Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Что выбрать: MOSFET или IGBT -инвертор?

Не нужно на 100% разбираться в премудростях электротехники, чтобы высказать мнение по теме. Заголовок «MOSFET или IGBT?» напоминает старое соревнование форматов: VHS или DVD? Кто же победит? И пусть скажут, сравнение не корректное. Но, DVD формат великолепный, качество звука и изображения замечательные, а мы все так привыкли к старому доброму VHS…

Для тех, кто не понимает о чем идет речь, поясним. На сегодняшний день существует две технологии изготовления сварочных инверторов,

  • первая основана на базе полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET) и пользуется успехом на правах «старого, работающего и проверенного варианта»
  • вторая — на базе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Это инновационная технология, новое поколение и тому подобное.

Возникает закономерный вопрос: что же выбрать старое, проверенное временем, или относительно новое, но более технологичное?

Попробуем привести пару доводов и, как говорится, ближе к «телу»…

Что не говори, а IGBT занимают меньший объем и при этом позволяют получить более высокую силу тока на выходе, они меньше нагреваются. Разве это не аргумент в пользу IGBT? Возражения же заключаются в том, что схемы IGBT покамест не идеально продуманы и т.д., разработчикам не было времени на это и они звучат «натянуто».

Конечно, если покупать инвертор для бытовой сварки, то не так уж важно, какие у него транзисторы внутри. Вообще не важно, что внутри. Главное, чтобы электрод поджигался нормально, дуга не прыгала туда-сюда, чтобы электрод не залипал. Так же, желательно, чтобы инвертор работал при пониженном напряжении в сети, не боялся забросов напряжения, чтобы желтая лампа перегрева редко зажигалась.

Если речь идет о небольших объемах бытовых работ, то практически любой инвертор в этом станет вашим надежным другом и товарищем, та же Ресанта или Сварог, или Фубаг, или отечественный Форсаж и т.д. и т.п.

Но что, если нужен профессиональный аппарат, когда варить придется целый день. Наше мнение, здесь лучше IGBT. Почему? Возьмем для примера сварочный аппарат РICO 180— это же прелесть, а не сварочник! Приведем в качестве примера его систему охлаждения. Она интеллектуальная и включается только тогда, когда транзисторы нагреваются. А в РICO даже после 15 и более минут сварки на небольших токах вентилятор не шелохнется. Это значит, что схемы холодные, корпус аппарата холодный. И все это IGBT, они греются менее интенсивно, чем MOSFET и на более высоких токах. Ну и что мне с этого, скажете Вы? Очень просто. Чем меньше работает вентилятор, тем лучше! Особенно если Вы работаете в запыленных помещениях. Основной враг инвертора — это пыль. Она является основной причиной досрочного выхода инверторов из строя. Соответственно, чем меньше пыли затягивается в сварочный аппарат, тем лучше! А это значит, чем дольше не включаются кулеры, тем лучше! Получить это можно только с

IGBT.

Несомненный плюс так же состоит в том, что достигается высокая мощность при еще более малом весе. Каждый грамм играет роль, если приходится целый день носить инвертор на плече.

Минус в свое время был в дороговизне ремонта IGBT  и невозможности подчас найти запчасти. Но время идет, техника совершенствуется, а то, что было раньше дорогим и недоступным, становится обыденным и легкозаменяемым! Так что наше мнение, будущее за новыми технологиями. А Вы как думаете? Стоит с этим согласиться?

Сегодня уже ни для кого не секрет кто выиграл в битве «VHS или DVD».

 

svarka-master.ru

MOSFET или IGBT?

Сначала рассмотрим различия в целом. В настоящий момент все производители инверторов (ММА) выпускаются по двум полупроводниковым технологиям IGBT и MOSFET. Не буду вдаваться в подробности, скажу только то, что в схемотехнике этих аппаратов используются разные полупроводниковые транзисторы IGBT и MOSFET. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT.

Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), a MOSFET — 10–12, т. к. они не могут пропускать через себя большие токи, поэтому их приходится делить на такое большое количество транзисторов. Вот собственно в чем и отличие.

Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. д. MOSFET здесь однозначно проигрывает.

На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: т.е аппараты, которые сейчас есть в продаже, собраны в основном на трех платах. IGBT аппараты всегда идут на одной плате.

Основные недостатки MOSFET

  • соединение трех плат;
  • худший теплообмен;
  • каскадный выход транзисторов из строя при неисправности одного транзистора;
  • меньший КПД (относительно IGBT).

Проще говоря, IGBT более современная технология, чем MOSFET.


Недостатки MOSFET


Что лучше MOSFET или IGBT?

Некоторые компании идут в ногу со временем и при производстве сварочных инверторов используют IGBT транзисторы американской фирмы «Fairchaild», частота переключения которых составляет 50 кГц, т. е. 50000 раз в секунду. IGBT технологию выбрали неспроста, ведь рабочий диапазон температур у них с сохранением параметров гораздо больше, чем у MOSFET, т. е. при нагреве у MOSFETa падают качественные характеристики.

