| Лейтенант Торрес попросила меня починить неисправный голо-эмиттер. | |
| Мой эмиттер сплавился с несколькими нанозондами… | |
| Эмиттер в моей истории не имеет ничего общего с настоящим. | |
| Возможно, несколько моих нанозондов попали в мобильный эмиттер доктора. | |
| Мой эмиттер сплавился с несколькими нанозондами… Седьмой из Девяти. | |
| Эмиттер был адаптирован, чтобы действовать как часть его центральной нервной системы. | |
| Мой эмиттер начинает деградировать. | |
| Это эмиттер от радара самолёта. | |
| Где ваш мобильный эмиттер? | |
| Они уже строят эмиттер частиц. | |
| Как только оно ассимилировало эмиттер, оно начало преобразовывать этот диагностический терминал. | |
Или уйти – и тогда эмиттер улетел бы к черту на рога после взрыва или заползти в трубу Джеффри – в теплую компанию из 20 пауков. | |
| Я тут думал, если бы вы принесли эмиттер в медотсек, мы могли бы поработать над ним вместе. | |
| Деактивируйте мой мобильный эмиттер, и положите его в эту аптечку из селенида. | |
| Ваш эмиттер не шар на цепи. | |
| Ваш мобильный эмиттер дает вам свободу передвижения. | |
| Базовый резистор RB является обязательным для предотвращения влияния входного напряжения через Q1 переход база-эмиттер на напряжение эмиттера. | |
| Сопротивление между B1 и B2, когда эмиттер разомкнут, называется межосновным сопротивлением. | |
| Напряжение через С2 подается на переход база-эмиттер транзистора, как обратная связь для создания колебаний. Инжир. | |
| Другие результаты | |
| Похоже, некоторые схемы вашего эмиттера оплавились во время телепортации. | |
Проблема в том, что для правильной работы мы должны активировать все четыре эмиттера одновременно. | |
| Хорошо, теперь подсоедините первичное реле эмиттера. | |
| Получается, Винсент должно быть переделал свои смартчасы в электромагнитное поле эмиттера. | |
| Соединение эмиттера – там. | |
| Единственный способ поменять огни светофора — при помощи инфракрасного эмиттера. | |
| Конфискация моего эмиттера будет равноценным наказанием. | |
| Формирование эмиттера n-p-n транзистора требовало диффузии фосфора, и работа Фроша предположила, что SiO2 не блокирует такую диффузию. | |
| Двухполярные компараторы рельс-к-рельса имеют выход общего эмиттера который производит небольшое падение напряжения между выходом и каждым рельсом. | |
| Усовершенствованные методы включают создание электронного эмиттера, такого как термоэлектронный катод, плазменный катод, плазменный контактор или устройство полевой электронной эмиссии. | |
Если вместо этого приложить электрическое поле от эмиттера, то большая часть электронов, поступающих от эмиттера, будет просто отражена обратно к эмиттеру. | |
Шнуровой эмиттер ЭМЛИК
Шнуровой эмиттер ЭМЛИК-Шнур – это эмиттер выполненный в виде шнура с летучим ингибитором коррозии, который предназначен для защиты труб, цилиндров, калиброванного прутка, элементов трубопроводов, цилиндров, баллонов высокого давления, орудийных стволов при хранении или во время транспортировки. ЭМЛИК-Шнур выполнен из полиэтилена высокого давления с имплантированными в него летучими ингибиторами коррозии для защиты поверхности черных и цветных металлов и сплавов.
Применение контактно-летучих ингибиторов коррозии позволяет защитить внутреннюю часть трубы или трубы от коррозии без выполнения дорогих процедур консервации внутренних поверхностей.
Преимущества:
– Простой и безопасный в использовании шнуровой эмиттер голубого цвета диаметром 3+-1 мм
– Обеспечивает защиту внутренних поверхностей в труднодоступных местах.
– Летучий ингибитор коррозии не изменяет свойства поверхности металла и не создает препятствий для
последующей обработки поверхности металла.
– Не содержит галогенов, солей тяжелых металлов или серы.
– Легко подвергается утилизации путем переработки при температуре 280 С.
Защищаемые металлы
Углеродистая сталь, оцинкованная сталь, алюминий, медь, медные сплавы, латунь, нержавеющая сталь, электротехническая сталь.
Способ применения
ЭМЛИК-Шнур размещается внутри трубы, торцы которой должны быть закрыты. Длина шнура должна быть равна длине трубы. В течение нескольких часов произойдет насыщение внутреннего объема трубы и будет выполнена защита внутренней поверхности трубы. Данная защита будет работать длительное время при перепадах температур и в условиях высокой влажности.
Характеристики
– шнур диаметром 3+-1 мм,
– имеет срок хранения 2 года с момента выпуска при условии хранения в упаковке производителя,
– срок службы до 2 лет в эксплуатации,
– рекомендуется только для труб диаметром до 150 мм,
– поставка в жгутах, рулонах, отрезках.
Имеются модификации, защищающие трубы диаметром до 300 мм
Эмиттер электронов – Энциклопедия по машиностроению XXL
Транзисторы п — р — л-пере-хода имеют аналогичное устройство — только материал базы в них обладает дырочной проводимостью, а коллектор и эмиттер — электронной. Условное обозначение транзистора па схе мах представлено на рисунке 160. [c.160]В [Л. 3] метод температурных волн используется при электронном обогреве опытного образца. Металлический образец выполняется в форме диска диаметром 7—8 мм с толщиной 0,2 мм, являющимся одновременно анодом. Над анодом помещается катод, изготовленный из вольфрамовой проволоки в форме плоской спирали. Катод является эмиттером электронов. Его накал осуществляется постоянным током. Расстояние между анодом и катодом составляет 4—6 мм. Система анода с катодом помещается в вакуумную камеру. Условия теплообмена образца характеризуются величиной критерия Био от 0,001 до 0,01.
Вольфрамовые ДКМ, упрочненные оксидами, широко применяют в светотехнике, электротехнике и электронике. Из них производят спирали д ля мощных ламп накаливания. Торированный вольфрам используют для изготовления электродов газоразрядных ламп. Благодаря высоким эмиссионным свойствам ДКМ используют в электронике в качестве эмиттера электронов.
Эффект от применения электронно-лучевой обработки поверхностей инструмента аналогичен тому, который достигается в результате лазерной обработки. В отличие от лазерной, электронно-лучевая обработка осуществляется в среде высокого вакуума, который необходим для защиты эмиттера электронов от окисления и предотвращения их рассеяния.
Сущность электронно-лучевой обработки заключается в том, что электронный луч бомбардирует поверхность инструмента с энергией плотностью порядка 8 10″ Вт/м и перемещается от одного локализованного участка к другому через определенные интервалы времени. Скорость охлаждения после отвода электронного луча очень высока, в результате чего аустенитная структура превращается в мартенсит. Этот метод модификации поверхности инструментов обладает теми же недостатками, что и лазерная обработка, но оборудование для электроннолучевой обработки имеет более высокий КПД (используется 74 % приложенной энергии).
[c.108]
Эмиттером электронов в пушках, как правило, служит накаленный катод. За счет энергии, подводимой к катоду, происходит [c.533]
На основе монокристаллического Si изготавливаются высокотемпературные силовые полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, СВЧ-приборы, туннельные диоды, светодиоды, фотодиоды, счетчики частиц высоких энергий, эмиттеры электронов, терморезисторы, фоторезисторы, тензорезисторы и др.
[c.654]
В полупроводниковой технике первым усилительным прибором, получившим массовое применение и являющимся до сих пор основным компонентом всех схем, явился плоскостной полупроводниковый триод (рис. 15). Эмиттер триода представляет собой сильно легированный слой полупроводника, тогда как база легирована в значительно меньшей степени и имеет гораздо большее удельное сопротивление. Для п—р—и-транзистора, если эмиттерный р—я-переход сместить в прямом направлении (плюс на базе относительно эмиттера), носители из эмиттера — электроны будут переходить или инжектироваться в базу (обратный ток дырок будет незначителен). Толщина базы по сравнению с возможной длиной свободного пробега электронов выбирается малой, поэтому основная их масса, попав в базу, не уходит во внешнюю цепь через ее вывод, а достигает коллекторного перехода. На коллек-
Принцип действия фотоумножителя состоит в том, что выбитые из фотокатода электроны поступают под действием электрического поля не на анод, а на эмиттеры.
Отношение числа испускаемых эмиттером электронов г к числу падаюш их на него электронов
[c.108]При 12—14 эмиттерах электронный поток усиливается до 10 раз. Характеристики некоторых фотоумножителей приведены в табл. 5.2. [c.108]
Влияние ускоряющего поля. Эффект Шоттки. В практических условиях на поверхности электрода-эмиттера всегда существует поле, тормозящее или ускоряющее электроны. Если, например, анодное напряжение Ua положительно, но не очень велико, то вблизи катода накапливается отрицательный пространственный заряд. Его поле тормозит электроны и часть их возвращается обратно на катод. [c.64]
Транзистор п — р — п р — п — р) — транзистор, у которого область базы имеет преимущественно дырочную (электронную) проводимость, а области эмиттера и коллектора имеют преимущественную электронную (дырочную) проводимость. Большинство типов выпускаемых транзисторов относятся к р—п—р транзисторам. Схемы для транзисторов р—я—р и п—р—п одинаковы, но полярность подключения источников питания противоположна если в р—п—р транзисторе на коллектор подается отрицательное напряжение по отношению к эмиттеру, то в п—р—п транзисторе — положительное [3, 4].
Т. е, электронного реле, имеющего только два устойчивых состояния, при каждом из которых один из транзисторов практически заперт, а через другой проходит максимальный ток. Схема может перебрасываться из одного состояния в другое с помощью импульсов, подаваемых на эмиттер или базу. [c.170]
Небольшая доля дырок, движущихся от эмиттера к коллектору (1—5%), встречает на своем пути через базу электроны и рекомбинирует с ними. Убыль электронов в базе за счет рекомбинации восполняется приходом электронов через базовый вывод. Таким образом, ток, протекающий через эмиттерный вывод транзистора в активном состоянии 1 , оказывается равным сумме токов, протекающих через его коллекторный и базовый выводы [c.160]
Изменением знака напряжения, подаваемого между базой и эмиттером, можно включать и выключать ток, протекающий через коллекторный вывод транзистора. В качестве бесконтактных переключательных элементов транзисторы используются в различных приборах автоматического управления, электронных вычислительных машинах.
[c.162]
Для усиления фототока в фотоэлектронных умножителях использовано явление вторичной электронной эмиссии. Оно заключается в том, что бомбардировка пучком электронов поверхности металла, полупроводника или диэлектрика при некоторых условиях вызывает эмиссию вторичных электронов, которую обычно характеризуют коэффициентом вторичной эмиссии а — отношением числа выбитых электронов к числу падающих. Этот коэффициент зависит от многих параметров (вида и состояния поверхности, скорости и угла падения пучка электронов и т.д.) и для некоторых веществ может достигать больших значений (10 и выше). В частности, легко получается значительное усиление сигнала при использовании в качестве материала эмиттеров сплава сурьмы и цезия. Приводимая на рис. 8.18 схема иллюстрирует возможность усиления электронных токов за счет вторичной эмиссии.
Особенно большое усиление фототока дают многокаскадные фотоумножители (рис. 26.18). Фотоэлектроны с катода ускоряются в электрическом иоле и, попадая на эмиттер Э[, выбивают из него в а раз большее число электронов.
Эти электроны, ускоряясь, в свою очередь попадают на Эг, выбивая из него еще большее число электронов, и т. д. Последним электродом является апод-коллектор А. Для того чтобы электроны следовали по необходимым направлениям, электродам придают специальную форму и сообщают им нужные потенциалы. Если обозначить число эмиттеров через п, то ток в цепи коллектора к = 1оп”, где о — первичный ток катода. При а = 4 и п=10 коэффициент усиления фотоэлектронного умножителя Л1 = 6(Д о равен примерно 10 ,
[c.172]
Тело, испускающее электроны или ионы, называется эмиттером. Для наблюдения и использования электронной или ионной эмиссии необходимо создать у поверхности эмиттера электрическое поле, отсасывающее эмитированные частицы. Обычно для достижения эмиссионным током насыщения достаточно приложить небольшое поле (десятки или сотни вольт на сантиметр). В случае полевой эмиссии внешнее электрическое поле превращает потенциальный порог, существующий на границе тела и препятствующий выходу электронов, в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту, вследствие чего становится возможным квантовомеханическое туннелирование электронов сквозь барьер.
При этом энергия электрического поля затрачивается только на ускорение эмитированных электронов. Для возникновения полевой эмиссии необходимо приложить к телу сильное электрическое поле (I 10 В/см), при этом плотность тока может достигнуть 10 А/см . При еще больших импульсных полях локальные участки эмиттера (выступы, заострения) сильно разогреваются (чаще всего током полевой эмиссии) и взрываются. Часть вещества эмиттера переходит из конденсированной фазы в плотную плазму. Этот процесс сопровождается испусканием интенсивного электронного потока — возникает взрывная электронная эмиссия. Монографии и обзоры по эмиссионной электронике и различным видам эмиттеров приведены в [1—4,
[c.567]
Важнейшей эмиссионной характеристикой твердых тел является работа выхода еср (е — заряд электрона, Ф — потенциал), равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми в теле в вакуум, в точку пространства, где напряженность электрического поля практически равна нулю [1].
Если отсчитывать потенциал от уровня, соответствующего покоящемуся электрону в вакууме, то ф— потенциал внутри кристалла, отвечающий уровню Ферми. Согласно современным представлениям в поверхностный потенциальный барьер, при преодолении которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также — в меньшей степени — электрический двойной слой у поверхности тела. Наиболее распространенные методы экспериментального определения работы выхода — эмиссионные по температурной, спектральной или полевой зависимости соответственно термо- фото- или полевой эмиссии, а также по измерению контактной разности потенциалов между исследуемым телом и другим телом (анодом), работа выхода которого известна [I, 2]. В табл. 25.1, 25.3 и 25.4 приведены значения работы выхода простых веществ и некоторых соединений. Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода (эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода. эВ, при наложении электрического поля напряженностью В/см, равно
[c.
567]Характеристики эффективных эмиттеров вторичных электронов приведены в табл. 25.22—25.24 и на рис. 25.39—25.43, где Ер п— энергия первичных электронов, при которой достигается максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии От- [c.582]
| Таблица 25.24. Коэффициенты ВЭЭ для эффективных эмиттеров при малых энергиях первичных электронов Е [24] |
| Рис. 25.41. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для моно- f/) и поликристаллического (2) GaP— sO-эмиттеров |
| Рис. 25.43. Зависимость коэффициента ВЭЭ от энергии первичных электронов для Si— sO-эмиттеров на отражение (/) и на прострел (d=4-i-5 мкм) (2) [251 |
Если внешнее электрическое поле достаточно велико для того, чтобы потенциальной порог на границе тела превратился в барьер конечной и малой ширины (ё Ю В/см), то становится возможным просачивание электронов сквозь барьер (квантовомеханическое туннелирование) и выход их в вакуум. При этом электроны непосредственно после прохождения сквозь барьер имеют ту же энергию, что и внутри тела, а электрическое поле совершает работу только на ускорение электронов в вакууме в межэлектродном промежутке между эмиттером
[c.587]Отсюда видно, что ПЭ зависит от электрического поля так же, как ТЭ зависит от температуры ln(j/S2) = = f(l/ ё) (рис. 25.47). При высоких температурах плотность тока ПЭ возрастает с Т, особенно сильно в области малых (но уже вызывающих ПЭ) электрических полей. Распределение по энергиям электронов, эмитируемых из металла, при ПЭ при низких температурах эмиттера начинается от энергии, соответствующей уровню Ферми в металле (принимаемому за нуль), и простирается в область отрицательных энергий.
