Драйвер транзистора: Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов

IGBT-драйвер и защита транзистора | Силовая электроника

Новиков Павел – [email protected]

№ 3’2019

PDF версия

Практически любой разработчик в области силовой электроники знает, что такое драйвер IGBT-транзистора, что он собой представляет и как выглядит. Есть и понимание того, что драйвер выполняет защитные функции. Однако зачем нужна какая-то функция, как выглядит ее работа и каковы ее типовые характеристики — это не всегда понятно. Для устранения возможных пробелов в понимании защиты силового транзистора и того, как эту защиту реализует драйвер, и предназначена данная статья.

Встроенные защиты драйвера

На сегодня драйвер IGBT-транзисторов — это законченный узел со сложившимся перечнем функций. Помимо основной функции — гальванически развязанной передачи логического сигнала управления в сигнал управления затвором транзистора, — драйвер выполняет и защитные функции. При этом практически все драйверы всех производителей содержат одинаковые виды защиты, список которых представлен в таблице.

Таблица. Встроенные защиты драйвера

Тип защиты	Аварийная ситуация	Защита (функция)
По сквозному току	Сбой цепей управления	Блокировка одновременного включения
	Наложение открытых состояний ключей полумоста	Формирование «мертвого времени» на переключение
По напряжению	Перенапряжение цепи управления затвором	Защита перехода затвор-эмиттер
	Коммутационные импульсы напряжения в нагрузке	Защита перехода коллектор-эмиттер
По току	Выход транзистора из ключевого режима	Защита по недонапряжению затвора
	Превышение предельнодопустимого тока транзистора	Защита по ненасыщению

Указанный в таблице перечень функций достаточен для практически гарантированной защиты транзистора от выхода из строя при аварийных ситуациях. Реже встречаются и другие защиты, например по температуре, по входному напряжению питания, по максимальной частоте управления и т. п. Однако эти виды защиты понятны, универсальны, и говорить о них именно в контексте драйвера нецелесообразно. К тому же, разумеется, не все драйверы содержат все указанные в таблице функции, но для относительно мощных драйверов данный перечень фактически неизменен. Примером драйвера со всеми представленными защитами служит ДР2180П-Б3 (функциональный аналог 2SP0320T от Power Integration), чья структурная схема приведена на рис. 1.

Рис. 1. Структурная схема драйвера

Ниже будут рассмотрены все эти функции по отдельности, причем безотносительно конкретно указанного драйвера, а именно как отдельные функционально законченные структуры.

 

Блокировка одновременного включения

Блокировка одновременного включения необходима для предотвращения сквозного тока короткого замыкания при одновременном открытии транзисторов полумоста. Пример работы защиты приведен на рис. 2. Как видно, фактически логика работы этой защиты представляет собой 2И-НЕ. Встречаются и другие алгоритмы, например, в последнем поколении драйверов Power Integration при наличии «лог. 1» на обоих входах управления открывается только один ключ, второй закрыт. Таким образом, один из входов является разрешающим, что удобно для формирования двух противофазных сигналов из одного управляющего меандра, но собственно полная блокировка полумоста при этом отсутствует. Также блокировка одновременного включения не используется в отдельных схемах, например при управлении косым мостом от одного двухканального драйвера.

Рис. 2. Блокировка одновременного включения

 

Формирование «мертвого времени» на переключение

«Мертвое время» на переключение необходимо, чтобы избежать наложения открытых состояний ключей при их переключении и сформировать задержку на обратные токи диодов. При малом «мертвом времени», а тем более при его отсутствии, неизбежны кратковременные импульсы сквозного тока на каждом переключении, что как минимум приводит к необязательным тепловым потерям, а как максимум — к выходу из строя. Как правило, «мертвое время» формируется введением задержки по переднему фронту управляющего сигнала и отсутствием задержки на заднем фронте. В результате выходной сигнал отстает на включении, что продемонстрировано на рис. 3. Поскольку такое отставание формируется для обоих каналов, в итоге на выходах (рис. 4) возникают импульсы с паузами, что и является «мертвым временем».

