555P dip-8	Микросхемы NE555P – PRECISION TIMER IC, DIP-8	6.5 pyб.
5278	Цифровой термометр TPM-10 с датчиком	Термометр цифровой ТРМ-10 с датчиком 1 метр	95 pyб.

D13007K NPN Транзистор Спецификация, схема выводов, номинальная мощность и области применения

Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в D13007K.

D13007K — это мощный NPN-транзистор, в основном используемый для…

Привет ребята! Надеюсь, ты сегодня в порядке. Рад видеть вас рядом. Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в D13007K. D13007K представляет собой мощный NPN-транзистор, используемый в основном для коммутации и усиления. Это устройство изготовлено из кремния и относится к категории транзисторов с биполярным переходом. Поскольку это NPN-транзистор, то здесь основными носителями заряда являются электроны. Дырки являются основными носителями в случае транзисторов PNP. Это высоковольтное сильноточное устройство, используемое в энергосберегающих лампах. Ток коллектора этой микросхемы составляет 8 А, что означает, что она лучше всего подходит для нагрузок до 8 А. А рассеиваемая мощность составляет 80 Вт, что предполагает выделение мощности 80 Вт во время работы этого устройства.

Напряжение коллектор-база составляет 700 В, а напряжение коллектор-эмиттер — 400 В, а напряжение между выводами базы и эмиттера — 9 В.V – напряжение, необходимое для запуска транзистора и смещения устройства. Прочтите этот пост до конца, так как я буду документировать полное введение в D13007K, включая техническое описание, распиновку, номинальную мощность, принцип работы, области применения и физические размеры. Давайте углубимся.

Знакомство с D13007K

D13007K — это силовой транзистор, принадлежащий к семейству транзисторов NPN.
Все это устройство состоит из трех выводов, таких как эмиттер, база и коллектор. Все эти клеммы подключены к внешней электрической цепи.
Это устройство с регулируемым током, поскольку небольшой ток на одном выводе используется для управления большим током на остальных выводах.

В то время как МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением, и поставляются с выводами, такими как сток, исток и затвор. Затвор играет в полевых МОП-транзисторах ту же роль, что и база в биполярных транзисторах.
Транзисторы с биполярным переходом в основном делятся на два типа: транзисторы PNP и транзисторы NPN.

И электроны, и дырки играют ключевую роль в проводимости транзисторов с биполярным переходом.
Но в случае PNP-транзисторов дырки отвечают за большую часть проводимости внутри устройства, в то время как в случае NPN-транзисторов ключевую роль в общей проводимости внутри транзистора играют электроны.
PNP считаются менее эффективными, чем транзисторы NPN, потому что электроны быстрее и эффективнее в процессе проводимости по сравнению с дырками. Подвижность электронов намного лучше и быстрее, чем подвижность дырок внутри транзистора.

D13007K Лист данных

Целесообразно проверить техническое описание устройства, прежде чем включать его в свой электрический проект. В даташите указаны основные характеристики устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание D13007K.

D13007K Распиновка

На следующем рисунке показана схема распиновки D13007K.

D13007K имеет три терминала, известные как: 1: База 2: Коллекционер 3: Излучатель Все эти терминалы несут различные концентрации легирования. Что приводит к несимметричности данного устройства. Сторона эмиттера сильно легирована, а сторона коллектора легирована слабо. При этом сторона коллектора легирована в 10 раз меньше, чем сторона основания.

D13007K Принцип работы

Принцип работы транзистора прост и понятен. Все это инициируется со стороны базы. Когда к базе приложено напряжение, оно сместит устройство, и в результате ток начнет течь от коллектора к выводу эмиттера.
Поскольку это NPN-транзистор, ток здесь протекает от коллектора к эмиттерным выводам, в случае PNP-транзисторов все наоборот.

При подаче напряжения на вывод базы в переходном PNP ток начинает течь от эмиттера к коллектору.

Как было сказано ранее, это биполярное устройство не является симметричным. Это означает, что если вы поменяете местами эмиттер и коллектор, то обе клеммы начнут работать в обратном активном режиме, и устройство перестанет работать в прямом активном режиме.

D13007K Номинальная мощность

В следующей таблице представлены абсолютные максимальные характеристики D13007K.

Абсолютные максимальные значения D13007K
Номер контакта	Описание контакта	Имя контакта
1	Напряжение коллектор-эмиттер	400 В
2	Напряжение коллектор-база	700В
3	Напряжение база-эмиттер	9В
4	Токовый коллектор	8А
5	Рассеиваемая мощность	80 Вт
6	Базовый ток	4А
7	Операционный и складской узел диапазон температур	от -55 до 150°С

Включая это устройство в свой проект, убедитесь, что рейтинги не превышают абсолютные максимальные рейтинги. В противном случае это может повредить всему проекту.
Температура соединения и температура хранения находятся в диапазоне от -55 до 150°С.
Напряжения коллектор-эмиттер и коллектор-база 400В и 700В соответственно. А общая рассеиваемая мощность составляет 80 Вт, что демонстрирует количество энергии, выделяемой при работе этого устройства.
Важно отметить, что не применяйте эти рейтинги дольше необходимого времени, иначе они могут повлиять на надежность устройства.

D13007K Применение

D13007K используется в следующих приложениях.

Используется в схемах бистабильных и нестабильных мультивибраторов.
Используется в схемах регулятора напряжения.
Используется для поддержки нагрузок до 12 А.
Используется в электронных балластах.

Встраиваются в современные электронные схемы.
Используется для высокочастотного преобразования мощности.
Используется в обычном усилителе мощности.
Используется в энергосберегающих светильниках.
Используется в высоком импульсном блоке питания.

D13007K Физические размеры

На изображении ниже представлены физические размеры D13007K.

Сканируя эти размеры, вы можете оценить пространство, необходимое для вашего компонента в электрическом проекте. Это все на сегодня. Спасибо, что нажали на это и прочитали. Вы можете поделиться своими ценными отзывами и предложениями в разделе ниже. Они помогают нам создавать качественный контент. Вы можете обратиться ко мне в разделе ниже, если вам нужна помощь в отношении этой статьи, я счастлив и готов помочь вам наилучшим образом. Спасибо, за то что прочитали эту статью.

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любого цвета) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.