В конструкции САИ (Ресанта) используется одна маленькая плата, которая устанавливается вертикально, а также 4 IGBT транзистора (работают обособленно друг от друга, т. е. не выгорают все, если выгорел один как у MOSFET) и 6 диодов-выпрямителей (а не 12 как у MOSFET), соответственно отказоустойчивость ниже. Это ещё один «плюс» IGBT.

Можно напомнить покупателю о том, что в современных сварочных инверторов используется только 4 обособленных транзистора, а не 12 каскаднозависимых как у MOSFET. Всякое в жизни бывает, но, чтобы не произошло в случае выхода из строя одного транзистора (если не гарантийный случай), замена покупателю обойдется где-то в районе 400 р., а не 12×110 р. = 1320 р. Думаю, что разница приличная.

Как отличить: Визуально аппараты IGBT в большинстве своём отличаются от MOSFET вертикальным расположением силовых разъёмов, т. к. плата одна и обычно устанавливается вертикально. У MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально, т. к. платы в конструкции горизонтально закреплены. Нельзя точно утверждать, что это верно на 100%. Точнее можно сказать, сняв кожух с аппарата.

Многие компании пытаются «выиграть баллы» на транзисторах. Так, например, компания «Aiken» в настоящий момент выпустила на рынок аппараты (по технологии MOSFET) с наклейками на боковых панелях «Используются транзисторы TOSHIBA» а также «Используются транзисторы Mitsubishi». Пытаются выползти на громких и знакомых брендах. На практике это не подтвердилось. Так на крупнейшей Международной инструментальной выставке России Moscow International Tool Expo (MITEX-2011), которая проходила в ноябре 2011г. в «Экспоцентре» (г. Москва), я попросил представителей стенда данной компании разобрать их САИ с наклейкой «Используются транзисторы Mitsubishi» и продемонстрировать данные транзисторы. В итоге сварочные инверторы разобрали, но данных транзисторов не обнаружили. Сами сотрудники компании «Aiken» были в шоке, обнаружив безымянные транзисторы.

svarka59.ru

всё, что вам нужно знать

Время чтения: 6 минут

За последние 100 лет технология сварки претерпела значительные изменения. Классические сварочные аппараты были усовершенствованы, а в продаже появились совершенно новые устройства. Наибольший вклад в развитие домашней и любительской сварки внесло изобретение инверторного сварочного аппарата. Его электронная «начинка» позволяет внедрить функции, которые недоступны классическому трансформатору или выпрямителю.

А если в сварочном аппарате применяется электроника, значит, используются и транзисторы. В этой статье мы подробно расскажем, что такое транзистор, какие транзисторы используются в сварочных инверторах и чем отличаются транзисторы IGBT в сварочном аппарате от транзисторов MOSFET.

Содержание статьи

Общая информация

Транзисторы — что это такое? Наверняка каждый, кто хоть раз сталкивался с ремонтом или банальной разборкой радиоэлектроники, слышал этот термин. Говоря простыми словами, транзистор — это электронная деталь с выводами, изготовленная из полупроводникового материала. Основная функция транзистора — это усиление или генерирование электрических сигналов, поступающих извне. Также с помощью транзисторов выполняется коммутация.

На данный момент транзисторы есть в любом электронном приборе и являются один из важнейших компонентов. В середине прошлого века сразу несколько ученых получили Нобелевскую премию за изобретение транзистора. И с тех пор это небольшое приспособление кардинально изменило мир электроники.

Транзисторы очень маленькие и компактные. Они экономичны, их производство стоит недорого. Несмотря на свой скромный размер, транзистор устойчив к механическому воздействию и долговечен. Также транзисторы способны исправно работать при низком напряжении и при высоких значениях тока. Именно благодаря этим достоинствам к концу 20-го века транзисторы стали неотъемлемой частью каждого электронного прибора. В том числе, у инверторных сварочных аппаратов.

Читайте также: Инструкция по эксплуатации сварочного инвертора для новичков 

С помощью транзисторов удалось собрать компактную схему и внедрить ее в инвертор. Таким образом, существенно снизились размеры и вес сварочного аппарата. На данный момент производители предлагают инверторы весом до 5 кг, которые можно положить в рюкзак и взять с собой на выездные работы. Также такие аппараты незаменимы при сварке на высоте или в труднодоступных местах.

В сравнении с обычным трансформатором, который использовался раньше для сварки, инверторы намного проще в освоении. А наличие дополнительных функций (например, функции горячего старта или антизалипания) помогает новичкам как можно скорее приступить к работе. И все это  заслуга транзисторов.

Транзисторы в инверторах

Транзистор — это один из главных компонентов современного сварочного инвертора. Без него инвертор в принципе не будет так называться. И, поскольку сварочные инверторы уже прочно вошли в нашу жизнь, то нелишним будет узнать немного больше об их электронной «начинке». Эта информация будет полезна не столько мастерам по ремонту сварочных аппаратов, сколько самим сварщикам. Для лучшего понимая сути используемого вами оборудования.

Итак, на данный момент чаще всего в сварочных инверторах применяются транзисторы двух типов: IGBT и MOSFET. Именно благодаря им удается добиться достойного качества работ, внедрения новых функций и уменьшению габаритов аппарата.