Рис. 3. Принцип формирования «мертвого времени»

Рис. 4. «Мертвое время» на выходах драйвера

 

Защита от недонапряжения затвор-эмиттер

Защита от недонапряжения в затворе обязательно вводится даже для маломощных драйверов, в том числе для всех драйверных микросхем. Причина тому — неизбежность низкого напряжения управления даже при штатной работе драйвера при его включении и выключении, то есть в режимах пониженного напряжения питания. И хотя эти переходные процессы относительно коротки (не более десятков миллисекунд), при наличии силового напряжения питания даже такое время работы транзистора в «линейном» режиме практически наверняка приведет к его тепловому пробою по причине выхода транзистора из ключевого режима из-за смещения рабочей точки вниз по его ВАХ. Пример работы защиты приведен на рис. 5.

Рис. 5. Срабатывание защиты от недонапряжения

Существуют схемы, в которых специально используется режим работы при пониженном напряжении управления, например с целью снижения тока КЗ. В драйверах таких схем защита от недонапряжения либо отсутствует, либо смещена по порогу. Но это редкость. В обычном драйвере пороги включения/выключения защиты всегда составляют 9–11 В/10–12 В. Такой диапазон напряжения объясняется все той же ВАХ практически любого IGBT- или MOSFET-транзистора. Гистерезис же необходим во избежание относительно высокочастотной модуляции сигнала управления защитой при перегрузке выхода DC/DC-преобразователя драйвера.

 

Защита от перенапряжения коллектор-эмиттер

Назначение этой защиты объяснять излишне, а вот принцип работы active clamping не всегда понятен. На самом деле принцип работы защиты довольно прост: в простейшем случае между коллектором и затвором силового транзистора устанавливается цепочка ограничителей на необходимое напряжение ограничения (рис. 1). При выключении транзистора выброс напряжения приводит к отпиранию ограничителей и напряжение с коллектора поступает в затвор, в результате транзистор снова «приоткрывается», как следствие, сопротивление коллектор-эмиттер уменьшается, выброс напряжения «нагружается» и его амплитуда падает. Далее напряжение в затворе снова уменьшается, снова амплитуда выброса увеличивается, снова напряжение с коллектора отпирает затвор и т. д. Таким образом и осуществляется активное ограничение напряжения на коллекторе, то есть защита от перенапряжения коллектор-эмиттер. Примеры выключения с транзистора с отключенной и подключенной защитой приведены на рис. 6, 7.

Рис. 6. Сигнал при отсутствующей защите от перенапряжения

Рис. 7. Сигнал при срабатывании защиты от перенапряжения

Следует отметить, что данная защита используется далеко не во всех драйверах и больше характерна для драйверов Plug-n-play, в частности все того же Power Integration. Причина тому следующая: нет принципиальных преимуществ такой защиты относительно простого Z-снаббера в цепи коллектор-эмиттер, зато есть целый перечень возможных проблем — слишком долгая работа транзистора в активном режиме; возбуждение схемы при наличии КЗ в нагрузке; сквозной ток из-за того, что транзистор не успел выключиться до включения второго транзистора полумоста; перегрузка выхода драйвера (так как, по определению, в выход поступает положительное напряжение при установлении отрицательного напряжения) и т. п. Но тем не менее при корректном использовании данной защиты она может оказаться наиболее эффективным решением проблемы перенапряжения.

 

Защита по ненасыщению

Защита по ненасыщению предназначена для аварийного выключения силового транзистора при его выходе из режима насыщения в результате недопустимого тока в нагрузке (обычно из-за КЗ). Принцип работы защиты основан на том, что драйвер контролирует падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер в периоды отпирающего сигнала на затворе. Если падение напряжения превышает установленный порог, драйвер снимает отпирающий сигнал управления и переходит в аварийный режим работы (выдача статусного сигнала аварии, формирование блокировки управления, перезапуск и т. п.). Таким образом, драйвер не допускает работу транзистора при токе КЗ больше допустимого времени (как правило, задержка срабатывания защиты составляет 1–10 мкс) и его выход из строя. Пример срабатывания защиты по ненасыщению приведен на рис. 8.

