Светодиодная матрица с выпрямлением света – смысл, особенности конструкции, тест печати.
Добрый день, коллеги!
Всем хорошо известны недостатки традиционной световой схемы LCD-принтеров в виде светодиода с раструбом – свет падает на LCD-матрицу под разными углами, и как результат – большая паразитная засветка по XY, снижение точности печати. Ну и перспективные искажения.
Достаточно снять раструб, увеличить расстояние от светодиода до матрицы, установить линзу для собирания света – и качество печати резко возрастает. В центре – очень качественная печать, по краям – хуже, но все равно лучше, чем в случае раструба. Ну а если без линзы – то убираются искажения от линзы и качество должно быть еще выше… Правда перспективные искажения остаются.
Есть и альтернативный вариант – матрица светодиодов…
Казалось бы, лучше? Но увы.. в пространстве между светодиодами свет опять падает под разными углами, освещенность напротив светодиодов большая, в промежутке между ними – маленькая.
К сожалению не один из владельцев или производителей принтеров с подсветкой из светодиодной матрицы не опубликовал инструментальных замеров освещенности в разных точках экрана, и только один из владельцев Sparkmaker сделал фотографию экрана.
На ней хорошо видны «провалы» освещенности, а если еще к ним присовокупить падение света под разными углами… (см. рисунок 1)
Но не все так грустно… Недавно появилось новое веяние – подсветка в виде светодиодной матрицы с выпрямителем света, которая обеспечивает падение света под углом, близким к прямому, на любую точку LCD-матрицы.
Такая матрица анонсирована в phrozen shuffle и в ZOBU от 3DArtel. Станет ли «фрозен» доступным в РФ – вопрос…. А вот ZOBU, уже продается.
Итак, смотрим, как дела обстоят с такой матрицей в варианте «русского китайца» ZOBU 3DArtel.
Фотография экрана, увы, показывает, что с равномерностью освещенности не все так хорошо, как хотелось…
Насколько неравномерность засветки опасна, по сравнению и неперпендикулярностью света? С точки зрения паразитной засветки по XY?
Вопрос интересный… Мой опыт подсказывает, что самое главное – перпендикулярность света.
Для проверки – распечатал тонкостенные вертикальные детали, расположив их хаотично по поверхности матрицы.
Результат – толщина деталей по модели – 0,75мм, фактическая толщина – 0,8…0,9 мм – т.е. разница в увеличении толщины за счет паразитной засветки от места расположения детали – минимальна и сопоставима с ошибкой слайсера при нарезке.. Точнее моим штангенциркулем не замерить… надо будет купить электронный…
Главное достоинство данной световой схемы – отсутствие перспективных искажений и одинаковое качество печати по всему полю.
Лучше всего разрешающую способность печати оценить по тестовому кубику 3DSLA. Что я и сделал. Тестовый кубик получился отличный – внизу есть фото.
Разрешающая способность – выше, чем на принтерах 2560х1440 с пикселем 47 мкм, а я печатал на принтере с матрицей 1920х1080 с пикселем 65 мкм.
Отсутствие перспективных искажений и одинаково высокое качество печати по всему полю – громадный плюс, позволяющий печатать «крупногабаритные» детали, загружать всю площадь платформы, печатать сопрягаемые друг с другом детали не боясь, что их придется подгонять…
Качеством печати на ZOBU 3DArtel я доволен!
Данный принтер позиционируется для ювелиров и стоматологов… Но увы, я не ювелир и не стоматолог и не могу оценить степень пригодности данного принтера для вышеуказанных применений…
Ну а моделистам и хоббистам такой принтер должен понравиться… Если, конечно, это не жд моделизм масштабов ТТ и мельче…
Моделисты могут напечатать наборные траки для бронетехники в 35-ом масштабе, с готовыми отверстиями под пальцы, ну а я напечатал сочлененные рыцарские доспехи в шестом масштабе….
Рисунок 1.