Подробнее про IGBT

Мы решили заострить ваше внимание на IGBT транзисторах, поскольку они считаются самыми технологичными. IGBT представляет собой стандартный биполярный транзистор с изолированным затвором. Усиливает и генерирует электрические колебания. Часто применяется в инверторе. От полевого транзистора отличается тем, что генерирует силовой канал, а не управляет им. Представляет собой 2 транзистора на подложке.

Именно благодаря IGBT транзисторам удалось развить производство современных сварочных инверторов. Поскольку именно данный тип транзисторов способен работать при высоком напряжении. Очень скоро производителям стало ясно, что применение IGBT транзисторов способно вывести производство инверторов на новый уровень. Удалось значительно уменьшить размеры аппаратов и увеличить их производительность. Порой стандартный IGBT транзистор способен заменить даже тиристор.

Иногда в IGBT инверторы внедряют специальные микросхемы, которые усиливают управляющий электрический сигнал и ускоряют зарядку затворов. Это необходимо для исправного функционирования мощных переключателей.

IGBT или MOSFET?

Выше мы уже упомянули, что помимо транзисторов типа IGBT существуют еще и транзисторы MOSFET. И многие сварщики любят спорить на форумах, какие транзисторы лучше, а какие хуже. Что мы думаем по этому поводу? Сейчас узнаете.

IGBT — это биполярные транзисторы. А MOSFET — полевые. И отличий у них больше, чем многим кажется на первый взгляд. Основное отличие — максимальная мощность, которую способен выдержать транзистор. У IGBT этот показатель выше, поэтому стоят они дороже, чем MOSFET. А это значит, что управляющая схема тоже стоит дороже.


На практике, сварщик практически не заметит разницы при работе с инверторам на IGBT или MOSFET. В характеристиках разница есть, но на практике она ощущается слабо. К тому же, на IGBt инверторы сложнее найти запчасти и вообще грамотного мастера по ремонту. И расходники стоят дороже.

Если вы используете недорогой инвертор для домашней сварки, то разницу между IGBT и MOSFET вы точно не заметите. Все преимущества IGBT раскрываются только в профессиональном оборудовании, предназначенном для высоковольтного подключения. В таком случае больший диапазон мощностей действительно играет важную роль и стоит предпочесть IGBT инвертор. В остальных же случаях не важно, какие транзисторы установлены. Вы, как любитель, разницу не почувствуете.

Словом, если вы новичок, то приобретайте инвертор на любых транзисторах. Инвертор на MOSFET будет стоить дешевле, вы сможете проще и быстрее его отремонтировать. А если вы выбираете инвертор для профессиональной сварки, то лучше выбрать аппарат на IGBT транзисторах. Они позволят использовать больше мощности. Но и их обслуживание обойдется дороже.

Вместо заключения

Не важно, какие именно силовые транзисторы для сварочных инверторов вы выберите. В любом случае, современный инвертор предоставит вам множество удобных плюсов. Вы сможете брать его с собой, поскольку вес и размеры незначительны. Вы сможете выполнять мелкий ремонт, даже если варите впервые, поскольку дополнительные функции упростят вашу работу. А благодаря технологичным транзисторам электронная схема будет работать еще стабильнее и дольше.

Да, инверторные аппараты куда сложнее по своему строению как раз за счет применения электроники. Вы не сможете починить инвертор «на коленке», как это можно сделать с трансформатором. Но преимуществ слишком много, чтобы отказываться от нововведений. А что вы думаете по этому поводу? Поделитесь своим мнением в комментариях ниже. Желаем удачи в работе!

[Всего голосов: 1    Средний: 4/5]

svarkaed.ru

схема и преимущество использования в сварке

Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы. Последним словом в этой области после MOSFET инверторов стали сварочные аппараты на IGBT транзисторах.

Полевые полупроводники

Используемые в инверторах полупроводники по MOSFET технологии – это полевые силовые транзисторы с изолированным затвором. Управление полупроводником осуществляется напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, управляемых током. Канал ключа имеет высокую проводимость 1 мОм. В закрытом виде у них огромное входное сопротивление.

Изначально полевые полупроводники использовались и до сих пор применяются как ключи. В схемах импульсных источников питания применяются полевики с индуцированным затвором. В таком исполнении при нулевом напряжении на затвор-исток канал закрыт.

Для открытия ключа требуется подать потенциал определенной полярности. Для управления ключом не требуется силовых источников. Данные полупроводники часто используются в источниках питания и инверторах.

Биполярный прибор

IGBT – это биполярный транзистор с изолированным затвором, применяемый в инверторе. Фактически он состоит из двух транзисторов на одной подложке. Биполярный прибор образует силовой канал, а полевой является каналом управления.

Соединение полупроводников двух видов позволяет совместить в одном устройстве преимущества полевых и биполярных приборов. Комбинированный прибор может, как биполярный, работать с высокими потенциалами, проводимость канала обратно пропорциональна току, а не его квадрату, как в полевом транзисторе.

При этом IGBT транзистор имеет экономичное управление полевого прибора. Силовые электроды называются, как в биполярном, а управляющий получил название затвора, как в МОП приборе.