Рис. 8. Срабатывание защиты по ненасыщению

Нередко разработчик преобразователя категорически неправильно понимает назначение данной защиты. Защита по ненасыщению не предотвратит выход из строя транзистора по причине токовой перегрузки, а срабатывание защиты при штатной работе преобразователя недопустимо. Первое объясняется тем, что падение напряжения на транзисторе очень нелинейно в зависимости от тока. Например, транзистор на ток 100 А: при 10 А у него будет падение порядка 2 В, при 100 А — порядка 2,5 В, при 200 А (уже недопустимая, двукратная перегрузка) — порядка 3 В, а защита сработает только при 10 В (типовое напряжение срабатывания), а это уже ток порядка 500 А. Потому фактически это лишь защита от КЗ: от превышения максимального тока преобразователя она не защищает и в принципе защитить не может. Исходя из этого объясняется второе: ни в каких штатных режимах работы преобразователя защита по ненасыщению срабатывать не должна; это именно аварийная защита.

 

Плавное выключение

Плавное выключение, как правило, сопутствует защите по ненасыщению и предназначено для уменьшения индуктивного выброса на выключении при разрывании тока КЗ в момент аварийного отключения транзистора при срабатывании защиты по ненасыщению. Принцип защиты основан на имитации увеличения сопротивления затворного резистора путем уменьшения импульсного тока драйвера и тем самым увеличения выходного сопротивления драйвера. Как следствие, транзистор выключается значительно медленнее, что позволяет избежать индуктивного выброса на выключении. И поскольку индуктивный выброс особенно опасен при больших токах (тем более ток КЗ), то и плавное выключение формируется именно при срабатывании защиты по ненасыщению. Примеры выключения транзистора при наличии плавного выключения и при его отсутствии (на одном и том же коммутируемом токе) приведены на рис. 9, 10.

Рис. 9. Сигнал при отсутствующем плавном выключении

Рис. 10. Сигнал при наличии плавного выключения

Нередко, если говорить о маломощных драйверах, плавное выключение при срабатывании защиты по ненасыщению не используется, что объясняется относительно малыми токами КЗ и, соответственно, относительно неопасным обратным выбросом при КЗ. Однако лучше все же предусмотреть плавное выключение и на малых мощностях, лишним оно точно не будет.

 

Заключение

Зачастую разработчик использует в преобразователе не готовый драйвер стороннего производителя, а драйвер собственной разработки. Хорошо, если этот драйвер собран на основе специализированных микросхем типа HCPL-316J или серии аналогичных драйверов от Infineon. Хуже, если драйвер собран на полностью самостоятельных, универсальных элементах, что является нормой, например, при разработке преобразователя с «приемкой 5». В этом случае зачастую защиты не предусматриваются, или алгоритм их работы выбран некорректно, или неверны настройки… Действительно, все это не оказывает на работу драйвера и преобразователя никакого влияния, пока не происходит аварийной, а еще чаще — просто сбойной ситуации. Здесь уже, как правило, безобидный режим приводит к выходу из строя. Индуктивный выброс и выход из строя ключа происходит при нештатном выключении транзистора (если сработала защита), которого вполне можно было избежать введением плавного выключения. Кратковременная, некритичная просадка питания, приведшая к срабатыванию защиты по недонапряжению, низкочастотной модуляции выходного сигнала, итог которой — «разнос» по току преобразователя. Игнорирование блокировки одновременного включения, а в итоге помеха по питанию при включении оборудования в соседнем цеху, нештатное отпирание ключа и выход из строя по сквозному току. И многое другое. Все эти защиты не просто так были созданы, их функционирование оттачивалось многими именитыми производителями и они должны быть в драйвере. Но даже для тех, кто не занимается собственной разработкой драйверов, приведенной выше информацией нужно владеть хотя бы для общего развития, как специалисту силовой электроники.

Драйвер мощных полевых транзисторов MOSFET для низковольтных схем — radiohlam.ru

Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, — подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно.

Это, во-первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 20 мА, а для очень быстрых переключений MOSFET-ов (с хорошими фронтами), когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор (который всегда обладает некоторой ёмкостью), нужны токи на порядок больше.