Схема прохождения световых лучей у обычной светодиодной матрицы и у матрицы с выпрямлением света.
Фото 2.
Фотографии «обычной» светодиодной матрицы и различных конструкций светодиодных матриц с выпрямлением света.
На фотографии – сверху слева – LCD матрица Sparkmaker (первый вариант, реальное фото пользователя), сверху справа – LCD- матрица Sparkmaker (планируемый лит для апргрейта, рекламное фото).
Снизу слева – рекламное фото матрицы phrozen shuffle, снизу справа – реальное фото матрицы ZOBU 3DArtel.
Лично мне кажется конструкция матрицы ZOBU 3DArtel с непрерывным полем квадратных линз более совершенной, чем у «фрозена»… Но надо подождать обзоров на «фрозен» и опыта его эксплуатации.
Фото 3. Фотографии матриц во включенном виде.
Реальные фото. Слева – фотографии Sparkmaker, справа – ZOBU 3DArtel
Хорошо видны провалы освещенности между светодиодами у Sparkmaker и куда более ровная картинка у ZOBU 3DArtel.
А если еще учесть разнообразные углы наклона в первом случае и параллельный свет во втором – разница в качестве очевидна.
Фото 4.
Тонкостенные детали.
Детали напечатаны на различных участках экрана принтера ZOBU, разница в толщине минимальна и в пределах точности штангенциркуля…
Толщина по модели – 0,75 мм, толщина, замеренная штангенциркулем – 0,8…0,9 мм. Погрешность – в пределах погрешности измерительного инстурментаи слайсера.
Т.е. можно предположить, что разница освещенности в данном случае мало влияет на увеличение толщины детали за счет паразитной засветки по XY.
Фото 5.
Тестовый кубик 3DSLA.
Кубик пропечатался отлично, пропечатались щели вплоть до 0,2мм включительно (не пропечатались щели 0,15 и 0,1 мм), пропечатались все ребра, включая 0,1 мм.
Отверстия пропечатались и не заплыли, перегородка в окне и ажурная конструкция сверху – тоже…
Кубик печатался с краю платформы.
Иметь одинаково высокое качество печати по всему полю экрана – это здорово!
Фото 6.
Латный сабатон в 6-ом масштабе.
Длина сборки – 45 мм
Отверстия в частях сабатона по модели – 1мм, диаметр осей – 0,78 мм, толщина деталей – 1…0,5 мм.
На фото хорошо видно, что детали без постобработки и подгонки – даже поддержки не до конца сняты.
Сборка отлично собралась без постобработки и подгонки, сочленения обеспечивают необходимую подвижность.
Фото 7. Латная защита ноги в 6-ом масштабе.
Высота сборки – 120 мм.
Отверстия в частях сборки по модели – 1мм, диаметр осей – 0,78 мм, толщина деталей – 1…0,5 мм.
На фото видно, что детали без постобработки и подгонки – поддержки не до конца сняты.
Сборка отлично собралась, защита коленного сустава обеспечивает копийную подвижность.
Фото 8.
Латные наголенники в 6-ом масштабе.
Высота деталей – 55 мм
Благодаря точной печати половинки сошлись без подгонки, а петли получились вполне рабочие, без дополнительной подгонки… наружный диаметр цилиндров петли по модели – 1,2 мм, диаметр отверстия петли по модели – 0,6 мм.
Фотографии говорят сами за себя. Обращаю внимание, что такое качество не по центру, а по всему полю печати!
Так что мне такая светодиодная матрица понравилась, хочу если не такую – то аналогичную!
На этом пока все…
Качеством печати принтера ZOBU 3DArtel приятно удивлен, с удовольствием бы купил такой принтер, если бы не наличие собственного «зоопарка» – куда его девать?
Поэтому буду делать апгрейд «своего» JAP LCD – ставить аналогичную матрицу.
Диодная матрица
А диодная матрица представляет собой двумерную сетку проводов: каждое «пересечение», в котором одна строка пересекает другую, имеет либо диод соединяя их, либо провода изолированы друг от друга.
