Fds8884 datasheet: FDS8884, Транзистор MOSFET N-CH 30В 8.5A [SOIC-8], ON Semiconductor

Чем заменить fds8884

Switch to English регистрация. Телефон или email. Чужой компьютер. Радиоэлектроника – схемы и статьи радиолюбителям.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• LCD Philips 32PFL7623D/10 два моргания красным
• Даташиты на микросхемы
• Чипы, микросхемы для ноутбуков
• Микросхемы для ноутбуков
• Товары бренда IGMOPNRQ Китай
• Микросхема Fairchild Semiconductor FDS8884 N-Channel MOSFET для ноутбука
• Справочная информация – Промэлектроника
• 10 шт. FDS8884 8884 MOSFET СОП-8 новые оригинальные Бесплатная доставка
• Только для HTC T528W T528T Z710T Power IC ab8500 IC mariking 004
• Где купить 5912

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Топ 4 Замены Алкоголя [НИПЕЙТИ!]

LCD Philips 32PFL7623D/10 два моргания красным

Регистрация Забыл пароль. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.

На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить FDS, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены скидки , в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Корзина Вход в аккаунт Пользовательское соглашение. Имя: Пароль: Регистрация Забыл пароль. На сумму: 0. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

IGBT транзисторы. Частый покупатель: Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе. Выберите аналогичный товар как “FDS”. Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom , или с начала каталога Микросхемы.

Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление. Что еще купить вместе с FDS? Сопутствующие товары Код Наименование Краткое описание Розн. Лучшая цена! Комментарии, отзывы Комментариев нет. Логин: Гость Email: Рейтинг: 1 2 3 4 5 Код проверки:. Микросхема AMS Микросхемы AMS

Даташиты на микросхемы

Номер изделия:. Состояние части. Для активного отдыха. Кода даты.

лот FDS SOP8 MOS трубки новый Добро пожаловать в наш магазин Вы можете напрямую оплатить заказ! оформить доставку! У нас много.

Чипы, микросхемы для ноутбуков

Features Dual channel. Datasheet search engine forponents and Semiconductors. TD data sheet, alldatasheet, free, databook. TD parts, chips. Binghamton, NY September 13, McIntosh, the global leader in prestigious home entertainment and ultimate quality audio for over 65 years, is proud to announce the MA Integrated. Denon AH D reviews, pros and cons. Liked: The closedback design greatly reduces the amount of sound that leaks into your immediate area Disliked: The low impedance and closedback design hurt. In stock at a low price and ready to ship same day from WebstaurantStore. March 12, Adminments. This site is dedicated to the Nikon D digital camera.

Микросхемы для ноутбуков

Ремонт: Ноутбуков, Компьютеров Виртуальная лаборатория ремонта. Совместно решаема любая проблема. FAQ Личный раздел. Предыдущее посещение: менее минуты назад Текущее время: 12 окт ,

Цены

Товары бренда IGMOPNRQ Китай

Новости Форум Cases О проекте. Информационно-аналитическое агентство NBPrice. RU: новости, обзоры, аналитика о лаптопах, смартфонах и носимых устройствах. Правила форума Технические вопросы и проблемы Выбор и покупка ноутбуков Выбор и покупка планшетов Выбор и покупка электронных книг Виртуальная реальность Акции и предложения Работа портала NBPrice. Подпишитесь на еженедельную рассылку.

Микросхема Fairchild Semiconductor FDS8884 N-Channel MOSFET для ноутбука

Предыдущее посещение: Сб окт 12, am Текущее время: Сб окт 12, am. Правила форума Размещение материалов на сторонних сайтах допускается только с указанием ссылки на первоисточник , на видном месте, легко читаемым текстом, либо с разрешения администрации форума. Чем заменить FDS Добавлено: Чт дек 30, am. Имеется сгоревший мосфет FDS 30V, 8. На разборке не нашел именно такого. Есть например B, у него 30V 7.

FDS – N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, A, 23mOhm, SOP-8 Features Max rDS(on) = 23mΩ at VGS = 10V, ID = A Max rDS(on) = 30mΩ.

Справочная информация – Промэлектроника

Ответ: Да, линии usb звонятся нормально. Сдую пожалуй сеть и ридер, посмотрим тогда.. Читать все 6 сообщений.

10 шт. FDS8884 8884 MOSFET СОП-8 новые оригинальные Бесплатная доставка

По этим критериям поиска ничего не найдено. Обращаем Ваше, внимание! Сайт не является публичной офертой, в соответствии со статьей п. Точную и окончательную информацию о наличии и стоимости указанных товаров и услуг Вы можете получить, по телефону:

Форум Новые сообщения.

Только для HTC T528W T528T Z710T Power IC ab8500 IC mariking 004

Знаете какая микросхема не исправна на плате ноутбука? Зачем платить за ремонт – купите нужную микросхему и замените её самостоятельно. Хабы для ноутбуков северные, южные мосты. Наличие товара и цену уточняйте по телефону. Данный сайт носит исключительно информационный характер, и ни при каких условиях материалы и цены на сайте не являются публичной офертой, определяемой Ст.

Где купить 5912

Золотые поставщики – это компании, прошедшие предварительную проверку качества. Проверки на месте были проведены Alibaba. Сортировать по : Лучшее соответствие.

FDS8884 – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ

Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8884

Код товару: 34721

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

в наявності: 0 шт

Технічний опис FDS8884

Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 10.69 грн до 56.49 грн

FDS8884	Виробник: ONSEMI Material: FDS8884 SMD N channel transistors	на замовлення 1030 шт термін постачання 7-14&nbspдні (днів)	3+  32. 45 грн 25+  26.31 грн 100+  21.23 грн 500+  18.49 грн 2500+  17.8 грн
FDS8884	Виробник: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4. 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel	на замовлення 2500 шт термін постачання 14-21&nbspдні (днів)	2500+  16.49 грн
FDS8884	Виробник: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4. 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V	на замовлення 5810 шт термін постачання 14-21&nbspдні (днів)	2+  47.13 грн 10+  38.45 грн 100+  28.69 грн 500+  21. 15 грн 1000+  16.34 грн
FDS8884	Виробник: onsemi / Fairchild MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET	на замовлення 3227 шт термін постачання 14-21&nbspдні (днів)	2+  50.11 грн 10+  42.02 грн 100+  27.33 грн 500+  21.48 грн
FDS8884	Виробник: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 30V 8. 5A 8-Pin SOIC T/R	на замовлення 16 шт термін постачання 14-28&nbspдні (днів)	13+  47.76 грн 15+  40.3 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Description: ONSEMI – FDS8884 – Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	на замовлення 2330 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	100+  36. 45 грн 500+  20.62 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Description: ONSEMI – FDS8884 – Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 – unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform – Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)	на замовлення 2330 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	13+  56. 49 грн 15+  48.81 грн 100+  36.45 грн 500+  20.62 грн
FDS8884	Виробник: FAIRCHILD N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.023Ω FDS8884 TFDS8884 кількість в упаковці: 50 шт	на замовлення 100 шт термін постачання 28-31&nbspдні (днів)	50+  10.69 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Material: FDS8884 SMD N channel transistors	на замовлення 1030 шт термін постачання 28-42&nbspдні (днів)	46+  30. 72 грн 55+  23.99 грн 80+  16.21 грн 116+  14.91 грн

DataSheet PDF Search Site

Новые списки

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
2N2222	КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN	ЛЗГ
2N2222A	КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN	ЛЗГ
2N5190R	КРЕМНИЕВЫЙ СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN	Центральный полупроводник
2N5191R	КРЕМНИЕВЫЙ СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN	Центральный полупроводник
2N5192R	NPN КРЕМНИЕВЫЙ СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР	Центральный полупроводник
2N5193	Кремниевые силовые транзисторы PNP	СавантИК
2N5194	Кремниевые силовые транзисторы PNP	СавантИК
2N5195	Кремниевые силовые транзисторы PNP	СавантИК
2N5415	КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP	Центральный полупроводник
2N5415	Кремниевый маломощный транзистор PNP	Микросеми

онсеми | FDS8884-G — Спецификация в формате PDF и технические характеристики

org/BreadcrumbList”>
1. Главная
2. Все категории
3. Полупроводники
4. Diodes, Transistors and Thyristors
5. FET Transistors
6. MOSFETs