IGBT транзисторы для сварочных инверторов и силовых приводов, где приходится работать при высоких напряжениях, стали использовать, как только отладили технологию их производства. Они сократили габариты, увеличили производительность и мощность инверторов. Иногда они заменяют даже тиристоры.

В IGBT инверторе для обеспечения работы мощных переключателей применяются драйверы – микросхемы, усиливающие управляющий сигнал и ускоряющие быструю зарядку затвора.

Некоторые модели IGBT транзисторов работают с напряжением от 100 В до 10 кВ и токами от 20 до 1200 А. Поэтому их больше применяют в силовых электроприводах, сварочных аппаратах.

Полевые транзисторы больше применяют в импульсных источниках и однофазных сварочных инверторах. При токовых параметрах 400-500 В и 30-40 А они имеют лучшие рабочие характеристики. Но так как IGBT приборы могут применяться в более тяжелых условиях, их все чаще применяют в сварочных инверторах.

Применение в сварке

Простой сварочный инвертор представляет собой импульсный источник питания. В однофазном инверторном источнике питания переменный ток напряжением 220 В и частотой 50 или 60 Гц выпрямляется с помощью мощных диодов, схема включения мостовая.

Затем инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, но уже высокой частоты (от 30 кГц до 120 кГц). Проходя через понижающий высокочастотный трансформатор (преобразователь), напряжение понижается до нескольких десятков вольт. Потом этот ток преобразуется обратно в постоянный.

Все преобразования необходимы для уменьшения габаритов сварочного аппарата. Традиционная схема сварочного инвертора получалась надежной, но имела очень большие габариты и вес. Кроме этого, характеристики сварочного тока с традиционным источником питания были значительно хуже, чем у инвертора.

Передача электроэнергии на высокой частоте позволяет использовать малогабаритные трансформаторы. Для получения высокой частоты постоянный ток преобразуется с помощью высоковольтных, мощных силовых транзисторов в переменный частотой 50-80 кГц.

Для работы мощных транзисторов напряжение 220 В выпрямляется, проходя через мостовую схему и фильтр из конденсаторов, который уменьшает пульсации. На управляющий электрод полупроводника подается переменный сигнал с генератора прямоугольных импульсов, который открывает/закрывает электронные ключи.

Выходы силовых транзисторов подключаются к первичной обмотке понижающего трансформатора. Благодаря тому, что они работают на большой частоте, их габариты уменьшаются в несколько раз.

Силовой инверторный блок

Переменное напряжение 220 В – это некоторое усредненное значение, которое показывает, что оно имеет такую же энергию, как и постоянный ток в 220 В. Фактически амплитуда равна 310 В. Из-за этого в фильтрах используются емкости на 400 В.

Мостовая выпрямительная сборка монтируется на радиатор. Требуется охлаждение диодов, поскольку через них протекают большие токи. Для защиты диодов от перегрева на радиаторе имеется предохранитель, при достижении критической температуры он отключает мост от сети.

В качестве фильтра используются электролитические конденсаторы, емкостью от 470 мкФ и рабочим напряжением 400 В. После фильтра напряжение поступает на инвертор.

Во время переключения ключей происходят броски импульсного тока вызывающие высокочастотные помехи. Чтобы они не проникали в сеть и не портили ее качество, сеть защищают фильтром электромагнитной совместимости. Он представляет собой набор конденсаторов и дросселя.

Сам инвертор собирается по мостовой схеме. В качестве ключевых элементов применяются IGBT транзисторы на напряжения от 600 В и токи соответствующие данному инвертору.

Они тоже с помощью специальной термопасты монтируются на радиаторы. При переключениях этих транзисторов возникают броски напряжения. Чтобы их погасить применяются RC фильтры.

Полученный на выходе электронных ключей переменный ток поступает на первичную обмотку высокочастотного понижающего трансформатора. На выходе вторичной обмотки получается переменный ток напряжением 50-60 В.

Под нагрузкой, когда идет сварка, он может выдавать ток до нескольких сотен ампер. Вторичная обмотка обычно выполняется ленточным проводом для уменьшения габаритов.

На выходе трансформатора стоит еще один мощный диодный мост. С него уже снимается необходимый сварочный ток. Здесь используются быстродействующие силовые диоды, другие использовать нельзя, потому что они сильно греются и выходят из строя. Для защиты от импульсных бросков напряжения используются дополнительные RC цепи.

Мягкий пуск

Для питания блока управления инвертора применяется стабилизатор на микросхеме с радиатором. Напряжение питания поступает с главного выпрямителя через резистивный делитель.

При включении сварочного инвертора конденсаторы начинают заряжаться. Токи достигают таких больших величин, что могут сжечь диоды. Чтобы этого не произошло, используется схема ограничения заряда.

В момент пуска ток проходит через мощный резистор, который ограничивает пусковой ток. После зарядки конденсаторов резистор с помощью реле отключается, шунтируется.

Блок управления и драйвер

Управление инвертором осуществляет микросхема широтно-импульсного модулятора. Она подает высокочастотный сигнал на управляющий электрод биполярного транзистора с изолированным затвором. Для защиты силовых транзисторов от перегрузок дополнительно устанавливаются стабилитроны между затвором и эмиттером.