Это один из самых популярных методов реализации только для чтения памяти. В качестве диодной матрицы используется магазин управления или же микропрограмма во многих ранних компьютерах. Логически эквивалент транзисторная матрица до сих пор используется в качестве хранилища управления или микропрограммы или «декодирующего ПЗУ» во многих современных микропроцессорах.
В любой момент активируется одна строка диодной матрицы (или транзисторной матрицы), и заряд проходит через каждый диод, подключенный к этой строке. Это активирует столбец, соответствующий каждой строке. Единственными активированными управляющими сигналами в этот момент были те, чей провод соответствующего столбца был подключен диодом к этой строке.
Содержание
- 1 История
- 2 Смотрите также
- 3 Рекомендации
- 4 внешняя ссылка
История
ПЗУ с диодной матрицей использовалось во многих компьютерах в 1960-х и 70-х годах, а также в электронных столах. калькуляторы и схемы матрицы клавиатуры за компьютерные терминалы. Схема матрицы клавиатуры имеет очень похожую сетку диодов, но используется по-другому.
В микросеквенсор многих ранних компьютеров, возможно, начиная с Вихрь I, просто последовательно активировал каждую строку диодной матрицы и после активации последней строки снова начинал с первой строки.
Техника микропрограммирование как впервые описано Морис Уилкс в виде второй диодной матрицы, добавленной к накопителю управления диодной матрицей.
[1] Позже компьютеры использовали множество альтернативных реализаций управляющего накопителя, но в конечном итоге вернулись к диодной матрице или транзисторной матрице. Человек мог бы микропрограммировать контрольную память на таких ранних компьютерах, вручную прикрепляя диоды к выбранным пересечениям слово линии и кусочек линий. На схематических представлениях словарные строки обычно горизонтальны, а битовые линии обычно вертикальны.
Контрольный магазин на некоторых миникомпьютеры был один или несколько программируемая логическая матрица чипсы. «Пустой» PLA от производителя микросхемы поставлялся с диодной матрицей или транзисторной матрицей с диодом (или транзистором) на каждом пересечении. Человек мог бы микропрограммировать хранилище управления на этих компьютерах, уничтожая нежелательные соединения на выбранных перекрестках.
Некоторые современные микропроцессоры и ASIC использовать диодную матрицу или транзисторную матрицу управления накопителем. Обычно создается пустая сетка с диодом (или транзистором) на каждом пересечении, а затем подготавливается маска, исключающая нежелательные соединения на выбранных пересечениях.
Когда обратная инженерия интегральных схем которые включают такое программируемое по маске декодирующее ПЗУ, одним из ключевых шагов является фотографирование этого ПЗУ с разрешением, достаточным для разделения каждого места пересечения, и достаточной глубиной цвета, чтобы различать «соединенные» и «несвязанные» пересечения.[2][3]
Поскольку хранилище управления находится на критическом пути выполнения компьютера, быстрое хранилище элементов управления является важной частью быстрого компьютера. Какое-то время управляющее хранилище было во много раз быстрее, чем программная память, позволяя выполнять длинную и сложную последовательность шагов через управляющее хранилище для каждой выборки инструкции, что привело к тому, что сейчас называется сложные вычисления с набором команд. Более поздние методы для быстрого кеширования команд ускорили этот кеш до такой степени, что хранилище элементов управления было всего в несколько раз быстрее, чем кеш команд, что привело к меньшему количеству и, в конечном итоге, только к одному шагу через хранилище управления на выборку команд в вычисление с сокращенным набором команд.
cl.cam.ac.uk
внешняя ссылка
- Фото диодной матрицы DEC M792 используется как загрузочное ПЗУ для PDP-11 компьютер
- Фото диодной матрицы Telefunken в коллекции Музей истории компьютеров
диодных массивов TVS | Диоды TVS
- Обзор
- Введение
- Выбор диодной матрицы TVS
- Что такое переходное напряжение
- Примеры переходного напряжения
Диодные решетки Littelfuse TVS (кремниевые защитные матрицы SPA®) предназначены для защиты электроники от очень быстрых и часто вызывающих повреждение переходных процессов напряжения, таких как молния и электростатический разряд (ЭСР). Они представляют собой идеальное решение для защиты интерфейсов ввода-вывода и цифровых и аналоговых сигнальных линий на рынках компьютеров и потребительской портативной электроники.
Диодные матрицы для телевизоров Littelfuse доступны в различных конфигурациях корпуса, включая DIP, SOIC, MSOP, SOT23, SOT143, SC70, SOT5x3, SOT953, µDFN, SOD723 и флип-чип.
Диодные решетки Littelfuse TVS обеспечивают высокий уровень защиты (до 30 кВ по IEC 61000-4-2) с очень низкой емкостью, током утечки и фиксирующим напряжением. Для более надежных приложений доступны устройства SP03-xx и SP30xx для временных угроз EFT и Lightning в соответствии с IEC 61000-4-4/5.
Электростатический разряд (ЭСР) представляет собой электрический переходный процесс, представляющий серьезную угрозу для электронных цепей. Наиболее распространенной причиной является трение между двумя разнородными материалами, вызывающее накопление электрических зарядов на их поверхностях. Как правило, одной из поверхностей является человеческое тело, и нередко этот статический заряд достигает потенциала до 15 000 вольт. При 6000 статических вольт событие электростатического разряда будет болезненным для человека.
Разряды более низкого напряжения могут остаться незамеченными, но все равно могут привести к катастрофическим повреждениям электронных компонентов и цепей.
Знакомство с диодными матрицами TVS
Littelfuse SPA Диодные матрицы TVS предназначены для защиты аналоговых и цифровых сигнальных линий, таких как USB и HDMI, от различных угроз переходных процессов с использованием минимально возможного фиксирующего напряжения. Они предлагают более широкое применение и улучшенную защиту от импульсов по сравнению с обычными диодами.
Эти прочные диоды могут безопасно поглощать повторяющиеся разряды электростатического разряда на максимальном уровне (уровень 4), указанном в международном стандарте IEC 61000-4-2, без ухудшения характеристик.
Основные характеристики
- Низкая емкость от 30 пФ до 0,65 пФ обычно
- Высокий уровень защиты ESD IEC 610000-4-2 контактный разряд до ±20 кВ, воздушный разряд до ±30 кВ, EFT IEC 61000-4-4 40A (5/50ns)
- Низкое напряжение фиксации
- Малая утечка Максимум 0,5 мкА
- Защита до 14 входов
- Доступен в компактных корпусах для поверхностного монтажа, сквозного монтажа и небольших корпусах для монтажа рядом с входными портами для оптимальной защиты
- Соответствует ROHS и не содержит свинца
Littelfuse SPA
® Диодные матрицы TVS:Как они работают?
Littelfuse SPA ® Диодные решетки TVS, обеспечивают высокий уровень защиты от электростатических разрядов, электромагнитных помех (EMI), электрических быстрых переходных процессов (EFT) и молний, в основном для чувствительных цифровых и аналоговых входных цепей, на линиях данных, сигналах или линиях управления работающие от источников питания.
Эти устройства работают двумя способами: во-первых, они поглощают переходные процессы с помощью диодов для управления током, а затем лавинный или стабилитрон фиксирует уровни напряжения. Это предотвращает превышение устройством номинального напряжения. В условиях неисправности из-за перенапряжения устройство должно иметь низкое фиксирующее напряжение при заданной форме волны тока для защиты чувствительных ИС и портов.
При нормальной работе обратное напряжение выключения должно быть выше, чем напряжение питания/рабочее напряжение оборудования, с низким током утечки, чтобы предотвратить нагрузку источника питания. Емкость устройства должна быть достаточно низкой, чтобы уменьшить искажения входного сигнала. Корпус устройства должен иметь небольшую площадь основания и малую высоту, чтобы обеспечить возможность компоновки печатной платы (PCB) высокой плотности.
Устройство должно выдерживать несколько импульсов ESD/EFT, как указано в IEC 61000-4-2.
Определения и термины
Диапазон рабочего напряжения (Vsupply):
Пределы диапазона напряжения питания, которое может находиться на клеммах V+ и V-.
Массивы SCR/диодов не имеют фиксированного пробоя или рабочего напряжения. Эти устройства «плавают» между входной шиной и шиной питания, поэтому одно и то же устройство может работать при любом потенциале в пределах своего диапазона.
Прямое падение напряжения:
Максимальное прямое падение напряжения между входным контактом и соответствующим контактом источника питания для определенного прямого тока.
Падение обратного напряжения:
Максимальное падение обратного напряжения между входным контактом и соответствующим контактом источника питания для определенного обратного тока.
Обратное напряжение зазора:
VR устройства должно быть равно или превышать пиковый рабочий уровень защищаемой цепи (или части цепи). Это делается для того, чтобы SPA не ограничивали напряжение привода схемы.
Обратный ток утечки:
Максимальный ток состояния, измеренный при заданном напряжении.
Напряжение клещей:
Максимальное напряжение, которое может быть измерено на защитном устройстве при воздействии на него максимального пикового импульсного тока.
Входной ток утечки:
Постоянный ток, измеренный на входных контактах при указанном напряжении, подаваемом на вход.
Ток питания в состоянии покоя:
Максимальный постоянный ток на контактах V+/V- при максимальном напряжении Vsupply.
Диодная матрица Littelfuse TVS (SPA)
Выбор и обзор продукции
Диодная матрица Littelfuse TVS (семейство устройств SPA ® ) являются идеальным выбором для подавления электростатических разрядов и других электрических переходных процессов, поскольку их скорость и уровни ограничения имеют важное значение для защиты. современные интегральные схемы. Портфолио предлагает широкий спектр устройств, подходящих для большинства приложений, доступных на рынке, с рейтингом электростатического разряда до 30 кВ и паразитной емкостью всего 0,4 пФ. В таблице ниже перечислены все Littelfuse SPA 9.0047 ® Диодные матрицы TVS по сериям вместе с несколькими ключевыми характеристиками для каждой. Для получения дополнительной информации о конкретной серии, пожалуйста, нажмите на название серии.
Что такое переходное напряжение?
Переходные процессы напряжения определяются как кратковременные выбросы электрической энергии и являются результатом внезапного высвобождения энергии, накопленной ранее или вызванной другими причинами, такими как тяжелые индуктивные нагрузки или молнии. В электрических или электронных цепях эта энергия может высвобождаться предсказуемым образом посредством контролируемых переключений или случайным образом индуцироваться в цепь из внешних источников.
Повторяющиеся переходные процессы часто вызываются работой двигателей, генераторов или переключением компонентов реактивной цепи. С другой стороны, случайные переходные процессы часто вызываются молнией и электростатическим разрядом (ЭСР). Молнии и электростатические разряды обычно возникают непредсказуемо и могут потребовать тщательного мониторинга для точного измерения, особенно если они индуцируются на уровне печатной платы. Многочисленные группы по стандартизации электроники проанализировали возникновение переходных процессов с использованием общепринятых методов мониторинга или тестирования.
Ключевые характеристики нескольких переходных процессов показаны в таблице ниже.
Таблица 1. Примеры источников переходных процессов и амплитуды
Характеристики скачков напряжения переходного процесса
Всплески напряжения переходного процесса обычно имеют «двойную экспоненциальную» волну, как показано ниже для молнии и электростатического разряда.
. диапазон от 50 мкс до 1000 мкс (50% пиковых значений). С другой стороны, электростатический разряд — событие гораздо более короткой продолжительности. Время нарастания было охарактеризовано как менее 1,0 нс. Общая продолжительность составляет примерно 100 нс.
