D2Sba60: D2SBA60-7000, Диодный мост 1.5 600В [2S], Shindengen

Где купить

ХАРАКТЕРИСТИКИ Тонкий однорядный корпус Высокий IFSM Применяется для автоматической вставки ПРИМЕНЕНИЕ Импульсный источник питания Бытовая техника, оргтехника Телекоммуникации, автоматизация производства

Абсолютные максимальные номинальные значения (если не указано, Tl=25) Элемент Символ Условия Температура хранения Tstg Tj Рабочая температура перехода VRM Максимальное обратное напряжение IO Средний выпрямленный прямой ток 50 Гц, синусоидальная волна, R-нагрузка, на стеклоэпоксидной подложке, Ta=25 IFSM 50 Гц синусоидальная волна, неповторяющееся пиковое значение за 1 цикл, Tj=25 Пиковый бросок прямого тока I2t Ток в квадрате Время 1mst10ms@Tj=25 Электрические характеристики (если не указано, Tl=25) Элемент Символ Условия VF IF=0,75A, Измерение импульсов, Номинальные характеристики на диод Прямое напряжение IR VR=VRM, ​​Измерение импульсов, Номинальные значения на диод Обратный ток Термическое сопротивление jl переход к проводу ja переход к окружающей среде Номинальные параметры Единица измерения A A2s

Д2ФС4 :

EPH5R0020: Sidac / однонаправленный тиристор (серия G1V)

HHF3. 3V15A5V5A: Sidac / однонаправленный тиристор (серия G1V)

М1ФМ3 :

D2S4M4003P12.5 : 1,5 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация выпрямителя / Технология: Шоттки; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1500 мА

K1V33(W)-04P12.5-4061 : 355 В, SIDAC Технические характеристики: Количество контактов: 2

KL3LU06-4073 : 30 A, КРЕМНИЕВЫЙ СЕТЧАТЫЙ ЗАЩИТНЫЙ УСТРОЙСТВО Технические характеристики: ITSM: 30 А; VBO: 55 вольт; Тип упаковки: 1F, 2 PIN-кода; Количество выводов: 2

KP4R25-4063 : 40 A, КРЕМНИЕВЫЙ СЕТЧАТЫЙ СЕТЧАТЫЙ ЗАЩИТ Технические характеристики: ITSM: 40 А; VBO: 220 вольт; Тип упаковки: 2F, 2 PIN-кода; Количество выводов: 2

S2L604004P20 : 1,2 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЯ Спецификации: Тип диода: ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЯ; Применение диодов: выпрямитель, СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ЕСЛИ: 1200 мА; трр: 0,0500 нс

S2S6M-4061 : 1,3 А, 60 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация выпрямителя / Технология: Шоттки ; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 60 вольт; ЕСЛИ: 1300 мА

S2S6M4003P15 : 1,3 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация выпрямителя / Технология: Шоттки; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1300 мА

2SK2670-4000 : 5 A, 900 В, 2,8 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 900 вольт; RDS(вкл. ): 2,8 Ом; Тип упаковки: ТО-220, СТО-220, 3 контакта; Количество единиц в ИС: 1

7MBR25SA140 : Встроенный модуль питания. Компактный ПК с низким VCE(sat) Модуль для монтажа на плате Преобразователь Диодный мост Динамическая тормозная цепь Применение Инвертор для привода Motoe AC и DC Усилитель сервопривода Источник бесперебойного питания Абсолютные максимальные номиналы (Tc=25C, если не указано иное) Символ VCES VGES IC ICP -IC PC VCES VGES IC ICP Рассеивание мощности коллектора Повторяющееся пик реверс.

BDW93CFP : Дополнительные кремниевые силовые транзисторы Дарлингтона. STMicroelectronics ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЕ ТИПЫ ПРОДАЖИ МОНОЛИТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДАРЛИНГТОНА ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА PNP – NPN ИНТЕГРИРОВАННЫЙ АНТИПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР ДИОД ПОЛНОСТЬЮ ЛИТОВЫЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ КОРПУС ИЗОЛЯЦИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА (СООТВЕТСТВУЕТ UL)

BY228 : .

DTC114EE : Транзистор резистора смещения. Кремниевый транзистор NPN для поверхностного монтажа с монолитной сетью резисторов смещения Эта новая серия цифровых транзисторов предназначена для замены одного устройства и его внешней сети резисторов смещения. BRT (Bias Resistor Transistor) содержит один транзистор с монолитной цепью смещения, состоящей из двух резисторов; последовательный базовый резистор и база-эмиттер.