Ширина распределения на половине высоты составляет около 0,5 эБ (рис. 25.48). При возрастании температуры энергетический спектр эмитируемых электронов расширяется в сторону положительных энергий. ПЭ полупроводников обладает рядом особенностей, связанных с распределением электронов по энергиям в них, с проникновением внешнего электрического поля в полупроводник и с сильной термо- и фоточувствительностью полупроводников, оказывающей влияние на ток ПЭ (рис. 25.49) [28, 29]. Токи ПЭ с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острие, /кр возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия (табл. 25.27, рис. 25.50). В очень сильных электрических полях, когда плотность тока ПЭ достигает 10 —10 А/см локальные участки катода, из которых происходит эмиссия, (острия) в результате сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью t = 10 см/с.
Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной эмиссии (взрывная электронная эмиссия, рис. 25.51) [30]. Ток /, А, взрывной электронной эмиссии при взрыве одиночного острия
[c.588]
| Рис. 25.48. Распределение по энергиям электронов при ПЭ из вольфрамового острия с ориентацией по оси при различных температурах эмиттера [31] |
Однако база представляет собой очень узкую область, через которую почти без потерь проходят носители. Это означает, что инжектированные с эмиттера в базу электроны почти без потерь достигают коллектора при условии, конечно, что последний обладает положительным потенциалом относительно эмиттера. Эти электроны образуют ток в цепи коллектора.
[c.365]В цепи эмиттера сила тока существенно зависит от напряжения на эмиттере, причем сопротивление цепи эмиттера мало. Электроны, вошедшие с эмиттера в базу, достигают коллектора и изменяют силу тока в его цепи. Изменения силы тока в цепи коллектора примерно равны изменениям сил тока в цепи эмиттера, однако после прохода через большое нагрузочное сопротивление получается значительное усиление по напряжению и мощности. [c.366]
При положительном потенциале на коллекторе (рис. 8.7, 6) все электроны, покидающие эмиттер, попадают на коллектор. Поэтому ток в цени меняться не должен, оставаясь равным току насыщения /о (штриховая кривая на рис.
8.8, а).
[c.214]
Р. применяют как эмиттер электронов (реииевые острия в автокатодах, катоды в масс-спектрометрах и т. д.), в электронной аппаратуре (подогреватели катодов и т. п.). Р. и его сплавы с W и Mo используют для изготовления термопар, В качестве радиоактивного индикатора служат Re (электронный захват, –pa Him, Г.д = 90,6 ч) и др. радионуклиды Р. [c.338]
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к-рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны с энергиями > I эВ относительно ферми-уровня в эмиттере) в условиях термодинамич. равновесия в соответствии с Ферми—Дирака распределением ничтожно мало при темп-рах ГяаЗОО К и экспоненциально растёт с Г. Поэтому ток Т. э. заметен только для нагретых тел. [c.99]
Такой преобразователь представляет собой вакуумную стеклянную колбу, в которой смонтированы входной люминесцирую-щий экран с фотокатодом, выходной люминесцнрующий экран и анод (рис.
11-2). Входной экран находится в контакте с эмиттером электронов (фотокатодом). Под воздействием гамма-излуче-ния появляется свечение/экрана это свечение в свою очередь вызывает эмиссию фотоэлектронов из фотокатода. В каждой точке фотокатода число освобождаемых в единицу времени электронов 290.
[c.290]
Явление Т. э. можно рассматривать как испарение электронов из эмиттера. При Т. э. на испарение (эмиссию) термоэлектронов затрачивается тенлота, тем большая, чем больше работа выхода эмиттера, аналогичная теплоте испарения атомов или молекул. Равновесие между выходом термоэлектронов из эмиттера и их обратной конденсацией наступит при наличии пад поверхностью этого эмиттера электронного газа определенной плотности, аналогичной плотности насыщенного пара при испарении атомов или молекул. Термодинамич. рассмотрение системы эмиттер — равновесный электронный газ над ним, также дает возможность получить выражение для / (Т). Ото рассмотрение не содержит к.-л. предиоложении о свойствах электронов внутри эмиттера, по требует знания свойств электронного газа иад эмиттером.
Если рассматривать этот газ как идеальный (законность этого можно обосновать почти для всех известных эмиттеров), то на основе термодинамики так е получают ур-ние (2), из к-рого видно, что Т. э. тела при заданной темп-ре определяется работой выхода ф и средним коэфф. прохождения термоэлектронов (1 — г) через границу эмиттер — вакуум последний близок к 1 и не сильно отличается у различных эмиттеров, поэтому основной характеристикой тер-люкатода является его работа выхода.
[c.174]
Формула Ричардсона — Дешмана. Плотность термоэмиссионного тока. Если число электронов, выходящих из эмиттера через выбранный участок поверхности за единицу времени, равно то плотность термоэмиссионного тока [c.62]
Фотоэмиссия. При поглощении эмиттером светового излучения могут появиться электроны настолько большой энергии, что некоторые из них преодолевают барьер и оказываются эмитти-рованными. Это явление известно под названием внешнего фотоэффекта. Для металлов условие возникновения фотоэмиссии (закон Энштейна) имеет вид
[c.
66]
Умножитель фотоэлектронный сквозного действия — фотоумножитель, эмиттеры которого выполнены в виде сеток или металлических пластин типа жалюзи вторичные электроны, испускаемые предыдущим эмиттером, попадают на последующий эмиттер непосредственно под действием разности потенциалов на этих эмиттерах необходимость ( кусировки электронов при такой конструкции фотоумножителя отпадает [3 ]. [c.162]
Совершенно ясно, что важно не только создать бо.пьшее число вторичных электронов, но и сфокусировать электронные потоки так, чтобы подавляющее число выбитых электронов достигло следующего эмиттера. Фокусировка вторичных электронов осуществляется различными способами. Наибольшее распространение получили умножители, в которых конфигурация и расположение фотокатода и эмиттеров подобраны так, что создаваемые ими электрические поля обеспечивают оптимальные условия прохождения электронного пучка (рис. 8.19). [c.438]
Вторичная электронная эмиссия широко используется для усиления слабых токов, в частности фототоков.
Такие устройства называются фотоэлектронными умножителями. Схематическое изображение одиокаскадного фотоэлектронного умножителя приведено на рис. 26.17. Фотоэлектроны, вырываемые светом из фотокатода К, ускоряются электрическим полем, и значительная их часть, пролетая сквозь анод А, представляющий собой сетку, попадает на вторичный эмиттер. Выбитые из него электроны меньших скоростей, чем первичные, собираются анодом. Такие фотоумножители позволяют получать 10—20-кратг[ое усиление фототока.
[c.172]
Основные закономерности ВЭЭ. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмитированные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмитироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ). Основной характеристикой вторично-электронных эмиттеров является зависимость а —коэффициента ВЭЭ от энергии Ер первичных электронов.
Коэффициент ВЭЭ есть отношение числа электронов Л г, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N a=N2lNi=
[c.582]
Эффективные эмиттеры вторичных электронов. Эффективные эмиттеры фотоэлектронов сурьмяно-цезие-вый, многощелочной, фотоэмиттеры с ОЭС и другие — одновременно являются эффективными эмиттерами вторичных электронов. Широкое распространение получили также эффективные эмиттеры вторичных электронов на основе сплавов магния, бериллия и некоторых других элементов. Эти эмиттеры представляют собой слой оксида соответствующего металла на поверхности исходного сплава (Ag—Mg, А1—Mg, Си—Be, Ni—Be и т. п.). В канальных вторичных электронных умножителях используются эмиттеры вторичных электронов из проводящих стекол. [c.582]
| Рис. 25.42. Зависимость коэффициента ВЭЭ для GaAs— sO-эмиттеров от энергии первичных электронов на отражение (1) и на прострел> (d=3- 4 мкм) (2) [26] |
8.7, а), то на коллектор смогут попасть лишь те электроны, которые вылетели из эмиттера с запасом кинетической энергии, не меньшим —qV (F [c.214]Cortec Rus – Самоклеющийся эмиттер-колба с летучими ингибиторами коррозии VpCI-105 / VpCI-111
Самоклеющийся эмиттер-колба с летучими ингибиторами коррозии (ЛИК)
Cortec VpCI-105 (VpCI-111) осуществляет защиту от коррозии различных устройств, в том числе и электронных, от коррозии при хранении их в закрытых ящиках или другой не вентилируемой упаковке.. Эмиттер VpCI-105 (VpCI-111) содержит летучий ингибитор коррозии, который создает на поверхности металла мономолекулярную плёнку, предохраняя тем самым дорогие электронные устройства от коррозии в процессе их хранения, транспортировке или работы.
VpCI- 105 (VpCI-111) – это небольшое пластиковое приспособление с Tyvek® мембраной, через которую медленно проходит летучий ингибитор коррозии. Он обеспечивает долговременную защиту от коррозии даже в условиях присутствия морской соли, влаги, h3S, SO2, Nh4 и других химических элементов вызывающих коррозию.
Используется ВМС США и на морских буровых платформах для защиты электронных компонентов.
- VpCI-105 – защищает от коррозии 141,6 литров внутреннего объема
- VpCI-111 – защищает от коррозии 312 литров внутреннего объема
ТИПИЧНОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
- Работающие, транспортируемые или хранящиеся электронные устройства
- Морское, авиационное, коммуникационное и радиолокационного оборудование
- Аэрокосмическое электрическое оборудование
- Электромоторы
- Блоки предохранителей, выключателей, распределительные щиты
- Медицинское оборудование
- Научное и измерительное оборудование
ГЛАВНЫЕ ДОСТОИНСТВА
- Обеспечивает защиту от коррозии в течение 24 месяцев
- Защищает черные и цветные металлы
- Одобрен к употреблению в пищевой промышленности (FDA и USDA)l
- Экономичен при применении
- Прост и удобен при установке
- Обеспечивает продолжительную антикоррозионную защиту в условиях влажного и морского климата
- Не изменяет оптических, электрических и механических свойств прецизионной и электронной техники
- Не токсичен, свободен от нитратов, силикатов и фосфатов
- Обладает влагопоглощающим действием
- Предохраняет устройство как при хранении, так и в процессе его работы
- Одобрен американской армией и НАТО
- Одобрен FDA для защиты от коррозии на производствах пищевой промышленности
- NSN# 6850-01-408-9025
- Соответствует MIL l-22110C
МЕТОД ПРИМЕНЕНИЯ
VpCI-105 (VpCI-111) чрезвычайно прост в применении.
Приспособление может быть установлено в любое время, как при упаковке защищаемого устройства, так и в процессе его эксплуатации.
Удалите с тыльной стороны эмиттера бумажную наклейку и прикрепите его этой стороной к чистой от грязи и масла внутренней поверхности защищаемого устройства или ящика, в котором это устройство установлено, хранится или транспортируется. Эмиттер может быть установлен в любой позиции.
Если защищаемый объём превышает 312 литров (для VpCI-111) или 142 литра (для VpCI-105), то установите ещё один эмиттер. В том случае, когда упаковка неплотно закрыта или часто открывается необходимо эмиттер менять чаще, чем раз в 2 года. В особо неблагоприятных условиях эксплуатации, с сильной вентиляцией защищаемого объёма, применять эмиттер совместно с VpCI-238 (антикоррозийный аэрозоль).
СВОЙСТВА
| VpCI-105 | VpCI-111 | |
| Защищаемый объем (литров) | 141.6 | 312 |
| Упаковка (штук) | 20 | 10 |
| Размеры одного эмиттера (диаметр * высота, см) | 5,7*2 | 5,7*3,2 |
ХРАНЕНИЕ
Температура хранения не должна превышать 85°С.
Эмиттер – Справочник химика 21
К сожалению, сравнение теории и эксперимента затрудняется не только несовершенством обоих подходов. Структура кластеров, изученных масс-спектрометрически, не известна, Кроме того, как указывают сами авторы работ [363, 373], она может отличаться от равновесной структуры свободных кластеров в вакууме, так как эти кластеры образуются на поверхности эмиттера и подвержены его влиянию. [c.136] В газоразрядных лампах используется излучение положительного столба низкого давления или непосредственно, или путем последующего возбуждения флуоресценции ультрафиолетовым излучением (люминесцентные лампы). В натриевых и ртутных лампах в качестве источника света используется дуга с горячим катодом, которая зажигается в парах указанных элементов. Величина давления в лампе определяется ее рабочей температурой, поэтому вакуумный объем, в котором происходит разряд, термически изолируют, заключая лампу в еще один вакуумированный стеклянный баллон.
Лампы работают на переменном токе, и поэтому каждый электрод снабжен термоэлектронным эмиттером электронов в виде слоя оксида. Зажигание и разогрев лампы происходят под воздействием высоковольтных импульсов, вырабатываемых при размыкании индуктивной цепи или при введении дополнительного газа (неона). [c.94]
В 1970-е годы был разработан новый тип низкоэнергетического (0,15-0,3 МэВ) ускорителя электронов с линейным катодом [18]. Отличительная особенность этих ускорителей заключается в большой силе тока пучка. Основной частью ускорителя является электронная пушка, размещенная вдоль оси цилиндрической вакуумной камеры. Катодом служит длинная непрерывно нагреваемая проволока или лента из вольфрама. Применяют также катоды прямого накала с напаянным на ленту эмиттером из гексаборида лантана. Катод окружен оболочкой, покрытой решеткой, на которую подается высокое напряжение от генератора, анодом служит вакуумное окно из тонкой металлической фольги.
Ширина электронного пучка в этом ускорителе имеет большую величину (до 200 см), равную длине катода. Для облучения более широких изделий выпускают установки с двумя и более ускорительными трубками. Параллельное размещение нескольких катодов позволяет значительно расширить зону электронного пучка. [c.104]Фотоумножитель представляет собой прибор, состоящий из фотоэлемента, между катодом и анодом которого расположены вторичные эмиттеры электронов (диноды), обеспечивающие внутреннее усиление фототока в 10 —10 раз. Для дополнительного усиления фототока применяют усилители постоянного и переменного тока. Однако более точные результаты измерений можно получить компенсационным методом, т. е. сравнением двух фототоков от одного и того же или от разных ФЭУ. [c.79]
Такие частицы могут участвовать в разного рода гомогенных химических реакциях, диффундировать к электроду-эмиттеру, подвергаться на нем катодному восстановлению или анодному окислению, что отражается на значении измеряемого фототока, которое складывается из трех составляющих [c.
218]
На рис. 153 показан принцип действия полупроводникового усилителя — транзистора полупроводникового триода). Он состоит из трех частей — двух р-проводников — эмиттера и коллектора, между которым находится очень узкая область с л-проводимостью — база. При отсутствии тока в цепи эмиттер — база ток в цепи коллектор — база не идет, так как работа р-п-перехода база-коллектор соответствует рис. 152 , 8. Пропускание тока в цепи эмиттер—база забрасывает в базу носители тока, в результате цепь коллектора становится проводящей. Током малой мощности в цепи эмиттер—база можно управлять током большой мощности в цепи коллектор-база. [c.276]
Альфа-частицы испускаются в основном тяжелыми атомами за исключением единственного примера — Ве, который распадается с периодом полураспада 10 сек на 2 атома гелия. При этом даже изотоп Sm считается необычно легким альфа-эмиттером. Оказалось, что все встречающиеся в природе атомы с массовым числом,большим чем у неустойчивы и им свойственен альфа-распад.