Почему переходные процессы вызывают все большую озабоченность?
Миниатюризация компонентов привела к повышенной чувствительности к электрическим нагрузкам. Микропроцессоры, например, имеют структуры и токопроводящие пути, которые не могут выдерживать большие токи от переходных процессов электростатического разряда. Такие компоненты работают при очень низком напряжении, поэтому колебания напряжения необходимо контролировать, чтобы предотвратить прерывание работы устройства и скрытые или катастрофические отказы.
Чувствительные микропроцессоры преобладают сегодня в широком диапазоне устройств. Все, от бытовой техники, такой как посудомоечные машины, до промышленных систем управления и даже игрушек, использует микропроцессоры для повышения функциональности и эффективности.
Большинство автомобилей в настоящее время также используют несколько электронных систем для управления двигателем, климатом, тормозами и, в некоторых случаях, системами рулевого управления, тяги и безопасности.
Многие вспомогательные или вспомогательные компоненты (такие как электродвигатели или аксессуары) в бытовых приборах и автомобилях представляют временную угрозу для всей системы.
Тщательный расчет схемы должен учитывать не только сценарии окружающей среды, но и потенциальное воздействие этих связанных компонентов. В таблице 2 ниже показаны уязвимости различных технологий компонентов.
Таблица 2: Диапазон уязвимостей устройства.
ESD (электростатический разряд)
Электростатический разряд характеризуется очень быстрым временем нарастания и очень высокими пиковыми напряжениями и токами.
Эта энергия является результатом дисбаланса положительных и отрицательных зарядов между объектами.
Ниже приведены некоторые примеры напряжений, которые могут генерироваться в зависимости от относительной влажности (ОВ):
- Ходьба по ковру:
35 кВ при относительной влажности = 20%; 1,5 кВ при относительной влажности = 65 % - Ходьба по виниловому полу:
12 кВ при относительной влажности = 20 %; 250 В при относительной влажности = 65 % - Рабочий у верстака:
6 кВ при относительной влажности = 20%; 100 В при относительной влажности = 65 % - Виниловые оболочки:
7 кВ при относительной влажности = 20 %; 600 В при относительной влажности = 65 % - Полиэтиленовый пакет, взятый со стола:
20 кВ при относительной влажности = 20 %; 1,2 кВ при относительной влажности = 65 %
В Таблице 2 на предыдущей странице видно, что электростатический разряд, возникающий в результате повседневной деятельности, может значительно превысить порог уязвимости стандартных полупроводниковых технологий.
На рис. 2 показана форма волны электростатического разряда, определенная в спецификации испытаний IEC 61000-4-2.
Коммутация индуктивной нагрузки
Коммутация индуктивной нагрузки создает переходные процессы с высокой энергией, величина которых возрастает с увеличением нагрузки. Когда индуктивная нагрузка отключается, разрушающееся магнитное поле преобразуется в электрическую энергию, которая принимает форму двойного экспоненциального переходного процесса. В зависимости от источника эти переходные процессы могут достигать сотен вольт и сотен ампер с длительностью 400 мс.
Типичными источниками индуктивных переходных процессов являются:
- Генератор
- Двигатель
- Реле
- Трансформатор
Эти примеры чрезвычайно распространены в электрических и электронных системах. Поскольку размеры нагрузок варьируются в зависимости от приложения, форма волны, длительность, пиковый ток и пиковое напряжение являются переменными, которые существуют в реальных переходных процессах.
Как только эти переменные могут быть аппроксимированы, можно выбрать подходящую технологию подавления.
Рис. 3. Автомобильная разгрузка
На рис. 3 показан переходный процесс, возникающий в результате накопления энергии в генераторе переменного тока автомобильной системы зарядки. Подобный переходный процесс также может быть вызван другими двигателями постоянного тока в автомобиле. Например, двигатели постоянного тока приводят в действие такие удобства, как электрические замки, сиденья и окна. Эти различные варианты применения двигателя постоянного тока могут создавать переходные процессы, столь же опасные для чувствительных электронных компонентов, как и переходные процессы, возникающие во внешней среде.
