Fqpf9N50C: FQPF9N50C датащи(PDF) – Fairchild Semiconductor

FQPF9N50C – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ

Виробник:

на замовлення 4844 шт
термін постачання 14-28&nbspдні (днів)

Технічний опис FQPF9N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF9N50C за ціною від 63.62 грн до 63.62 грн

FQPF9N50C	Виробник: Fairchild	на замовлення 4844 шт термін постачання 14-28&nbspдні (днів)
FQPF9N50C	Виробник: FSC TO220 10+	на замовлення 1000 шт термін постачання 14-28&nbspдні (днів)
FQPF9N50C	Виробник: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4. 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V	на замовлення 419708 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	329+  63.62 грн

Оригинальный MOSFET N-CHANNEL FQPF9N50C 9N50C 9N50 TO-220 9A 500V Новый

Оригинальный MOSFET N-CHANNEL FQPF9N50C 9N50C 9N50 TO-220 9A 500V Новый

Реклама

Реклама

1 из 9

Верхний вырезанный слайд

Скачать для чтения офлайн

Engineering

Оригинал MOSFET N-CHANNEL FQPF9N50C 9N50C 9N50 TO-220 9A 500V Новый https://authelectronic.

com/original-mosfet-n-channel-fqpf9n50c-9n50c-9n50-to-220-9a-500v-new

Реклама

Реклама

Оригинальный N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор FQPF9N50C 9N50C 9N50 TO-220 9A 500 В Новый

1. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. Версия A, июнь 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C QFET™ FQB9N50C/FQI9N50C N-канальный МОП-транзистор 500 В Общее описание Эффект силового поля в режиме улучшения N-канала транзисторы производятся с использованием патентованной технологии Fairchild, планарная полоса, технология DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизировать сопротивление в открытом состоянии, обеспечить превосходное переключение производительность и выдерживать импульс высокой энергии в лавинный и коммутационный режимы. Эти устройства хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активная коррекция коэффициента мощности, электронные балласты для ламп на основе полумостовой топологии. Функции • 9A, 500 В, RDS(on) = 0,8 Ом при VGS = 10 В • Низкий заряд затвора (обычно 28 нКл) • Низкий Crss (типичное значение 24 пФ) • Быстрое переключение • 100% лавинное тестирование • Улучшенная функция dv/dt Абсолютные максимальные значения TC = 25°C, если не указано иное. Тепловые характеристики Символ Параметр FQB9N50C/FQI9N50C Единицы измерения Напряжение сток-исток VDSS 500 В ID Ток стока – непрерывный (TC = 25°C) 9 A – Непрерывный (TC = 100°C) 5,4 А Ток стока IDM — импульсный (Примечание 1) 36 А Напряжение затвор-исток VGSS ± 30 В Энергия одиночной импульсной лавины EAS (Примечание 2) 360 мДж IAR Лавинное течение (Примечание 1) 9А Энергия повторной лавины EAR (Примечание 1) 13,5 мДж dv/dt Пиковое восстановление диода dv/dt (Примечание 3) 4,5 В/нс Рассеиваемая мощность частичного разряда (TC = 25°C) 135 Вт – Снижение номинальной мощности выше 25°C на 1,07 Вт/°C TJ, TSTG Диапазон рабочих температур и температур хранения от -55 до +150 °C TL Максимальная температура свинца для пайки, 1/8 дюйма от корпуса в течение 5 секунд 300 °С Символ Параметр Тип Макс. Единицы Тепловое сопротивление RθJC, переход-корпус — 0,93 °C/Вт Тепловое сопротивление RθJA, переход-окружающая среда * — 40 °C/Вт Тепловое сопротивление RθJA, переход-окружающая среда — 62,5 °C/Вт ! ” ! ! ! ” ” ” ! ” ! ! ! ” ” ” С Д г Д2-ПАК Серия FQB И2-ПАК Серия FQIG S Д G SD
2. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C Электрические характеристики TC = 25°C, если не указано иное Примечания: 1. Повторяющийся рейтинг: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода. 2. L = 8 мГн, IAS = 9 А, VDD = 50 В, RG = 25 Ом, пусковая TJ = 25°C 3. ISD ≤ 9A, di/dt ≤ 200A/мкс, VDD ≤ BVDSS, пусковой TJ = 25°C 4. Импульсный тест: ширина импульса ≤ 300 мкс, рабочий цикл ≤ 2% 5. Практически не зависит от рабочей температуры Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Выкл. Характеристики Напряжение пробоя сток-исток BVDSS VGS = 0 В, ID = 250 мкА 500 — — В ∆БВДСС / ∆ТДж Напряжение пробоя Температура Коэффициент ID = 250 мкА, относительно 25°C — 0,57 — В/°C IDSS Нулевое напряжение затвора Ток стока VDS = 500 В, VGS = 0 В — — 1 мкА VDS = 400 В, TC = 125°C — — 10 мкА Ток утечки корпуса затвора IGSSF, прямой VGS = 30 В, VDS = 0 В — — 100 нА IGSSR Ток утечки на корпус затвора, обратный VGS = -30 В, VDS = 0 В — — -100 нА О характеристиках VGS(th) Пороговое напряжение затвора VDS = VGS, ID = 250 мкА 2,0 — 4,0 В RDS(on) Статический сток-источник Сопротивление включению VGS = 10 В, ID = 4,5 А — 0,65 0,8 Ом gFS Прямая крутизна VDS = 40 В, ID = 4,5 A (Примечание 4) — 6,5 — S Динамические характеристики Входная емкость Ciss VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1,0 МГц — 790 1030 пФ Выходная емкость Coss — 130 170 пФ Crss Обратная передаточная емкость — 24 30 пФ Характеристики переключения td(on) Время задержки включения VDD = 250 В, ID = 9 А, RG = 25 Ом (Примечание 4, 5) — 18 45 нс tr Время нарастания при включении — 65 140 нс td(off) Время задержки выключения — 93 195 нс tf Время спада при выключении — 64 125 нс Qg Общий заряд затвора VDS = 400 В, ID = 9 А, ВГС = 10 В (Примечание 4, 5) — 28 35 нКл Qgs Заряд затвор-исток — 4 — нКл Qgd Заряд затвор-сток — 15 — нКл Характеристики диода сток-исток и максимальные номиналы IS Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток — — 9А ISM Максимальный импульсный прямой ток диода сток-исток — — 36 A Прямое напряжение диода сток-исток VSD VGS = 0 В, IS = 9 A — — 1,4 В trr Время обратного восстановления VGS = 0 В, IS = 9 A, dIF / dt = 100 А/мкс (Примечание 4) — 335 — нс Qrr Обратный восстанавливающий заряд — 2,95 — мкКл
3. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C Типичные характеристики 0 5 10 15 20 25 30 0 2 4 6 8 10 12 VDS = 250 В VDS = 100 В VDS = 400 В ※ Примечание: идентификатор = 9А VGS,Gate-SourceVoltage[V] QG , Общий заряд затвора [нКл] 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 10 -1 10 0 10 1 150 ℃ ※ Примечания : 1. ВГС = 0 В 2. Импульсный тест 250 мкс 25℃ IDR,ОбратныйТок Дренажа[A] ВСД , Напряжение исток-сток [В] 0 5 10 15 20 25 0,5 1,0 1,5 2.0 ВГС = 20 В ВГС = 10 В ※ Примечание: ТД = 25℃ RDS(ВКЛ)[Ом], Drain-SourceOn-Resistance ИДЕНТИФИКАТОР , Ток стока [А] Рисунок 5. Характеристики емкости Рисунок 6. Характеристики заряда затвора Рисунок 3. Изменение сопротивления при включении по сравнению с Ток стока и напряжение затвора Рис. 4. Прямое напряжение на корпусном диоде Изменение с током источника и температура Рисунок 2. Характеристики передачи Рисунок 1. Характеристики региона 10 -1 10 0 10 1 10 -1 10 0 10 1 ВГС Верх: 15,0 В 10,0 В 8,0 В 7,0 В 6,0 В 5,5 В 5,0 В Внизу: 4,5 В ※ Примечания : 1.
   Импульсный тест 250 мкс 2. ТК = 25℃ ID,DrainCurrent[A] VDS , Напряжение сток-исток [В] 2 4 6 8 10 10 -1 10 0 10 1 150 о С 25 о С -55 о С ※ Примечания : 1. ВДС = 40 В 2. Импульсный тест 250 мкс ID,DrainCurrent[A] ВГС , Напряжение затвор-исток [В] 10 -1 10 0 10 1 0 400 800 1200 1600 2000 г. Сисс = Сг + Cгд (CD = короткое замыкание) Косс = компакт-диски + Cгд Крсс = Cгд ※ Примечания ; 1. ВГС = 0 В 2. f = 1 МГц Крсс Косс Сисс Емкость [пФ] VDS , Напряжение сток-исток [В]
4. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C 1 0 -5 1 0 -4 1 0 -3 1 0 -2 1 0 -1 1 0 0 1 0 1 1 0 -2 1 0 -1 1 0 0 ※ Примечания : 1 . Z θ J C (t) знак равно 0 ,9 3 ℃ / Вт M а Икс . 2 . D u ty F a c to r, D = t1 /т2 3 . Т ДЖМ – Т С = П Д М * Z θ J C (т) s in g le puls e Д = 0,5 0 .0 2 0,2 0 .0 5 0 .1 0 .0 1 Z θJC (т), Термальный отклик т1 , П р о д л ь н и е п о р о д л ь н ы е ИМПУЛЬСЫ [сек] т1 ДПМ т2 10 0 10 1 10 2 10 3 10 -1 10 0 10 1 10 2 100 мс 10 мкс ОКРУГ КОЛУМБИЯ 10 мс 1 мс 100 мкс Операция в этой области ограничено RDS(включено) ※ Примечания : 1. ТК =25 о С 2. Т.Дж. =150 о С 3. Одиночный импульс ID,DrainCurrent[A] VDS , Напряжение сток-исток [В] Типичные характеристики (продолжение) Рисунок 9. Максимальная безопасная рабочая зона Рис. 10. Максимальный ток стока по сравнению с температурой корпуса -100 -50 0 50 100 150 200 0,8 0,9 1,0 1.1 1,2 ※Примечания: 1. ВГС =0 В 2. ИД =250 мкА БВДСС, (нормированный) Drain-SourceBreakdownVoltage ТиДжей , Температура соединения[ о С] -100 -50 0 50 100 150 200 0,0 0,5 1,0 1,5 2.0 2,5 3.0 ※ Примечания : 1. ВГС = 10 В 2. ИД = 4,5 А RDS(ON),(нормализованный) Drain-SourceOn-Resistance ТиДжей , Температура перехода [ о С] 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 ID,DrainCurrent[A] ТС , Температура корпуса [℃] Рисунок 11. Кривая переходного теплового отклика Рисунок 7. Изменение напряжения пробоя против температуры Рисунок 8. Изменение сопротивления при включении против температуры
5. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C Цепь тестирования заряда затвора и форма сигнала Тестовая схема резистивного переключения и осциллограммы Нефиксированная тестовая схема индуктивного переключения и осциллограммы Заряжать ВГС 10В Qг Qgs Qgd 3 мА ВГС ИУ VDS 300 нФ 50 кОм 200нФ12В Тот же тип как тестируемое устройство Заряжать ВГС 10В Qг Qgs Qgd 3 мА ВГС ИУ VDS 300 нФ 50 кОм 200нФ12В Тот же тип как тестируемое устройство ВГС VDS 10% 90% тд (включено) тр т на т выключен тд(выкл) тф ВДД 10В VDS РЛ ИУ РГ ВГС ВГС VDS 10% 90% тд (включено) тр т на т выключен тд(выкл) тф ВДД 10В VDS РЛ ИУ РГ ВГС ЭАС = ЛИАС 2 —- 2 1 ——————– БВДСС – ВДД БВДСС ВДД VDS БВДСС т р ВДД МСФО ВДС (т) ID (т) Время 10В ИУ РГ л ИДЕНТИФИКАТОР т р ЭАС = ЛИАС 2 —- 2 1 ЭАС = ЛИАС 2 —- 2 1 —- 2 1 ——————– БВДСС – ВДД БВДСС ВДД VDS БВДСС т р ВДД МСФО ВДС (т) ID (т) Время 10В ИУ РГ ЛЛ Я СДЕЛАЛ т р
6. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C Схема тестирования пикового восстановления диода dv/dt и формы сигналов ИУ VDS + _ Водитель РГ Тот же тип как тестируемое устройство VGS • dv/dt контролируется RG • ISD, управляемый периодом импульса ВДД л я сд 10В ВГС ( Водитель ) я сд (ДУТ) VDS (ДУТ) ВДД Диод корпуса Прямое падение напряжения ВСД IFM, прямой ток диода корпуса Обратный ток диода корпуса IRM Кузовной диод восстановления dv/dt ди/дт Д = Ширина импульса строба Период импульса строба ————————– ИУ VDS + _ Водитель РГ Тот же тип как тестируемое устройство VGS • dv/dt контролируется RG • ISD, управляемый периодом импульса ВДД ЛЛ я сд 10В ВГС ( Водитель ) я сд (ДУТ) VDS (ДУТ) ВДД Диод корпуса Прямое падение напряжения ВСД IFM, прямой ток диода корпуса Обратный ток диода корпуса IRM Кузовной диод восстановления dv/dt ди/дт Д = Ширина импульса строба Период импульса строба ————————–Д = Ширина импульса строба Период импульса строба ————————–
7. Ред. A, июнь 2009 г. © Fairchild Semiconductor Corporation, 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C Размеры в миллиметрах Механические размеры Д2 – ПАК
8. Механические размеры I2 -ПАК 9,90 ±0,20 2,40 ±0,20 4,50 ±0,20 1,27 ±0,10 1,47 ±0,10 (45°) 0,80 ±0,10 10,00 ±0,20 2.54 ТИП2.54 ТИП 13,08±0,20 9,20±0,20 1,20±0,20 10,08±0,20МАКС.13,40 МАКС3.00 (0,40) (1,46) (0,94) 1.30 +0,10 –0,05 0,50 +0,10 –0,05 Размеры в миллиметрах Ред. А, июнь 2009 г. FQB9N50C/FQI9N50C ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
9. ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ Следующее включает зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки и знаки обслуживания, принадлежащие Fairchild Semiconductor и/или ее глобальным дочерним компаниям, и не являются должен быть исчерпывающим списком всех таких товарных знаков. *Торговые марки System General Corporation, используемые Fairchild Semiconductor по лицензии. ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО ВНЕСИТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБУЮ ПРОДУКЦИЮ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ НАДЕЖНОСТЬ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТЬ ИЛИ ДИЗАЙН. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВЫТЕКАЮЩЕЙ В СВЯЗИ С ПРИЛОЖЕНИЕМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЮБОГО ПРОДУКТ ИЛИ ЦЕПЬ, ОПИСАННЫЕ ЗДЕСЬ; ЭТО НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ В СООТВЕТСТВИИ С СВОИМИ ПАТЕНТНЫМИ ПРАВАМИ И ПРАВАМИ ДРУГИХ ЛИЦ. НАСТОЯЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НЕ РАСШИРЯЮТ ПОЛОЖЕНИЯ ВСЕМИРНЫХ ПОЛОЖЕНИЙ И УСЛОВИЙ FAIRCHILD, В ОСОБЕННОСТИ ГАРАНТИИ. В ТОМ, ЧТО ОХВАТЫВАЕТ ЭТИ ПРОДУКТЫ. ПОЛИТИКА ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРОДУКЦИЯ FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ВАЖНЕЙШИХ КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗ ЯВНОЕ ПИСЬМЕННОЕ РАЗРЕШЕНИЕ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Как используется здесь: 1. Устройства или системы жизнеобеспечения – это устройства или системы, которые (a) предназначенные для хирургического имплантирования в тело или (b) для поддержки или поддержания жизни, и (c) чья неспособность работать при надлежащем использовании в соответствии с инструкции по применению, приведенные в маркировке, могут быть обоснованно может привести к серьезной травме пользователя. 2. Критический компонент в любом компоненте жизнеобеспечения, устройства или системы, отказ от работы которой, как можно обоснованно ожидать, вызовет отказ устройства или системы жизнеобеспечения или влияние на их безопасность или эффективность. ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРОДУКТА Значение терминов Авто-СЗМ™ Построй сейчас™ КорПЛЮС™ CorePOWER™ КРОССВОЛЬТ™ ЦТЛ™ Логика передачи тока™ ЭкоСПАРК® Эффективный Макс™ ЭЗСВИТЧ™ * ™* Фэирчайлд® Фэирчайлд Полупроводник® ФАКТ Тихая серия™ ФАКТ® БЫСТРО® FastvCore™ FETBench™ FlashWriter® * Шутер от первого лица™ Ф-ПФС™ ФРФЕТ® Global Power ResourceSM Зеленый шутер от первого лица™ Зеленый FPS™ e-Series™ Gмакс™ ГТО™ IntelliMAX™ ИЗОПЛАНАР™ МегаБак™ МИКРОСОЕДИНИТЕЛЬ™ MicroFET™ Микропак™ МиллерДрайв™ MotionMax™ Движение-СПМ™ ОПТОЛОГ® ОПТОПЛАНАР® ® ПД СПМ™ Power-SPM™ PowerTrench® PowerXS™ Программируемый Active Droop™ QFET® QS™ Тихая серия™ RapidConfigure™ ™ Спасаем наш мир, 1 мВт/Вт/кВт за раз™ СмартМакс™ СМАРТ СТАРТ™ СЗМ® СТЕЛС™ SuperFET™ СуперСОТ™-3 СуперСОТ™-6 СуперСОТ™-8 СупреМОС™ SyncFET™ Sync-Lock™ ®* Мощная франшиза® ® TinyBoost™ Крошечный Бак™ TinyLogic® ТИНЬОПТО™ Крошечная сила™ Крошечный ШИМ™ TinyWire™ TriFault Обнаружение™ ИСТИНА™* μSerDes™ УВК® Ультра ФРФЕТ™ УниФЕТ™ VCX™ ВизуалМакс™ XS™ тм ® тм тм Техническое описание Идентификация Статус продукта Определение Предварительная информация, формирующая / в дизайне Техническое описание содержит спецификации дизайна для разработки продукта. Технические характеристики могут быть изменены любым образом без предварительного уведомления. Предварительное первое производство Даташит содержит предварительные данные; дополнительные данные будут опубликованы позднее дата. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без уведомление об улучшении дизайна. Идентификация не требуется Полное производство Технический паспорт содержит окончательные спецификации. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения дизайна. Устаревшее техническое описание, не производимое компанией Fairchild, содержит спецификации продукта, производство которого прекращено компанией Fairchild. Полупроводник. Спецификация предназначена только для справочной информации. ПОЛИТИКА БОРЬБЫ С КОНТРАФАКЦИЕЙ Политика Fairchild Semiconductor Corporation по борьбе с контрафактной продукцией. Политика Fairchild по борьбе с контрафактной продукцией также изложена на нашем внешнем веб-сайте, www. Fairchildsemi.com в разделе «Поддержка продаж». Подделка полупроводниковых деталей является растущей проблемой в отрасли. Все производители полупроводниковой продукции сталкиваются с подделкой своей продукции. части. Клиенты, которые непреднамеренно приобретают контрафактные детали, сталкиваются со многими проблемами, такими как потеря репутации бренда, некачественная работа, неисправность. применение, а также увеличение стоимости производства и производственных задержек. Fairchild принимает решительные меры для защиты себя и своих клиентов от распространение контрафактных запчастей. Fairchild настоятельно рекомендует клиентам приобретать детали Fairchild либо непосредственно у Fairchild, либо у авторизованного Fairchild. Дистрибьюторы, которые перечислены по странам на нашей веб-странице, указанной выше. Продукты, которые клиенты покупают либо у Fairchild напрямую, либо у авторизованного Fairchild Дистрибьюторы являются подлинными запчастями, имеют полную прослеживаемость, соответствуют стандартам качества Fairchild в отношении передачи и хранения и предоставляют доступ ко всему ассортименту Fairchild. актуальная техническая информация и информация о продукте. Fairchild и наши авторизованные дистрибьюторы будут поддерживать все гарантии и должным образом проблемы с гарантией, которые могут возникнуть. Fairchild не будет предоставлять гарантийное покрытие или другую помощь в отношении деталей, приобретенных у Неавторизованных источников. Фэирчайлд стремится бороться с этой глобальной проблемой и призывает наших клиентов внести свой вклад в прекращение этой практики, покупая напрямую или у авторизованных дистрибьюторов. Версия I40 Ред. А, июнь 2009 г.FQB9N50C/FQI9N50C ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation

Реклама

fqpf9n50c%20equivalent Технический паспорт и указания по применению

Каталог Технический паспорт	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
2003 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	FQPF9N50C
2003 – fqpf9n50c Реферат: FQP9N50C FQP9N50C от Fairchild FQP 07 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К fqpf9n50c FQP9N50C FQP9N50C от Fairchild ФКП 07
2003 – FQP9N50C Аннотация: FQPF9N50C Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К FQP9N50C FQPF9N50C
2003 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К
2003 – 9N50C Реферат: 9N50C MOSFET FQPF9N50C FQPF9N50CT высокомощный диод 500v 220F3 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФКП9Н50К/ФКПФ9Н50К FQPF9N50C О-220Ф-3 FQPF9N50CT FQPF9N50CYDTU 9Н50С МОП-транзистор 9N50C диод большой мощности 500v 220F3
2004 – ФКПФ*9n25c Реферат: диод СМ 88А FQPF9N25C FQP9N50C Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	FQP9N50C FQPF9N50C FQP9N25C FQPF9N25C FQPF9N25C ФКПФ*9n25c диод СМ 88А
2003 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСМ9Н50С/КСМФ9Н50С О-220 О-220Ф 54ТИП 00×45В
2007 – эквивалент FQPF8N60C Резюме: FQPF9N50C, эквивалентная схема ЖК-инвертора, эквивалентная FAN7530, эквивалентная FAN7601, 200 Вт, инвертор постоянного тока в переменный Принципиальная схема, эквивалентная FAN7529, эквивалентная FAN7601, эквивалентная FDD6685, эквивалентная FQPF10N60C Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2003 – 600 В IGBT понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный Аннотация: диод 8a 600 В FAN4803 24 В выходной источник питания 300 кГц 600 В IC драйвер MOSFET 600 В 20 ампер MOSFET FQPF9N50C эквивалент FQPF10N60C эквивалентная принципиальная схема источника питания smps на основе MOSFET FQP9N50C FDS4935 эквивалент Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФС6С1220РТ ФСАТ66 ФДК796Н/ФДК3616Н ФДЗ299П FXL34 Power247TM, 600V igbt преобразователь постоянного тока в постоянный диод 8а 600в Выходной блок питания FAN4803 24 В IC драйвера MOSFET 300 кГц 600 В Мосфет 600В 20А Эквивалент FQPF9N50C Эквивалент FQPF10N60C принципиальная схема источника питания smps на основе mosfet FQP9N50C Эквивалент FDS4935
фкпф5н60к Резюме: FAN7711 FQPF18N50 МОП-транзистор Fairchild FQT1N80 FQP9N50C FQPF*5n50c fjp13009 FJP5027 FQD7P20 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	FAN7532/FAN7711 ФАН7544 FCPF7N60 О-220Ф ФЦПФ11Н60 ФЦПФ20Н60 fqpf5n60c FAN7711 FQPF18N50 МОП-транзистор Fairchild FQT1N80 FQP9N50C ФКПФ*5n50c fjp13009 ФДЖП5027 FQD7P20
MC0628R Резюме: mc0628 MC0628R замена FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Fairchild cross KA3846 FDD8896 “замена” FQPF3N60C FQP50N06 эквивалент FDS8884 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ST42091 F50188E NB5F009 74ABT646CMSA 74ABT646CMSAX 74ABT646CMTC 74ABT646CSC 74AC251SJ 74AC299SJX 74AC74CW MC0628R mc0628 Замена MC0628R ФЭЙРЧАЙЛД ПОЛУПРОВОДНИК Крест Фэирчайлда КА3846 FDD8896 “замена” FQPF3N60C Эквивалент FQP50N06 ФДС8884