И, во-вторых, питание контроллера обычно составляет 3 или 5 Вольт, что в принципе позволяет управлять напрямую только небольшим классом полевиков (которые называют logic level — с логическим уровнем управления). А учитывая, что обычно питание контроллера и питание остальной схемы имеет общий минусовой провод, этот класс сокращается исключительно до N-канальных «logic level»-полевиков.

Одним из выходов, в данной ситуации, является использование специальных микросхем, — драйверов, которые как раз и предназначены для того, чтобы тягать через затворы полевиков большие токи. Однако и такой вариант не лишён недостатков. Во-первых, драйверы далеко не всегда есть в наличии в магазинах, а во-вторых, они достаточно дороги.

В связи с этим возникла мысль сделать простой, бюджетный драйвер на рассыпухе, который можно было бы использовать для управления как N-канальными, так и P-канальными полевиками в любых низковольтных схемах, скажем вольт до 20. Ну, благо у меня, как у настоящего радиохламера, навалом всякой электронной рухляди, поэтому после серии экспериментов родилась вот такая схема:

1. R₁=2,2 кОм, R₂=100 Ом, R₃=1,5 кОм, R₄=47 Ом
2. D₁ — диод 1N4148 (стеклянный бочонок)
3. T₁, T₂, T₃ — транзисторы KST2222A (SOT-23, маркировка 1P)
4. T₄ — транзистор BC807 (SOT-23, маркировка 5C)

Ёмкость между Vcc и Out символизирует подключение P-канального полевика, ёмкость между Out и Gnd символизирует подключение N-канального полевика (ёмкости затворов этих полевиков).

Пунктиром схема разделена на два каскада (I и II). При этом первый каскад работает как усилитель мощности, а второй каскад — как усилитель тока. Подробно работа схемы описана ниже.

Итак. Если на входе In появляется высокий уровень сигнала, то транзистор T1 открывается, транзистор T2 закрывается (поскольку потенциал на его базе падает ниже потенциала на эмиттере). В итоге транзистор T3 закрывается, а транзистор T4 открывается и через него происходит перезаряд ёмкости затвора подключенного полевика. (Ток базы транзистора T4 течёт по пути Э_T4->Б_T4->D1->T1->R2->Gnd).

Если на входе In появляется низкий уровень сигнала, то всё происходит наоборот, — транзистор T1 закрывается, в результате чего вырастает потенциал базы транзистора T2 и он открывается. Это, в свою очередь, приводит к открытию транзистора T3 и закрытию транзистора T4. Перезаряд ёмкости затвора подключенного полевика происходит через открытый транзистор T3. (Ток базы транзистора T3 течёт по пути Vcc->T2->R4->Б_T3->Э_T3

).

Вот в общем-то и всё описание, но некоторые моменты, наверное, требуют дополнительного пояснения.

Во-первых, для чего нужны транзистор T2 и диод D1 в первом каскаде? Тут всё очень просто. Я не зря выше написал пути протекания токов базы выходных транзисторов для разных состояний схемы. Посмотрите на них ещё раз и представьте что было бы, если бы не было транзистора T2 с обвязкой. Транзистор T4 отпирался бы в этом случае большим током (имеется ввиду ток базы транзистора), протекающим с выхода Out через открытый T1 и R2, а транзистор T3 отпирался бы маленьким током, протекающим через резистор R3. Это привело бы к сильно затянутому переднему фронту выходных импульсов.

Ну и во-вторых, наверняка многих заинтересует, зачем нужны резисторы R2 и R4. Их я воткнул для того, чтобы хоть немного ограничить пиковый ток через базы выходных транзисторов, а также окончательно подравнять передний и задний фронты импульсов.

Собранное устройство выглядит вот так:

Разводка драйвера сделана под smd-компоненты, причём таким образом, чтобы его можно было легко подключать к основной плате устройства (в вертикальном положении). То есть на основной плате у нас может быть разведён полумост, H-мост или что-то ещё, а уже в эту плату останется только вертикально воткнуть в нужных местах платы драйверов.