Переходные процессы, вызванные молнией
Несмотря на то, что прямой удар явно разрушительен, переходные процессы, вызванные молнией, не являются результатом прямого удара. Когда происходит удар молнии, это событие создает магнитное поле, которое может вызвать переходные процессы большой величины в близлежащих электрических кабелях.
На рис. 4 показано, как столкновение облака с облаком повлияет не только на кабели RHead, но и на подземные кабели. Даже удар на расстоянии 1 мили (1,6 км) может генерировать 70 В в электрических кабелях.
Рис. 4. Удар молнии из облака в облако
На рис. 5 на следующей странице показан эффект удара облака о землю: переходный генерирующий эффект намного больше.
Рис. 5. Удар молнии из облака в землю
На рис. 6 показана типичная форма тока для индуцированных грозовых помех.
Рис. 6. Форма кривой теста пикового импульсного тока
Технологические решения для угроз переходных процессов
Из-за различных типов переходных процессов и приложений важно правильно подобрать решение подавления для различных приложений. Littelfuse предлагает широчайший спектр технологий защиты цепей, чтобы гарантировать, что вы получите правильное решение для своего приложения. Пожалуйста, обратитесь к нашей онлайн-библиотеке Замечаний по применению и Замечаний по проектированию для получения дополнительной информации о распространенных проблемах проектирования на https://www.
littelfuse.com.
Аккредитованные программы на получение степени
Квалифицированные, знающие и компетентные специалисты в области химии необходимы для создания процветающего и устойчивого мира. В основе этого лежит высококачественное образование в области химии, которое вдохновляет и привлекает следующее поколение практикующих ученых.
Степень в области химии, аккредитованная Королевским химическим обществом, является гарантией того, что она соответствует определенным стандартам, используемым в профессии. Он предоставляет людям знания, навыки и компетентность, необходимые для продвижения их карьеры в области химии.
Наш рецензируемый процесс аккредитации пользуется уважением и дает учреждениям внешне подтвержденный знак качества за их программы на получение степени в области химии.
Мы аккредитовываем степени бакалавра (BSc), интегрированные степени магистра (MCchem и MSci) и последипломные степени магистра (MSc).
Узнайте больше о преимуществах аккредитованных степеней:
Преимущества для учреждений
Преимущества для частных лиц
Какие преимущества есть для учреждений?
Многие национальные и международные химические сообщества теперь считают нас одним из лучших химических факультетов в Индонезии с международными стандартами преподавания и обучения.
С аккредитацией RSC студентам стало проще, чем когда-либо, найти международных коллег для участия в программах обмена как на краткосрочный, так и на долгосрочный период. С нынешней структурой учебной программы мы настолько уверены, что проводим обучение по химии, чтобы выпускать выпускников, которые соответствуют ожиданиям наших уважаемых заинтересованных сторон.
Каковы основные требования?