Для контроля напряжения сети и выходного тока используется операционный усилитель, на нем происходит суммирование значений контролируемых параметров. При превышении или понижении от допустимых значений срабатывает компаратор, который отключает аппарат.

Для ручной регулировки сварочного тока предусмотрен переменный резистор, регулировочная ручка которого выводится на панель управления.

Сварочное оборудование на IGBT транзисторах имеет наилучшие характеристики по надежности. По сравнению с полевыми ключами биполярные транзисторы с изолированными затворами имеют преимущество больше 1000 В и 200 А.

При использовании в бытовых приборах и сварочных инверторах для домашнего пользования первое место до недавнего времени оставалось за сварочным оборудованием с MOSFET полупроводниками. Эта технология давно используется и хорошо отработана. Но у нее нет перспектив роста, в отличие от оборудования на IGBT транзисторах.

Новые модели уже ничем не уступают устройствам с полевыми приборами и на малых напряжениях. Только по цене первенство остается за аппаратами с полевыми транзисторами с индуцированным затвором.

svaring.com

Что лучше igbt или mosfet

На сегодняшний день, среди достаточного количества разновидностей транзисторов выделяют два класса: p-n - переходные транзисторы биполярные и транзисторы с изолированным полупроводниковым затвором полевые. Другое название, которое можно встретить при описании полевых транзисторов — МОП металл — окисел - полупроводник. Обусловлено это тем, что в качестве диэлектрического материала в основном используется окись кремния SiO 2. Немного пояснений.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как работает транзистор? Режим ТТЛ логика / Усиление. Анимационный обучающий 2d ролик. / Урок 1

IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?


На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от электрической сети.

Рассмотрим типовые решения этой задачи. Будем считать, что нам нужно только включать или выключать нагрузку с низкой частотой. Части схем, решающие эту задачу, называют ключами. ШИМ-регуляторы, диммеры и прочее рассматривать не будем почти.

Выбор способа управления зависит как от типа нагрузки, так и от вида применяемой цифровой логики. Если схема построена на ТТЛ-микросхемах, то следует помнить, что они управляются током, в отличие от КМОП, где управление осуществляется напряжением. Иногда это важно. Простейший ключ на биполярном транзисторе проводимости n-p-n выглядит следующим образом. Вход слева подключается к цифровой схеме. При этом транзистор откроется если, конечно, ток достаточно большой , и ток сможет идти через переход коллектор — эмиттер, а значит и через нагрузку.

Резистор R1 играет важную роль — он ограничивает ток через переход база — эмиттер. Если бы его не было, ток не был бы ничем ограничен и просто испортил бы управляющую микросхему ведь именно она связывает линию питания с транзистором. Максимальный ток через один выход микроконтроллера обычно ограничен значением около 25 мА для STM В интернете можно встретить утверждения, что микроконтроллеры AVR выдерживают ток в мА, но это относится ко всем выводам в сумме.

Предельное допустимое значение тока на один вывод примерно такое же — мА. Это, кстати, означает, что подключать светодиоды напрямую к выводам нельзя. Без токоограничивающих резисторов, микросхема просто сгорит, а с ними светодиодам не будет хватать тока, чтобы светить ярко.

Допустим, мы хотим при помощи 5 В типичное значение для цифровых схем управлять нагрузкой в 12 В. Это значит, что на базе мы можем получить максимум 5 В. А с учётом падения напряжения на переходе база — эмиттер, на эмиттере будет напряжение ещё меньше. Если это, например, реле, оно просто не сработает. Напряжение не может быть выше, иначе тока через базу вообще не будет. Наличие падения напряжения на нагрузке также приведёт к уменьшению тока через базу.

У разных транзисторов он разный. Главное помнить, что ток базы не должен превышать предельно допустимое для микросхемы. Также важно при выборе модели транзистора помнить о предельном токе коллектора и напряжении коллектор — эмиттер.

Ниже как пример приведены характеристики некоторых популярных транзисторов с проводимостью n-p-n. Модели выбраны случайно, просто это транзисторы, которые легко найти или откуда-то выпаять. Для ключа в рассматриваемой схеме, конечно, можно использовать любой n-p-n-транзистор, подходящий по параметрам и цене. Если вход схемы подключен к push-pull выходу, то особой доработки не требуется.

Тогда для надёжного закрытия транзистора нужно добавить ещё один резистор, выравнивающий напряжение между базой и эмиттером. Кроме того, нужно помнить, что если нагрузка индуктивная, то обязательно нужен защитный диод. Дело в том, что энергия, запасённая магнитным полем, не даёт мгновенно уменьшить ток до нуля при отключении ключа. А значит, на контактах нагрузки возникнет напряжение обратной полярности, которое легко может нарушить работу схемы или даже повредить её. Совет касательно защитного диода универсальный и в равной степени относится и к другим видам ключей.

Резистор R2 обычно берут с сопротивлением, в 10 раз большим, чем сопротивление R1, чтобы образованный этими резисторами делитель не понижал слишком сильно напряжение между базой и эмиттером.

Для нагрузки в виде реле можно добавить ещё несколько усовершенствований. Оно обычно кратковременно потребляет большой ток только в момент переключения, когда тратится энергия на замыкание контакта.