Скачать разводку драйвера (DipTrace 2.3)

Разводка имеет некоторые особенности. Для радикального уменьшения размеров платы пришлось «слегка неправильно» сделать разводку транзистора T4. Его перед припаиванием на плату нужно перевернуть лицом (маркировкой) вниз и выгнуть ножки в обратную сторону (к плате).

Ниже приведены осциллограммы работы драйвера для напряжений питания 8В и 16В на частоте 200 кГц (форма входного сигнала — меандр). В качестве нагрузки — конденсатор 4,7 нФ:

Как видите, длительности фронтов практически не зависят от уровня питающего напряжения и составляют чуть больше 100 нс. По-моему, довольно неплохо для такой бюджетной конструкции.

Два транзистора BJT и драйвер для PWM MOSFET

спросил 2 года 3 месяца назад

Изменено 2 года, 3 месяца назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

В одних книгах и статьях говорится, что для защиты MOSFET от перегрева при работе в режиме ШИМ используются два BJT транзистора как на изображении, другие рекомендуют использовать драйвер для MOSFET типа MCP 1404. В чем разница между используя тот или иной?

• МОП-транзистор
• ШИМ
• МОП-драйвер

\$\конечная группа\$

5

\$\начало группы\$

Оба будут работать. Цель состоит в том, чтобы сильно управлять затвором, чтобы быстро переключать транзистор между его состоянием «включено» и «закрыто». Это означает, что он проводит очень мало времени в линейной области «половина включенного», где он будет рассеивать мощность.

Выходной каскад интегрированного драйвера будет очень похож на показанное вами дискретное решение, однако он будет включать в себя дополнительные функции, такие как защита от перегрузки по току, включение или опция инвертирования/неинвертирования. Вход триггера Шмитта также может быть включен для защиты от помех.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Эта пара транзисторов является каскадом драйвера, и поскольку он такой простой, он имеет ряд недостатков.

Поскольку для этого требуется несколько пакетов, сборка печатной платы обходится дороже, чем драйвер. Если бы вы преодолели недостатки , затрачивая человеко-часы на разработку драйвера, то в нем было бы больше компонентов и он был бы даже дороже в производстве, не говоря уже о менее надежном просто из-за веса дополнительных паяных соединений.

В какой-то момент для каждой конструкции продукта затраты, связанные с дополнительным временем и трудностями, связанными с самодельным драйвером, превышают стоимость чипа драйвера — тогда вы используете чип драйвера.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Драйвер предназначен для управления затвором MOSFET/IGBT, он также имеет некоторую защиту, такую ​​как UVLO.

\$\конечная группа\$

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

ток – Разница между драйвером и транзистором

спросил 4 года, 4 месяца назад

Изменено 4 года, 4 месяца назад

Просмотрено 406 раз

\$\начало группы\$

Ранее я уже задавал вопрос: «Безопасно ли запускать логические ИС при их максимальном выходном токе?» спрашивая, безопасно ли запускать логические ИС при их максимальном токе.

Насколько я понимаю, это не очень хорошая идея, и вместо этого я должен использовать своего рода «драйвер» между моей логической системой и моими дисплеями.

После некоторых поисков я нашел SN74HC244N, однако максимальный выходной ток у него составляет 6 мА при 5 В (если я не ошибаюсь в даташите). Это не кажется мне очень высоким для «драйверной» ИС.

Это заставило меня задуматься о том, почему я хотел бы использовать один из этих чипов, а не 8 транзисторов (которые, как я полагаю, могут работать с более высокими токами). Это просто простота использования, что они уже есть в одном маленьком пакете, или мне здесь чего-то не хватает?

• транзисторы
• ток
• интегральная схема
• драйвер
• 7-сегментный дисплей

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Это «линейный» драйвер, предназначенный для управления шиной со многими другими ИС, которыми не может управлять предыдущая часть схемы.

Он имеет:

• очистить ввод/вывод низкого/высокого напряжения,
• низкий ток на входе (с транзистором нужен базовый ток)
• очистить задержку распространения и двухтактный выход (с одним транзистором у вас есть открытый коллектор или эмиттер)
• контакт включения, поэтому вы можете иметь много разных драйверов, управляющих одними и теми же линиями (т.