Ключевые требования – см. список
| Ключевые требования (КР) для аккредитации | Степень бакалавра | Интегрированная степень магистра | Дискретная степень магистра | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Широта (знания) | КР1 | Доказательства изучения основных разделов химии предоставляются и развиваются в соответствующее время в течение курса. | ✓ | ✓ | |
| КР2 | Результаты программы должны включать в себя широту понимания химии со способностью решать задачи на пороговом уровне компетентности, как показано в Приложении A (см. брошюру). | ✓ | ✓ | ||
| КР3 | Широта понимания химии в результате предварительного обучения должна быть обеспечена в процессе приема. | ✓ | |||
Глубина (знания)
| КР4 | Программы должны основываться на базе знаний, чтобы учащиеся могли оценить достижения в некоторых областях, находящихся на переднем крае дисциплины. | ✓ | ||
| КР5 | Программы должны обеспечивать глубину знаний в специальных областях химической науки, демонстрируемую способностью решать проблемы на уровне, приведенном в Приложении B (см. брошюру). | ✓ | ✓ | ||
| Практические навыки | КР6 | Студенты должны развить ряд практических навыков. | ✓ | ✓ | ✓ |
| Проектная работа | КР7 | Программы должны включать некоторую независимую методологию расследования. | ✓ | ||
| КР8 | Программы должны предусматривать исследовательскую подготовку, чтобы студенты могли завершить значительный проект, результаты которого потенциально могут быть опубликованы. | ✓ | ✓ | ||
| Размещение | КР9 | Любое внешнее трудоустройство должно подлежать оценке по четким и строгим критериям, при этом университеты сохраняют контроль и надзор за своими студентами. | ✓ | ✓ | ✓ |
| Профессиональные навыки | КР10 | Программы должны развивать широкий спектр передаваемых ключевых навыков. | ✓ | ✓ | |
| Оценка | КР11 | Программы должны развивать профессиональные навыки для тех, кто собирается заниматься химическими науками в качестве профессии. | ✓ | ✓ | |
| КР12 | Оценка должна быть разнообразной, уместной и строгой и требовать от учащихся применения своих знаний и решения задач. | ✓ | ✓ | ✓ | |
| Название | КР13 | Название программы должно отражать содержание и учитывать предположения работодателя о способностях выпускников на основе названия. | ✓ | ✓ | ✓ |
| Обеспечение качества | КР14 | Университеты должны иметь надежные механизмы обеспечения качества для всех аспектов своих программ. | ✓ | ✓ | ✓ |
| КР15 | Ресурсы, предназначенные для программы, должны предоставлять учащимся соответствующую благоприятную среду, позволяющую им добиться успеха в достижении заявленных результатов обучения. Загрузите наше руководство по передовой практике внешнего экзамена , чтобы получить рекомендации по назначению и поддержке внешних экзаменаторов. | ✓ | ✓ | ✓ | |
| Учебная среда | КР16 | Учебная среда должна предоставлять сотрудникам и учащимся подходящие механизмы академического развития и поддержки благополучия для достижения заявленных результатов обучения. | ✓ | ✓ | ✓ |
Загрузите наше руководство для студентов по аккредитации ученых степеней по химии Найдите аккредитованный курс сейчас
Как подать заявку
Процесс аккредитации состоит из трех простых шагов, и мы будем поддерживать вас на протяжении всего процесса. После аккредитации ваш факультет будет включен в базу данных аккредитованных курсов.
Стать оценщиком
Хотите внести свой вклад в развитие вашего сообщества? Заинтересованы ли вы в содействии соблюдению стандартов высшего химического образования? В настоящее время мы набираем для аккредитации оценщиков.
Если вы преподаете в университете, который имеет программы получения степени, аккредитованные RSC, и поддержал хотя бы одну полную когорту от регистрации до выпуска через аккредитованную степень, являетесь членом Королевского химического общества (MRSC или выше), вы можете стать оценщиком. Опыт работы по заявке на аккредитацию желателен, но не обязателен.
Обычно каждый оценщик рассматривает три заявки в год, хотя их может быть и больше, если вы заинтересованы в зарубежной аккредитации. Оценщики обычно посещают объекты не более двух раз в год.
Обратите внимание, что в одном отделе может быть не более одного эксперта одновременно.
Дескриптор роли оценщика RSC по аккредитации
В настоящее время мы набираем оценщика физической химии . Пожалуйста, отправьте резюме (максимум 4 страницы) и объясните, почему вы хотели бы принять участие (максимум 2 страницы), отправив нам электронное письмо до 30 ноября 2022 г. . Обратите внимание, что это добровольная позиция и она не оплачивается, однако все расходы будут покрыты.
Мы принимаем заявки от всех областей химии (органической, неорганической, физической и аналитической) в течение всего года. Если ваша заявка на получение статуса оценщика будет одобрена, но вакансий по вашей специальности нет, мы добавим вас в список ожидания.
