Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Стабилитроны кремниевые диффузионные: Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная. Масса стабилитрона не более 6 граммов. Характеристика. Чертёж стабилитрона Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГПЭлектрические параметры Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП.
Предельные эксплуатационные данные Д817А, Д817АП, Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП.
Зависимость дифференциального сопротивления от тока Зависимость дифференциального сопротивления от тока.  | |
ном
номСтабилитрон Д817Г
Количество драгоценных металлов в стабилитроне Д817Г согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах Д817Г.
Стабилитрон Д817Г количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0003 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из Перечней МЧС.
Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 троп. Стабилитрон Д817Г 0,0004 0 0 0 эксп.
Стабилитроны Д817Г теория
Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом.
Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона.
Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.
Стабилитроны Д817Г Принцип действия
Советские и импортные стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.
Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:
Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его.
В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.
Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём.
Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.
Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.
Область применения стабилитрона Д817Г
Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.
Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.
Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.
Маркировка стабилитронов Д817Г
Маркировка стабилитронов
Есть информация о стабилитроне Д817Г – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото Стабилитрон Д817Г:
Предназначение Стабилитрон Д817Г.
Характеристики Стабилитрон Д817Г:
Купить или продать а также цены на Стабилитрон Д817Г (стоимость, купить, продать):
Отзыв о стабилитроне Д817Г вы можете в комментариях ниже:
Диод Д817Г
Номер товара: 43529
Есть на складах: 94 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Стабилитроны Д817Г диффузионно-сплавные, средней мощности.Предназначены для стабилизации напряжения.
Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом).
Масса стабилитрона с комплектующими деталями не более 6 г.
Технические условия: УЖ3.
362.027ТУ.Основные технические параметры стабилитрона Д817Г:
• Разброс напряжения стабилизации: 90… 110 В при Iст 50 мА;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С;
• Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %;
• Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 50 Ом;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 50 мА;
• Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт;
• Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60… +120 °С
Показать полностью…
Характеристики
| Артикул | нет |
| Страна производитель | Россия |
| Максимальное напряжение | 1.5 В, V |
| Максимальный ток | 0.05 А |
Отзывы
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин “Радиосфера” | 74 шт. | 8(3812)660118 |
| ТК “Голубой Огонек”, бутик 2 | 3 шт. | 8(3812)660118 доп 210 |
| “Старт”, “Левобережный” рынок | 3 шт. | 8(3812)660118 доп 213 |
| ТД “У Советского рынка” | 3 шт. | 8(3812)660118 доп 212 |
| ТК “Голубой Огонек”, цоколь бутик 76 | 3 шт. | 8(3812)660118 доп 215 |
| “Радиосфера”, возле ТРК “Кристалл” | 4 шт. | 8(3812)660118 доп 217 |
| “Первомайский” рынок, бутик 127 | 4 шт. | 8(3812)660118 доп 218 |
С этим товаром покупают
Структурное влияние мутаций DNMT3B, связанных с синдромом ICF. (A) Картирование …
Контекст 1
… Метилтрансферазные активности V657G, C651A и T775S для сайтов CpG в ДНК длиной 24 п.н. были дополнительно оценены с помощью анализов метилтрансферазы-Glo, которые выявили аналогичную тенденцию в что DNMT3B-3L дикого типа метилировал сайты CpG с активностью в ~ 2,3 и ~ 6,3 раза большей, чем мутанты V657G и T775S, соответственно, тогда как мутант C651A не имел наблюдаемой активности (рис.
3С).Низкая метилтрансферазная активность мутанта T775S коррелирует с фенотипом гипометилирования синдрома ICF, вызванного мутацией R823G (34), поскольку T775 образует сеть водородных связей с R823 в нашей структуре (рис. 6G), что указывает на мутацию либо T775 или R823 может снизить стабильность перевернутого цитозина. Эти структурные и биохимические данные подтверждают, что остаток C651 является наиболее важным каталитическим остатком для метилирования ДНК (13,22,43), V657 проникает в малую бороздку ДНК, а T775 стабилизирует перевернутый цитозин, и что вместе они вносят вклад в Активность метилирования ДНК DNMT3B (25)….