2009 – ТРАНСФОРМАТОР ERL35 Аннотация: принципиальная схема блока питания atx 500 Вт ТРАНСФОРМАТОР ERL35 принципиальная схема блока питания 450 Вт принципиальная схема блока питания atx 450 Вт принципиальная схема блока питания atx 450 Вт схема ERL-35 блок питания atx 450 Вт схема ERL35 схема atx 500 Вт Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Ан-8027 FAN480X FAN4800A FAN4800C FAN4801 ВЕНТИЛЯТОР4802 FAN4802L FAN480X. FAN480X ТРАНСФОРМАТОР ERL35 принципиальная схема atx блок питания 500w Принципиальная схема ТРАНСФОРМАТОРА ERL35 Схема блока питания atx мощностью 450 Вт. схема атх 450w схема блока питания atx 450w ЭРЛ-35 блок питания atx 450w схема ЭРЛ35 схема атх 500вт
2005 – IRF1830G Реферат: Транзистор IRF1830 IRF1830G APM2054N эквивалент apm2054n AP85L02h AP70N03S 2SK3683 ap70l02h 2SK2696 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	АО4405 АО4407 АО4408 АО4409 АО4410 АО4411 АО4413 АО4415 АО4422 АО4700 IRF1830G IRF1830 транзистор IRF1830G Эквивалент APM2054N apm2054n AP85L02h АП70Н03С 2SK3683 ap70l02h 2SK2696
2003 – ФЛМП СуперСОТ-6 Реферат: Комплементарные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 FDG6316 IRF650 FQP65N06 IRFS630 FDG329N FDP2532 fqpf6n80 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СК70-6 СК75-6 СуперСОТТМ-3/СОТ-23 Power247TM, ФЛМП СуперСОТ-6 Дополнительные МОП-транзисторы buz11 FQD7P20 ФДГ6316 IRF650 FQP65N06 ИРФС630 ФДГ329Н ФДП2532 fqpf6n80
ФКПф10Н60К Резюме: FQPF*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 fqpf6n80 Эквивалент FQP630 FQU17P06 FQPF*5n50c IRF650 FQA90N08 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ФДЗ201Н ФДЗ209Н ФДЗ2553Н ФДЗ2553НЗ ФДЗ2551Н ФДЗ7064Н SFF9140 FQAF47P06 SSF10N60B SSF7N60B FQPf10N60C ФКПФ*10n20c FQPF10N20C FQP17P06 fqpf6n80 Эквивалент FQP630 FQU17P06 ФКПФ*5n50c IRF650 FQA90N08
FQPF*7N65C ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация: модель специй bc548 модель специй bf494 модель специй bf199 LM3171 модель специй BC517 модель специй bc547 модель специй BF494 модель специй MOC3043-M модель специй SPICE BC237 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	UF4003. UF4004. UF4005. UF4006. UF4007. USB10H. USB1T1102 USB1T11A. вКА75420М W005G ПРИМЕНЕНИЕ FQPF*7N65C модель специй bc548 модель специй bf494 специи модель bf199 LM3171 Модель специй BC517 модель специй bc547 BF494 специи Модель специй MOC3043-M SPICE модель BC237
КФ6Н60 Аннотация: 2SK3850 эквивалент KF9N25 KF7N50 MDF10N65b транзистор PANASONIC ZENER Kf10n60 KIA278R12PI эквивалент kid65003ap эквивалент kia578r05 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	USFB053 USFB13 USFB13A USFB13L USFB14 УСФЗ10В USFZ11V УСФЗ12В УСФЗ13В УСФЗ15В КФ6Н60 эквивалент 2SK3850 KF9N25 KF7N50 Транзистор МДФ10Н65б ПАНАСОНИК ЗЕНЕР Крf10n60 Эквивалент KIA278R12PI эквивалент kid65003ap киа578р05
2004 – термистор KSD201 Реферат: Каталог силовых МОП-транзисторов IRF Дополнительные МОП-транзисторы buz11 BZX85C6V8 SPICE MODEL Diode 1N4001 50V 1.0A DO-41 Выпрямительный диод K*D1691 сделать SMPS инвертор сварочный аппарат транзистор KSP44 1N5402 Spice модель tip122 tip127 MOSFET аудио усилитель Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
irfb4115 Реферат: Диод аналог BTY79 скн 21-04 маркировка КОД W04 сот-23 bbc 598 479 ДИОД mw 137 600g TFK 401 S 673 Vishay Telefunken tfk транзистор INFINEON транзистор маркировка W31 JYs маркировка транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	элемент-14 Ф155-6А Ф155-10А Ф165-15А Ф175-25А irfb4115 Эквивалент BTY79 диод скн 21-04 маркировка КОД W04 сот-23 bbc 598 479 ДИОД м. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт