Даташит ирфз44: IRFZ44 , , , – RadioLibrary

Содержание

Аналоги для irfz44 – Аналоги

IRFZ44	2SK2385	Функциональный аналог
IRFZ44	2SK2398	Функциональный аналог
IRFZ44	MTP50N05	Полный аналог
IRFZ44	MTP50N06V	Ближайший аналог
IRFZ44	КП723А	Отечественный и зарубежный аналоги
IRFZ44A	2SK2312	Функциональный аналог
IRFZ44A	IRFZ44E	Ближайший аналог
IRFZ44A	IRFZ44N	Функциональный аналог
IRFZ44E	2SK2312	Функциональный аналог
IRFZ44E	2SK2398	Ближайший аналог
IRFZ44E	2SK2494-01	Ближайший аналог
IRFZ44E	2SK856	Ближайший аналог
IRFZ44E	IRFZ44A	Ближайший аналог
IRFZ44E	MTP50N06V	Полный аналог
IRFZ44E	MTP52N06V	Ближайший аналог
IRFZ44E	RF1S45N06	Ближайший аналог
IRFZ44E	RF1S45N06	Ближайший аналог
IRFZ44E	RFP50N06	Функциональный аналог
IRFZ44E	RFP50N06	Функциональный аналог
IRFZ44E	SFP35N06	Ближайший аналог
IRFZ44E	SFS35N06	Функциональный аналог
IRFZ44E	STP45NE06	Полный аналог
IRFZ44E	STP45NF06	Ближайший аналог
IRFZ44E	STP50N06	Полный аналог
IRFZ44E	STP55N06	Ближайший аналог
IRFZ44E	STP55NE06	Ближайший аналог
IRFZ44E	STP55NE06L	Функциональный аналог
IRFZ44EL	IRFIZ44A	Ближайший аналог
IRFZ44EL	RF1S50N06	Ближайший аналог
IRFZ44EL	RF1S50N06	Ближайший аналог
IRFZ44EL	SFI35N06	Ближайший аналог
IRFZ44ES	2SK2376	Ближайший аналог
IRFZ44ES	MTB50N06V	Полный аналог
IRFZ44ES	STB45NF06T4	Полный аналог
IRFZ44N	2SK1879	Ближайший аналог
IRFZ44N	2SK2385	Функциональный аналог
IRFZ44N	2SK2494-01	Функциональный аналог
IRFZ44N	2SK905	Ближайший аналог
IRFZ44N	BUK7524-55	Функциональный аналог
IRFZ44N	BUK7528-55	Функциональный аналог
IRFZ44N	BUZ102	Ближайший аналог
IRFZ44N	BUZ102S	Ближайший аналог
IRFZ44N	HUF75229P3	Ближайший аналог
IRFZ44N	HUF75229P3	Ближайший аналог
IRFZ44N	HUF75321P3	Функциональный аналог
IRFZ44N	HUF75321P3	Функциональный аналог
IRFZ44N	HUF75329P3	Полный аналог
IRFZ44N	HUF75329P3	Полный аналог
IRFZ44N	IRFZ40	Ближайший аналог
IRFZ44N	IRFZ44A	Функциональный аналог
IRFZ44N	MTP50N06V	Функциональный аналог
IRFZ44N	SFP35N06	Функциональный аналог
IRFZ44N	STP45NE06	Функциональный аналог
IRFZ44N	STP45NF06	Ближайший аналог
IRFZ44N	STP50N06	Ближайший аналог
IRFZ44N	STP55N06	Функциональный аналог
IRFZ44N	STP55NE06	Функциональный аналог
IRFZ44N	STP55NF06	Ближайший аналог
IRFZ44N	STP55NF06	Ближайший аналог
IRFZ44NL	2SK2376	Ближайший аналог
IRFZ44NL	HUF75321S3	Функциональный аналог
IRFZ44NL	HUF75321S3	Функциональный аналог
IRFZ44NL	HUF75329S3	Полный аналог
IRFZ44NL	HUF75329S3	Полный аналог
IRFZ44NL	IRFIZ44A	Функциональный аналог
IRFZ44NL	SFI35N06	Функциональный аналог
IRFZ44NS	2SK1720	Ближайший аналог
IRFZ44NS	2SK2376	Ближайший аналог
IRFZ44NS	2SK3051	Ближайший аналог
IRFZ44NS	BUK7624-55	Функциональный аналог
IRFZ44NS	BUK7628-55	Функциональный аналог
IRFZ44NS	HUF75321S3S	Функциональный аналог
IRFZ44NS	HUF75321S3S	Функциональный аналог
IRFZ44NS	HUF75329S3S	Полный аналог
IRFZ44NS	HUF75329S3S	Полный аналог
IRFZ44NS	IRFWZ44A	Функциональный аналог
IRFZ44NS	MTB50N06V	Функциональный аналог
IRFZ44NS	MTB52N06V	Функциональный аналог
IRFZ44NS	SFW35N06	Функциональный аналог
IRFZ44NS	STB55NE06	Функциональный аналог
IRFZ44NS	STB55NF06T4	Ближайший аналог
IRFZ44R	STP36NF06	Ближайший аналог
IRFZ44R	STP45NF06	Полный аналог
IRFZ44S	2SK2266	Ближайший аналог
IRFZ44V	STP55NF06	Ближайший аналог
IRFZ44V	STP60NF06	Полный аналог
IRFZ44VS	STB55NF06T4	Ближайший аналог
IRFZ44VS	STB60NF06T4	Полный аналог
IRFZ44VZ	STP60NF06L	Полный аналог
IRFZ44VZ	STP80NF06	Ближайший аналог
IRFZ44VZS	STB60NF06LT4	Полный аналог
IRFZ44VZS	STB60NF06T4	Ближайший аналог