В остальное время ток через него можно и нужно ограничить резистором, так как удержание контакта требует меньше энергии. В момент включения реле, пока конденсатор C1 не заряжен, через него идёт основной ток. Когда конденсатор зарядится а к этому моменту реле перейдёт в режим удержания контакта , ток будет идти через резистор R2. Через него же будет разряжаться конденсатор после отключения реле. С другой стороны, ёмкость будет ограничивать частоту переключения реле, хоть и на незначительную для практических целей величину.

Пусть, например, требуется включать и выключать светодиод с помощью микроконтроллера. Тогда схема управления будет выглядеть следующим образом. Характеристики рабочий ток и падение напряжения типичных светодиодов диаметром 5 мм можно приблизительно оценить по таблице. Пусть используется белый светодиод. В качестве транзисторного ключа используем КТГ — он подходит по максимальному току мА и напряжению 35 В.

Значение сопротивление было округлено, чтобы попасть в ряд E Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигать нескольких ампер. Тем более, как видно из таблицы, для мощных транзисторов он и так невелик. В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первый транзистор управляет током, который открывает второй транзистор. Такая схема включения называется схемой Дарлингтона.

Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединить эмиттер и базу резистором. Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В. Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примеры таких транзисторов приведены в таблице. Они удобны тем, что управляются исключительно напряжением: если напряжение на затворе больше порогового, то транзистор открывается. При этом управляющий ток через транзистор пока он открыт или закрыт не течёт. Это значительное преимущество перед биполярными транзисторами, у которых ток течёт всё время, пока открыт транзистор.

Это связано с тем, что n-канальные транзисторы дешевле и имеют лучшие характеристики. Дело в том, что транзистор открывается, если напряжение между затвором и истоком превышает пороговое. Несмотря на то, что MOSFET управляется только напряжением и ток через затвор не идёт, затвор образует с подложкой паразитный конденсатор. Когда транзистор открывается или закрывается, этот конденсатор заряжается или разряжается через вход ключевой схемы.

И если этот вход подключен к push-pull выходу микросхемы, через неё потечёт довольно большой ток, который может вывести её из строя. При управлении типа push-pull схема разряда конденсатора образует, фактически, RC-цепочку, в которой максимальный ток разряда будет равен. Таким образом, достаточно будет поставить резистор на Ом, чтобы ограничить ток заряда — разряда до 10 мА.

Это важно, если транзистор часто переключается. Например, в ШИМ-регуляторе. Дело в том, что у разных транзисторов даже из одной партии этот параметр может сильно отличаться.

Но если максимальное значение равно, скажем, 3 В, то этот транзистор гарантированно можно использовать в цифровых схемах с напряжением питания 3,3 В или 5 В. Сопротивление сток — исток у приведённых моделей транзисторов достаточно маленькое, но следует помнить, что при больших напряжениях управляемой нагрузки даже оно может привести к выделению значительной мощности в виде тепла.

Как уже было сказано, если напряжение на затворе относительно истока превышает пороговое напряжение, то транзистор открывается и сопротивление сток — исток мало. Однако, напряжение при включении не может резко скакнуть до порогового.

А при меньших значениях транзистор работает как сопротивление, рассеивая тепло. Если нагрузку приходится включать часто например, в ШИМ-контроллере , то желательно как можно быстрее переводить транзистор из закрытого состояния в открытое и обратно.

Относительная медленность переключения транзистора связана опять же с паразитной ёмкостью затвора. Чтобы паразитный конденсатор зарядился как можно быстрее, нужно направить в него как можно больший ток. А так как у микроконтроллера есть ограничение на максимальный ток выходов, то направить этот ток можно с помощью вспомогательного биполярного транзистора.

Кроме заряда, паразитный конденсатор нужно ещё и разряжать. Поэтому оптимальной представляется двухтактная схема на комплементарных биполярных транзисторах можно взять, например, КТ и КТ Если расположить её между транзистором и землёй, из-за падения напряжения на нагрузке напряжение затвор — исток может оказаться меньше порогового, транзистор откроется не полностью и может перегреться и выйти из строя. Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору между стоком и землёй, то решение есть.

Можно использовать готовую микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор сверху. Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч например, IR для построения двухтактной схемы, но для простого включения нагрузки это не требуется. Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее эффективно использовать транзистор. Ещё один интересный класс полупроводниковых приборов, которые можно использовать в качестве ключа — это биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT.

Они сочетают в себе преимущества как МОП-, так и биполярных транзисторов: управляются напряжением, имеют большие значения предельно допустимых напряжений и токов. Из-за того, что IGBT применяются больше в силовой электронике, они обычно используются вместе с драйверами.

Все предыдущие схемы отличало то, что нагрузка хоть и была мощной, но работала от постоянного тока. В схемах была чётко выраженные земля и линия питания или две линии — для контроллера и нагрузки. Для цепей переменного тока нужно использовать другие подходы. Самые распространённые — это использование тиристоров, симисторов и реле.

Реле рассмотрим чуть позже, а пока поговорим о первых двух. Тиристор — это полупроводниковый прибор, который может находится в двух состояниях:.