IXFH80N10 : с внутренним диодом FAST. N-канальный режим расширения Лавинный рейтинг, высокий символ dv/dt VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IL(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Условия испытаний на массу до 150°C; RGS 1 M Непрерывный переходный процесс = 25C ​​Предельный ток отведения = 25C, ширина импульса ограничена TJM 25C IS IDM, di/dt 100 A/s, VDD VDSS, = 25C ​​Пакеты международных стандартов Low RDS (вкл.

CMLT6427E : : ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК CMLT6427E представляет собой усовершенствованный кремниевый транзистор Дарлингтона PICOmini NPN. Высокий коэффициент усиления по постоянному току в сочетании с низким напряжением насыщения делают его отличным выбором для промышленных/бытовых приложений, где главным приоритетом являются эффективность работы и небольшие размеры. КОД МАРКИРОВКИ: C64 Примечания: (1) Печатная плата с керамическим или алюминиевым сердечником.

FDME905PT : -12V P-Channel PowerTrench® MOSFET Это устройство разработано специально для зарядки аккумулятора или переключения нагрузки в сотовых телефонах и других ультрапортативных устройствах. Это МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии. Корпус MicroFET 1,6×1,6 Thin обладает исключительными тепловыми характеристиками для своего физического размера и хорошо подходит для коммутации и линейного режима.

03029BR681AKZC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BR, 0,00068 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0402. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 6,80E-4 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

05002360CGZP : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, БП, 0,000036 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 3,60E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 2 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

CCP2B100BK : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ от ТЕМПЕРАТУРЫ, СБРОСНЫЙ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ PTC, 0,015 Ом, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТИ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), 1206, ЧИП, 1206, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 0,0150 Ом; Рабочее напряжение переменного тока: 24 вольта; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F).

DMC56105 : МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SMINI5-F3-B, 5 PIN.

HB1A109M30045HA : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 10000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 10000 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 949 микроампер; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

MA40284-1008 : КРЕМНИЙ, НИЗКИЙ БАРЬЕР ШОТТКИ, ДИАПАЗОН X-KU, МИКСЕР-ДИОД. s: Тип диода: МИКСЕРНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: смеситель; Упаковка: ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-4 ; Количество выводов: 4; Количество диодов: 4.

MAX5490GA01000 : РЕЗИСТОР, СЕТЕВОЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ДЕЛИТЕЛЬ, 0,5714 Вт, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ. s: Конфигурация: Массив микросхем ; Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), SOT23, SOT-23; Температурный коэффициент: 35 ± ppm/°C; Номинальная мощность: 0,5714 Вт (7,66E-4 л.

PMLL4446-T : 0,15 А, 75 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения; ЕСЛИ: 150 мА; трр: 0,0040 нс.

PR0100 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫЙ, 0,6; 1 Вт, 1; 5 %, 250 частей на миллион, 0,22 Ом – 1 000 000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/Конструкция: Металлопленка; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Осевые выводы, С ОСЕВЫМИ ВЫВОДАМИ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 350 вольт; Рабочая температура: от -55 до 155 C (от -67 до 311 F).

U823A702A000 : КОНДЕНСАТОР СЛЮДЯНОЙ, 7000 В, 0,082 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: слюда; Диапазон емкости: 0,0820 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 7000 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие.

3A102LF : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройства в пакете: 1 ; Тип руководства: Радиальный, WIRE; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Номинальный постоянный ток: 3000 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

9C12063A3300JLPFT : RES, SMT, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 330 OHMS, 200WV, 5% +/-TOL, -200,200PPM TC, 1206 CASE. s: Категория/Применение: Общее использование.

Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd

Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd

Д2СБА60

Аннотация: 2SD1515 2SC32592SC3261 S1WB40 SRT-2W6H 2SC4530 2SC3262 2SC2789 S12KC20
Текст: D1N60 D 5FB10 D 5FB20 D 5FB40 D5FB60 D2SBA20 D2SBA20 D2SBA60 D2SBA60 Тип № Замена D5LD20U

Т30к40д

Реферат: T20W20F3 T30G40 T25U40 2sd573 D5KC20 D2SBA60 SRT-2W6H S60S6 T7K40
Текст: 5FB60 D2SBA20 D2SBA20 D2SBA60 D2SBA60 Номер типа S6K20RH S6K40 S6K40R D6K20 D6K20R D6K20H D6K20RH D6K40

2000 – Д2СБА60

Аннотация: d2sba
Текст: SHINDENGEN Выпрямители общего назначения D2SBA60 Мосты SIL ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ Корпус: 2S Единица измерения: мм 600 В 1,5 А ХАРАКТЕРИСТИКИ Тонкий однорядный корпус Высокий IFSM Применяется для автоматической вставки ПРИМЕНЕНИЕ Импульсный источник питания Бытовая техника, офисное оборудование Телекоммуникации, заводская автоматизация РЕЙТИНГИ Абсолютный максимум Номинальные параметры (если не указано Tl=25) Пункт Символ Условия Температура хранения Tstg Рабочая температура перехода Tj VRM Максимальное обратное напряжение IO Среднее