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK3586-01	N	MOSFET	270	100	30		73	150		35	460	0.025	TO220AB
70N06	N	MOSFET	200	60	20		70	150		79	530	0.012	TO220 TO263 TO262
75N75	N	MOSFET	300	75	20		80	175		208	773	0.0095	TO220 TO220F1 TO220F TO263
80N08	N	MOSFET	300	80	20		80	150		50	1260	0.012	TO247 TO220 TO263
80N08TR	N	MOSFET	230	80	25		80	175		29.мар	415	0.0105	TO220
110N10	N	MOSFET	220	100	20		110	175		24	380	0.009	TO220
140N10	N	MOSFET	215	100	25		140	175		116	942	0.0072	TO220
1115	N	MOSFET	330	100	20		150	175		100	540	0.0068	TO220
7080	N	MOSFET	150	70	25		80	175		15	430	0.008	TO220
8680	N	MOSFET	180	86	20		80	175		110	260	0.0085	TO220
AM110N06-08P	N	MOSFET	300	60	20	1	110	150	64	60	572	0.008	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N06-25PCFM	N	MOSFET	300	60	20	1	87	175	08.май	59		0.0265	TO220CFM
AM90N06-30P	N	MOSFET	300	60	20	1	87	175	08.май	59		0.0265	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0.016	TO220AB
AM90N10-14PCFM	N	MOSFET	300	100	20	1	87	175	60	49		0.016	TO220CFM
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0.023	TO220AB
AOT2500L	N	MOSFET	375	150	20	03.май	152	175		20	586	0.0065	TO220
AOT2502L	N	MOSFET	277	150	20	05.янв	106	150		75	345	0.011	TO220
AOT266L	N	MOSFET	268	60	20	03.фев	140	175	65	20	720	0.0035	TO220
AOT270AL	N	MOSFET	500	75	20	03.мар	140	175		20	1520	0.0026	TO220
AOT280L	N	MOSFET	333	80	20	03.апр	140	175		23	1315	0.0027	TO220
AOT282L	N	MOSFET	272.5	80	20	03.май	105	175	58	18	960	0.0035	TO220
AOT284L	N	MOSFET	250	80	20	03.мар	105	175		11	673	0.0045	TO220
AOT286L	N	MOSFET	167	80	20	03.мар	70	175		11	435	0.006	TO220
AOT2904	N	MOSFET	326	100	20	03.мар	120	175		49	605	0.0044	TO220
AOT2906	N	MOSFET	187	100	20	03.май	122			43	1465	0.0062	TO220
AOT2918L	N	MOSFET	267	100	20	03.сен	90	175	38	24	1530	0.007	TO220
AOT292L	N	MOSFET	300	100	20	03.апр	105	175		11.май	557	0.0045	TO220
AOT412	N	MOSFET	150	100	25	03.авг	60	175	45	16	260	0.0158	TO220
AOT460	N	MOSFET	268	60	20	4	85	175		35	430	0.0075	TO220
AOT474	N	MOSFET	417	75	20	4	127	175	49.6	34	507	0.0113	TO220
AOT482L	N	MOSFET	333	80	25	03.июл	105	175	66.8	18	458	0.0072	TO220
AP10TN003P	N	MOSFET	227	100	20	5	120	150		180	1730	0.003	TO220
AP60T10GP	N	MOSFET	167	100	20	5	57	150	55	68	400	0.018	TO220
AP60T10GP-HF	N	MOSFET	167	100	20	5	67	150		68	400	0.018	TO220
AP6N2R0P	N	MOSFET	227	60	20	5	255	150		140	6150	0.002	TO220
AP80T10AGP-HF	N	MOSFET	166	100	20	5	75	175		50	540	0.0125	TO220
AP80T10GP	N	MOSFET	166	100	20	5	80			58	550	0.0095	TO220
AP85T10AGP	N	MOSFET	166	100	20	5	100	150		100	650	0.008	TO220
AP85T10GP	N	MOSFET	300	100	20	5	120			95	770	0.008	TO220
AP92T12GP	N	MOSFET	375	120	20	5	120			96	800	0.0085	TO220
AP95T07AGP	N	MOSFET	300	75	20	4	170			72	920	0.0048	TO220
AP95T07GP	N	MOSFET	300	75	20	4	80			160	985	0.005	TO220
AP95T10AGP	N	MOSFET	277.8	100	20	5	120	150		250	830	0.006	TO220
AP95T10GP	N	MOSFET	375	100	20	4	150			210	910	0.0064	TO220
AP97T07AGP	N	MOSFET	277.8	75	20	5	120	150		330	1040	0.0034	TO220
AP97T07GP	N	MOSFET	375	75	20	4	220			240	1160	0.0036	TO220
AP9970AGP	N	MOSFET	277.8	60	20	5	120			130	1150	0.003	TO220
APM7512NF	N	MOSFET	273	75	25		80	175		14	520	0.012	TO220
APQ57SN10B	N	MOSFET	162	100	20	4	57	150		473	717	0.018	TO220
APQ57SN10BH	N	MOSFET	162	100	20	4	57	150		473	717	0.018	TO220
APQ65SN06A	N	MOSFET	150	60	20	4	65	150		32.4	449	0.016	TO220
APQ84SN06A	N	MOSFET	200	60	20	4	84	150		75	687	0.012	TO220
BR50N10	N	MOSFET	150	100	20		50	150		63	265	0.028	TO220
BR70N06	N	MOSFET	162	60	20		70	150		135	790	0.015	TO220
BR75N75	N	MOSFET	150	75	20		75	150		15.июн	300	0.01	TO220
BR80N08	N	MOSFET	165	80	20		80	150		17.авг	330	0.008	TO220
BR80N75	N	MOSFET	300	75	25		80	150		25	730	0.012	TO220
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0.02	TO220AB
BUK7526-100B	N	MOSFET	157	100	20	4	49	175	38			0.026	TO220AB
BUK7528-100A	N	MOSFET	166	100	20	4	47	175				0.028	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0.019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9529-100B	N	MOSFET	157	100	15	2	46	175	33			0.027	TO220AB
CEP6036	N	MOSFET	167	60	20		135	175		23	450	0.0046	TO220
CEP60N10	N	MOSFET	200	100	20		57	175		5	440	0.024	TO220
CEP75N06G	N	MOSFET	150	60	20		75	175		17	495	0.013	TO220
CEP80N15	N	MOSFET	300	150	20		76	175		24	455	0.019	TO220
CEP85N75	N	MOSFET	200	75	30		86	175		9	715	0.012	TO220
CEP85N75V	N	MOSFET	200	75	30		85	175		7	670	0.013	TO220
CM120N06	N	MOSFET	150	60	20		120	175			435	0.0076	TO220
CM84N06	N	MOSFET	200	60	20		84	175			375	0.01	TO220
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0.008	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP030N06B_F102	N	MOSFET	205	60	20		120	175				0.0031	TO220
FDP032N08B	N	MOSFET	263	80	20	04.май	120	175				0.0033	TO220
FDP045N10A_F102	N	MOSFET	263	100	20		164	175	57			0.0045	TO220
FDP050AN06A0	N	MOSFET	245	60	20	4	80	175	61			0.005	TO220
FDP070AN06A0	N	MOSFET	175	60	20	4	80	175	51			0.007	TO220
FDP083N15A_F102	N	MOSFET	294	150	20		75	175	64.5			0.0083	TO220
FDP085N10A	N	MOSFET	188	100	20	4	96	175	40			0.0085	TO220
FDP085N10A_F102	N	MOSFET	188	100	20		68	175	31			0.0085	TO220
FDP120N10	N	MOSFET	170	100	20	04.май	74	175	66			0.012	TO220
FDP3651U	N	MOSFET	255	100	20	05.май	80	175	49			0.018	TO220
FDP3652	N	MOSFET	150	100	20	4	61	175	53			0.016	TO220
FDP80N06	N	MOSFET	176	60	20	4	80	175	57			0.01	TO220
FQP65N06	N	MOSFET	150	60	25	4	65	175	48			0.016	TO220
FTK1016	N	MOSFET	227	100	20		75	150		15.июн	350	0.016	TO220
FTK3022	N	MOSFET	150	100	20		60	150		15.июн	300	0.022	TO220
FTK50N10P	N	MOSFET	150	100	20		50	150		63	265	0.028	TO220
FTK6808	N	MOSFET	181	68	20		84	175		15.июн	300	0.008	TO220
FTK7509	N	MOSFET	165	80	20		80	150		17.авг	330	0.008	TO220
FTK7510	N	MOSFET	150	75	20		75	150		15.июн	300	0.01	TO220
FTK7510F	N	MOSFET	150	75	20		75	150		15.июн	300	0.01	TO220F
FTK7510P	N	MOSFET	150	75	20		75	150		15.июн	300	0.01	TO220
FTK75N75	N	MOSFET	150	75	20		75	150		220	900	0.01	TO220
FTK80N08	N	MOSFET	165	75	20		80	150		17.авг	330	0.008	TO220
FTP11N08	N	MOSFET	230	75	20		100	175		110	1050	0.011	TO220
FTP18N06	N	MOSFET	150	60	20		59	175		61	420	0.018	TO220
G1010	N	MOSFET	200	60	20		100	175		50.8	671.5	0.01	TO220
G3710	N	MOSFET	200	100	20		59	175		52.5	665.3	0.025	TO220
HFP60N06	N	MOSFET	150	60	20		60	150		10	237	0.0115	TO220
HFP75N08	N	MOSFET	173	80	20		75	150		225	940	0.014	TO220
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0.017	TO220AB
HUF76639P3	N	MOSFET	180	100	16	3	50	175				0.027	TO220AB
HX70N06-TA3	N	MOSFET	158	60	20	4	70	150		60	690	0.015	TO220
HX70N6	N	MOSFET	158	60	20	4	70	150		60	690	0.015	TO220
HY1607P	N	MOSFET	160	68	25	4	70	175		13	190	0.007	TO220
HY1906P	N	MOSFET	188	60	25	4	120	175		11	876	0.0075	TO220FB
IPP034N08N5	N	MOSFET	167	80	20	03.авг	120	175		12	790	0.0034	TO220
IPP037N06L3G	N	MOSFET	167	60			90		59			0.0037	TO220
IPP052NE7N3G	N	MOSFET	150	75			80		51			0.0052	TO220
IPP057N08N3G	N	MOSFET	150	80			80		52			0.0057	TO220
IPP06CN10NG	N	MOSFET	214	100			100					0.0065	TO220
IPP070N06LG	N	MOSFET	214	60			80					0.007	TO220
IPP070N06NG	N	MOSFET	250	60			80					0.007	TO220
IPP072N10N3G	N	MOSFET	150	100			80		51			0.0072	TO220
IPP080N06NG	N	MOSFET	214	60			80					0.008	TO220
IPP08CN10NG	N	MOSFET	167	100			95					0.0085	TO220
IPP100N08S2L-07	N	MOSFET	300	75			100					0.0068	PGTO220
IPP110N06LG	N	MOSFET	158	60			78					0.0113	TO220
IPP110N20N3G	N	MOSFET	300	200			88		65			0.011	TO220
IPP110N20NA	N	MOSFET	300	200	20	4	88	175		26	401	0.0107	TO220
IPP111N15N3G	N	MOSFET	214	150			83		41			0.0111	TO220
IPP120N06NG	N	MOSFET	158	60			75		62			0.012	TO220
IPP120N20NFD	N	MOSFET	300	200	20	4	84	175		10	400	0.012	TO220
IPP200N15N3G	N	MOSFET	150	150			50		23			0.02	TO220
IPP200N25N3G	N	MOSFET	300	250			64		64			0.02	TO220
IPP220N25NFD	N	MOSFET	300	250	20	4	61	175		10	398	0.022	TO220
IRCZ445	N	MOSFET	150	60	10		50	150				0.028	TO220
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0.009	TO220AB
IRFZ44	N	MOSFET	150	60			35	150	67			0.028	TO220
IRLZ44PBF	N	MOSFET	150	60	10	2	50	175		230	1200	0.028	TO220AB
IXTP60N10T	N	MOSFET	176	100	30	04.май	60	175	49	59		0.018	TO220
IXTP70N075T2	N	MOSFET	150	75	20	4	70	175	46	48		0.012	TO220
IXTP70N085T	N	MOSFET	176	85	20	4	70	175	59	90		0.0135	TO220
IXTP76N075T	N	MOSFET	176	75	20	4	76	175	57	80		0.012	TO220
IXTP80N10T	N	MOSFET	230	100	20	5	80	175	60	100		0.014	TO220
IXTP90N075T2	N	MOSFET	180	75	20	4	90	175	54	50		0.01	TO220
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB060N60FA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220IS
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0.01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
KX120N06	N	MOSFET	150	60	20		100	175		10.авг	440	0.0057	TO220
L75N75	N	MOSFET	300	75	20		75	175		100	660	0.013	TO220
MDP1921TH	N	MOSFET	223	100	20	4	120	150		28.авг	1300	0.0045	TO220
MDP1922TH	N	MOSFET	157	100	20	4	97	150		13	720	0.0084	TO220
MDP1932TH	N	MOSFET	209	80	20	4	120	150		65	янв.55	0.0034	TO220
MDP1933TH	N	MOSFET	157	80	20	4	105	150		32.7	651.7	0.007	TO220
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0.022	TO220AB
MXP1006AT	N	MOSFET	333	100	20		155	175		155	425	0.006	TO220
MXP1007AT	N	MOSFET	333	100	20		143	175			600	0.007	TO220
MXP1008AT	N	MOSFET	242	100	20		115	175		130	536	0.008	TO220
MXP1015AT	N	MOSFET	231	100	20		82	175		71	317	0.015	TO220
MXP1018CT	N	MOSFET	150	100			76	175		73	707	0.018	TO220
MXP6004CTS	N	MOSFET	330	60			215	175		150	1260	0.004	TO220
MXP6006CT	N	MOSFET	158	60			115	175		52	522	0.006	TO220
MXP6006DT	N	MOSFET	158	60	20		115	175		43	534	0.006	TO220
MXP6008CT	N	MOSFET	150	60	20		109	175		43	435	0.008	TO220
MXP6010CTS	N	MOSFET	150	60			107	175		45	343	0.01	TO220
MXP65D7AT	N	MOSFET	231	60	20		142	175		50	610	0.0057	TO220
MXP8004AT	N	MOSFET	333	80	20		200	175		126	980	0.004	TO220
MXP84D7AT	N	MOSFET	333	80	20		179	175		135	660	0.0047	TO220
NDP7060L	N	MOSFET	150	60		2	75	150				0.01	TO220
NDP708A	N	MOSFET	150	80			60	150				0.022	TO220
P0510AT	N	MOSFET	192	100	25		132	150		194	851	0.0055	TO220
P057AAT	N	MOSFET	192	75	20		129	150		60	1090	0.0058	TO220
P0806ATX	N	MOSFET	166	60	20		110	150		110	1090	0.008	TO220
P0808ATG	N	MOSFET	160	75	20		89	150		243	980	0.008	TO220
P0910ATG	N	MOSFET	156	100	20		89	150		205	900	0.0095	TO220
P117AATX	N	MOSFET	300	75	20		80	150		100	917	0.011	TO220
P1510ATG	N	MOSFET	150	100	20		64	175		110	420	0.015	TO220
P1810ATX	N	MOSFET	166	100	20		63	150		250	617	0.018	TO220
P2615ATG	N	MOSFET	178	150	30		53	150		30	381	0.026	TO220
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP45NQ10T	N	MOSFET	150	100	20	4	47	175				0.025	TO220AB
PHP45NQ11T	N	MOSFET	150	105	20	4	47	175	60			0.025	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0.013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RU1088R	N	MOSFET	300	100	25	4	80	175		13	510	0.013	TO220
RU1h200R	N	MOSFET	150	100	25	4	75	175		86	265	0.015	TO220
RU1H80R	N	MOSFET	188	100	25	4	80	175		18	470	0.012	TO220
RU1Z120R	N	MOSFET	375	150	25	04.май	120	175		98	1010	0.015	TO220
RU3710R	N	MOSFET	176	100	25	4	60	175		25	510	0.016	TO220
RU60100R	N	MOSFET	188	60	25	4	130	175		19	470	0.006	TO220
RU60101R	N	MOSFET	150	60	25	4	100	175		26	285	0.008	TO220
RU60120R	N	MOSFET	188	60	25	4	125	175		108	580	0.006	TO220
RU6099R	N	MOSFET	150	60	25	4	120	175		17	430	0.007	TO220
RU65120R	N	MOSFET	188	65	25	4	120	175		46	450	0.0065	TO220
RU70100R	N	MOSFET	188	70	25	4	100	175		18	470	0.0065	TO220
RU75110R	N	MOSFET	188	75	25	4	110	175		46	450	0.007	TO220
RU75210R	N	MOSFET	375	75	25	4	210	175		85	1050	0.0045	TO220
RU7590R	N	MOSFET	167	75	25	4	90	175		36	450	0.011	TO220
RU80100R	N	MOSFET	188	80	25	4	100	175		18	470	0.0075	TO220
RU8099R	N	MOSFET	150	90	25	4	90	175		205	810	0.01	TO220
RU8590R	N	MOSFET	188	85	25	4	90	175		49	480	0.008	TO220
SFP70N06	N	MOSFET	158	60	25	4	70	175		60	690	0.014	TO220
SFP75N08R	N	MOSFET	173	80	20	4	75	175		225	940	0.015	TO220
SIF110N060	N	MOSFET	150	60	20		110	150			435	0.008	TO220
SIHFZ40	N	MOSFET	150	60	20	4	50	175	67	110	920	0.028	TO220AB
SIHFZ44	N	MOSFET	150	60	20	4	50	175	67	110	920	0.028	TO220AB
SIHFZ44R	N	MOSFET	150	60	20	4	50	175	67	110	920	0.028	TO220AB
SIHLZ44	N	MOSFET	150	60	10	2	50	175	66	230	1200	0.028	TO220AB
SM1A00NSF	N	MOSFET	312	100	25		180	150		33	980	0.0042	TO220
SM1A07NSF	N	MOSFET	192	100	25		118	150		11	605	0.0064	TO220
SM1A50NHF	N	MOSFET	312	100	20		200	150		25	3130	0.0032	TO220
SM1A52NHF	N	MOSFET	192	100	20		120	150		18	1810	0.0045	TO220
SM1F00NSF	N	MOSFET	312	150	25		108	150		17	670	0.0105	TO220
SM2A11NSF	N	MOSFET	227	200	25		58	150		8	410	0.0265	TO220
SM6009NSF	N	MOSFET	192	60	25		160	150		23	920	0.0036	TO220
SPP100N08S2-07	N	MOSFET	300	75	20	4	100	175		36	1080	0.0071	TO220
SPP70N10L	N	MOSFET	250	100	20	2	70	175		250	640	0.016	PTO220
SPP80N08S2L	N	MOSFET	300	75	20		80	175		81	993	0.0071	TO220
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP120N10-3M8	N	MOSFET	250	100	20	03.май	120	175		110	3070	0.0038	TO220
SSE90N06-30P	N	MOSFET	300	60	20		87	175		59		0.0265	TO220P
SSE90N08-08	N	MOSFET	300	80	20		90	175		45	449	0.011	TO220P
SSE90N10-14	N	MOSFET	300	100	20		90	175		49	392	0.016	TO220P
SSF3018D	N	MOSFET	192	100	20		80	150	60	54	420	0.014	TO220
SSF7008	N	MOSFET	200	68	20	4	84	175		16.апр	376	0.008	TO220
SSPL1022	N	MOSFET	200	100	20		57	175	54.6	46.3	339	0.023	TO220
SSPL7510	N	MOSFET	230	75	20		75	175	58	76.7	518	0.01	TO220
SSRF90N06	N	MOSFET	300	60	20		87	175		59		0.0265	ITO220
SSRF90N06-10	N	MOSFET	300	60	20		90	175		10		0.0099	ITO220
SSS1510	N	MOSFET	300	150	20		100	175		105	657	0.0108	TO220
STP100N10F7	N	MOSFET	150	100	20	04.май	80	175	61	40	823	0.008	TO220
STP130N10F3	N	MOSFET	250	100	20	4	120	175	57	38	373	0.0096	TO220
STP40NF10	N	MOSFET	150	100	20	4	50	175	46.5			0.028	TO220
STP50N06	N	MOSFET	150	60			50	150				0.028	TO220
STP50N06L	N	MOSFET	200	60			50	150				0.028	TO220
STP53N06	N	MOSFET	150	60			53	150				0.025	TO220
STP55N06L	N	MOSFET	150	60			55	150				0.023	TO220
STP60N06-16	N	MOSFET	150	60			60	150				0.016	TO220
STP60NE06L-16	N	MOSFET	150	60	15	02.май	60	175	55	155	590	0.016	TO220
STP60NF06	N	MOSFET	150	60	20	4	60	175	54			0.016	TO220
STP60NF06L	N	MOSFET	150	60	15	1	60	175	35			0.014	TO220
UF1010A	N	MOSFET	200	60	20		84	150		78	690	0.012	TO220
UF1010E	N	MOSFET	200	60	20		84	150		78	690	0.012	TO220 TO220F1 TO220F2 TO263
UF3710	N	MOSFET	200	100	20		57	175		58	410	0.023	TO220
UF8010	N	MOSFET	260	100	20		80	150		370	620	0.012	TO263 TO220 TO220F
UFZ44	N	MOSFET	150	60	20		50	150		110	920	0.028	TO220
UTT150N06	N	MOSFET	231	60	20		150	150		40	900	0.0032	TO220
UTT75N75	N	MOSFET	300	75	20		80	150		100	730	0.01	TO220
UTT80N75	N	MOSFET	167	75	25		80	150		25	730	0.01	TO220

IRFZ44 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO220

Автор: Редакция сайта

IRFZ44 Vishay

60V 50A/25°C 36A/100°C 28mO ,

Основная информация:

Маркировка изготовителя	IRFZ44PBF
Type of casing:	THT
Kейс:	TO-220AB
Kategorie	FET N-Channel
Тип компонента:	!_n_fet 1x single_!
Конфигурация:	single Transistor
Тип материала:	!_si-silicon_!
RoHS	Да
REACH	Hет
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Упаковка и вес:

Единица:	штук
Вес:	2.68 [g]
Тип упаковки:	TUBE
Малый пакет (количество единиц):	50

Электрофизические параметры:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	60 [V]
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	50 [A]
I_{dc max}(Tc/Ta=25°C)	50 [A]
I_{dc max}(Tc/Ta=100÷109°C)	36 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)	150 [W]
Input Logic Level (Ugs level)	10V
Rds(on) 10V (Ugs=10V)	28 [mΩ]
t_rr recovery time (If=Inom.,@25°C)	120 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	67 [nC]
Cin/CL Load Capacitance	1900 pF

Тепловые и механические параметры:

T_min (mинимальная рабочая температура)	-55 [°C]
T_max (mаксимальная рабочая температура)	175 [°C]
Rthjc (case)	1 [°C/W]
Rthja (ambient)	62 [°C/W]
Number of Pins	3
ПИН-Размеры выводов	0.00 [mm]

Главная — Школа №619

Добро пожаловать

Школа 619 – ты перекресток надежд, место, где встречаются настоящее, прошлое, будущее.
Школа 619 – ты привычно держишь руку на пульсе времени, смотришь вперед.
Школа 619 – вот уже 20 лет ты учишь и учишься, экспериментируешь и ошибаешься, потому что ты – одна из первых в стране, пошла по пути развития инновационного образовательного поведения.
Сегодня Школа №619 Калининского района Санкт-Петербурга – лидер образования, интерактивная площадка, куда съезжаются для обмена опытом взрослые и дети из разных регионов России и других стран. Одно из самых ценных и значимых событий недавнего времени – заключение договора о сотрудничестве с ереванской школой №8 им. А. С Пушкина, с которого началась теплая и крепкая дружба двух школ. Для нас это страничка новой истории.
Один из слоганов школы, родившийся 20 лет назад – «Дети и взрослые, объединяйтесь!» – сегодня стал общим направлением движения: дети и взрослые вместе обсуждают вопросы совершенствования системы образования, вместе совершают научные открытия, вместе творят и выходят на сцену, – вместе идут к общему успеху!
В области образования грядут глобальные изменения. Ученые утверждают: чтобы добиться реального успеха, нужно развивать в себе те способности, которые недоступны искусственному интеллекту, – креативность, воображение, инициативу, лидерские качества.
Школа № 619 делает ставку на развитие личности ребенка и его лидерских качеств. Здесь ребенок с первых дней ученичества пробует свои силы в разных видах творческой, научной, спортивной и общественной деятельности. В школе создано пространство, в котором ученику предоставлены все возможности для раскрытия своей индивидуальности.
Собственная научно-практическая конференция «Многогранная Россия» и STA-лаборатория, проект «Абитуриент», лидерское движение, Малые Олимпийские игры, студии танца и вокала, легоконструирование и робототехника, детский театр, студия КВН и школьное ТВ, многообразие спортивных секций и собственный литературно-художественный журнал, обучение с оздоровлением, поддержка одаренных учащихся, творческие выезды во время каникул – вот он, настоящий праздник интеллекта, творчества, здоровья, воображения.
Школа 619 – ты как оркестр, где каждый музыкант, инструмент ведет свою партию, а в целом – рождается искусство. Ведь только тогда, когда школа поднимается от ремесла до искусства, она способна дать достойное образование и воспитание.

ТРАНЗИСТОР полевого эффекта транзистора IRFZ44 To-220 60 V 50 A N-Channel Trench Power

Описание продукта:

Общее описание

IRFZ44-n-канальный полевой транзистор MOSПредназначен для высоких приложений переключения тока. ПрочныйВозможность EAS и ультра низкий RDS (ON) подходит для PWM,Переключение нагрузки особенно для приложений контроллера E-Bike.

Особенности

Тип RDS (ВКЛ) = 13 МОм
VDS = 60 V; ID = 50A @ ВГС = 10 м;
RDS (ВКЛ) <16 МОм @ VGS = 10 В
Высокая плотность ячейки дизайн для ультра низкой Rdson
Полностью характеризуется лавинным напряжением и током
Специально разработан для конвертеров и управления питанием
Хорошая стабильность и однородность с высокой EAS
Отличная посылка для хорошего рассеивания тепла
Специальная технологическая технология для высокой мощности ESD

Применение
Источник бесперебойного питания
Переключение Электропитания применение
Жесткие коммутируемые и высокочастотные схемы

Маркировка посылка и информация о заказе

Устройство для маркировки	Устройство	Устройство посылка	Размер катушки	Ширина ленты	Кол-во
IRFZ44	IRFZ44	T0-220CE	–	–	–

Абсолютные максимальные оценки (TA = 25 ℃, если не указано иное)

Символ	Параметр	Соотношение цена/качество	Блок
Группу описания транспортного средства	Напряжение источника слива (VGS = 0 В)	60	V
VGS	Входное напряжение источника (VDS = 0 В)	± 25	V
ID (постоянного тока)	Ток слива (DC) при Tc = 25℃	50	А
ID (постоянного тока)	Ток слива (DC) при Tc = 100℃	50	А
Идм (с верхней частью в виде крыльев)	Ток слива-непрерывный @ Ток-импульсный (примечание 1)	200	А
Dv/dt	Пиковая диодный модуль напряжения	5	V/ns
Зарядное устройство PD	Максимальное рассеивание мощности (Tc = 25℃)	150	W
	Ограничения фактор	1,0	W/℃
Электронного отслеживания товаров, при заказе	Одиночная импульсная лавинная энергия (примечание 2)	1200	Mj
TJ, tstg	Рабочее соединение и Диапазон температур хранения	-55 градусов по Цельсию до 175	℃

Сертификаты

Выставка

Пожалуйста, свяжитесь с нами

Для более подробной информации, пожалуйста, нажмите здесь

Вопросы и ответы

Вопрос: Могу ли я получить образец для тестирования?

О: бесплатные образцы могут быть отправлены для тестирования.

В: Каковы Ваши преимущества?

A: 1. Конкурентоспособная цена.
2. хороший контроль качества.
3. Быстрое производство и доставка
4. низкий минимальный объем заказа.
5. профессиональные продажи и хорошее послепродажное обслуживание.

Вопрос: Как насчет вашего времени доставки?

О: конкретное время доставки зависит от товаров и количества заказ.

В: каковы ваши условия доставки?

A: EXW, FOB, CFR, CIF.

Вопрос: проверяете ли вы все ваши товары перед поставкой?

О: Да, у нас есть 100% тест перед поставкой.

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :	M-127-2043
Обновление:	2020-11-15
Тип корпуса :	TO-220

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
2043	IRFZ44N to-220	Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) – Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220	19 pyб.
224	PC817C dip-4	Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) – 5кВ 35В 0.05A, DIP4	3.2 pyб.
58	FQPF4N60C to-220fp	Транзистор FQPF4N60C (FQPF4N60) – Power MOSFET N-Channel 4A, 600V, TO-220	18 pyб.
5469	IRF3205 to-220	Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) – Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220	32 pyб.
1929	NE555P dip-8	Микросхемы NE555P – PRECISION TIMER IC, DIP-8	4.3 pyб.
282	TL431A to-92	Микросхемы TL431 (TL431A) – Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92	1.7 pyб.
1242	Конденсатор 2200pF 2kV	Высоковольтные керамические конденсаторы 2200pF 2000V, дисковый, Y5V, диаметр 6mm	1.5 pyб.
2645	Жало паяльника 900M-T-4C	Сменные наконечники (жала) HAKKO 900M-T-4C серии 900M для использования в паяльных станциях типа HAKKO-936, и других видах паяльников, где нагревательный элемент находится внутри жала	38 pyб.
568	FQPF6N60C	Транзистор FQPF6N60 (FQPF6N60C, 6N60) – Power MOSFET Transistor, N-Channel, 600V, 6A, TO-220FP	25 pyб.
1658	Щупы для мультиметра (модель FC-136)	Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.	127 pyб.