Контекст 2
… мы дополнительно сконструировали мутант DNMT3A (R831Q) -3L, чтобы проверить роль остатка R831 петли TRD в регуляции процессивности фермента. Мы обнаружили, что мутант DNMT3A (R831Q) -3L имел сильно сниженную ДНК-связывающую и метилтрансферазную активности по сравнению с ферментом дикого типа, поскольку R831 непосредственно участвует во взаимодействиях ДНК (дополнительный рисунок S6) (25).
В отличие от мутанта DNMT3B (Q772R) -3L, у которого была повышенная скорость диссоциации по сравнению с DNMT3B-3L дикого типа, мутант DNMT3A (R831Q) -3L имел несколько пониженную скорость диссоциации ДНК по сравнению с DNMT3A-3L дикого типа (k 1 = 0.026 против 0,031 мин -1 и k 2 = 0,215 против 0,296 мин -1), что указывает на то, что этот мутант имел незначительно увеличенную процессивность (дополнительный рисунок S6C). …
Контекст 3
… обнаружил, что мутант DNMT3A (R831Q) -3L обладал сильно сниженной ДНК-связывающей и метилтрансферазной активностями по сравнению с ферментом дикого типа, поскольку R831 непосредственно участвует во взаимодействиях ДНК (дополнительная информация Рисунок S6) (25). В отличие от мутанта DNMT3B (Q772R) -3L, у которого была повышенная скорость диссоциации по сравнению с DNMT3B-3L дикого типа, мутант DNMT3A (R831Q) -3L имел несколько пониженную скорость диссоциации ДНК по сравнению с DNMT3A-3L дикого типа (k 1 = 0.026 против 0,031 мин -1 и k 2 = 0,215 против 0,296 мин -1), что указывает на то, что этот мутант имел незначительно увеличенную процессивность (дополнительный рисунок S6C).
Собирая вместе все эти результаты, мы заключаем, что остаток Q772 играет решающую роль в стабилизации конформации петли TRD DNMT3B и что петля TRD участвует не только в специфическом распознавании остатка гуанина в сайтах CpG, но и в регуляции процессивности DNMT3B. . …
Контекст 4
… Было показано, что ряд точечных мутаций в DNMT3B ответственны за синдром ICF человека (14,51). Большинство этих мутаций были картированы в C-концевом каталитическом домене DNMT3B (рис. 6A и B). Эти мутации отменяют или снижают ферментативную активность DNMT3B, что приводит к гипометилированию ДНК (7,13,15,34,52,53). …
Контекст 5
… Кристаллическая структура комплекса DNMT3B-3L-ДНК показывает, как эти мутации по-разному влияют на ферментативную активность. Одна группа мутаций, включая A585V, A603T и V606A, может нарушить связывание кофактора SAM, тогда как вторая группа мутаций – H814R, D817G и V818M – может препятствовать сборке белка, поскольку последние остатки образуют сети взаимодействия в DNMT3B.