Особенности выбора сварочного аппарата

Одним из самых популярных способов неразъемного соединения металлов является сварка. Впервые она появилась в начале прошлого века, но и сегодня остается одной из самых востребованных в бытовой и профессиональной сфере. При помощи этого способа можно выполнить различные работы, связанные с ремонтом и изготовлением металлических конструкций. Но так как сплавы содержат различные элементы, то были разработаны не только специальные технологии для из соединения, но и соответствующие инструменты и оборудование.

По технологии MOSFET изготовлено множество инверторов, но в последнее время получают распространение IGBT инверторы, как более экономичные и . даже Латвия, потому лучше приобретать св. аппараты у официальных.

MOSFET транзисторы

Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы. Используемые в инверторах полупроводники по MOSFET технологии — это полевые силовые транзисторы с изолированным затвором. Управление полупроводником осуществляется напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, управляемых током. Канал ключа имеет высокую проводимость 1 мОм. В закрытом виде у них огромное входное сопротивление. Изначально полевые полупроводники использовались и до сих пор применяются как ключи. В схемах импульсных источников питания применяются полевики с индуцированным затвором. В таком исполнении при нулевом напряжении на затвор-исток канал закрыт. Для открытия ключа требуется подать потенциал определенной полярности. Для управления ключом не требуется силовых источников.

Как правильно выбрать сварочный инвертор для дома

Введите сообщение. В настоящее время в инверторных сварочных источниках используются мощные полевые транзисторы с изолированным затвором MOSFET и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT В схемах управления применяются специализированные микроконтроллеры и микропроцессоры. Что выбрать? Ответ на этот вопрос будет неоднозначный. Казалось-бы, инверторы с IGBT-транзисторами — это новое поколение инверторов, более прогрессивное, так как часто силовые транзисторы собираются в компактные силовые модули, что защищает силовые элементы от внешнего неблагоприятного воздействия пыли и влаги, делает схему аппарата более простой, габариты более компактными, а аппараты более удобными с точки зрения ремонта.

Сначала рассмотрим различия в целом. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации.

IGBT или MOSFET. Ставим точку в вопросе

Забыли пароль? Страница 1 из 3 1 2 3 Последняя К странице: Показано с 1 по 20 из Опции темы Подписаться на эту тему…. Сейчас с появлением IGBT эта ниша занята ими, это средние мощности от нескольких киловатт , электродвигатели и генераторы. IGBT очень медленные, максимальная рабочая частота для массовых изделий, не превышает килогерц, что не позволяет добится высокого КПД в маленьком объёме. Но зато они намного лучше держат перегрузки, по сравнению с MOSFET, поэтому они применяются в электроприводах например, или в сварочниках.

Транзисторы для сварочных инверторов

Разница в транзисторах, друг мой, MOSFET - это полевые транзисторы, как правило каскадированные спараллеленные , засчёт чего дешевле, а IGBT - биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они сами по себе держут намного большие мощности, но намного дороже сами, а также управляющая схема подороже. Преимуществ в сварке - никаких, есть недостатки в сервисном обслуживании. Для IGBT инверторов не так-то просто найти запчасти. В настоящее время параметры и цена ижбт и мосфет элементов очень близки.

аппараты на MOSFET более надежные и качество сварки лучше (мягче отличия сварки разными транзисторами MOSFET и IGBT.

Профиль Написать сообщение. Вы пошутили? Ток регулируется ручкой напряжения, как и во всех аналогичных аппаратах Продаю эти полуавтоматы, работают нормально отзванивался покупателям, интересовался , но пока о качестве говорить рано так как только недавно их завезли и продано мало штук.

На практике часто возникает необходимость управлять при помощи цифровой схемы например, микроконтроллера каким-то мощным электрическим прибором. Это может быть мощный светодиод, потребляющий большой ток, или прибор, питающийся от электрической сети. Рассмотрим типовые решения этой задачи. Будем считать, что нам нужно только включать или выключать нагрузку с низкой частотой. Части схем, решающие эту задачу, называют ключами. ШИМ-регуляторы, диммеры и прочее рассматривать не будем почти.

Кто же победит? И пусть скажут, сравнение не корректное.

В статье дается выборочный обзор некоторых новых импульсных преобразователей и контроллеров; представлена уникальная в своем роде программа ADISimPower, обеспечивающая быстрый подбор компонентов и проектирование схемы питания, а также подробно рассматривается новый аналогово-цифровой контроллер для блоков питания ADP Прогресс в области технологии силовых приборов на базе структуры GaN-на-кремнии позволяет существенно улучшить такие параметры полевых транзисторов как сопротивление канала в открытом состоянии и произведение сопротивления канала на емкость затвора. В статье обсуждаются новые возможности и перспективы построения высокоэффективных преобразователей напряжения на базе GaN-полевых транзисторов. Статья представляет собой сокращенный перевод [1]. Сопротивление R SC крайне мало, поэтому паразитный n-p-n-транзистор не открывается даже при очень больших токах. Когда IGBT полностью открыт, напряжение насыщения определяется из соотношений:.