УМЗЧ с полевыми транзисторами IRFZ44

К настоящему времени разработано много вариантов УМЗЧ с выходными каскадами на полевых транзисторах. Привлекательность этих транзисторов в качестве мощных усилительных приборов неоднократно отмечалась разными авторами. На звуковых частотах полевые транзисторы (ПТ) работают как усилители тока, поэтому нагрузка на предварительные каскады незначительна и выходной каскад на ПТ с изолированным затвором можно непосредственно подключать к предварительному каскаду усиления, работающему в линейном режиме класса А.
При использовании мощных ПТ изменяется характер нелинейных искажений (меньше высших гармоник, чем при использовании биполярных транзисторов), снижаются динамические искажения, существенно ниже уровень интермодуляционных искажений. Однако вследствие меньшей, чем у биполярных транзисторов, крутизны нелинейные искажения истокового повторителя оказываются большими, поскольку крутизна зависит от уровня входного сигнала.
Выходной каскад на мощных ПТ, где они выдерживают короткое замыкание в цепи нагрузки, обладает свойством термостабилизации. Некоторый недостаток такого каскада — меньший коэффициент использования напряжения питания, и поэтому необходимо применять более эффективный теплоотвод.
К главным же достоинствам мощных ПТ можно отнести невысокий порядок нелинейности их проходной характеристики, что сближает особенности звучания у усилителей на ПТ и ламповых, а также высокий коэффициент усиления по мощности для сигналов звукового диапазона частот.
Из последних публикаций в журнале об УМЗЧ с мощными ПТ можно отметить статьи. Несомненным достоинством усилителя из является низкий уровень искажений, а недостатком — малая мощность (15 Вт). Усилитель обладает большей мощностью, достаточной для жилых помещений, и приемлемым уровнем искажений, но представляется относительно сложным в изготовлении и настройке. Здесь и далее речь идет об УМЗЧ, предназначенных для использования с бытовыми АС мощностью до 100 Вт.
Параметры УМЗЧ, ориентированные на соответствие международным рекомендациям IEC (МЭК), определяют минимальные требования к аппаратуре категории hi-fi. Они вполне обоснованы как с психофизиологической стороны восприятия искажений человеком, так и реально достижимыми искажениями аудиосигналов в акустических системах (АС), на которые собственно и работает УМЗЧ.
В соответствии с требованиями IEC 581-7 для АС категории hi-fi полный коэффициент гармонических искажений не должен превышать 2 % в диапазоне частот 250… 1000 Гц и 1 % в диапазоне свыше 2 кГц при уровне звукового давления 90 дБ на расстоянии 1 м. При характеристической чувствительности бытовых АС, равной 86 дБ/Вт/м, это соответствует выходной мощности УМЗЧ всего 2,5 Вт. С учетом пикфактора музыкальных программ, принимаемом равным трем (как для гауссового шума), выходная мощность УМЗЧ должна составлять около 20 Вт. В стереофонической системе звуковое давление на НЧ примерно удваивается, что позволяет отодвинуть слушателя от АС уже на 2 м. При удалении же на 3 м вполне достаточна мощность стереоусилителя 2×45 Вт.
Неоднократно отмечалось, что искажения в УМЗЧ на полевых транзисторах обусловлены, в основном, второй и третьей гармониками (как и в исправных АС). Если полагать независимыми причины возникновения нелинейных искажений в АС и УМЗЧ, то результирующий коэффициент гармоник по звуковому давлению определяется как корень квадратный из суммы квадратов коэффициентов гармоник УМЗЧ и АС. В этом случае, если полный коэффициент гармонических искажений в УМЗЧ в три раза ниже, чем искажения в АС (т. е. не превышает значения 0,3 %), то им можно пренебречь.
Диапазон эффективно воспроизводимых частот УМЗЧ должен быть не уже слышимого человеком — 20…20 000 Гц. Что касается скорости нарастания выходного напряжения УМЗЧ, то в соответствии с результатами, полученными в работе автора [3], достаточна скорость 7 В/мкс для мощности 50 Вт при работе на нагрузку 4 Ом и 10 В/мкс — при работе на нагрузку 8 Ом.
За основу предлагаемого УМЗЧ был взят усилитель в котором для «раскачки» выходного каскада в виде составных повторителей на биполярных транзисторах использовался быстродействующий ОУ со следящим питанием. Следящее питание использовалось также для цепи смещения выходного каскада.

В усилитель внесены следующие изменения: выходной каскад на комплементарных парах биполярных транзисторов заменен каскадом с квазикомплементарной структурой на недорогих ПТ с изолированным затвором IRFZ44 и ограничена глубина общей СОС до 18 дБ. Принципиальная схема усилителя показана на рис. 1.

В качестве предварительного усилителя использован ОУ КР544УД2А с высоким входным сопротивлением и повышенным быстродействием. Он содержит входной дифференциальный каскад на ПТ с р-n переходом и выходной двухтактный повторитель напряжения. Внутренние элементы частотной коррекции обеспечивают стабильность в различных режимах обратной связи, в том числе в повторителе напряжения.
Входной сигнал поступает через ФНЧ RnC 1 с частотой среза около 70 кГц (здесь внутреннее сопротивление источника сигнала = 22 кОм). который используется для ограничения спектра сигнала, поступающего на вход усилителя мощности. Цепь R1C1 обеспечивает устойчивость УМЗЧ при изменении величины RM от нуля до бесконечности. На неинвертирующий вход ОУ DA1 сигнал проходит через ФВЧ, построенный на элементах С2, R2 с частотой среза 0,7 Гц, служащий для отделения сигнала от постоянной составляющей. Местная ООС для операционного усилителя выполнена на элементах R5, R3, СЗ и обеспечивает коэффициент усиления, равный 43 дБ.
Стабилизатор напряжения двухпо-лярного питания ОУ DA1 выполнен на элементах R4, С4, VDI и R6, Сб. VD2 соответственно. Напряжение стабилизации выбрано равным 16 В. Резистор R8 совместно с резисторами R4, R6 образуют делитель выходного напряжения УМЗЧ для подачи «следящего» питания на ОУ, размах которого не должен превышать предельных значений синфазного входного напряжения ОУ, т. е. +/-Ю В. «Следящее» питание позволяет существенно увеличить размах выходного сигнала ОУ.
Как известно, для работы полевого транзистора с изолированным затвором, в отличие от биполярного, требуется смещение около 4 В. Для этого в схеме, приведенной на рис. 1, для транзистора VT3 применена схема сдвига уровня сигнала на элементах R10, R11 иУОЗ.У04на 4,5 В. Сигнал с выхода ОУ через цепь VD3VD4C8 и резистор R15 поступает на затвор транзистора VT3, постоянное напряжение на котором относительно общего провода равно +4,5 В.
Электронный аналог стабилитрона на элементахVT1, VD5, VD6, Rl2o6ecne4H-вает сдвиг напряжения на-1,5 В относительно выхода ОУ для обеспечения необходимого режима работы транзистора VT2. Сигнал с выхода ОУ через цепь VT1C9 также поступает на базу включенного по схеме с общим эмиттером транзистора VT2, который инвертирует сигнал.
На элементах R17. VD7, С12, R18 собрана цепь регулируемого сдвига уровня, позволяющая задать необходимое смещение для транзистора VT4 и тем самым установить ток покоя оконечного каскада. Конденсатор СЮ обеспечивает «следящее питание» цепи сдвига уровня путем подачи выходного напряжения УМЗЧ в точку соединения резисторов R10, R11 для стабилизации тока в этой цепи. Соединение транзисторов VT2 и VT4 формирует виртуальный полевой транзистор с каналом р-типа. т. е. образуется квазикомплементарная пара с выходным транзистором VT3 (с каналом п-типа).
Цепь С11R16 увеличивает устойчивость усилителя в ультразвуковом диапазоне частот. Керамические конденсаторы С13. С14. установленные в непосредственной близости от выходных транзисторов, служат той же цели. Защита УМЗЧ от перегрузок при коротких замыканиях в нагрузке обеспечивается плавкими предохранителями FU1—FU3. так как полевые транзисторы IRFZ44 имеют максимальный ток стока 42 А и выдерживают перегрузки до сгорания предохранителей.
Для уменьшения постоянного напряжения на выходе УМЗЧ, а также снижения нелинейных искажений введена общая ООС на элементах R7, С7. R3, СЗ. Глубина ООС по переменному току ограничена значением 18.8 дБ, что стабилизирует коэффициент гармоник в звуковом диапазоне частот. По постоянному току ОУ совместно с выходными транзисторами работаете режиме повторителя напряжения, обеспечивая постоянную составляющую выходного напряжения УМЗЧ не более нескольких милливольт.

IRFZ44 Datasheet – 60 В, силовой полевой МОП-транзистор (транзистор)

Это один из типов полевых МОП-транзисторов. Это разновидность транзистора.

Номер детали: IRFZ44

Функция: Power MOSFET

Корпус: TO-220AB Тип

Производство: Vishay

Изображение

Описание

Силовые полевые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому применению во всей отрасли.

IRFZ44 Распиновка

Характеристики

1. Динамический рейтинг dV / dt

2. 175 ° C Рабочая температура

3. Быстрое переключение

4. Простота параллельного подключения

5.Требования к простому приводу

6. Соответствует директиве RoHS 2002/95 / EC

IRFZ44 Лист данных

Сообщения, связанные с «MOSFET»

МОП-транзистор

Каталожный номер	Описание
P60NF06	Vdss = 60 В, силовой полевой МОП-транзистор – ST
CS20N50A8H	CS20N50A8H – Кремниевый N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
К4005-01MR	Vds = 900V, силовой полевой МОП-транзистор – Fuji
MDD3752	Траншейный МОП-транзистор с P-каналом – MagnaChip
IRFP450	500 В, силовой полевой МОП-транзистор
K7A65D	TK7A65D
CM2N65F	CM2N65F – МОП-транзистор мощности
2SK2541	50В, 0.1A, канал N, полевой МОП-транзистор
2SK2050	100 В, 30 А, 80 Вт, N-канал, полевой МОП-транзистор – Fuji
P0903BDG	МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения

Статьи по теме в Интернете

IRFZ44 datasheet – HexFET Power MOSFET

2N3831 : Доступны варианты экранирования = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO39 (TO205AD) ;; Vceo = 40V ;; IC (прод.) = 1,2 А ;; HFE (мин) = 35 ;; HFE (макс.) = – ;; @ Vce / ic = 1 В / 500 мА ;; FT = 200 МГц ;; PD = 1Вт.

40HFL : 40a, 70a, 85a выпрямители с быстрым восстановлением.

KN3904 : = Транзистор общего назначения ;; Пакет = ТО-92.

