Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Усилитель LM386. Описание, datasheet, схема включения

Усилитель LM386. Применение данной микросхемы будет оправдано при изготовлении небольших устройств с низким напряжением питания, например, усилитель для дверного звонка, карманных радиоприемников и т.д.

Простота применения LM386 обусловлена применением всего нескольких внешних деталей, позволяющих получить полноценный усилитель.

Микросхема LM386 представляет собой усилитель мощности для усиления слабых аудиосигналов при низком напряжении питания. Хотя по умолчанию коэффициент усиления LM386 установлен на уровне 20, он с успехом может быть увеличен почти в 10 раз, то есть до 200 путем подключения внешних элементов, а именно резистора и конденсатора к выводам 1 и 8.

Вход микросхемы LM386 работает относительно земли, в то время как выход автоматически смещен к половине напряжения питания.

Функциональная схема LM386

 

 

Назначение выводов микросхемы LM386

Размеры LM386

Усилитель LM386 выпускается в четырех модификациях. Первые три из них, а именно: LM386 N-1, N-2, N-3, обеспечивают очень низкое искажение и хорошо работают при напряжении питания в диапазоне от 4 до 12 вольт постоянного тока.

Четвертый тип, LM386 N-4 работает с рабочим напряжением от 5 до 18 вольт постоянного тока. Это крайние значения питающего напряжения, за пределами которого усилитель либо перестает работать, либо перегревается и выходит из строя.

Технические характеристики LM386

  • Ток покоя (потребление тока, когда усилитель находится в режиме ожидания) составляет около 4 мА.
  • Максимальная выходная мощность LM386  около 1,25 Вт при использовании динамика на 8 Ом.
  • Коэффициент усиления по напряжению составляет от 20 до 200 (от 26 дБ до 46 дБ соответственно).
  • Пропускная способность: 300 кГц при работе от 6 вольт питания
  • Низкий уровень искажений: 0,2%
  • Широкий диапазон напряжения питания: 4…12В или 5…18В

 

Далее рассмотрим применение LM386 в различных схемах аудиоусилителей.

Схемы включения усилителя LM386

На рисунке ниже показано типовое включение микросхемы LM386 из datasheet. В данном случае коэффициент усиления схемы ограничено до 20, поскольку к выводам 1 и 8 не подключены внешние элементы.

Данный коэффициент усиления (20) обеспечивается внутренними резисторами обратной связи на 1,35 кОм (к  выводам 8 и 1) и 15 кОм (к  выводам 1 и 5). Параллельное подключение внешних резисторов к данным резисторам приводит к изменению коэффициента усиления.

Формула расчета коэффициента усиления

A = (2 x R(1-5) )/ (150 + R(1-8))

Без каких-либо внешних компонентов усиление составляет 20:

А = 2 × 15000 / (150 + 1350) = 20

Конденсатор, подключенный между контактами 1-8 микросхемы,  позволяет игнорировать резистор  на 1,35 кОм,  и следовательно коэффициент усиления будет:

А = 2 × 15000/150 = 200

Выход микросхемы подключен к громкоговорителю с помощью конденсаторного фильтра, который обычно используется в линейных усилителях. Переменный резистор  на входе используется для настройки желаемого уровня громкости.

Вторая схема показывает, как можно повысить коэффициент усиления выше базовой установки (20) вплоть до 200 путем добавления конденсатора к контактам 1 и 8 микросхемы. Емкость конденсатора не должна превышать 10 мкФ.

Подбор коэффициента усиления в диапазоне от 20 до 200 может быть осуществлен, в том числе и с применением переменного резистора на 4,7 кОм, подключенного последовательно с конденсатором.

Избыток смещения может быть уменьшен путем соединения неиспользуемого вывода резистора с землей. Однако все вопросы смещения отпадают если активный вход соединен через конденсатор.

В варианте с коэффициентом усиления 200, необходимо соединить вывод 7 с помощью конденсатора емкостью 0,1мкФ с минусом питания для поддержания стабильной работы и предотвращения нелинейных искажений.