Вероятно, что атомы с массовыми числами в интервале 190—208 также энергетически неустойчивы и подвергаются альфа-распаду, но период их полураспада слишком велик, чтобы процесс был замечен. [c.394]
При изготовлении ра зличных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р—/ переходы областей эмиттер — база и база — коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р — -переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов (диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга.
Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р — л-переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции. [c.97]
Точно так же, как и в атомном спектре определённые переходы осуществляются, а другие — запрещены, мОжно говорить о разрешенных и запрещенных переходах при бета-распаде. Вместо того чтобы говорить о действительном запрете, более точно было бы сказать, что переходы между одними ядерными уровнями более вероятны, чем между другими. Более вероятные переходы называют разрешенными переходами, а менее вероятные — в большей или меньшей степени запрещенными. Наиболее ярким показателем существования этой степени запрещенности является период полураспада бета-эмиттера. Период полураспада для [c.404]
В ранних исследованиях результатов бомбардировки различных газов альфа-частицами из природных альфа-эмиттеров, таких, как было отмечено, что когда в качестве бомбардируемого [c.
413]
Фотоумножители. В настоящее время обычно используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздействием света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 119, а). За счет своей кинетической энергии они вырывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каж- [c.188]
Л —анод К —фотокатод Э, —— эмиттеры [c.189]
Для атомов щелочных металлов характерна малая работа выхода электрона, поэтому они используются в электронике как эмиттеры электронов для фотоэлементов, фотоумножителей и преобразователей световых сигналов в электрические (работа выхода ф, = 1,81 эВ для цезия, что соответствует кванту лучистой энергии видимой части света). [c.291]
Для щелочно-земельных металлов характерны низкие значения работы выхода электронов, особенно для бария (ф, = 2,11 эВ), поэтому они употребляются как эмиттеры в электронной вакуумной аппаратуре.
[c.299] Рассмотрим влияние химически адсорбированного кислорода и паров воды на полупроводниковые свойства германия. Окисленная поверхность германия, содержащая оксид и гидроксид, проницаема для водных паров. На поверхности раздела между германием и оксидным слоем молекулы воды отдают электроны германию и образуют ионы Н, а гидроксильные группы связываются с поверхностными атомами германия. Процесс образования ионов Н резко возрастает при большой концентрации дырок вблизи поверхности. При этом энергетические уровни непосредственно пол поверхностью полупроводника настолько искажаются, что, например, приповерхностные участки базовой области германиевого триода от эмиттера до коллектора могут превращаться в материал л-типа, и базовый слой окажется за-шунтированным.-Очевидно, окончательные этапы изготовления прибора должны проходить в сухом воздухе и р—л-переходы должны быть герметизированы. В оксидном слое у поверхности раздела с полупроводником ионы Н способны перемещаться.
В определенных условиях ионы Н захватывают электроны из объема германия, уменьшая тем самым число свободных электронов. При этом изменяются объемный [c.250]
Транзистор — это наиболее распространенный в микроэлектронике. прибор с р— -переходом. В основе его работы лежит рассмотренная выше инжекция носителей. Плоскостные транзисторы могут быть р— —р- и —р— -типов. В качестве примера рассмотрим транзистор п—р— -типа. Он состоит из монокристалла германия или другого полупроводника, имеющего узкую центральную область р-типа, ограниченную с обеих сторон материалом -типа [17]. Напряжение подводится к трем металлическим электродам так, что один —р-переход (эмиттер) смещен в прямом направлении, в то время как другой переход (коллектор) смещен в обратном направлении. Область, разделяющая эмиттер и коллектор, называется базой (рис. 190). [c.462]
Для успешной работы транзистора необходимо, чтобы почти весь эмиттерный ток состоял из электронов, переходящих от эмиттера в базу, так как дырочная составляющая этого тока к коллектору не идет и в усилительном действии триода не участвует.
Отношение электронной составляющей эмиттерного тока 1 к полному току эмиттера /, называется эффективностью эмиттера у. Расчет показывает, что [13] [c.463]
На пути от эмиттера к коллектору часть электронов рекомбинирует с дырками базовой области. Поэтому ток коллектора / меньше электронной составляющ,ей тока эмиттера. Отношение IJ/n называется коэффициентом переноса р. Можно показать [13], что [c.464]
Вольфрам — самый тугоплавкий металл. Из него изготовляют мощные эмиттеры для вакуумной техники, добавки к вольфраму тория или лантана резко снижают работу выхода электронов. [c.356]
Для создания электронных пучков используют специальные электронные пушки с катодами в виде проволочной петли из вольфрама или сплава вольфрама с рением [14]. Плотность тока термоэлектронной эмиссии достигает 5 А/см2. В. игольчатых катодах к вершине петли прикрепляют иглу с радиусом кривизны менее 1 мкм, с поверхности которой в полях напряженностью 10 -10 В/см в результате электронной эмиссии плотность тока возрастает до 10 Л/рм2.
В технологических установ1 ах с интенсивными (сильноточными) электронными потоками находят применение плазменные эмиттеры на основе тлеющих и дуговых разрядов [15]. В этих эмиттерах площадь и форма эмиссионной границы определяется свойствами плазмы и условиями токоотбо- [c.102]
ГДО (г) — концентрация р-излучателей -го типа, предшествонников эмиттеров запаздывающих нейтронов — постоянная распада нейтронного эмиттера -го типа Ж—общее число групп запаздывающих нейтронов. В стационарном состоянии каждый эмиттер, который распадается, должен в среднем замещаться эмиттером того же типа, образующимся нри делении, т. е. [c.416]
Исследование плоских полевых эмиттеров на основе композитных покрытий, содержащих ОСНТ, показали, что они характеризуются Еср=1,2-3 В/мкм при токе 100 цА/см2. Для покрытий из КСНТ Еср=2-4 В/мкм при токе 100 iA/ m2. [c.24]
Углеродные нанотрубы благодаря своему малому диаметру и большому отношению длины к диаметру перспективны для создания низковольтных автоэлектронных эмиттеров.
Начиная с 1994 года во всем мире интенсивно проводятся исследования автоэмиссионных характеристик углеродных слоев с нанотрубами, приведшие к созданию первых вакуумных приборов с такими автоэмиттерами плоских вакуумных дисплеев, источников света и др. В докладе анализируются основные направления таких исследований. [c.28]
Электротехника, радиотехника и электроника. Редкоземельные металлы находят применение как газопоглотители (геттеры) в вакуумной технике и как эмиттеры. Их соединения весьма перспективны для изготовления катодов в электронных приборах. Используются также в счетно-решающих машинах, телевизионной и авиационной технике и радиотехнике. Особенно перспективны в этом отношении бориды и гексабориды РЗЭ [12]. Марганцевые соединения РЗЭ типа МпЬпОд — хорошие сегнетоэлектрики. Окись неодима применяется в электронных приборах в качестве диэлектрика с малым коэффициентом линейного расширения. Хороший диэлектрик СеОа в смеси с ТЮа- Смесь СеОа со 5гО используется в радиокерамических материалах.
Широкое применение нашли соединения РЗЭ как активаторы или как основа для люминофоров в люминесцентных лампах и ртутных лампах высокого давления [19]. Составная часть люминофоров, применяющихся в лампах для освещения,— диспрозий [20]. [c.88]
По наличию или отсутствию пространственного разделения зон генерации и детектирования электроаналитические методы обнаружения и исследования промежуточных продуктов, обладающих электрохимической активностью, также можно разбить на две группы. В первой из них для обеих целей используется один и тот же рабочий электрод, потенциал которого тем или иным способом достаточно быстро меняется во времени от значений, необходимых для синтеза промежуточных частиц, до значений, при которых их можно обнаружить путем анодного окисления или катодного восстановления. В методах второй группы наряду с рабочим электродом, служащим для осуществления изучаемого процесса, используют один или несколько индикаторных электродов, предназначенных для электроаналитического определения промежуточных и конечных продуктов реакции на рабочем электроде.
Доставка соответствующих частиц от рабочего к индикаторному электроду обычно (хотя и не во всех случаях) осуществляется посредством конвективной диффузии. К первой группе принадлежат методы коммутаторной и циклической вольтамперметрии, хронопотенциометрии с реверсом тока, ко второй — метод вращающегося дискового электрода с кольцом и его аналоги. Промежуточное положение занимает фотоэмиссионный метод. В этом случае единственный рабочий электрод выполняет две функции эмиттера электронов и индикаторного электрода. Исследуемые частицы генерируются в приэлектродном слое раствора и достав- [c.197]
В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, которые позволяют формировать в нем разнородные области п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т.
п. формированне стеклообразных пленок на основе 810а, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при П0М01ДИ которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы. [c.96]
Подготовка приборов к работе. Включают приборы Л2-7 и ГКЗ-40 в сеть, прогревают в течение 30 мин. Подключают выходной кабель от гнезда выход ВЧ прибора ГКЗ-40 к гнезду генератор прибора Л2-7. Подключают кабели питания прибора Л2-7 с гравировкой А и В к одноименным гнездам прибора ГКЗ-40. Оргаггы управления прибора ГКЗ-40 устанавливают в следующие исходные гюложения общая база —общий эмиттер —в среднее положение, 6/ц —и22 —в положение и22, [c.
136]
В электротехнике используют фториды церия и др. для изготовления электродов дуговых ламп и прожекторов в целях увеличения яркости и постоянства свечения. Об использовании гексаборида лантана LaBe в качестве термоэлектронного эмиттера упоминалось в гл. XI, 3. Весьма интересно, что гексабориды лантана, гадолиния и лютеция (имеют 5й( -электрон в атоме) имеют наименьшую работу выхода электронов — соответственно 2,66 2,06 и 3,00 эв. У гексаборидов других лантаноидов работа выхода выше. Например, у ТЬВ и ЕиВе она равна 3,53 и 4,9 эв соответственно. [c.329]
Поскольку п—р-переход эмиттер—база смещен в прямом направлении (энергетический барьер понижен на еУ ), из эмиттера в базовую область течет заметный электронный ток электроны эмиттируются (инжектируются) в базу — отсюда и название. [c.462]
Работающий по такой схеме транзистор во многих отношениях подобен вакуумному триоду, причем эмиттер играет роль катода, база — роль сетки, а коллектор работает как анод.
Однако транзистор, несмотря на то, что он состоит из трех основных частей, работает скорее не как триод, а как пентод с очень большим импедансом коллектора (анода), что позволяет снимать бол ьшие напряжения. [c.463]
| Максимальная рабочая температура | +70 °C |
| Количество каналов на ИС | 1 |
| Типичное время реагирования | 0.165мкс |
| Длина | 4.9мм |
| Типичное одиночное напряжение питания | 5 → 28 В |
| Типичное усиление по напряжению | 106.02 dB |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип источника питания | Двойной, одиночный |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | 0 °C |
| Ширина | 3. 91мм |
| Тип компаратора | Общее назначение |
| Высота | 1.58мм |
| Тип выхода | Открытый коллектор/эмиттер |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 4.9 x 3.91 x 1.58мм |
| Типичное двойное напряжение питания | ±12 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V |
| Максимальная рабочая температура | +70 °C |
| Количество каналов на ИС | 1 |
| Типичное время реагирования | 0.165мкс |
| Длина | 4.9мм |
| Типичное одиночное напряжение питания | 5 → 28 В |
| Типичное усиление по напряжению | 106.02 dB |
| Производитель | Texas Instruments |
| Тип источника питания | Двойной, одиночный |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | 0°C |
| Ширина | 3. 91мм |
| Тип компаратора | Общее назначение |
| Высота | 1.58мм |
| Тип выхода | Открытый коллектор/эмиттер |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 4.9 x 3.91 x 1.58мм |
| Типичное двойное напряжение питания | ±12 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V |
| Ib – Входной ток смещения | 250 nA |
| Ios – Входной ток разбаланса | 50 nA |
| Vcm – Синфазное напряжение | 0.5 V |
| Vos – Входное напряжение смещения нуля | 7.5 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время отклика | 115 ns |
| Высота | 1.58 mm |
| Выходной ток на канал | 50 mA |
| Длина | 4.9 mm |
| Категория продукта | Аналоговые компараторы |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 70 C |
| Максимальное напряжение сдвоенного питания | +/- 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 0 C |
| Минимальное напряжение сдвоенного питания | 1. 75 V |
| Напряжение питания – макс. | 30 V |
| Напряжение питания – мин. | 3.5 V |
| Напряжение сдвоенного питания | +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V |
| Опорное напряжение | No |
| Особенности | Strobe, Vos Adj Pin |
| Отключение | No Shutdown |
| Подкатегория | Amplifier ICs |
| Продукт | Analog Comparators |
| Рабочее напряжение питания | 3.5 V to 30 V |
| Рабочий ток источника питания | 7.5 mA |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | LM311 |
| Технология | Bipolar |
| Тип | Voltage Comparator |
| Тип выхода | Open Collector, Open Drain |
| Тип компаратора | Differential |
| Тип питания | Single, Dual |
| Тип продукта | Analog Comparators |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Усиление по напряжению, дБ | 106.02 dB |
| Ширина | 3.91 mm |
Depositors, insurers, investors, when using the given rating report, by default do agree that the contents of the given rating report are the opinion of analysts of Rating […]Agency Expert Rating on the credit capacity of the company or level of […] credit risk beard by the securities of the emitter.expert-rating.com.ua |
Вкладчики, страхователи, инвесторы, используя данный рейтинговый отчет, автоматически соглашаются с тем, что содержание рейтингового отчета является мнением аналитиков Рейтингового агентства […]«Эксперт-Рейтинг» о кредитоспособности компании или уровне кредитного […] риска, который несут в себе ценные бумаги эмитента.expert-rating.com.ua |
The redemption and /or repayment of […] series E bonds are performed by the Emitter exclusively in domestic currency […]of Ukraine according to […]the current legislation of Ukraine on the basis of consolidated register generated by the Depository upon termination of the operational day previous to the day of bonds redemption and/or repayment beginning. expert-rating.com |
Выкуп и / или […] погашения облигаций серии E осуществляется Эмитентом исключительно в […]национальной валюте Украины согласно […]действующему законодательству Украины на основании сводного учетного реестра, который формируется Депозитарием по окончании операционного дня, предшествующего дню начала выкупа и / или погашению облигаций. expert-rating.com |
The Crab Nebula is presently […] considered a very stable emitter and is used as a […]calibration source by many other missions. oosa.unvienna.org |
В настоящее время крабовидная туманность […] считается очень стабильным источником рентгеновского […]излучения и используется для […]калибровки в ходе множества других космических миссий. oosa.unvienna.org |
| A light curtain or light grid consists of an emitter and a receiver. lucas-nuelle.ae |
Световая завеса или световая решетка состоит из передатчика и приемника. lucas-nuelle.ru |
The source […] container with gamma emitter and detector of […]type MINITRAC are usually mounted at the opposite sides of a vessel […]at the height of the requested measuring range. vega.be |
Защитный держатель с гамма-источником и детектор […] типа MINITRAC обычно монтируются на противоположных сторонах емкости на […]высоте желаемого диапазона измерения. vega.be |