KSC5042F : Тройной планарный кремниевый транзистор NPN. Переключатель высокого напряжения Применение с динамической фокусировкой Высокое напряжение пробоя коллектор-эмиттер: BVCEO = 900 В Малый Cob = 2,8 пФ (тип.) Широкий SOA Высокая надежность Абсолютные максимальные номинальные значения TC = 25C, если не указано иное Символ VCBO VCEO VEBO IC ICP PC TJ TSTG Parameter Collector- Базовое напряжение коллектор-эмиттер напряжение эмиттер-базовое напряжение коллекторный ток (постоянный ток).

M68701M : RF модуль питания для цифрового радио FM 890-915 МГц, 6 Вт.

NE687M13 : Микроволновая печь. Кремниевый транзистор NPN. НОВАЯ УПАКОВКА MINIATURE M13: Маленький контур транзистора, мм Низкий профиль, высота корпуса 0,50 мм Плоский вывод для улучшения РЧ-характеристик ПРОДУКТ С БОЛЬШОЙ ПОЛОСЫ УСИЛЕНИЯ: = 14 ГГц Транзистор NE687M13 от NEC разработан для обеспечения низкого уровня шума, высокого усиления и низкой стоимости. Эта деталь с высоким fT хорошо подходит для портативных конструкций с очень низким напряжением / малым током.

OMS425 : Трехфазный мостовой модуль на многочиповых полевых МОП-транзисторах с высоким напряжением 250 В в корпусе MP-3.

SSI4884DY : N-канальный контроллер полевого синхронного понижающего регулятора для низких выходных напряжений.

03028-BX561BJMB : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BX, 0,00056 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 5.60Е-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Тип установки:.

BLM15GG221SN1B : 1 ФУНКЦИИ, 0,3 А, ФЕРРИТОВЫЙ ЧИП. s: Устройств в упаковке: 1; Размер корпуса EIA: РАЗМЕР ПАКЕТА EIA STD 0402, 2 КОНТАКТА; Стандарты и сертификаты: RoHS; DCR: 0,7000 Ом; Номинальный постоянный ток: 300 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

E200M08D295J : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC. s: Категория / Применение: Общее использование.

KTA501E-GR : 150 мА, 50 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: SUPER MINIMOLD, TESV, 5 PIN.

MMB0207AC2000GB200 : RES, MELF, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 200 ОМ, 2% +/- ТОЛ, -50,50PPM TC. s: Категория / Применение: Общее использование.

PRFMB300E6C : 300 А, 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канал; Тип упаковки: МОДУЛЬ-5; Количество блоков в ИС: 1.

RNL1 / 8S : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0.125 Вт, 0,5; 1; 2; 5%, 50; 100; 200 ppm, 10 Ом – 510000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 200 вольт; Рабочая температура: от -40 до 70 C (от -40 до 158 F).

SHT10V220ME054 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ. s: Соответствует RoHS: Да. S Элемент Диапазон рабочих температур Номинальное рабочее напряжение Допуск емкости (120 Гц 20 ° C) Характеристика тока утечки 50 В постоянного тока 20% (M) Отношение полного сопротивления при 120 Гц Стабильность при низких температурах Номинальное напряжение (В) / + 20 ° C После 1000 часов применения W.Величина пульсаций напряжения V. и + 105C, конденсатор должен соответствовать следующим ограничениям. (Пиковое напряжение постоянного тока + пульсации.

SI-40100 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор.

WA06X : РЕЗИСТОР, СЕТЬ, ПЛЕНКА, ИЗОЛИРОВАННАЯ, 0,1 Вт, УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ, 1206. s: Конфигурация: массив микросхем; Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 1206, ЧИП, БЕЗ СВИНЦА; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Количество резисторов: 1; Рабочая температура: от -55 до 155 C (от -67 до 311 F).

2SD1815QTP : 3000 мА, 100 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: TP, 4 PIN.

irfz44% 20% 22pin% 20compatible% 22 техническое описание и примечания к приложению

irfz44 Аннотация: n-канальный МОП-транзистор IRFz44 МОП-транзистор IRFZ44 МОП-транзистор IRFZ44 МОП-транзистор IRFZ44 Работа МОП-транзистора IRFZ44 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 / 45 IRFZ44 IRFZ45 IRFz44 n-канальный МОП-транзистор IRFZ44 MOSFET – описание производителя МОП-транзисторы IRFZ44 IRFZ44 MOSFET операция МОП-транзистор IRFZ44
Подстроечный резистор 10k Аннотация: ic lm324 ПРИВОД ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА С LM324 принципиальная схема Регулятор скорости двигателя постоянного тока 100 В УПРАВЛЕНИЕ СКОРОСТЬЮ ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ lm324 trimpot 100K IRFZ44 эквивалентный 10k подстроечный резистор LM358 Схема подключения IC, приводы с регулируемой скоростью Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	65E10 106-й -5-3180С ISO9001 Тримпот 10k микросхема lm324 ПРИВОД ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА С LM324 Принципиальная схема регулятора скорости двигателя постоянного тока 100 В УПРАВЛЕНИЕ СКОРОСТЬЮ ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ lm324 обрезной горшок 100K Эквивалент IRFZ44 Резистор подстроечного резистора 10 кОм lm358 IC электрическая схема, частотно-регулируемые приводы
IRFZ44 Аннотация: IRFZ45 IRFZ44 МОП-транзистор IRFZ42 IRFZ44 МОП-транзистор IRFz44 n-канальный МОП-транзистор IRFZ40 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 / 45 IRFZ40 / 42 IRFZ44 IRFZ45 IRFZ40 IRFZ42 IRFZ44 MOSFET – описание производителя IRFZ44 МОП-транзисторы IRFz44 n-канальный МОП-транзистор
IRFZ44 Аннотация: IRFZ44 данные IRFZ44 схема переключения mosfet IRFZ45 привод затвора для mosfet irfz44 IRFz44 n-канальный МОП-транзистор c4488 диод c450 диод c449 IRFZ44 mosfet Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	554SE IRFZ44 IRFZ45 О-220АБ С-453 IRFZ44, IRFZ45 С-454 Данные IRFZ44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 привод ворот для mosfet irfz44 IRFz44 n-канальный МОП-транзистор c4488 диод c450 диод c449 IRFZ44 MOSFET – описание производителя
irfz44 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 / 45 IRFZ40 / 42 irfz44
1RFZ44 Аннотация: IRFZ44 12v irfz44 irfz44 ge C-25DC IRFZ44 IOR IRFZ44 mosfet Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 О-220 О-220АБ т50кфл 1RFZ44 12 в irfz44 irfz44 ge C-25DC IRFZ44 IOR IRFZ44 MOSFET – описание производителя
IRFZ44 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. JS709A 02-окт-12 IRFZ44
2015 – irfz44 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 2002/95 / ЕС. 2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. JS709A 02-окт-12 irfz44
1996 – IRFZ44 Аннотация: 1n4148 12v irfz44 IRFZ44 эквивалент IRFZ44 DATASHEET импульсный регулятор 12v LT3526 IRFZ44 данные 2N2222 55585-A2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LT1160 / LT1162 1160 / LT1162 LT1160 / LT1162 1N4148 LT3526 2N2222 LT1160 IRFZ44 1n4148 12 в irfz44 Эквивалент IRFZ44 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44 импульсный регулятор 12v LT3526 Данные IRFZ44 2N2222 55585-A2
МОП-транзистор IRFZ44 Аннотация: Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44 МОП-транзистор n-канальный тип irfz44 МОП-транзистор МОП-транзистор N-канал 230 В IRFz44 n-канальный МОП-транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 МОП-транзистор IRFZ44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44 MOSFET – описание производителя n канал типа IRFZ44 MOSFET МОП-транзистор POWER N-Channel 230 В IRFz44 n-канальный МОП-транзистор
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 / 40 IRFZ44 IRFZ40 7Tb4142
2008 – irfz44 Аннотация: привод затвора для МОП-транзистора IRFZ44 IRFZ44, схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 данные IRFZ44-МОП-транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 О-220 12.03.07 irfz44 привод ворот для mosfet irfz44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 Данные IRFZ44 IRFZ44 MOSFET – описание производителя
2011 – привод затвора для mosfet irfz44 Аннотация: IRFZ44 данные IRFZ44 схема переключения mosfet Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 11.03.11 привод ворот для mosfet irfz44 Данные IRFZ44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 / 45 IRFZ40 / 42 QD124SD IRFZ44 IRFZ40 IRFZ45 GQ12454

Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 О-220
2009 – привод затвора для mosfet irfz44 Аннотация: IRFZ44 IRFZ44 эквивалент IRFZ44 DATASHEET IRFZ44 mosfet IRFZ44 data IRFZ44 mosfet схема переключения irfz44 IRFZ44PBF SiHFZ44-E3 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 О-220 18-июл-08 привод ворот для mosfet irfz44 IRFZ44 Эквивалент IRFZ44 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44 IRFZ44 MOSFET – описание производителя Данные IRFZ44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 приложение irfz44 IRFZ44PBF SiHFZ44-E3
1995 – Схема контроллера заряда IRFZ44 pwm pv Аннотация: драйвер двигателя IRFZ44 привод затвора для mosfet irfz44 IRFZ44 «совместимый по контактам» IRFZ44 ДОПОЛНЕНИЕ IRFZ44 IRFZ44 mosfet драйвер двигателя полный мост 10A mosfet класса d Усилитель 200 Вт принципиальные схемы приложение irfz44 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LT1160 / LT1162 1160 / LT1162 180 нс 000пФ LT1910 LTC1922-1 LTC1923 28-контактный 11602fa Схема контроллера заряда IRFZ44 pwm pv водитель мотора IRFZ44 привод ворот для mosfet irfz44 IRFZ44 “совместимый по контактам” IRFZ44 ДОПОЛНЕНИЕ IRFZ44 IRFZ44 MOSFET – описание производителя полный мост драйвера двигателя 10А Схема усилителя MOSFET класса d 200 Вт приложение irfz44
IRFZ44 данные Аннотация: МОП-транзисторы IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44 МОП-транзисторы, импульсная схема регулятора напряжения, мар 920 МОП-транзистор IRFZ44 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / EU 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12 Данные IRFZ44 IRFZ44 МОП-транзисторы IRFZ44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 регулятор напряжения мар 920 МОП-транзистор IRFZ44
IRFZ44 Аннотация: IRFZ44 привод затвора mosfet для mosfet irfz44 IRFZ44 схема переключения mosfet маркировка 51a irfz44 a1272 маркировка регулятора 31A IRFZ44 параллельно IRFZ44 IOR Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 О-220 T0-220 IRFZ44 IRFZ44 MOSFET – описание производителя привод ворот для mosfet irfz44 Схема переключения МОП-транзистора IRFZ44 Маркировка 51a приложение irfz44 a1272 Маркировка РЕГУЛЯТОРА 31A IRFZ44 параллельно IRFZ44 IOR
2012 – данные IRFZ44 Аннотация: привод затвора irfz44 для mosfet irfz44 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / EU 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12 Данные IRFZ44 irfz44 привод ворот для mosfet irfz44
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44, SiHFZ44 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / EU 2002/95 / ЕС. 2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12
1999 – IRFZ44 MOSFET – описание производителя . Реферат: irfz44 ge SEC irfz44 IRFZ44 эквивалент IRFZ44 IRFZ44 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ 12v irfz44 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44 О-220 IRFZ44 MOSFET – описание производителя irfz44 ge ТРЦ irfz44 Эквивалент IRFZ44 IRFZ44 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44 12 в irfz44
IRFZ44 IOR Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	O-22C) IRFZ44 IRFZ44 IOR
1995 – мотор-водитель IRFZ44 Аннотация: 12v 10A драйвер постоянного тока управление двигателем mosfet IRFZ44 pwm pv схема контроллера заряда привод затвора для mosfet irfz44 драйвер двигателя полный мост 10A IRFZ44 mosfet 12v irfz44 LT1162 IRFZ44 эквивалент LT1160 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	LT1160 / LT1162 1160 / LT1162 180 нс 000пФ 152 мм) 254 мм) LT1158 LT1336 водитель мотора IRFZ44 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet Схема контроллера заряда IRFZ44 pwm pv привод ворот для mosfet irfz44 полный мост драйвера двигателя 10А IRFZ44 MOSFET – описание производителя 12 в irfz44 LT1162 Эквивалент IRFZ44 LT1160
SEC irfz44 Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44 IRFz44 n-канальный МОП-транзистор IRFZ44 данные Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44 ТРЦ irfz44 МОП-транзистор IRFZ44 IRFz44 n-канальный МОП-транзистор Данные IRFZ44

IRFZ44 Лист данных – N-CHANNEL Power MOSFET

IRFZ44 Datasheet PDF подробнее.

Номер детали: IRFZ44

Функции: Это своего рода полупроводник, N-CHANNEL Power MOSFET.

Расположение контактов: 1. Затвор 2. Слив 3. Источник

Информация о пакете: TO-220AB Тип

Производитель: IR, Vishay

Изображение:

Текстов в PDF файле:

Полевые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.
Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому применению во всей отрасли.

ПРИМЕНЕНИЕ ‹Переключатель верхнего уровня понижающего преобразователя‹ Управление двигателем постоянного тока, ИБП… и т. Д. Применение VDSS 55V RDS (ON) Макс. КОНФИГУРАЦИЯ КОНФИГУРАЦИИ 17,5 м² TO-220 Вид спереди ID 50A IRFZ44N N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор с N-каналом ФУНКЦИИ ‹Сверхнизкое сопротивление при включении‹ Низкая зарядка затвора ‹Динамический номинал dv / dt‹ Кривые индуктивного переключения ‹Пиковый ток в зависимости от кривой ширины импульса СИМВОЛ D GATE DRAIN SOURCE GS 12 3 ʳ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ N-канального полевого МОП-транзистора Сток к источнику Напряжение Сток к току Ё Непрерывный Tc = 25к, VGS @ 10V Ё Continuous Tc = 100к, VGS @ 10V Ё Импульсный Tc = 25к, VGS @ 10V (Примечание 1) Затвор Напряжение от источника к источнику Ё Продолжить коэффициент снижения суммарного рассеяния мощности выше 25к Пиковое восстановление диода dv / dt (Примечание 3) Диапазон рабочих температур перехода и хранения Повторяющаяся лавинная энергия (Примечание 1) Максимальная температура свинца для целей пайки Максимальный корпус корпуса в течение 10 секунд Лавина Текущий (Примечание 1) Символ VDSS ID ID IDM VGS PD dv / dt TJ, TSTG EAR TL TPKG Значение IAR 55 50 35160 ± 20.94 0,63 5,0 от -55 до 175 9,4 300 260 25 Единицы VAVWW / к В / нс к мДж к к ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Обозначение Параметр RșJC Соединение-корпус Мин. Тип RșJA Соединение-окружающая среда Макс. 1,5 62 Ед. К / Вт к / W Условия испытаний Радиатор с водяным охлаждением, PD отрегулирован на пиковую температуру перехода + 175 ° C Камера объемом 1 куб. Фут, свободный воздух www.magic-matsu.com Page 1 ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Номер детали Упаковка ……………… ..IRFZ44N ……… ………………………………… TO-220 IRFZ44N N-КАНАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ силового МОП-транзистора Если не указано иное, TJ = 25к.Характеристика Символ Характеристики ВЫКЛ. CIRFZ44N Мин. Тип. Макс. Напряжение пробоя сток-исток (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) Температурный коэффициент напряжения пробоя (Относительно 25к, ID = 1 мА) VDSS ӔVDSS / ǻTJ Ток утечки сток-источник (VDS = 55 В, VGS = 0 В, TJ = 25к) (VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150к) IDSS Gate-to-Source Forward Leakage (VGS = 20 V) IGSS Gate-to-Source Обратная утечка […]

Распиновка

ОСОБЕННОСТИ

• Динамическое значение dV / dt
• Рабочая температура 175 ° C
• Быстрое переключение
• Простота параллельного подключения
• Требования к простым приводам
• Соответствует директиве RoHS 2002/95 / EC

Справочный сайт: http: // www.vishay.com/ppg?91291

IRFZ44 PDF файл

IRFZ44_299326.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

ЧАСТЬ	Описание	Чайник
IRF520 MTP10N10 MTP10N08 IRF522 IRF522R IRF123 IRF	IRF120-123 / IRF520-523 MTP10N08 / 10N10 N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы, 11 A, 60-100 В Trans MOSFET N-CH 100V 7A 3-pin (3 Tab) TO-220AB	New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. New Jersey Semiconductor P … New Jersey Semiconductors New Jersey Semi-Conduct …
MRF9030MBR1 MRF9030MR1 MRF9030M	MRF9030MR1, MRF9030MBR1 945 МГц, 30 Вт, 26 В, боковые N-канальные широкополосные высокочастотные полевые МОП-транзисторы Линейные высокочастотные полевые МОП-транзисторы с субмикронным диапазоном ВЧ-силовые полевые транзисторы N-канальные боковые полевые МОП-транзисторы в режиме расширения	MOTOROLA [Motorola, Inc]
RFD14N05LSM RFP14N05L RFD14N05L	МУЛЬТИ DVI ЦЕПНЫЙ ПРИЕМНИК – CATX 14 А, 50 В, 0.1 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA TV TO VGA / HDTV VIDEO SCALER 14 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 14A / 50V / 0,100 Ом / Логический уровень / N-канальные силовые МОП-транзисторы 14A, 50 В, 0,100 Ом, логический уровень, N-канальные силовые МОП-транзисторы 14A, 50 В, 0,100 Ом Логический уровень N-канальные силовые МОП-транзисторы	Fairchild Semiconductor, Corp. FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FSYC260R4 FSYC260D FSYC260D1 FSYC260D3 FSYC260R FS	Радиационно-стойкие / устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы 46 A, 200 В, 005 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы 抗辐射，抗 SEGR N 沟道功率 MOSFET	ИНТЕРСИЛ [Intersil Corporation] Intersil, Corp.
FSYA254R4 FSYA254D FSYA254D1 FSYA254D3 FSYA254R FS	Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с N-каналом, 21 А, 250 В, 0,15 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы Радиационно-стойкие / устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы	ИНТЕРСИЛ [Intersil Corporation] Intersil, Corp.
IXFT66N20Q IXFH66N20Q	Дискретные полевые МОП-транзисторы: полевые МОП-транзисторы HiPerFET полевые МОП-транзисторы HiPerFET Q-класс 66 A, 200 В, 0,04 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD Полевые МОП-транзисторы HiPerFET Q-Class 66 A, 200 В, 0,04 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-268AA	IXYS [IXYS Corporation] IXYS, Corp.
APT1001RBLC APT1001RSLC APT1001	POWER MOS VI 1000V 11A 1.000 Ом Power MOS VI – это новое поколение силовых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения и низким зарядом затвора. Контактный пол: контактный; Круглый стиль корпуса: настенная розетка; Расположение вставок: 25-4 Соответствует RoHS: № Power MOS VI – это новое поколение силовых МОП-транзисторов с низким зарядом затвора / высоким напряжением с N-канальным режимом расширения МОП-транзисторы с N-канальным режимом расширения с высоким напряжением	ADPOW [Advanced Power Technology] Advanced Power Technology Ltd.
FSL214R4 FSL214 FSL214D FSL214D1 FSL214D3 FSL214R	НАБОР ПАТЧНОЙ ПАНЕЛИ 4U SCA-H Радиационно-стойкие / устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы Радиационно-стойкие, устойчивые к SEGR N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы 1,5 А, 250 В, 2,3 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, К-205АФ	ИНТЕРСИЛ [Intersil Corporation] Intersil, Corp.
MRF18030BR3 MRF18030BSR3 MRF1803BR3 MRF1803BSR3 MR	MRF18030BR3, MRF18030BSR3 GSM / GSM EDGE 1.93 – 1,99 ГГц, 30 Вт, 26 В, боковые N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы ЛИНИЯ ВЧ-полевых МОП-транзисторов ЭФФЕКТИВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ВЧ-СИЛОВОГО ПОЛЯ N – РАСШИРЕНИЕ КАНАЛОВ – РЕЖИМ БЕЗОПАСНЫХ МОП-транзисторов	Motorola, Inc
IRFR320 IRFU320 FN2412 IRFR3209A	3,1 A, 400 В, 1,8 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 3,1 A, 400 V, 1,8 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA Из старого описания система 3,1 А, 400 В, 1,800 Ом, N-канальные силовые МОП-транзисторы 3.1 А, 400 В, 1,800 Ом, N-канальные силовые МОП-транзисторы 0,4 А, 400 В, 3,607 Ом, N-канальные силовые МОП-транзисторы (15 А, 50 В, 0,150 Ом, N ?? 澧? 己 ????? OS? 烘? 搴??)	ИНТЕРСИЛ [Intersil Corporation] ПОЛУПРОВОДНИК HARRIS