Простой, но интересный усилитель басов может быть получен путем подключения цепи из резистора и конденсатора к выводам 1 и 5

Скачать datasheet LM386 (211,2 Kb, скачано: 3 704)

www.joyta.ru

LM386 — Низковольтный усилитель мощности — DataSheet

Микросхема LM386, представляет собой усилитель мощности, который можно использовать в устройствах с низким напряжением питания. Например при питании от батареи. По умолчанию её внутренняя схема ограничивает усиление по напряжению в районе 20. Но подключая внешние резистор и конденсатор можно изменять усиление от 20 до 200, а выходное напряжение автоматически устанавливается равным половине напряжения питания. Потребление электроэнергии в холостом режиме составляет  всего 24 милливатта, при питании от 6 В.

 

 

Особенности 

  • Возможность работы от батарей
  • Минимум подключаемых наружных компонентов
  • Широкий диапазон питания: от 4 до 12 В или от 5 до 18 В
  • Низкий потребляемый ток: 4 мА
  • Усиление по напряжению от 20 до 200
  • Вход относительно земли
  • Самоустанавливающееся выходное напряжение
  • Низкий коэффициент искажений: 0.2% (при AV = 20, VS = 6 В, RL = 8 Ом, PO = 125 мВт, f = 1 кГц)

 

Примениение

  • Усилители радиопремников
  • Усилители портативных проигрывателей
  • Домофоны
  • Звуковые системы тв-приемников
  • Линейные приводы
  • Ультразвуковые приводы
  • Небольшие сервоприводы
  • Преобразователи

 

Внутренняя принципиальная схема LM386Рис. 1 Внутренняя принципиальная схема LM386

На Рис. 1 показана внутренняя принципиальная схема LM386. Транзисторы Q1 и Q2 образуют дифференциальный усилитель. В нем оба выхода соединены с общим проводом резисторами R1 и R2 номиналом 50 кОм.  Выход дифференциального усилителя
(транзистор Q3) подключен к входу усилителя с общим эмиттером(транзистор Q7). Сигнал с коллектора транзистора Q7 напрямую по
дается на выход ИС через усилитель мощности класса АБ, имеющий единичное усиление и выполненный на транзисторах Q8-Q9-Q10.
которые для минимизации внутреннего падения напряжения и для получения максимальной выходной мощности не снабжены схемой
защиты от перегрузки.

 

Расположение выводов LM386Рис. 2 Расположение выводов LM386

 

Электрические характеристики

Параметр Условия Мин. Тип.
Макс.
Ед. изм.
Рабочее напряжение питания (VS) для LM386N-1, -3, LM386M-1, LM386MM-1 4 12 В
Рабочее напряжение питания (VS) для LM386N-4 5 18 В
Потребляемый ток (IQ) VS = 6 В, VIN = 0 4 8 мА
Выходная мощность (POUT) для LM386N-1, LM386M-1, LM386MM-1 VS = 6 В, RL = 8 Ом, THD = 10% 250 325 мВт
Выходная мощность (POUT) для LM386N-3 VS = 9 В, RL = 8 Ом, THD = 10% 500 700 мВт
Выходная мощность (POUT) для LM386N-4 VS = 16 В, RL = 32 Ом, THD = 10% 700 1000 мВт
Усиление по напряжению (AV) VS = 6 В, f = 1 кГц 26 дБ
при 10 мкФ подключенных между выводами 1 и 8 46 дБ
Полоса пропускания  (BW)  VS = 6 В, выводы 1 и 8 отключены 300 кГц
 Коэффициент нелинейных искажений  (THD) VS = 6 В, RL = 8 Ом, POUT = 125 мВт  f = 1 кГц, выводы 1 и 8 отключены 0.2  %
Ослабление помех по питанию  (PSRR) VS = 6 В, f = 1 кГц, CBYPASS = 10 мкФ 50 дБ
Входное сопротивление  (RIN) VS = 6 В, выводы 1 и 8 отключены 50 кОм
Входной ток смещения  (IBIAS) 250 нА

 

Схемы включения

 

Схема усилителя на LM386 с коэффициентом усиления 20Схема усилителя на LM386 с минимальным количеством, подключаемых элементов и коэффициентом усиления 20

Схема усилителя на LM386 с коэффициентом усиления 200

Схема усилителя на LM386 с коэффициентом усиления 200

Усилитель с коэффициентом усиления 50Усилитель с коэффициентом усиления 50

Схема генератора с низким коэффициентом искажений на мосте ВинаСхема генератора с низким коэффициентом искажений на мосте Вина

Схема с дополнительным усилением низких частотСхема с дополнительным усилением низких частот

Зависимость коэффициента усиления от частоты для схемы с дополнительным усиление НЧЗависимость коэффициента усиления от частоты для схемы с дополнительным усиление НЧ

Схема генератора Меандра

Схема генератора Меандра

Усилитель мощности для АМ приемникаУсилитель мощности для АМ приемника

Примечание:

  • Ферритовое кольцо Ferroxcube К5—001—001/3Б с 3 витков провода.
  • R1C1 должны быть в пределах диапазона входных сигналов.
  • Все компоненты должны быть расположены как можно ближе к ИС.