димерный интерфейс (рис. 6C и D).Другие мутации, связанные с синдромом ICF, могут влиять на стабильность белка (V726G, A766P, R840Q), взаимодействие DNMT3B-3L, конформацию каталитической петли (G663S, L664T), взаимодействие цитозина (V699G, R823G) или связывание ДНК (R823G) (рис. 6E-G) (рис. 6E-G). ). …
Контекст 6
… группа мутаций, включая A585V, A603T и V606A, может нарушить связывание кофактора SAM, тогда как вторая группа мутаций – H814R, D817G и V818M – может препятствовать сборка белка, поскольку последние остатки образуют сети взаимодействия в димерном интерфейсе DNMT3B (рис. 6C и D).Другие мутации, связанные с синдромом ICF, могут влиять на стабильность белка (V726G, A766P, R840Q), взаимодействие DNMT3B-3L, конформацию каталитической петли (G663S, L664T), взаимодействие цитозина (V699G, R823G) или связывание ДНК (R823G) (рис. 6E-G) (рис. 6E-G). ). …
6П45С Резюме: 6N23P 6P14P Selenstab 5 GE 200 AF Hochsp.leitg 6F1P service-mitteilungen D814D hsk 103 taa550 D814A | OCR сканирование | TGLIO395 III / I8 / 379 6П45С 6Н23П 6П14П Selenstab 5 GE 200 AF Hochsp.leitg 6F1P service-mitteilungen D814D hsk 103 taa550 D814A | |
BY236 Аннотация: BY235 d25n12 PBY285 KD202A D237A drr204 D223B диод Diode D25N4 PBY267 | OCR сканирование | ||
стабилитрон bzy88 Аннотация: D814A ДИОД BZX61 D815A BZY88 BZX61 ZENER DIODE 2.7V 1W BZY88C4V7 BZY88C5V1 KS156A | OCR сканирование | BZX61 D814V D816G OAZ204 Z2A27CF BZX70 D815A D816V ОАЗ205 Z2A30CF стабилитрон bzy88 D814A ДИОД BZX61 BZY88 Стабилитрон 2.7V 1W BZY88C4V7 BZY88C5V1 КС156А | |
стабилитрон D814D Реферат: стабилитрон 18В 1.5 Вт D814D D814B ZENER D814D D816D D814G D816A D817G BZY61C | OCR сканирование | 250 мВт 340 мВт 400 мВт BZY88C8V2 ОАЗ206 BZX61C8V2 D815V D814B BZY88C9V1 D814V стабилитрон D814D стабилитрон 18В 1.5 Вт D814D D814B ZENER D814D D816D D814G D816A D817G BZY61C |
org/Product”>
: Диод е н в е рг л е к и й ч н ы й список. Бе рлин: М и т е р л а г д е р Д Д Р В Е Б, 1 9 9 0. 112 S., 127 B ild e r – (e le c trón ic a 2 4 7)
org/Product”>% PDF-1.6
%
184 0 объект
>
эндобдж
xref
184 84
0000000016 00000 н.
0000002697 00000 н.
0000003097 00000 н.
0000003226 00000 н.
0000003262 00000 н.
0000003611 00000 н.
0000003764 00000 н.
0000003876 00000 н.
0000003988 00000 н.
0000004100 00000 н.
0000004212 00000 н.
0000004323 00000 п.
0000004433 00000 н.
0000004544 00000 н.
0000004657 00000 н.
0000004770 00000 н.
0000004882 00000 н.
0000004995 00000 н.
0000005108 00000 п.
0000005255 00000 н.
0000005397 00000 н.
0000005626 00000 н.
0000006291 00000 п.
0000006666 00000 н.
0000007192 00000 н.
0000007629 00000 н.
0000008241 00000 н.
0000008278 00000 н.
0000008332 00000 н.
0000008754 00000 н.
0000009115 00000 н.
0000009202 00000 н.
0000009696 00000 п.
0000011797 00000 п.
0000012551 00000 п.
0000013061 00000 п.
0000014998 00000 н.
0000015393 00000 п.
0000015685 00000 п.
0000017600 00000 п.
0000019780 00000 п.
0000021890 00000 п.
0000022467 00000 п.
0000042921 00000 п.
0000042960 00000 п.
0000044921 00000 п.
0000045088 00000 п.
0000047205 00000 п.
0000049023 00000 п.
0000051717 00000 п.
0000054930 00000 п.
0000058156 00000 п.
0000061961 00000 п.
0000068215 00000 п.
0000071296 00000 п.
0000072800 00000 п.
0000073057 00000 п.
0000076323 00000 п.