Работа постоянного тока для МОП IRFZ44, кривая SOA, максимальный ток при 40 В?

Я построил электронную нагрузку. В то время я не понимал кривых SOA. Теперь я обнаружил, что в таблице данных IRFZ44 нет кривой постоянного тока.Есть идеи, какой максимальный ток может быть при 30 В и 40 В, чтобы не повредить? В противном случае мне, возможно, придется все это поменять на 2N3055 (и навести беспорядок).

Электронная нагрузка работает при (плохо сглаженном) 40 В постоянного тока 3А. (Я тестировал его всего несколько секунд на этой мощности). Тем не менее, я много тестировал его при 15-25В и 1А. Кажется, держится хорошо. У меня большой радиатор с вентилятором. Температура корпуса не превышает 40С.

(IRFZ44N и IRF540 кажутся единственными силовыми МОП-транзисторами, доступными локально, поэтому подойдут любые указания о возможностях каждого из них по постоянному току.)

Добавлен 13 апреля 2018 г .: Что ж, мосфет умер. Итак, чтобы ответить на мой собственный вопрос … IRFZ44 с радостью будет работать при чуть более 20 В (возможно, 23-24) при близком к 2 А (я много раз тестировал при 1850 мА). Я тестировал сегодня при 42,5 В, и он умер вскоре после достижения 400 мА (возможно, до 500 мА, я не уверен). Было даже не тепло, может, только при 35С или около того. Так вот что. Оглядываясь назад, я должен был добавить пару резисторов перед стоком, чтобы снизить напряжение на МОП-транзисторе.Вероятно, он должен терпеть многое, если Vds ограничен только примерно 10 В.

Это также означает, что кривые SOA в таблице, вероятно, не все правильные. Экстраполяция точек, в которых МОП-транзистор работал и не работал (воображаемая рабочая линия постоянного тока), не дает мне линии, параллельной другим линиям с разной шириной импульса. Таким образом, они тоже могут на самом деле изгибаться вниз намного сильнее при более высоких напряжениях (то есть кривая вместо прямой линии в таблице данных).

Так вот… мои 30 центов IRFZ44N …

Добавлено 15 апреля 2018 г .: Другой мосфет умер. Этот отказал только при 2,5–3,5 В при примерно 2,4–2,5 А. Это, вероятно, объясняет отсутствие линии постоянного тока на кривой SOA. Этот МОП-транзистор выйдет из строя при токе выше 2 А при всех напряжениях ниже 20 В. Кривая постоянного тока представляет собой плоскую линию примерно от 2 А до 20 В, после чего резко падает до 400 мА при 40 В.

البيانات (PDF) البحث ي الموقع

رقم القطعة	Обновить	المصنعين	PDF
0804MC	8-контактный разъем TO-3	Texas Instruments	PDF
11C06	11C06, 750 МГц, D-образный триггер (Rev.А)	Texas Instruments	PDF
11C90	11C90 Предделители частоты 650 МГц (Rev. A)	Texas Instruments	PDF
2SA1948	Транзисторы PNP	Kexin	PDF
4N26	Оптопары	Texas Instruments	PDF
4N35	Оптопары (Rev.В)	Texas Instruments	PDF
54ABT16244	54ABT16244 16-битный буфер / линейный драйвер с выходами TRI-STATE (Rev. A)	Texas Instruments	PDF
54ABT16245	54ABT16245 16-разрядный трансивер с выходами TRI-STATE (Rev. C)	Texas Instruments	PDF
54ABT16373	54ABT16373 16-битная прозрачная защелка с выходами TRI-STATE	Texas Instruments	PDF
54ABT16374	54ABT16374 16-битный D-триггер с выходами TRI-STATE (Rev.А)	Texas Instruments	PDF
54ABT16500	54ABT16500 18-разрядные трансиверы универсальной шины с выходами TRI-STATE (Rev. A)	Texas Instruments	PDF
54ABT16646	54ABT16646 16-разрядные регистры трансивера с выходами TRI-STATE (Rev. A)	Texas Instruments	PDF
54ABT240	54ABT240 Восьмеричный буфер / линейный драйвер с выходами TRI-STATE	Texas Instruments	PDF
54ABT241	54ABT241 Восьмеричный буфер / линейный драйвер с выходами TRI-STATE (Rev.А)	Texas Instruments	PDF
54ABT244	54ABT244 Восьмеричный буфер / линейный драйвер с выходами TRI-STATE (Rev. Больше новостей Навигация по записям Освещение на подвесных потолках фото: Освещение потолка – особенности размещения светильников и расчет светового потока (115 фото) В чем измеряется свет: Как измерить световой поток Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Найти: Рубрики Интересн Интересные факты Новинки Новые Передатчик Передатчики Примеры схем Простые Разное Советы Схем Схемы Электрон Электроника © 2019 «Tree of life» — Производство и продажа аксессуаров для iPhone * iPad, iPhone, iPod, iPod classic, iPod nano, iPod shuffle и iPod touch являются торговыми марками компании Apple Inc, зарегистрированными в США и других странах. Apple Store является торговой маркой компании Apple Inc. PhotoFast является зарегистрированной торговой маркой компании PhotoFast Company Limited. Вступайте в клуб любителей

Даташит ирфз44: IRFZ44 , , , – RadioLibrary

Аналоги для irfz44 – Аналоги

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

IRFZ44 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

IRFZ44 Vishay

Основная информация:

Упаковка и вес:

Электрофизические параметры:

Тепловые и механические параметры:

Главная — Школа №619

Добро пожаловать

ТРАНЗИСТОР полевого эффекта транзистора IRFZ44 To-220 60 V 50 A N-Channel Trench Power

Похожие товары

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

УМЗЧ с полевыми транзисторами IRFZ44

IRFZ44 Datasheet – 60 В, силовой полевой МОП-транзистор (транзистор)

IRFZ44 Лист данных

Сообщения, связанные с «MOSFET»

Статьи по теме в Интернете

IRFZ44 datasheet – HexFET Power MOSFET

irfz44% 20% 22pin% 20compatible% 22 техническое описание и примечания к приложению

irfz44

Подстроечный резистор 10k

IRFZ44

IRFZ44

irfz44

1RFZ44

IRFZ44

2015 – irfz44

1996 – IRFZ44

МОП-транзистор IRFZ44

Нет в наличии

2008 – irfz44

2011 – привод затвора для mosfet irfz44

Нет в наличии

Нет в наличии

2009 – привод затвора для mosfet irfz44

1995 – Схема контроллера заряда IRFZ44 pwm pv

IRFZ44 данные

IRFZ44

2012 – данные IRFZ44

Нет в наличии

1999 – IRFZ44 MOSFET – описание производителя

IRFZ44 IOR

1995 – мотор-водитель IRFZ44

SEC irfz44

IRFZ44 Лист данных – N-CHANNEL Power MOSFET

IRFZ44 PDF файл

IRFZ44_299326.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

Работа постоянного тока для МОП IRFZ44, кривая SOA, максимальный ток при 40 В?

البيانات (PDF) البحث ي الموقع

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