To begin with, even to approach the cabin, the workers had to wait ten days to allow for a reduction in the […]radioactive activity from the sodium, some of which had absorbed a neutron to […] become Na-24, a gamma emitter (15-hour half-life).scienceandglobalsecurity.org |
В начале, даже до подхода к отсеку, рабочие должны были подождать десять дней для того, чтобы уменьшилась активность натрия, […]который при поглощении нейтрона […] превращался в радиоактивный натрий-24, излучающий гамма-кванты […]с периодом полураспада 15 часов. scienceandglobalsecurity.org |
The measuring system […] consists of a microwave emitter and a corresponding receiver.ohmartvega.com |
Измерительная система […] состоит из микроволнового передатчика и соответствующего приемника.ohmartvega.com |
| GGETS states that the individual allowances granted to each gas emitter will be determined by the National Allocation Plan (the ‘Plan’) prepared at least three years in advance. paiz.gov.pl |
Данная директива также определяет то, что индивидуальные квоты для каждого эмитента будут рассчитываться согласно Национального плана предоставления квот выброса (План), подготовленного не менее, чем за три года ранее. paiz.gov.pl |
The Infra-Black unit […] employs a flat black panel (emitter) as the heat source.gastrodirect.biz |
Infra-Черный блок использует […] плоский черный панели (эмиттер) в качестве источника тепла.gastrodirect.ru |
Such States are increasingly vulnerable and suffer the most from the consequences of a […] situation created to a large extent by emitter States.daccess-ods.un.org |
Эти государства становятся все более уязвимыми и больше […]других страдают от последствий ситуации, которая […] возникла в значительной мере по вине государств, генерирующих […]выбросы. daccess-ods.un.org |
Now I think I have got a chance […] to be more of an emitter than a receiver.luxe-immo.com |
Теперь я думаю, что у […] меня есть шанс быть в большей степени эмитентом, […]чем получателем. luxe-immo.com |
Agriculture is the most widespread and […]fundamentally important of all human land uses but […] it is also a significant emitter of greenhouse gases to […]the atmosphere. climatecongress.ku.dk |
Сельское хозяйство является наиболее распространенным и чрезвычайно важным […]из всех видов землепользования […] человеком, но оно также является крупным источником выбросов парниковых […]газов в атмосферу. climatecongress.ku.dk |
Hi-Fi for beautiful sound The headphone can be used as FM radio separately, search and lock channels automatically Equipped with audio cable, the receiver can be used as wired […]headphone. Technical […] Specification Emitter Frequency: 86+-0.5MHz Modulation mode:FM Reception from any audio and visual equipment with audio out socket, such as TV set, audio device, DVD/VCD player, multimedia, PC, MP3, walkman, etc. Power Supply: 2 X AAA batteries or 4.5V DC Receiver Frequency range: 84-108MHz Reception Mode: FM Distortion:less than equal to 2% Power Supply:2 X AAA Batteries Contents in the Box Wireless Headphone (Acts as Receiver) Emitter (Acts as antenna) […]Audio Cables & […]Y Adopter Cable Instruction Manual netshop.am |
HI-Fi для красивого звука Технические […] характеристики эмиттер Частота: 86 +-0.5MHz Режим модуляции: FM Прием от любого аудио-и видеотехника со звуком из гнезда, таких как телевизор, аудио-устройства, DVD / VCD-плеер, мультимедиа, ПК, MP3, плеер и т.д. Питание: 2 х ААА батареи или 4.5V DC приемник Частотный диапазон: 84-108MHz Режим приема: FM Искажения: менее чем в размере 2% Питание: 2 х батареек ААА Содержание в коробке Беспроводные наушники Излучатель Аудио кабели руководство по эксплуатацииnetshop.am |
| It’s all about knowing if you are going to be an emitter or a receiver. I think that for a long time I was a receiver, having taken in so many things, whether cultural or aesthetic influences, through intellectual and physical encounters. luxe-immo.com |
Смысл в понимании, будете ли вы дарить или принимать Я думаю, что я сам в течение долгого времени был этим вторым, взяв многое посредством культурных или эстетических влияний, посредством интеллектуальных и физических столкновений. luxe-immo.com |
| Pipeline transmission sector is the OAO Gazprom major emitter, which covers as much as 92 % of all methane emissions. gazprom.com |
Наибольший вклад в объем валовых выбросов ОАО «Газпром» вносит деятельность по магистральному транспорту газа, где формируется до 92 % всех выбросов метана. gazprom.ru |
VTB Registrar is one of the largest specialized registrars in Russia, has an extensive regional network, renders services in conducting registers of owners of […]securities, carrying out of global […] corporate actions of the emitter (IPO, meetings of […]shareholders, preparation and carrying […]out of offers, voluntary and obligatory offers, compulsory repayments of securities), and also a wide spectrum of additional services in the field of corporate governance. vtb.com |
ЗАО ВТБ Регистратор является одним из крупнейших специализированных регистраторов в России, имеет обширную региональную сеть, оказывает услуги по ведению реестров […]владельцев ценных бумаг, проведению глобальных […] корпоративных мероприятий эмитента (IPO, собраний […]акционеров, подготовки и проведения […]оферт, добровольного и обязательного предложений, принудительных выкупов ценных бумаг), а также широкий спектр дополнительных услуг в области корпоративного управления и права. vtb.ru |
Check all O-rings and […] seals when exchanging the emitter and replace them, if necessary.vega.com |
При замене источника проверить все О-кольца и уплотнения […] и, при необходимости, заменить их. vega.com |
The receiver is a clever element and it needs to take […]of arrival of infrared beams and it is made from the […] photosensitive elements with the same number as that of the emitter.hectosystems.it |
Приемник это умный элемент системы для […]приема инфракрасных лучей и сконструирован он из […] фоточувствительных элементов с одинаковым количеством, как и у излучателя.hectosystems.it |
| Includes the emitter and receiver. downloads.industrial.omron.eu |
Включает излучатель и приемник. downloads.industrial.omron.eu |
| Now we know, that these glow characteristics are very important for Led, indicators, optrons, the emitter of infrared light. interlight.messefrankfurt.ru |
Теперь мы знаем: эти характеристики свечения являются важнейшими для сегодняшних светодиодов, индикаторов, оптронов, излучателей инфракрасного света. interlight.messefrankfurt.ru |
After mounting, i.e. […] as soon as the radioactive emitter is mounted in the source […]holder, the local dose rate in the area […]of the source container and the detector must be measured in µSv/h. vega.com |
После монтажа в запертом […] состоянии или после загрузки радиоактивного источника в держатель […]источника, должна быть измерена мощность […]дозы локального излучения (мкЗв/ч) в окружающей среде держателя источника и детектора. vega.com |
U-238 is not only a […] radioactive alpha-particle emitter but also a chemical poison.daccess-ods.un.org |
Уран-238 является не только излучателем радиоактивных альфа-частиц, […] но и химическим ядом. daccess-ods.un.org |
Pursuant to the GGETS, the affected entities will be required to apply for a […]greenhouse gas emission permit, […] which will entitle each emitter to emit a defined amount […]of such greenhouse gases into the atmosphere. paiz.gov.pl |
Согласно GGETS имеющие к данному явлению производители должны подавать специальное ходатайство на […]применение технологий с эмиссией […] углекислого газа, которое ограничивает каждого эмитента в объеме […]выбрасываемого в атмосферу газа. paiz.gov.pl |
Transport was expected to remain by far one of the largest oil users, and to […] become the main carbon emitter under a business-as-usual […]scenario. daccess-ods.un.org |
Ожидается, что транспорт останется […]одним из основных потребителей нефти, и при отсутствии […] серьезных реформ превратится в главный источник выбросов […]углерода. daccess-ods.un.org |
| This is caused by a weakening of the magnetic force of the emitter as well as of the switch-over magnet in the magnetic locking switch. bosch-industrial.com |
Причиной является ослабление магнитов датчиков и переключающих магнитов в магнитных блокирующих выключателях. bosch-industrial.com |
| The optical synchronisation between emitter and receiver allow a fast […] and simple installation without special requirements. industrial.omron.eu |
Оптическая синхронизация между излучателем и приемником позволяют […] выполнять установку быстро и просто, без соблюдения особых требований. industrial.omron.ru |
| The rapid growth of the Chinese economy has lifted hundreds of millions of people out of poverty and has made the country one of the world’s largest economies – but also the top emitter of greenhouse gases with 7.5 gigatonnes in 2007. download.rockwool.no |
Быстрый рост китайской экономики позволил сотням миллионов людей выйти из нищеты и сделал страну одной из наиболее экономически мощных, и в то же время – крупнейшим «поставщиком» парниковых газов (7,5 гигатонн в 2007 году). rockwool.com |
An exception are of course electrical interventions in the form of inserting bridges etc.; these are, […]however, possible with all safety systems, […] regardless of the emitter principle in question, […]and these must be strictly forbidden […]by appropriate instruction of the bosch-industrial.com |
Исключение составляют, разумеется, наряду с электротехническими манипуляциями — […]созданием мостов и т.п. — которые возможны на любых […] предохранительных устройства независимо от принципа […]датчика и должны быть bosch-industrial.com |
Photoelectric safety barriers is photosensitive equipment […] consisting of a emitter, which emits one […]or more beams taken by receiver, thus creating intangible controlled area. hectosystems.it |
Смотрите в нижеприведенной таблице основные различия между двумя категориями Фотоэлектрические барьеры […]безопасности- это фоточувствительное […] оборудование, состоящее из излучателя, испускающего […]один луч или более, принимаемых приемником, […]создавая таким образом нематериальную контролируемую область. hectosystems.it |
Examples are the generation and recombination of hole/electron […]pairs in semiconductors (G-R noise), and […] the division of emitter current between […]the base and collector in transistors (partition noise). cp.literature.agilent.com |
Примерами таких явлений могут быть […]генерация и рекомбинация пар дырка/электрон в […] полупроводниках (GGR шум) и разделение эмиттерного […]тока между базой и коллектором […]в транзисторах (шум декомпозиции). cp.literature.agilent.com |
в кембриджском словаре английского языка
Такой подход к функционализации энергоэффективных современных полупроводниковых лазеров позволяет использовать технологию, дополняющую светодиоды, для замены ламп накаливания, излучателей белого света в приложениях с высокой яркостью. Большинство излучателей света, от свечей до лампочек и экранов компьютеров, выглядят одинаково под любым углом.Еще примеры Меньше примеров
Самыми крупными источниками выбросов являются не всегда электростанции, а цементные печи (tinyurl / 4d2xmn8).Густой лес углеродных нанотрубок покрывает поверхность эмиттера . Конечно, главные виновники этого загрязнения воздуха, угольные электростанции, также являются основными источниками выбросов парниковых газов.Штат внедрил программу ограничения выбросов и торговли выбросами углерода для крупных источников выбросов и требует, чтобы к 2020 году одна треть вырабатываемой электроэнергии производилась из возобновляемых источников.Сканирующая электронная микрофотография новых эмиттеров из микрофибры, на которой видны массивы прямоугольных столбцов, выгравированных на их сторонах. Исследователи использовали кристаллы фосфида галлия или селенида галлия в качестве излучателей света, покрывающих беспрецедентный диапазон частот 0.5-30 терагерц. Во-первых, лица, выбрасывающие углерод, будут привлечены к ответственности и будут вынуждены платить за использование атмосферы в качестве мусорного ведра.Они хотят, чтобы бурильщики подвергались такой же проверке своих выбросов в атмосферу, как и «крупные» источники выбросов, такие как газоперерабатывающие или нефтеперерабатывающие заводы.Уголь в основном сжигается для производства электроэнергии и является ведущим источником выбросов парниковых газов, включая углекислый газ и оксиды азота.Небольшой размер эмиттеров снижает напряжение, необходимое для их возбуждения, и позволяет размещать большее количество эмиттеров вместе, что увеличивает производительность.Извержение является одним из самых значительных источников выбросов диоксида серы за последние десятилетия. Это делает систему излучателем одиночных фотонов , потому что молекула красителя может испускать только одиночный фотон после того, как она была возбуждена.Когда ионный ток в эмиттере становится достаточно высоким, образование капель неизбежно.Эти примеры взяты из корпусов и из источников в Интернете.Любые мнения в примерах не отражают мнение редакторов Cambridge Dictionary, Cambridge University Press или его лицензиаров.
Излучатель– Заводской ввод / вывод – Документация
Создает предмет, который будет использоваться в сцене (например, картонная коробка, поддон и т. Д.). Пока элемент все еще находится в объеме эмиттера, больше никаких элементов не выдается. Вы можете выбрать, какую часть или основание излучать, время между выбросами, количество элементов, которые необходимо излучить, и следует ли учитывать случайное положение и / или ориентацию.Эмиттер можно включить или выключить, включив или выключив его тег.
Опции
База для излучения
База для выброса (поддон, квадратный поддон, штабелируемый ящик или нет). Если выбрано более одной опции, эмиттер будет излучать случайным образом. Если выбрана хотя бы одна база, Нет позволяет произвольно испускать часть без базы.
Какие базы испускать также могут быть установлены контроллером. Для этой цели используйте конфигурацию, определяемую контроллером, где значение каждого бита в теге Emitter # (Base) либо разрешает, либо запрещает использование соответствующей базы:
| Бит | № эмиттера (база) | База |
|---|---|---|
| 1 | 0000 0000 0000 0001 | Поддон |
| 2 | 0000 0000 0000 0010 | Поддон квадратный |
| 3 | 0000 0000 0000 0100 | Штабелируемый ящик |
Излучаемая деталь
Деталь для отправки (ящик (S), ящик (M), ящик (L), ящик для укладки на поддоны и т. Д.). Если выбрано более одной опции, эмиттер будет излучать случайным образом. Если выбрана хотя бы одна часть, None позволяет произвольно излучать базу без части.
Какие части испускать также могут быть установлены контроллером. Для этой цели используйте конфигурацию, определяемую контроллером, где значение каждого бита в теге Emitter # (Part) либо разрешает, либо запрещает использование соответствующей части:
| Бит | Номер излучателя (деталь) | Часть |
|---|---|---|
| 1 | 0000 0000 0000 0001 | Ящик малый |
| 2 | 0000 0000 0000 0010 | Средний ящик |
| 3 | 0000 0000 0000 0100 | Большой ящик |
| 4 | 0000 0000 0000 1000 | Ящик для поддонов |
| 5 | 0000 0000 0001 0000 | Голубое сырье |
| 6 | 0000 0000 0010 0000 | Зеленое сырье |
| 7 | 0000 0000 0100 0000 | Металлическое сырье |
| 8 | 0000 0000 1000 0000 | Синяя основа продукта |
| 9 | 0000 0001 0000 0000 | База экологически чистых продуктов |
| 10 | 0000 0010 0000 0000 | Металлическое основание изделия |
| 11 | 0000 0100 0000 0000 | Синяя крышка продукта |
| 12 | 0000 1000 0000 0000 | Крышка для зеленых продуктов |
| 13 | 0001 0000 0000 0000 | Крышка металлического изделия |
| 14 | 0010 0000 0000 0000 | Штабелируемый ящик |
Макс. / Мин. Время
Интервал времени выброса.Эмиттер будет случайным образом излучать между минимальным и максимальным временными пределами. Если максимальные и минимальные пределы установлены на ноль, эмиттер будет излучать, как только в его объеме не окажется ни одного элемента. Для постоянных интервалов времени выброса установите Min и Max равными.