2000 – Д2СБА60

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: SHINDENGEN Выпрямители общего назначения D2SBA60 Мосты SIL ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ Единица измерения: мм 600 В 1,5 А ХАРАКТЕРИСТИКИ Тонкий однорядный корпус Высокий IFSM Применяется для автоматической вставки ПРИМЕНЕНИЕ Импульсный источник питания Бытовая техника, оргтехника Телекоммуникации, заводская автоматизация РЕЙТИНГИ Абсолютные максимальные номинальные значения (если не указано Tl=25) Пункт Символ Условия Температура хранения Tstg Tj Рабочая температура перехода VRM Максимальное обратное напряжение IO Среднее выпрямленное Прямое

2008 – д2сба

Реферат: D2SBA60 D2SBA20 DIODE 600V 15A Мостовой диод, одинарный встроенный
Текст: D2SBA60 Tstg -40150 Tj 150 VRM IO IFSM I2t 200 600 Прямое напряжение

2001 – Д2СБА60

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: SHINDENGEN Выпрямители общего назначения D2SBA60 Мосты SIL ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ Корпус: 2S Единица измерения: мм 600 В 1,5 А ХАРАКТЕРИСТИКИ Тонкий однорядный корпус Высокий IFSM Применяется для автоматической вставки ПРИМЕНЕНИЕ Импульсный источник питания Бытовая техника, офисное оборудование Телекоммуникации, заводская автоматизация РЕЙТИНГИ Абсолютный максимум Номинальные параметры (если не указано Tl=25) Пункт Символ Условия Температура хранения Tstg Tj Рабочая температура перехода VRM Максимальное обратное напряжение IO Среднее 9E ) ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ D2SBA Csss ! 2S 600V 1.5A IS Ä · Ä S J S I P I K v ‘t – V · S I FS M ·SiÔifiSfcrJfô it ·S R W ® *mm. · a D2SBA20 D2SBA60 ¥ (4 шт. K ffffl

2007 – д2сба

Аннотация: D2SBA60 D2SBA20
Текст: . D2SBA20 D2SBA60 -40150 150 200 600 1,5 60 16 Единица В A A A2s 50 Гц Ta=25 50 Гц синусоидальная волна

Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: °C 150 0} l Обратный ток D2SBA60 – 4 0 -1 5 0 Io Среднее выпрямленное

Д5ФБ10

Реферат: T30k40d S30SC3M S1WB10 D1NL40 ДИОДЫ S30SC4 d1nk40h T30G40 D5KC20RH T25U40
Текст: Замена D2SBA10 D2SBA20 S1WB(A)20Z D2SBA40 S1WB(A)40Z D2SBA60 D1NS4 D1NS4 D1N60 S1WB(A)10 S1WB(A)20 S1WB(A)

МА2810

Реферат: MA1050 ma4810 MA2830 MA4820 MA2820 MA1040 2SK2060 MJ2400 S20LC20U
Текст: D2SBA60 D2SB60 D3SBA60 D3SB60 D5SBA60 D5SB60 D10XB60 D10XB60H D15XB60 D15XB60H D20XB60 D25XB60 D2SB60L , Источник питания УСТРОЙСТВА Vin (AC) Vouti Di 600V Мост ~30V0V60X 230V MOSI Серия 9SIYB20 S1ZB20 S1NB20 1 S1WBA20 S1VB20 S1VBA20 V a» 600 S1YB60 S1ZB60 S1NB60 S1WBA60 S1WBA60B S1VB60 S1VB60Z S1VBA60 LN1WBA60 LN1VB60 D2SB20 1. 5 1.6 D3B20 D3SBA20 U4SB20 U4SBA20 D4SBS4 (40V) D5SB20 D5SBA20 6 U6SB20 D2SBA20 D2SB60 D2SBA60 LN2SB60 D3SB60 D3SBA60 U4SB60 Ü4SBA60 LN4SB60 D4SBS6 (60V) D5SB60 D5SBA60 U6SB60 U6SBA60 LN6SB60 D10XB60 D10XB60H D15XB60 , 10 10 10 10 D2S860 D2S8A20 D2SBA60 600 200 600 – I N30N3QNIHS ûi i I O) I

КИТАЙ ТВ ФБТ

Аннотация: транзистор 2N3906 smd 2A SOT23 TS4B05G транзистор 2N3904 smd 2A SOT23 fbt tv KIA7812API KIA431A транзистор транзистор KIA431A CHINA TV uoc 2N60 MOSFET SMPS
Текст: DFS 0,5 1 2 D2SB60 GBL2J D2SB60 – D2SBA60 – GBL 600 2 GBL205 600