 

Купить LM386Купить LM386 на алиэкспресс или купить с кэшбэком!

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Микросхемы LM386 LM386N/LM386D (аналог UTC386) Усилитель низкой частоты (УНЧ)

Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка…

DIP8-SO8

 

Особенности микросхемы LM386N/LM386D (аналог UTC386)

 

Широкий диапазон напряжения питания

4В…12В или 5В…18В

Максимальное входное напряжение

±0,4В

Ток потребления

< 8мА (тип. 4мА)

Выходная мощность (Uпит=9В Rн=16Ом)

500Вт

Усиление:(Выв. 1 и 8 — 10мкФ)(Выв. 1 и 8 свободны)

46dB

26dB

Коэффициент гармоник(Uпит=6В, Rн=8Ом)

0,2%

Входное сопротивление

50кОм

Частотный диапазон:(1 и 8 свободны)(1 и 8 — 10мкФ)

300кГц

60кГц

Температура

-20..+70oC

Корпус LM386NКорпус LM386D

DIP-8

SO-8

Низкое искажение: 0.2% (AV = 20, VS = 6V, RL = 8Ohm, PO = 125mW, f = 1kHz)

Корпус MSOP, 8 контактов.

LM386 — усилитель мощности, предназначенный для использования в приборах с низким уровнем напряжения.

 

Применяется

 

  • AM-FM радио усилители
  • Портативный магнитофон усилители
  • Видеодомофоны
  • Звуковые системы ТВ
  • Драйверы линии
  • Ультразвуковые драйверы
  • Малые сервопривода драйверы
  • Силовые преобразователи

Подробную информацию о данной микросхеме можете узнать скачав DATASHEET-LM386

radioschema.ru

Inchange Semiconductor D386A Даташит, D386A PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
TIP140 NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS Comset Semiconductors
TIP31D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIP29F NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
BD241D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
BUV47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL765 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760B NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
BUV47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations

ru.datasheetbank.com

SavantIC Semiconductor D386AE Даташит, D386AE PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
2SC3710 SILICON POWER TRANSISTOR / Silicon NPN Power Transistors Inchange Semiconductor
TIP140 NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS Comset Semiconductors
TIP31D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIP29F NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
BD241D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
BUV47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL765 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760B NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations

ru.datasheetbank.com

D386 Даташит, D386 PDF Даташиты

производитель Номер в каталоге Компоненты Описание Посмотреть
SANYO
SANYO -> Panasonic
D386 NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor For Vertical Deflection Output of Television
Iscsemi
Inchange Semiconductor
D386 Silicon NPN Power Transistors
Savantic
SavantIC Semiconductor
D386 Silicon NPN Power Transistors
SANYO
SANYO -> Panasonic
D386C NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor For Vertical Deflection Output of Television
Savantic
SavantIC Semiconductor
D386C Silicon NPN Power Transistors
SANYO
SANYO -> Panasonic
D386D NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor For Vertical Deflection Output of Television
Iscsemi
Inchange Semiconductor
D386D Silicon NPN Power Transistors
Savantic
SavantIC Semiconductor
D386D Silicon NPN Power Transistors
SANYO
SANYO -> Panasonic
D386E NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor For Vertical Deflection Output of Television
Iscsemi
Inchange Semiconductor
D386E Silicon NPN Power Transistors
Savantic
SavantIC Semiconductor
D386E Silicon NPN Power Transistors

ru.datasheetbank.com

Inchange Semiconductor D386D Даташит, D386D PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
TIP140 NPN SILICON DARLINGTONS, SILICON POWER TRANSISTORS Comset Semiconductors
TIP31D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIP29F NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
BD241D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
BUV47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations Ltd
TIPL765 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
TIPL760B NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations
BUV47 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Power Innovations

ru.datasheetbank.com

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о