до
Количество элементов для отправки. Если установлено в ноль, он будет излучать до максимального количества элементов, разрешенных в сцене (500).
Произвольное положение / ориентация детали
Каждая излучаемая часть будет отображаться в произвольном месте и / или в произвольной ориентации в объеме.
Конфигурации
Подержанный
| Тег | Контроллер ввода / вывода | Тип | Описание |
|---|---|---|---|
| Номер эмиттера (испускать) | Выход | Bool | Начать излучение. |
Определяется контроллером
| Тег | Контроллер ввода / вывода | Тип | Описание |
|---|---|---|---|
| Номер эмиттера (испускать) | Выход | Bool | Начать излучение. |
| Номер эмиттера (деталь) | Выход | Целое число | Битовое поле, определяющее, какие части испускать. |
| Номер эмиттера (база) | Выход | Целое число | Битовое поле, определяющее, какие базы испускать. |
Излучатель – обзор | Темы ScienceDirect
5.16.2.2 Водород
Для мобильных излучателей водород является привлекательным энергоносителем с точки зрения того, что его можно сжигать в двигателе или окислять с относительно высокой эффективностью в топливном элементе без выделения CO 2 из автомобиль в атмосферу.Поршневые ДВС (в отличие от их топливных систем) и газовые турбины требуют относительно небольших модификаций для работы на водороде. Газ также можно использовать в качестве топлива для топливных элементов с протонообменной мембраной. В настоящее время эти низкотемпературные топливные элементы являются наиболее подходящими для транспортных приложений, но для них требуются катализаторы из драгоценных металлов и другие дорогостоящие компоненты, такие как точно изготовленные полимерные мембраны и биполярные пластины.
Топливный элемент – это преобразователь энергии, а не двигатель, преобразующий химическую энергию в электрическую, которая находится между накопителем энергии и электродвигателем, который обеспечивает реальную силу, приводящую в движение транспортное средство.По сути, это дополнительный компонент в системе трансмиссии по сравнению с автомобилем с двигателем BEV или ICE. Транспортные средства на водородных топливных элементах (HFCEV) обычно гибридизируются с использованием аккумуляторов значительной емкости для поддержания высокой эксплуатационной эффективности.
Как и в случае с электрификацией, выбросы WTW GHG от HFCEV в краткосрочной и среднесрочной перспективе сильно зависят от конкретных путей производства водорода. Углеродоемкость WTT водорода колеблется от 100–130 г CO 2 МДж -1 для производства путем паровой конверсии природного газа (в настоящее время крупнейшего промышленного источника) до примерно 425 г CO 2 МДж -1 для производства с помощью электролиз воды с использованием электроэнергии, вырабатываемой углем [16].При соответствующей гибридизации энергоэффективность транспортного средства примерно в два раза выше, чем у транспортного средства с негибридным дизельным двигателем, по сравнению с NEDC, что дает выбросы CO 2 WTW в диапазоне от 70 до 260 г CO 2 км -1 .
Рис. 4 показывает, что, хотя чистая плотность энергии водорода на борту значительно превышает плотность энергии батарей, она все еще очень мала по сравнению с жидким топливом. Чистые объемные плотности энергии, показанные на рис. 4 , включают объемы системной упаковки и показывают дефицит даже жидкого водорода в качестве носителя для хранения энергии.Из-за экстремальных физических условий, необходимых для упаковки водорода, громоздкий объем системы составляет высокий процент от чистого объемного содержания энергии. Проблемы упаковки усугубляются ограничениями на формы резервуаров, налагаемыми конструктивными особенностями резервуаров высокого давления и требованием минимизировать проникновение тепла в криогенные системы.
Хотя водород сам по себе имеет очень высокую энергию на единицу массы (гравиметрическая плотность энергии), его чистая упакованная стоимость, включая массу системы хранения, страдает даже более заметно, чем объемная плотность энергии, как показано на Рисунок 4 .Сосуды под давлением и криогенные резервуары чрезвычайно тяжелы: система на 700 бар для использования в автомобилях, содержащая 4,6 кг водорода (энергия, эквивалентная 17,5 л бензина), по данным Eberle [15], весит 95 кг, в то время как криогенные системы могут весить около 170 кг. кг и содержат всего 9 кг водорода (энергетический эквивалент около 34 л бензина). Напротив, резервуар для системы жидкого углеводородного топлива может весить около 10 кг. В то время как физические системы хранения водорода на основе гидрида металла [17, 18] достигают такой же объемной плотности энергии, что и газовая система с давлением 700 бар, гравиметрическое энергосодержание сравнимо с литий-ионными батареями.Химические гидриды металлов могут достигать более высокой объемной плотности хранения водорода по сравнению с газовым хранилищем 700 бар или жидким водородом, но их гравиметрическая плотность энергии значительно хуже, находясь в диапазоне 1–3 МДж кг –1 [19, 20]. Многие металлы, используемые в гидридных системах (например, лантан, титан, марганец, никель, цирконий), дороги, и хотя некоторые более дешевые материалы (например, соединения на основе магния) также обладают более высокой гравиметрической плотностью, они могут иметь высокую температуру нагрева. образования и требуют высоких температур (> 200 ° C) для выделения водорода [20].
Если также учитывать механические и электрические потери, общая энергия, используемая для сжатия водорода до давления подачи 800 бар, может достигать примерно 15% от более высокой теплотворной способности (HHV) водорода, подвергаемого процессу [17, 18]. Энергетическая эффективность заводов по сжижению сильно зависит от размера. Для крупномасштабного завода около 40% HHV расходуется на сжижение. Для маломасштабных систем энергия, потребляемая при сжижении, может приближаться к энергосодержанию топлива или превышать его [17, 18].Высокая степень чистоты, необходимая для современных водородных топливных элементов, усугубляет потери энергии топлива на входе. Процесс очистки может включать в себя процесс «дистилляции», в котором водород испаряется. Эффект потерь на испарение при распределении и заправке может привести к неприемлемым потерям водорода [21].
Системы хранения водорода дороги. Эберле [15] указывает 2000 евро в качестве целевого показателя для водородного бака на 700 бар, способного хранить 6 кг водорода, но Джексон счел более реалистичным стоимость 10 000 евро для такой системы [14].Стоимость системы также значительно увеличивается из-за топливного элемента. Оценки стоимости топливных элементов для массового производства сильно отличаются от целевого показателя Министерства энергетики США (DOE) в размере 50 кВт −1 и оценок отрасли топливных элементов в 60–80 долларов США за кВт −1 [22] (при 500 000 единиц в год. −1 ) к таковым Джексона [14] на уровне 500–1000 долларов за кВт −1 . По сравнению с 15 кВт -1 и 25 кВт -1 для бензиновых и дизельных двигателей, соответственно, даже нижний предел этих оценок оставляет значительную разницу с текущими затратами на транспортные средства.Дополнительные счета материальных затрат также возникают из-за необходимости гибридизировать трансмиссию, чтобы топливный элемент работал в области высокой эффективности. (Следует отметить, что во многих случаях заявленная эффективность топливных элементов основана на более низкой теплотворной способности (LHV) водорода. При расчете количества восходящей возобновляемой энергии, необходимой для данного применения, HHV-энергоноситель является правильным параметром для Для водорода использование LHV дает завышенную оценку эффективности примерно на 18% по сравнению с завышенной оценкой всего на 6%, если эффективность основана на бензине LHV.Использование эффективности на основе HHV сближает максимальную эффективность ДВС и топливных элементов, чем часто утверждают. Кроме того, необходимо проявлять осторожность при сравнении эффективности гибридных транспортных средств с эффективностью других гибридных транспортных средств.) Могут потребоваться емкости аккумуляторной батареи в диапазоне 10–15 кВтч, стоимость которых соответствует указанным при обсуждении BEV. Как отметил Джексон [14], потенциал экономии топлива ДВС / гибридных систем может значительно улучшиться при цене 50 кВт -1 долларов США. Производство ДВС и их топливных систем предъявляет низкие требования к дефицитным материалам – они изготавливаются из дешевого, обильного сырья при одновременных низких затратах и содержат мало энергии.
На рис. 6 показаны HFCEV в самом низком ценовом диапазоне и с менее амбициозным уровнем снижения затрат. Оценка низкой стоимости основана на следующих предположениях: 50 долларов за кВт -1 (предполагается, что 75 кВт во всех случаях) для топливного элемента, 2000 евро за резервуар для хранения водорода и 250 долларов (кВтч) -1 для батареи (предполагается, что общая емкость составляет 15 кВтч). Более консервативная оценка снижения затрат основана на следующих предположениях: 200 долл. США за −1 кВт для топливного элемента, 10 000 евро за резервуар для хранения водорода и 800 долл. США за −1 за аккумулятор.Если более низкие оценки стоимости топливных элементов реалистичны, последствия для полной стоимости транспортного средства будут менее серьезными, чем последствия, производимые электромобилями с высокими уровнями автономности (дальности действия), но очень значительными для потребителя.
Совершенно очевидно, что создание предприятий по производству, распределению и заправке водорода потребует больших инвестиций, поскольку необходима совершенно новая инфраструктура, способная безопасно работать с взрывоопасным газом. Водород, являясь самой маленькой молекулой, более склонен к утечке через несовершенные уплотнения, чем другие виды топлива.Он может даже диффундировать через металлы и вызывать охрупчивание некоторых высокопрочных сталей. Водород имеет гораздо более широкие пределы воспламеняемости в воздухе, чем метан, пропан или бензин, а его минимальная энергия воспламенения примерно на порядок ниже, чем у этих видов топлива [23]. Помимо опасности образования статического электричества, вызывающего возгорание при вентиляции, считается, что существует механизм диффузионного воспламенения, когда локальное самовоспламенение вызывается ударной волной, возникающей в результате расширения газа под высоким давлением в воздух [23].В случае разлива водород с большей легкостью образует легковоспламеняющуюся смесь, чем другие виды топлива, из-за его более высокой плавучести и большого диапазона воспламенения. Жидкие топлива, такие как бензин и, следовательно, этанол и метанол, на несколько порядков медленнее образуют горючую смесь. Хотя способность газообразного водорода к быстрому перемешиванию приводит к его быстрому диспергированию, это не относится к жидкому водороду, который при кипении создает пар с плотностью, аналогичной плотности воздуха, и это может привести к распространению временно не плавучих легковоспламеняющихся смесей. значительные расстояния от разлива [23].
Минц и др. . [24] оценили стоимость создания водородной инфраструктуры в Соединенных Штатах, способной заправлять 100 миллионов автомобилей на топливных элементах (40% парка легковых автомобилей), в сумму до 650 миллиардов долларов. Более того, в переходный период к водородной энергетической экономике необходимо поддерживать двойную инфраструктуру и производить автомобили с двумя несовместимыми системами хранения топлива, что значительно увеличивает затраты на обе системы.
Очевидно, что существуют огромные препятствия, ограничивающие проникновение HFCEV на рынок.Их высокая стоимость из-за использования катализаторов из драгоценных металлов, потребности в батареях с высокой плотностью энергии и дороговизны системы хранения водорода делают их, как правило, недоступными для массового рынка. Их использование дефицитных материалов, вероятно, ограничит производственные мощности, чтобы они могли обеспечить только частичное решение; это представляет большую трудность для оправдания огромных затрат на установку совершенно новой инфраструктуры производства и распределения топлива. Наконец, потенциальная выгода HFCEV для парниковых газов недостаточно высока, чтобы оправдать их внедрение без декарбонизации цепочки поставок топлива.
Эмиттер– различные типы и функции эмиттеров
Определите, что подойдет вашей системе
В этой статье объясняются различные типы эмиттеров, а также их функции. Из-за разной потребности цветущих растений в воде лучше всего поливать их капельным или микроорошением. В этом поливе используются индивидуальные излучатели. Капельный метод защитит цветущие растения, сохраняя их листья и цветы сухими. Однако микроорошение больше подходит для песчаных или пористых почв.
Существует два основных типа эмиттеров:
- Капельное орошение – Функция этих эмиттеров заключается в том, что они позволяют воде капать или просачиваться на корневую зону. воздух очень похож на миниатюрную распылительную головку.
Оба типа устанавливаются в трубку с помощью зазубренных концов или вставляются в концы микротрубок. Тем не менее, линии капельного орошения часто поставляются с предварительно установленными излучателями, расположенными на расстоянии от 12 до 36 дюймов вдоль полимерной трубки.
Все эмиттеры действуют как регуляторы для контроля количества и скорости сброса воды. Излучатели имеют много общих характеристик, но они будут различаться по размеру и форме, а также по внутреннему устройству.
Производительность эмиттеров составляет от 1/2 до 2 галлонов в час. Устройства с разной производительностью могут быть установлены на одном участке трубопровода. Это позволяет компенсировать растениям разнообразные потребности в поливе, расположенные в непосредственной близости.
Также доступны эмиттеры, которые предлагают варианты скорости потока – регулируемые от устойчивой капли до медленной струи воды.Излучатели доставляют нужное количество воды прямо к корням растений. Однако по-прежнему необходимо выбрать правильный эмиттер, соответствующий вашим потребностям.
Капельные эмиттеры эффективны для отдельных емкостей или больших пространств. Шланги эмиттера предназначены для растений, которые расположены близко друг к другу. Есть четыре основных категории эмитентов.
Три из них – пористая труба, предварительно установленные эмиттерные линии и вставные эмиттеры – являются типами капельного орошения. Микроорошение состоит из головок микро-дождевателей, которые могут направлять воду над корневой системой.
Пористая трубка для капельного орошения
Пористая трубка называется водосливным шлангом, капельным шлангом или лазерной трубкой. Они изготовлены из пористого материала или из шланга, в котором просверлены небольшие отверстия. Оба они позволяют воде медленно просачиваться.
Пористая трубка для капельного орошения стоит недорого. С ним также очень легко работать. Просто протяните шланг через грядки и подсоедините его к существующему водяному шлангу или уличному крану. Шланг легко регулируется.Его можно закопать на несколько дюймов ниже поверхности для более постоянной установки.
Однако пористая труба не лишена недостатков. Невозможно регулировать давление воды в трубе, и как высокие области, так и места рядом с концом шланга будут выделять меньше воды. Кроме того, из-за своей базовой конструкции пористая труба очень подвержена засорению. Эту проблему можно уменьшить, если использовать воду в местах с низким содержанием минералов, а также использовать фильтр тонкой очистки.
Предварительно установленная труба для капельного орошения с эмиттером
Предварительно смонтированные эмиттерные линии – это всего лишь полилинии, изготовленные с равномерно расположенными эмиттерами, встроенными в стенки трубы. Обычные размеры – это трубы 1/2 и 3/4 дюйма с расстоянием от 12 до 36 дюймов друг от друга.
Они доставляют воду со скоростью 1/2, 1 или 2 галлона в час. Каждая норма подходит для разных типов почв. Планируйте использовать излучатели на 2 галлона в час на песчаных почвах, излучатели на 1 галлон в час, если ваша почва в основном состоит из суглинка, и излучатели на 0,5 галлона в час на менее пористых глинистых почвах.Подобно пористой трубе, эти эмиттерные линии могут быть размещены на поверхности земли и покрыты мульчей – очень простая установка. Основным преимуществом пористых трубопроводов является то, что их конструкция с турбулентным потоком помогает предотвратить их засорение.
Используется для орошения огородов и грядок. Он также хорошо сочетается с другими массовыми насаждениями, такими как живые изгороди. Они также эффективны вокруг деревьев и кустарников. Предварительно установленные излучатели не позволяют гибко размещать их, когда они размещаются через равные промежутки времени.Это недостаток ландшафтного орошения.
Пробивной эмиттер
Функция пробивного эмиттера состоит в том, чтобы позволить вам разместить эмиттер в любом месте по длине трубы, пробив отверстие и прикрепив эмиттер с помощью входной зазубрины. У некоторых эмиттеров даже есть самопроникающие зазубрины, которые проделывают отверстия сами.
Заглушки Goof могут закрыть отверстие, если вам нужно изменить местоположение излучателя во время или после установки. Пробивные эмиттеры доступны с обычными расходами 1/2, 1 и 2 галлона в час, а также 4 галлона в час.Если вы не уверены в требованиях к вашему типу почвы, используйте эмиттеры на 1 галлон в час.
Преимущество вставных эмиттеров в том, что их можно заменить на излучатели с более высокой или меньшей скоростью потока, если ваша система не отвечает вашим потребностям. Если в область по-прежнему поступает слишком много воды, просто удалите несколько эмиттеров и закройте отверстия. Или добавьте дополнительные эмиттеры в слишком сухие секции.
Пробивные эмиттеры могут быть размещены в концевой части НКТ. Это полезно для контейнерных посадок.Есть три основных типа вставных эмиттеров, позволяющих использовать их в самых разных целях.
Капельные излучатели
Капельные излучатели являются наиболее популярными, поскольку они способны медленно и равномерно подавать воду, которая просачивается глубоко в корневую систему, сохраняя при этом поверхность практически сухой. Хотя большинство каплеуловителей устанавливаются в трубах на уровне земли, некоторые излучатели предназначены для крепления к столбам и удерживаются над землей.
Госпожи
Госпожи используются в теплицах и других помещениях с повышенной влажностью.Другие практические применения включают создание охлаждающего тумана в патио и полив подвесных корзин, поскольку мелкий туман редко конденсируется на листьях.
Линейные капельные эмиттеры
I n-линейные капельные эмиттеры представляют собой нечто среднее между капельными эмиттерами и предварительно установленной эмиттерной линией. Выходы могут быть размещены индивидуально в любом месте по длине полиэтиленовой трубки. Однако они должны быть прикреплены непосредственно к линии, и, как и линии эмиттера, вода выпускается через каждое выпускное отверстие по мере того, как она продолжает движение по линии.Встроенные капельные эмиттеры обычно доступны только со скоростью 1/2 или 1 галлон в час, сделаны для трубок диаметром 1/2 дюйма и наиболее эффективны при использовании для полива небольших растений короткими рядами.
Микро-спринклерные головки
Наконец, микродождевальные головки, часто называемые маломощными опрыскивателями, представляют собой тип ирригационной системы, обладающей характеристиками как систем капельного орошения, так и оросительных головок.
Подобно системам капельного орошения, насадки для микро-дождевания работают с низким давлением воды и используют трубы небольшого диаметра.Однако они распыляют воду веерообразно, так же, как и традиционные спринклерные головки.
Они не так эффективны в консервации, как врезные и линейные излучатели. Это потому, что они склонны терять воду из-за испарения. Головки микро-спринклера более эффективны, чем головки высокого давления, когда используются в стандартных оросительных системах. Они доступны с различными радиусами охвата до полного круга. Для головок Micro-спринклера можно настроить распыление полосами.Несмотря на то, что они установлены на подступенках, эти подступенки не выдвигаются и не могут использоваться на газонах. Еще одна разновидность головок для микро-разбрызгивателей – это микробузырьки, которые популярны на грядках с кустарником.
Капельное орошение покажется вам эффективным методом полива, эффективность которого на 15% выше, чем у стандартной системы орошения. При нынешнем стремлении жить «зеленой» этого может быть достаточно, чтобы направить вас к системе капельного орошения. Однако простые требования к конструкции, простота установки и небольшие финансовые вложения могут стать последним толчком к выбору системы капельного орошения.
Магазин капельного орошения
Гибридные плазмонные наноизлучатели с управляемым расположением одиночного квантового излучателя в локальном поле возбуждения
Изготовление и определение характеристик нанообъектов
Наши плазмонные образцы состоят из нанокубов золота (монокристалл, длина стороны 127 ± 2 нм ), нанесенный на стеклянную подложку с покрытием из оксида индия и олова (ITO) (подробности приготовления образцов см. в разделе «Методы»). Поверхностно-активное вещество, используемое во время синтеза, представляет собой бромид цетилтриметиламмония (CTAB).Нанокубики, нанесенные на подложку, представляют собой нанообъекты с плоскостной симметрией C 4v . Куб обладает тремя собственными состояниями диполярного плазмона с симметрией E и A 1 соответственно. Две вырожденные моды E соответствуют двум комбинациям зарядов (0, 1, 0, −1, 0, 1, 0, −1) и (1, 0, −1, 0, 1, 0, −1, 0) , где числовые последовательности представляют положение верхнего и нижнего углов. Эти ортогональные плоские собственные векторы соответствуют диагоналям верхней и нижней граней.Диполярная мода A 1 соответствует уникальному вектору собственного состояния. Его поляризация выровнена вдоль вертикальной оси z и может быть описана последовательностью заряженных углов (1, 1, 1, 1, -1, -1, -1, -1). Все эти резонансные состояния можно избирательно возбуждать за счет правильного выбора поляризации падающего светового поля 53 .
Чтобы охарактеризовать золотые нанокубики и полученные гибридные наноизлучатели, были использованы методы сканирующей электронной микроскопии (SEM), атомно-силовой микроскопии, визуализации / спектроскопии в белом свете в темном поле и микрофотолюминесценции (PL).Соответствующая концентрация нанокубов в растворе позволила нам воздействовать на отдельные нанообъекты после осаждения и иммобилизации на стеклянных покровных предметных стеклах, покрытых ITO (средняя плотность 0,1 нанокуба мкм −2 ). На рисунке 1 показан типичный набор экспериментальных и численных характеристик золотых нанокубов, представляющих диполярную плазмонную моду в плоскости на длине волны 680 нм в воздухе (см. Подпись к рисунку и раздел «Методы» для более подробной информации).
Рис. 1: Характеристика нанокубов Au.a SEM изображение и b AFM изображение репрезентативного одиночного нанокуба Au (тот же объект). c Гистограмма размера нанокуба (длина края), полученная из набора из 100 нанокубов (анализ SEM). d Темнопольное изображение нанокубов Au на стеклянной подложке, покрытой ITO. e Спектр рассеяния одного нанокубика в темном поле, усредненный для 10 нанокубов в воздухе на стеклянной подложке, покрытой ITO. f Расчетный спектр рассеяния одиночного нанокубика Au в воздухе и в полимере (показатель преломления n = 1,48) на стеклянной подложке, покрытой ITO (толщина слоя ITO 40 нм с показателем преломления 2).
Плазмонная 2-фотонная фотополимеризация была проведена на отдельных золотых нанокубиках с составом 1% масс Irgacure 819 (IRG819 используется в качестве фотоинициатора в режиме 2-фотонного поглощения) и 99% масс триакрилата пентаэритрита с привитыми квантовыми точками ( РЕТА). КТ представляют собой светоизлучающие красный свет CdSe / CdS / Zn core / shell / shell коллоидные квантовые точки. Длина волны фотолюминесценции КТ составляет 625 нм. Более подробную информацию об этой содержащей КТ гибридной светочувствительной системе можно найти в ссылках 52,54 .В типичном процессе фотополимеризации свет вызывает реакцию полимеризации, когда доза энергии воздействия превышает заданный порог D th , который оценивается заранее 55,56 . Напротив, для плазмонной двухфотонной полимеризации в ближней зоне падающая доза облучения \ (D _ {\ mathrm {in}} = p \ cdot D _ {\ mathrm {th}} \) ( p <1) ниже порог полимеризации D th . Это должно гарантировать избирательную интеграцию полимерных структур в непосредственной близости от наноструктур.Действительно, при плазмонном возбуждении сильно ограниченные оптические ближние поля, окружающие частицу, увеличивают локальную эффективную дозу облучения сверх порога полимеризации. В частности, в объеме капли состава не происходит полимеризации в дальней зоне. Подробности о процессе 2-фотонной полимеризации, индуцированной плазмонами, на золотых нанокубах можно найти в разделе “Методы”.
На рис. 2 показаны примеры результирующих гибридных структур, полученных с p = 0,5. Это значение p является результатом первых экспериментальных исследований и учитывает фактор усиления поля на поверхности нанокуба.Исследование параметров влияния p можно найти в дополнительном примечании 3. Рисунок 2a представляет собой СЭМ-изображение репрезентативного гибридного нанокуба, полученного с падающей поляризацией, параллельной диагонали куба под углом 45 ° к x, y оси (резонансное собственное состояние E ). Для выделения интегрированного полимера необработанное изображение, полученное с помощью СЭМ, накладывается на изображение с помощью СЭМ (того же самого голого) нанокуба, полученное до фотополимеризации. Дополнительные необработанные СЭМ-изображения гибридных нанокубов, иллюстрирующие хороший контроль процесса изготовления, представлены на дополнительном рис.1. На рис. 2b показан соответствующий расчетный модуль поля на длине волны λ = 780 нм при однородном показателе преломления n = 1,50, составленном как из субстрата, так и из полимерного состава. Это поле лежит в основе формирования гибридной наноструктуры. На рис. 2c, d представлены, соответственно, СЭМ-изображение полученного гибридного нанокуба и соответствующий расчетный модуль поля для падающей поляризации, параллельной оси x . В этом случае оказывается, что плазмонная 2-фотонная полимеризация дает наноразмерное полимерное формование ближнего поля вырожденных плазмонных диполярных мод, т.е.е., линейная комбинация обоих собственных состояний резонанса в плоскости симметрии E с относительными весами, определяемыми проекциями падающей поляризации на диагонали нанокуба. Этот результат представляет собой важный новый шаг вперед по сравнению с исх. № 57 , посвященный плазмонной 1-фотонной фотополимеризации на одном нанокубе, и исх. 58 , демонстрирующий 2-фотонную полимеризацию катионной системы (SU8) в зазоре пар золотых нанокубиков.
Фиг.2: Гибридные наноструктуры на основе нанокубов золота, полученные плазмонной 2-фотонной полимеризацией.СЭМ-изображение гибридной структуры, полученное с падающим нормальным лазерным лучом, поляризованным по диагонали куба (красная стрелка), λ = 780 нм. Изображение голого нанокуба до фотополимеризации накладывается, чтобы выделить полимерную оболочку. b Карта конечных разностей во временной области (FDTD) модуля поля | E | вблизи нанокуба Au в полимере, соответствующем случаю a , горизонтальная плоскость среднего сечения, λ = 780 нм. c СЭМ-изображение гибридной наноструктуры, полученное с падающей поляризацией вдоль бокового края куба (красная стрелка). Изображение голого нанокуба до фотополимеризации накладывается, чтобы выделить полимерную оболочку. d FDTD-карта модуля поля | E | вблизи нанокуба Au в полимере, соответствующем случаю c , горизонтальная плоскость среднего сечения, λ = 780 нм. e Измеренное удлинение полимера по диагонали нанокуба, case a , как функция нормализованной падающей дозы p , используемой для плазмонной 2-фотонной полимеризации, как определено анализом SEM.
Таким образом, статистически распределение полимера следует дипольному распределению ближнего поля частиц, налагаемому и контролируемому падающей поляризацией. Распределение полимера также зависит от падающей дозы (Рис. 2e; Дополнительный Рис. 1). Рис. 2a, c подтверждают, что присутствие КТ внутри полимера не препятствует процессу 2-фотонной полимеризации 54 . Присутствие квантовых точек в непосредственной близости от нанокуба трудно обнаружить с помощью прямого СЭМ-изображения. Это присутствие подтверждается визуализацией просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) (дополнительный рис.2c) и наблюдение в дальней зоне красной ФЛ с микроструктур, созданных с помощью техники лазерной записи, основанной на 2-фотонной полимеризации (дополнительный рис. 2b).
Чтобы установить количественную связь между пространственным расширением полимеризованных лепестков в плоскости и испытываемым локальным электромагнитным полем, мы провели исследование параметров в случае рис. 2а. Удлинение полимера по диагонали нанокуба измеряли для различных значений p в диапазоне от 0,1 до 0.9. Рисунок 2e показывает результат исследования. Толщина полимера увеличивается с увеличением дозы нелинейным образом. Кажущаяся логоподобная функция – это признак мимолетной природы плазмонного поля, запустившего процесс полимеризации. Этот анализ, уже представленный в исх. 57 в случае 1-фотонной плазмонной фотополимеризации здесь расширяется до 2-фотонной полимеризации, как подробно описано в дополнительном примечании 3. Анализ приводит к количественной оценке (i) фактора увеличения интенсивности, индуцированного плазмонами на поверхности угла куба (= 56, в хорошем соответствии со значением, вычисленным FDTD), (ii) длина затухания (= 7 нм, аналогичная полученной из расчета FDTD) затухающего ближнего поля.Это показывает, что индуцированная плазмонами двухфотонная полимеризация является эффективным методом количественного исследования ценных плазмонных параметров, которые трудно получить с помощью других методов, таких как сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия 59 и фотоэмиссионная электронная микроскопия 60 . Что касается удлинения полимера вне плоскости, то есть вдоль направления Z , дифференциальная АСМ-визуализация (дополнительное примечание 4) показала, что полимер интегрируется по всей кромке нанокуба, в результате чего наноразмер полимера немного больше. чем край нанокуба (высота около 135 нм).Поскольку полимер содержит квантовые точки (~ несколько десятков квантовых точек для самых больших долей полимера, см. Дополнительное примечание 2), контроль распределения полимера, показанный на рис. ), вероятность пространственного распределения, определенная в формуле. (1), что делает гибридную систему анизотропным наноизлучателем.
Свойства фотолюминесценции и интегральная параметризация перекрытия
На рисунке 3 показаны данные фотолюминесценции ( λ em = 625 нм) от одиночных излучателей на основе нанокуба ( λ exc = 405 нм), изготовленных с падающей поляризацией, параллельной его диагональ (рис.2а, собственное состояние резонанса куба E). Следует подчеркнуть, что длина волны возбуждения 405 нм была выбрана для эффективного поглощения света квантовыми точками. Что касается плазмонных наноструктур золота, эта длина волны допускает нерезонансное возбуждение, межзонные переходы gold 5 d –6 sp исключают любой плазмонный резонанс для длин волн ниже 520 нм. Однако, как видно на рис. 3, золотой нанокуб делает возможным пространственное ограничение локального поля, которое возбуждает гибридный наноисточник.На рис. 3а показано СЭМ-изображение рассматриваемого гибридного нанообъекта. На рис. 3б, в показаны соответственно изображение ФЛ в дальней зоне от одиночного гибридного наноисточника и соответствующий спектр ФЛ. При тех же условиях возбуждения при 405 нм не наблюдалось измеримого излучения при 625 нм на голых нанокубах, голой полимерной матрице или нанокубиках, подвергнутых воздействию светочувствительного состава без каких-либо квантовых точек. Кроме того, аналогичный спектр ФЛ был измерен на микронной картине, сделанной из того же содержащего КТ полимера 54 .Для сравнения были получены и спектрально проанализированы гибридные структуры полимер / золотой нанокубик без каких-либо квантовых точек. Излучения красной ФЛ не наблюдалось (см. Дополнительный рис. 5б). Эти различные наблюдения демонстрируют, что наблюдаемая красная ФЛ возникает из-за КТ, захваченных в полимеризованном объеме. Хотя однодневные эксперименты не выявили какого-либо значительного снижения интенсивности ФЛ с течением времени, было проведено долгосрочное исследование: интенсивность излучения регулярно измерялась на четырех различных гибридных наноисточниках в течение до 25 дней (дополнительное примечание 6).Стабильность сигнала, наблюдаемая во времени, меняется в зависимости от падающей мощности и рассматриваемых гибридных наноисточников. Наиболее сильные наноисточники показали стабильную (падение ∼4%) ФЛ в течение 5 суток.
Рис. 3: Измерения фотолюминесценции гибридных наноизлучателей.Моногибридный наноисточник на основе нанокуба Au и квантовых точек CdSe / CdS / Zn, встроенных в доли нанометрового полимера, полученных плазмонной 2-фотонной полимеризацией при линейном возбуждении ϕ = 45 ° (красная стрелка). – СЭМ-изображение гибридного плазмонного наноисточника с полярными координатами, использованное для обсуждения.Первоначальный чистый нанокубик накладывается на необработанное изображение, полученное с помощью SEM. b Изображение ФЛ в дальней зоне при угле поляризации ϕ = 45 °, λ = 405 нм, линейная поляризация. c Спектр ФЛ. d Интенсивность ФЛ в зависимости от угла поляризации возбуждающего синего луча. Синие стрелки указывают две специфические перпендикулярные поляризации e , f Расчетная интенсивность ближнего поля | E | 2 , λ = 405 нм, средние горизонтальные плоскости сечения, поляризации указаны синими стрелками.Черные линии представляют контуры долей полимера, полученные с помощью SEM-изображения ( a ).
На рис. 3а показана явная анизотропия активной среды, имеющая плоскую симметрию C 2v с сильно ограниченным распределением, что свидетельствует о значительной поляризационной чувствительности излучателя. Определим ρ ( r, ϕ ), вероятность присутствия наноэмиттеров как функцию полярных координат ( r, ϕ ), представленных на рис.3а. Из изображений SEM ρ является высоким для ( r ∈ [65–100 нм]) ∩ (ϕ ∈ [20 ° –70 °] ∪ [200 ° –250 °]) и ноль в других местах (слои полимера с меньше диаметра квантовых точек вряд ли будут содержать квантовые точки, поэтому ими можно пренебречь). Что касается азимутально-углового распределения наноизлучателей, мы определяем коэффициент углового заполнения β , который количественно определяет угловое заполнение активной среды вблизи металлической наночастицы. На рис. 3а активная среда занимает <30% ( β ∼ 27%) пространства.Для сравнения, случай спазера из сферической плазмонной структуры ядро-оболочка, окруженной однородным слоем КТ 4 , демонстрирует активную среду в области ( r ∈ [20–25 нм]) ∩ ( ϕ ∈ [0 ° –360 °]), т. Е. Угловой коэффициент заполнения β = 100%. На рис. 3d показана зависимость интенсивности фотолюминесценции моногибридного наноисточника от направления поляризации падающего излучения (длина волны возбуждения λ = 405 нм). Уровень ФЛ быстро меняется в зависимости от направления поляризации.Этот эффект является результатом изменения пространственного перекрытия между локальным возбуждением ближнего поля и распределением активной среды. Чтобы проиллюстрировать этот важный момент, интенсивность ближнего поля при 405 нм была рассчитана FDTD на реалистичной гибридной системе на основе нанокуба, представляющей лепестки полимера на двух углах куба. На рис. 3д показано возбуждающее ближнее поле для падающей поляризации, параллельной лепесткам полимера. Хотя золотой нанокуб не является резонансным на этой длине волны, он действует как концентратор, который ограничивает свет вдоль диагонали куба, где вероятность присутствия КТ ? ( x, y, z ) высока, что приводит к высокому уровню ФЛ. , названное «состояние 1» на рис.3d. На рис. 3e видимое усиление поля на краю долей полимера связано с разрывом составляющей поля, перпендикулярной границе раздела полимер-воздух. В случае ортогональной поляризации (рис. 3f) перекрытие ближнего поля / активной среды невелико, что снижает сигнал ФЛ и соответствует «состоянию 0» на рис. 3d. В последнем случае наноисточник почти выключается, как показано на дополнительном рис. 7, на котором представлены десять изображений ФЛ в дальней зоне в зависимости от углов поляризации падающего излучения.Следует отметить, что квантовый выход Q на самом деле является эффективным квантовым выходом в присутствии металлической наночастицы. Обычно он отличается от квантового выхода в свободном пространстве, а также зависит от положения (x, y, z) 32 . В общем, Q уменьшается в непосредственной близости (<10 нм) от частицы из-за безызлучательной релаксации (тушения) и может сильно увеличиваться в ближней зоне плазмонных наночастиц 22 .На рис. 3e ожидается, что наноизлучатели будут эффективно возбуждены внутри полимера (черный контур), но гашение может происходить на поверхности нанокубика. Ожидается, что возмущаться будут только лежащие на этой поверхности КТ (если таковые имеются). На рис. 3е свет ограничен двумя другими углами нанокуба. Эта конфигурация не дает излучения, поскольку вероятность присутствия квантовых точек в этом конкретном месте равна нулю (отсутствие полимера или незначительная толщина полимера). Таким образом, контроль ρ ( r, ϕ ) составляет сильную сторону этого нового типа гибридного наноизлучателя и открывает новые перспективы в гибридной наноплазмонике.
Поляризационный контраст
Поляризационную чувствительность PL можно обсудить через поляризационный контраст:
$$ \ delta _ {{\ mathrm {PL}}} = \ frac {{{\ mathrm {IPL}} _ {{\ mathrm {max}}} – {\ mathrm {IPL}} _ {{\ mathrm {min}}}}} {{{\ mathrm {IPL}} _ {{\ mathrm {max}}} + {\ mathrm {IPL }} _ {{\ mathrm {min}}}}}, $$
(3)
, где IPL max и IPL min – соответственно максимальная и минимальная интенсивности ФЛ, измеренные после поворота направления падающей линейной поляризации.Из рис. 3г получаем δ PL ∼ 0,7. Однако это высокое значение ограничено фоном ФЛ, исходящим из дальнего поля падающего излучения, независимо от поляризации. В частности, на рис. 3е рассчитанная интенсивность возбуждающего поля не равна нулю в пределах контура черной линии, ограничивающей полимер, содержащий эмиттер, что позволяет нам ожидать ненулевой результирующей ФЛ. δ PL зависит от структуры гибридного эмиттера, которая регулируется путем правильного выбора геометрии металлических наночастиц и выбора плазмонной моды, используемой для полимеризации в ближней зоне.Чтобы проиллюстрировать эту важную возможность, были изготовлены различные виды гибридных плазмонных наноисточников. На рис. 4 показаны данные ФЛ от одиночного наноисточника, изготовленного с возбуждающим полем, параллельным краям куба. В этом случае обе диагональные собственные плазмонные моды возбуждаются симметрично (вне резонансного возбуждения), и из рис. 2d ожидается, что все четыре угла будут демонстрировать усиление ближнего поля. Рисунок 4а – это необработанное изображение гибридной наносистемы. Рисунок 4b основан на рисунке 4a и накладывает начальный куб, чтобы выделить интегрированный полимер.
Рис. 4: Измерения фотолюминесценции на одиночных гибридных наноизлучателях.Гибридный наноисточник на основе нанокуба Au и квантовых точек CdSe / CdS / Zn, внедренных в полимеризованные объемы, полученные при возбуждающей поляризации вдоль грани куба (красная стрелка). – изображение Raw SEM гибридной наносистемы. b Необработанное изображение SEM с наложенным исходным голым нанокубом. c Изображение ФЛ в дальней зоне при угле поляризации ϕ = 0 °, λ = 405 нм, линейная поляризация. d Интенсивность ФЛ в зависимости от угла поляризации ϕ синего возбуждающего луча.Синие стрелки указывают на две определенные перпендикулярные поляризации.
Эта наносистема также имеет плоскостную симметрию C 2v . Стоит отметить, что эта симметрия является результатом симметрии C 4v четырех горячих точек, показанных на рис. 2d. Более слабое поле, возбуждаемое на сторонах куба вдоль оси X (рис. 2d), привело к локальной полимеризации на этих сторонах (порог полимеризации был локально превышен), что привело к окончательной симметрии C 2v гибридной наночастицы. объект.Этот интересный пример показывает, что наноразмерная плазмонная фотополимеризация может позволить контролировать локальную степень симметрии 55 .
По сравнению с рис. 3a, рис. 4b представляет менее ограниченное полярное распределение: ρ , вероятно, будет высоким для ( r ∈ [65–100 нм]) ∩ ( ϕ ∈ [295 ° –65 °] ∪ [115 ° –245 °]), что соответствует более чем 70% углового пространства вокруг нанокуба ( β ∼ 72%). На рис. 4в показано типичное изображение гибридного наноисточника на ФЛ в дальней зоне.Сигнал ФЛ (рис. 4г) показывает более слабую поляризационную зависимость по сравнению со случаем на рис. 3г. Самый высокий уровень фотолюминесценции около 45 ° (225 °) соответствует более толстым объемам полимера в углах куба, что является результатом электромагнитных сингулярностей, показанных на рис. 2d. Контраст ФЛ составляет δ PL ∼ 0,3.
Другая геометрия частиц
Гибридная наносистема, представленная на рис. 2–4 были сделаны из куба с острыми углами и гранями. Для сравнения, золотые нанодиски 35 , изготовленные методом электронно-лучевой литографии, также рассматривались для создания гибридных наноисточников (рис.5). Они обладают начальной симметрией в плоскости C ∞v , диаметром 90 нм и толщиной 50 нм. Они представляют собой диполярный плазмонный резонанс в воздухе на длине волны 700 нм, допускающий резонансную плазмонную 2-фотонную полимеризацию при тех же условиях, что и для нанокубов. В частности, падающая линейная 45-градусная поляризация и диполярная ближнепольная эмиссия были использованы для получения двухлепестковой гибридной наносистемы, показанной на рис. 5а.
Рис. 5: Измерения фотолюминесценции на одиночных гибридных наноизлучателях.Гибридная наносистема на основе нанодиска Au и квантовых точек CdSe / CdS / Zn, встроенных в нанометровые лепестки полимера. Гибридная наносистема получена плазмонной 2-фотонной полимеризацией с использованием линейной поляризации под углом 45 ° (красная стрелка). – изображение наносистемы с помощью сканирующего электронного микроскопа (исходное изображение). b Возбуждение ФЛ изображения в дальней зоне при угле поляризации ϕ = 45 °, λ = 405 нм, линейная поляризация. c Интенсивность ФЛ как функция угла поляризации ϕ, λ = 405 нм, линейная поляризация представлена синими стрелками.
Изготовленная структура представляет собой два лепестка вдоль оси, наклоненной на 45 ° относительно оси x , что соответствует направлению поляризации, используемому во время плазмонной 2-фотонной полимеризации. Полученное распределение активной среды имеет точечную групповую симметрию C 2v и представляет собой довольно слабое полярное ограничение: ( r ∈ [45–80 нм]) ∩ (ϕ ∈ [5 ° –105 °] ∪ [185 ° –285 °]), что соответствует β ∼ 55%. Его поляризационная зависимость ФЛ (рис.5в) представлена слабая флуктуация с δ PL ∼ 0.3. По сравнению со случаем нанокуба диполярное распределение ближнего поля приводит к плохо ограниченной фотополимеризации. Здесь симметрия в плоскости C ∞v дисковой частицы создает диполярное распределение ближнего поля без острых горячих точек (без вершин) 35 , что дает низкую асимметрию конечной полимеризованной среды. Следует также отметить, что металлические наночастицы, изготовленные методом EBL, могут иметь, по сравнению с химически выращенными частицами, локальную шероховатость и дефекты кристаллов, которые могут привести к более низкому удержанию света.
Из того же золотого нанодиска был изготовлен дополнительный тип гибридного наноисточника с использованием круговой поляризации при 780 нм для индуцированной плазмонами 2-фотонной полимеризации (рис. 6). Полученная наносистема, показанная на рис. 6а, характеризуется активной средой с кольцевым распределением симметрии C ∞v , т. Е. Занимающей β = 100% углового пространства. Соответственно, ФЛ слабо меняется с углом поляризации возбуждающего поля (рис. 6б).Низкий контраст ФЛ δ PL ∼ 0.1 получен из экспериментальных данных. Это слегка положительное значение отражает несовершенство круговой картины и неоднородное распределение квантовых точек в объеме полимера.
Рис. 6: Измерения фотолюминесценции на одиночных гибридных наноизлучателях.Гибридный наноисточник на основе нанодиска Au и квантовых точек CdSe / CdS / Zn, встроенных в нанометрическую полимерную оболочку, полученную плазмонной 2-фотонной полимеризацией с использованием круговой поляризации. – СЭМ-изображение гибридного наноисточника. b Интенсивность ФЛ в зависимости от угла поляризации голубого возбуждающего луча ϕ. λ = 405 нм, линейная поляризация.
Коэффициент интеграла перекрытия
Экспериментальные данные, полученные на предыдущих четырех типах плазмонных гибридных наноисточников, могут быть обсуждены с точки зрения наноразмерного интеграла пространственного перекрытия между пространственным распределением наноэмиттеров и локальной конфигурацией ближнего поля. 2 {\ mathrm {d}} V} \ times {\ iint \! \! \ int} {\ rho {\ mathrm {d}} V}}}, $$
(4)
, где E exc (x, y, z) – модуль локального плазмонного поля, возбуждающего квантовые точки на длине волны 405 нм.Рассчитывается FDTD. ρ ( x, y, z ) – объемная плотность вероятности присутствия наноэмиттеров, как определено в уравнении. (1). Это можно оценить экспериментально по изображениям, полученным с помощью СЭМ и АСМ. \ (V_0 \) – постоянная, однородная объему. Его можно рассматривать как общий объем интеграции.
\ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) определяет способ, которым локальная напряженность возбуждающего поля и распределение наноэмиттеров пространственно перекрываются друг с другом для данной ситуации, с заданным направлением поляризации возбуждения.Например, \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) = 0 означает, что перекрытие равно нулю: квантовые точки вообще не возбуждаются, и ожидаемый PL будет незначительным . С другой стороны, \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) = 1 приводит к максимально возможному PL. Наиболее важная часть уравнения. (4), с точки зрения физического смысла для описания перекрытия, является числителем. Знаменатель используется только для нормализации. Для любой данной гибридной наноструктуры, возбуждаемой заданным направлением поляризации, этот знаменатель имеет постоянное положительное значение и никогда не стремится к нулю (интеграл \ ({\ iint \! \! \ Int} {\ rho {\ mathrm {d}} V} \) всегда строго положительно, хотя некоторые элементы ρ d V внутри интеграла, соответствующего отсутствию полимера, могут быть локально равны нулю).