---

Overview

9 006 №

Lifecycle	Obsolete
EU RoHS	Yes
RoHS Version	2011/65/ ЕС, 2015/863
Автомобильная промышленность	№
Код клетки поставщика	5V1P1
PPAP
AEC Qualified	No
Taxonomy Path	Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs Start Parametric Search

---

Datasheet

Download supplier datasheet

Скачать PDF

Предварительный просмотр технического описания

Дата пересмотра:

05 АВГУСТА 202106 ОКТ 201706 ОКТ 201705 ОКТ 201705 ОКТ 201705 ОКТ 201729SEP 201722 SEP 201715 SEP 201708 SEP 2017

---

Manufacturing

MSL

1

Maximum Reflow Temperature (°C)

260

Reflow Solder Time (Sec)

30

Number of Reflow Cycle

3

Стандартный

IPC-1752

Темп. Источник

Максимальная температура волны (°C)

Н/П

Время пайки волной припоя (сек)

Н/П

Покрытие выводов (покрытие)

Matte Sn annealed

Under Plating Material

N/A

Terminal Base Material

Cu Alloy

---

Parametric

Product Line

–

Supplier Temperature Grade

–

Typical Turn- Время задержки включения

5 нс

Типовое сопротивление истока стока при 25 °C

мОм

Максимальный непрерывный ток стока при температуре

А

Рабочая температура перехода

° C

Максимальная температура хранения

150 ° C

Максимальный ток утечки

максимальный стойкий источник дренажа @ VGS

Mohm

. PCB при TC=25°C

A

Максимальное положительное напряжение источника затвора

В

Минимальное сопротивление затвора

Ом

Максимальное сопротивление затвора

Ohm

Typical Gate Threshold Voltage

V

Typical Gate Plateau Voltage

V

Typical Diode Forward Voltage

V

Maximum Diode Forward Voltage

V

Typical Reverse Recovery Time

ns

Максимальный импульсный ток стока при TC=25°C

A

Максимальная рассеиваемая мощность на печатной плате при TC=25°C

Вт

Максимальное тепловое сопротивление перехода окружающей среды на печатной плате

°C/W

Breakdown Voltage Type

–

Minimum DC Current Gain

–

Typical Reverse Recovery Charge

nC

Typical Forward Transconductance

S

Typical Switch Charge

nC

Типичное сопротивление сток-исток при 125°C

мОм

Минимальное пороговое напряжение затвора

В

Типовая емкость обратной передачи при Vds

пФ

Maximum Offset Voltage

mV

Tradename

–

Maximum Forward Transconductance

S

Minimum Forward Transconductance

S

Minimum IDSS

uA

ID For GFS

A

VDS For GFS

В

Максимальная входная емкость при Vds

пФ

Типовая IDSS

мкА

Минимальная температура хранения

-55°C

Типовая зарядка от ворот до разрядки

nC

Typical Gate to Source Charge

nC

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance

–

Maximum Junction Case Thermal Resistance

–

Typical Fall Time

21ns

Typical Rise Time

9ns

Типичное время задержки выключения

42 нс

Конфигурация

Одиночный четырехканальный сток Тройной исток

Категория

Мощный МОП-транзистор

Канальный режим

Enhancement

Channel Type

N

Number of Elements per Chip

1

Process Technology

PowerTrench

Maximum Drain Source Voltage

30V

Maximum Gate Source Voltage

±20V

Maximum Continuous Ток стока

8,5 А

Материал

–

Максимальное пороговое напряжение затвора

2,5 В

Максимальное сопротивление источника стока

23@10VmOhm

Maximum IDSS

1uA

Typical Gate Charge @ Vgs

9. 2@10VnC

Typical Gate Charge @ 10V

9.2nC

Typical Input Capacitance @ Vds

475@15VpF

Maximum Рассеиваемая мощность

2500 мВт

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Типовая выходная емкость

пФ

0162

Кресты

Хотите больше бесплатных данных?

Найдите аналог по форме и функциям от другого производителя, а также подходящие модификации и версии и многое другое.

Получить бесплатную пробную версию

Нет кредитной карты. Без комментариев. Просто больше бесплатных данных

Risk

Заинтересованы в дополнительных бесплатных данных?

Легко идентифицируйте компоненты, подверженные риску, и получайте представление о состоянии жизненного цикла электронных компонентов, нескольких источниках, доступных запасах и прогнозируемых данных о количестве лет до окончания срока службы.