На рисунке 7 показано рассчитанное соотношение \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) как функция направления поляризации падающего поля на длине волны 405 нм для трех различных типы гибридных наноисточников. Следует напомнить, что данное направление поляризации соответствует определенному пространственному распределению E exc (x, y, z) , тогда как ρ (x, y, z) фиксировано для данной гибридной наноструктуры. Для этого расчета мы считали, что как ориентация, так и пространственное распределение квантовых точек внутри полимерной матрицы являются случайными и не меняются во время возбуждения.Для простоты в присутствии полимера ρ = 1, в отсутствие полимера ρ = 0. Другими словами, карта ρ ( x, y, z ) является однородным воспроизведением. распределения полимера в окрестности металлического нанообъекта и распределения квантовых точек внутри полимера предполагается однородным.
Рис. 7: Коэффициент интеграла перекрытия.Вычисленный интеграл пространственного перекрытия \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \), определенный в формуле. Согласно уравнению (4) между локальным полем возбуждения и активной средой как функция угла поляризации падающего излучения ϕ для трех различных гибридных наноисточников.Падающее поле линейно поляризовано, λ = 405 нм. – нанокуб из золота с лепестками полимера по диагонали, ϕ = 45 °. b Нанокубик Au с отложениями полимера на гранях куба, ϕ = 0 °. c Гибридный нанодиск Au с лепестками полимера вдоль ϕ = 45 °.
Из рис. 7 видно, что интеграл перекрытия \ (\ eta _ {\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) изменяется так же, как и интенсивность ФЛ (рис. 3–5), показывающий, что уровень PL напрямую зависит от \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \).Например, максимум при 45 ° на рис. 7b соответствует большой толщине полимера по диагонали куба, что экспериментально наблюдается на рис. 4d. Каждое значение \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) связано со значением интенсивности PL, поэтому интеграл перекрытия \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf }} / {\ mathrm {em}}} \) – важный управляющий параметр. Связь между \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) и IPL (интенсивность ФЛ) может быть формально установлена. Мы считаем, что IPL является результатом ФЛ, исходящей от ансамбля элементов объема dV вблизи металлической наноструктуры.Каждый элемент объема, расположенный в точке ( x, y, z ), излучает интенсивность PL d IPL , которая определяется как:
$$ {{d}} _ {{\ mathrm {IPL}}} = \ alpha \ times \ gamma _ {{\ mathrm {exc}}} \ left ({x, y, z, \ nu _ {\ mathrm {exc}}} \ right) \ times {{Q}} (\ nu _ {\ mathrm {em}}) \ times \ rho \ left ({x, y, z} \ right) {\ mathrm {d}} V, $$
(5)
, где α – постоянная, включающая интенсивность падающего света и эффективность сбора света (геометрия установки, числовые апертуры линз, см. Раздел «Методы»).Другие параметры уравнения. (5) уже были определены в формуле. (1). Напомним, ρ (x, y, z) dV – это вероятность присутствия эмиттеров внутри d V . Для данной гибридной металлической частицы мы предполагаем, что α и \ (Q (\ nu _ {\ mathrm {em}}) \) постоянны в уравнении. (5). В частности, предполагается, что ФЛ является результатом среднего постоянного эффективного квантового выхода, усредняющего закаленные наноэмиттеры, соприкасающиеся с поверхностью металла. {\ mathrm {min}} \) – соответственно максимальное и минимальное значение \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \).Третий член уравнения. (7) \ (\ delta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \), вычисленное по данным на рис. 7, дает 0,74 (рис. 7a), 0,25 (рис. 7b) и 0,35. (Рис. 7c). Эти значения можно сравнить с экспериментально определенными значениями δ PL : 0,7, 0,3 и 0,3 соответственно. Как предсказано уравнением. (7) оказывается, что \ (\ delta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) и δ PL равны. Этот важный результат подтверждает связь пропорциональности между \ (\ eta _ {{\ mathrm {nf}} / {\ mathrm {em}}} \) и IPL, хотя локальная неоднородность квантовых точек может объяснить некоторые неожиданные колебания в графике PL (e .г., рис. 5в и 6б).
На пути к однофотонному переключаемому гибридному наноэмиттеру
Возможность управления наноразмерным пространственным перекрытием между возбуждающим полем и активной средой была расширена до однофотонного режима. Концентрация квантовых точек в фотополимеризуемом составе была уменьшена с использованием метода, описанного в разделе «Методы», что позволило нам уловить небольшое количество квантовых точек (одну или несколько) внутри долей полимера гибридного эмиттера на основе нанокуба.На рис. 8а показано АСМ-изображение такого гибридного излучателя, аналогичное изображенному на рис. 2а. Соответствующий спектр ФЛ был получен с помощью самодельной установки микро-ФЛ, чувствительной к излучению одиночного квантового эмиттера (см. Раздел «Методы» и дополнительный рис. 8). Мы можем видеть отчетливое мигание на рис. 8b, c, которое является признаком излучения одной или нескольких квантовых точек (временная диаграмма 50 с, длина волны возбуждающего лазера 405 нм, поляризация падающего излучения, параллельная лепестку полимера вдоль оси x ).Что еще более интересно, это излучение выключается, когда падающая поляризация поворачивается на 90 ° (рис. 8b) из-за внезапного отсутствия перекрытия между возбуждающим ближним полем и одиночной КТ. Это первая демонстрация переключаемого однофотонного излучения, управляемого поляризацией. Автокорреляционная функция g (2) Измерение было выполнено для подтверждения и определения режима излучения фотонов. Принцип измерения г (2) приведен в разделе «Методы».Мы обнаружили, что при нулевой задержке g (2) (0) ∼ 0,35 (рис. 8d), то есть ниже 0,5, что является признаком излучения одного фотона 62 . Этот результат был также получен на одиночных квантовых точках в полимере без золотых нанокубов (дополнительный рис. 9b). Мы определили эффект Парселла из-за слабой связи между захваченной одиночной КТ и золотым нанокубом. Функция отклика прибора (IRF) системы измеряется каждый раз перед измерением срока службы гибридного наноизлучателя и составляет 0.63 нс (см. Раздел «Методы» и дополнительное примечание 8). Мы измерили время жизни 0,725 нс (рис. 8e) на типичном гибридном наноэмиттере, в то время как время жизни одиночных квантовых точек в полимере, как измерено, составляет около 17,5 нс (рис. 8f, красная кривая и дополнительный рис. 9b). Эти измерения соответствуют усредненному коэффициенту Парселла (17,5 / 0,725) = 24. Статистически несколько гибридных наноисточников показали меньшие времена жизни, близкие или, вероятно, меньшие, чем IRF (см., Например, желтую кривую на рис. 8f), что свидетельствует о более высоких факторах Парселла ( см. дополнительное примечание 9), больше 28 (= 17.5 / 0,63). Считается, что это изменение времени жизни связано со случайным расположением квантовых точек внутри долей полимера вблизи золотого нанокуба: самые дальние квантовые точки имеют время жизни ~ 0,8 нс, тогда как самые близкие имеют время жизни, близкое к разрешающей способности и даже ниже ее. нашей системы.
Рис. 8: Гибридные наноизлучатели в однофотонном режиме.АСМ-изображение гибридного наноизлучателя на основе нанокуба. Лепестки полимера содержат одну или несколько квантовых точек. b , c График спектра ФЛ t = 50 с, возбужденный линейно поляризованным лазером вдоль ϕ = 0 ° на длине волны 405 нм.В b , в момент времени t = 32 с, направление поляризации поворачивается на ϕ = 90 °. d g (2) измерение показывает g (2) (0) = 0,35. e Типичное измерение срока службы гибридного наноэмиттера с одной квантовой точкой, время жизни ∼0,725 нс. Синяя кривая представляет функцию отклика прибора 0,63 нс. f Измерение срока службы. Сравнение одиночных квантовых точек в полимере без золотых нанокубов (измерение: красная кривая, аппроксимация: черная кривая 17.5 нс) и одиночные квантовые точки вблизи золотого нанокуба (гибридный наноэмиттер: желтая кривая).
В заключение, различные гибридные плазмонные наноизлучатели были изготовлены с помощью 2-фотонной наноразмерной полимеризации на основе плазмонов. Гибридные излучатели представляют собой анизотропное пространственное распределение активной среды с различными контролируемыми степенями симметрии. Полученная поляризационная зависимость фотолюминесценции была проанализирована и количественно оценена на основе новых конкретных параметров (i) пространственного распределения наноизлучателей, включая угловой коэффициент заполнения активной среды, (ii) наноразмерного интеграла пространственного перекрытия между активной средой и возбуждающим ближним светом. -поле и (iii) связанный поляризационный контраст фотолюминесценции.Таким образом, мы представили подход, который обеспечивает хорошее перекрытие между расположением эмиттеров и максимумами электрического поля. Маловероятно, что другие методы 41,42,43,44,45,46,47,49,50 сделают возможным позиционирование квантовых излучателей с столь разнообразными степенями симметрии. Это связано с тем, что наш подход имеет большое преимущество: он использует собственное плазмонное поле для позиционирования квантовых излучателей посредством локальной плазмонной фотополимеризации. Эти гибридные системы могут излучать в однофотонном режиме.Сообщается о предварительных результатах однофотонного переключателя, управляемого поляризацией.
Этот новый класс анизотропных плазмонных наноэмиттеров открывает путь для регулируемых по поляризации наноэмиттеров, включая нанолазеры и однофотонные эмиттеры. В частности, что касается нанолазеров, разумно предположить, что эффективная интенсивность накачки напрямую зависит от интеграла перекрытия η нф / эм . Таким образом, поляризация может управлять как процессом накачки, так и связанным с ним цветом в случае анизотропного наноразмерного распределения разноцветных наноизлучателей 52 .
Модуль лазерного излучателя – ProtoSupplies
Описание
Модуль лазерного излучателя включает в себя небольшой красный лазерный диод, похожий на то, что вы найдете в лазерной ручке.
В ПАКЕТЕ: ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ:- 650 нм Красный Выход
- Конструкция из латуни с акриловыми линзами
- 5V Работа
Вы можете использовать этот лазерный излучатель, чтобы истязать свою кошку, поставить красные точки на потолке или объединить со светочувствительным приемником, чтобы создать оптическую сигнализацию вторжения или канал связи.Помните, что никогда не смотрите прямо на какой-либо лазерный диод во время его работы и не направляйте его в глаза, так как повреждение глаз возможно даже с такими относительно слабыми диодами, как этот.
Для проверки просто подключите напряжение до 5 В и землю. Устройство включает в себя встроенный резистор ограничения тока 91 Ом и потребляет около 30 мА. Его можно запитать напрямую от большинства выводов микроконтроллера.
У выхода есть возможность фокусировки при повороте латунного держателя линзы.
Соединения модулей
На сборке имеется 3-контактный разъем для подключения.
Заголовок 1 x 3
- ‘-‘ = Ground
- Центральный штифт = Обычно не используется. Подключается к выводу 5 В через резистор 10 кОм, поэтому его можно использовать для определения наличия питания на диоде.
- S = 5V
Это могут быть интересные модули, с которыми можно поиграть, поскольку они просты в эксплуатации и недороги, но есть ряд возможностей для изучения с их помощью передовых приложений.
Линзы представляют собой недорогие пластмассовые детали, и их способность фокусироваться на небольшом участке может существенно различаться. Они также могут накапливать мелкую пластиковую стружку на своей внутренней поверхности при обращении с ними. Если размер пятна недостаточен, иногда может быть полезно отвинтить линзу и убедиться, что поверхности чистые. Только будьте осторожны, чтобы не потерять внутреннюю пружину.
У нас также есть некоторые другие варианты лазеров, доступные ниже, которые вы также можете рассмотреть.
ДО ОТГРУЗКИ ЭТИ МОДУЛИ ЯВЛЯЮТСЯ:- Проверено
- Базовая операция подтверждена
- Упакован в герметичный пакет ESD для защиты и удобства хранения.
Примечания:
- Модуль аналогичен или аналогичен KY-008.
- У некоторых модулей диод находится на расстоянии от платы, как показано на этих фотографиях, в то время как другие крепятся плотно к плате.
Технические характеристики
| Эксплуатационные характеристики | Vcc | 5 В |
| Цвет | Красный | |
| Длина волны | 650 нм | |
| Мощность лазера | Неизвестно, но оценивается в 5 мВт | |
| Размеры | Д x Ш (печатная плата) | 19 x 16 мм (0.75 x 0,6 ″) |
Online Emitters – PC Emitters
Добро пожаловать
Добро пожаловать в интерактивный тур CirrusIC! Мы покажем вам некоторые захватывающие новые функции в CirrusIC .
1 из 12
Панель управления
Настраиваемая панель управления CirrusIC была разработана с нуля для наших пользователей. Интерактивная карта позволяет быстро просматривать состояние всех станций и ориентироваться на любые интересующие области.Панель управления – это ваша персонализированная целевая страница, которая дает вам всю необходимую информацию с первого взгляда.
2 из 12
Быстрый доступ
На панели инструментов быстрого доступа вы сможете выполнять самые обычные действия всего одним щелчком мыши. Хотите управлять своими программами? Просто нажмите ПРОГРАММЫ . Давай, щелкни по нему.
3 из 12
Программы
Страница ПРОГРАММЫ дает вам обзор всех ваших программ и деталей программ.Добавление, редактирование и настройка программ еще никогда не были такими простыми.
4 из 12
Добавить программу
Хотите добавить новую программу? Наша кнопка QUICKIRR ™ позволяет быстро настраивать простые или сложные программы. Нажмите кнопку QUICKIRR ™ , чтобы увидеть ее в действии.
5 из 12
Конфигурация
Быстро создайте программу полива, внесите изменения и многое другое. Создание новых программ интуитивно понятно, просто и быстро!
6 из 12
Добавить станции
Наша технология QUICKIRR ™ используется в CirrusIC .Добавление новых станций происходит молниеносно и очень просто.
7 из 12
Пакетное редактирование
Необходимо отредактировать несколько программ или других элементов? CirrusIC доставляет. Просто выберите все элементы, которые вы хотите отредактировать, нажмите кнопку «Редактировать» и выберите настройки, которые вы хотите изменить. Нажмите «ГОТОВО», и все выбранные вами программы будут обновлены.
8 из 12
Предупреждения
CirrusIC предупреждает вас о проблемах до их возникновения! Диагностика постоянно выполняется в фоновом режиме, проверяя признаки потенциальных проблем и автоматически предоставляя вам результаты.Нет необходимости самостоятельно проверять уровни напряжения или другие параметры. CirrusIC сделает это за вас и предупредит вас, когда что-то требует вашего внимания.
9 из 12
Персонализируйте
Сделайте CirrusIC по-настоящему вашим. Настройте параметры для каждого пользователя, включая уровень доступа, единицы измерения, язык и многое другое!
10 из 12
Уникально для каждого пользователя
На этом настройка не заканчивается. Вернувшись на панель инструментов, все полностью настраивается для каждого пользователя.Поместите важную для вас информацию в центр внимания. Измените его в любое время по мере необходимости.
11 из 12
Что дальше
Вы видели лишь несколько функций, которые может предложить CirrusIC. CirrusIC – это кульминация опыта Rain Bird, ее технологий и особой направленности на то, чтобы предоставить вам решение централизованного управления, о котором вы просили.