Многие из нас, глядя на сварщика в процессе работы хотя, согласно неофициальному замечанию, смотреть на сварочную дугу категорически запрещено, дабы не испортить зрение считают, что процесс сваривания металла стоит доверять лишь профессионалу и обучиться этой науке самостоятельно невозможно. На самом же деле — сварочная деятельность не так уж и сложна и вполне доступна для освоения многим бытовым пользователям. Для этого нужно лишь выбрать сварочный аппарат и совершить несколько самостоятельных практических занятий.


all-audio.pro

Igbt или mosfet сварочный инвертор

Применение высоковольтных мощных полупроводников позволило создавать компактные производительные сварочные инверторы. Используемые в инверторах полупроводники по MOSFET технологии — это полевые силовые транзисторы с изолированным затвором. Управление полупроводником осуществляется напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, управляемых током. Канал ключа имеет высокую проводимость 1 мОм.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзисторы для сварочного инвертора Китай и "оригинал".

Что выбрать: MOSFET или IGBT -инвертор?


STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт. Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники.

На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:. Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах. Структура такого сварочного аппарата достаточно проста и состоит из источника тока, выходного выпрямителя опционально и системы управления рисунок 1. Упрощенная структурная схема сварочного аппарата. Источник тока может быть реализован на базе мощного сетевого трансформатора трансформаторный аппарат , либо на базе инвертора инверторный аппарат.

Главными достоинствами трансформаторных аппаратов являются простота и максимальная надежность, а недостатками — большие габариты, грубое регулирование и низкое качество сварки. Инверторные аппараты, использующие современные полупроводниковые силовые ключи, не имеют этих недостатков. Основными компонентами мощных инверторов являются IGBT-транзисторы и быстродействующие диоды.

Компания STMicroelectronics выпускает силовые электронные компоненты, идеально подходящие для построения сварочных аппаратов [1]:. Принцип работы инверторного сварочного аппарата достаточно прост рисунок 2. Питающее напряжение сети выпрямляется и поступает на вход инвертора. Инвертор преобразует постоянное напряжение в переменное, которое передается в нагрузку через высокочастотный силовой трансформатор. Работу инвертора контролирует система управления СУ.

Увеличивая и уменьшая длительности управляющих импульсов, можно изменять передаваемую в нагрузку мощность. Кроме основных блоков, схема содержит и вспомогательные: корректор коэффициента мощности ККМ и выходной выпрямитель. Структура инверторного сварочного аппарата. Основным блоком инверторного сварочного аппарата является непосредственно инвертор, который может быть реализован по любой из известных топологий.

Среди наиболее часто используемых схем можно отметить push-pull, мостовую, полумостовую, полумостовую несимметричную косой полумост. К вышесказанному стоит добавить, что, во-первых, при выборе транзисторов для инвертора следует обращать внимание не только на рейтинги токов и напряжений, но и на параметры, определяющие мощность потерь.

Во-вторых, требования к низкому напряжению насыщения и высокой рабочей частоте оказываются противоречивыми. Это стало возможным благодаря использованию новейших технологий. Основный причиной ограничения мощности инвертора является перегрев IGBT. Он является следствием потерь мощности, рассеиваемой в виде тепла. Как известно, суммарные потери мощности в IGBT Pd складываются из двух составляющих: потери проводимости Pконд, кондуктивные потери и потери на переключения Pперекл таблица 1.

Кондуктивные потери определяются значением напряжения насыщения Uкэ нас. По этой причине его стараются максимально снизить. Потери на переключения объединяют энергию, затрачиваемую на включение Eвкл и на выключение Eвыкл. Энергия на включение Евкл в большей степени определяется встроенным антипараллельным диодом.

Для оптимизации этого параметра можно использовать внешний диод с лучшими характеристиками меньшее время восстановления или оптимизировать режим переключения переключения при нулевых токах или напряжениях. Энергия на выключение Евыкл определяется эффективностью рекомбинации неосновных носителей в структуре IGBT. Затягивание процесса рекомбинации приводит к появлению токового хвоста рисунок 3 , [2]. Потери на выключение для планарного IGBT. После выключения транзистора число этих накопленных носителей сокращается достаточно медленно, главным образом — за счет неэффективной рекомбинации в низколегированном слое n-.

Это приводит к уменьшению числа носителей, а значит — и к ускоренному процессу рекомбинации. Однако уменьшение числа носителей, очевидно, приведет и к возрастанию напряжения насыщения.

Таким образом, увеличение быстродействия при сохранении напряжения насыщения возможно только благодаря качественным улучшениям и применению новых технологий.

Быстродействие возрастает, но остается достаточно низким. Суть TGFS состоит в изменении структуры затвора, который выполняется в изолированной канавке. Проводящий канал становится вертикальным, что уменьшает эффективную толщину слоя n-. Это, с одной стороны, приводит к снижению напряжения насыщения, а с другой — к уменьшению числа накапливаемых носителей. Наиболее современное поколение IGBT производства STMicroelectronics серии V включает все лучшие технологические решения [2]: TGFS, снижение толщины исходной пластины p-, уменьшение толщин диффузных и эпитаксиальных слоев, увеличение глубины внедрения затвора рисунок 4в.

Это позволяет уменьшить энергию, затрачиваемую на выключение, при сохранении значения напряжения насыщения. Богатый выбор позволяет найти оптимальные транзисторы с учетом требований к конкретному сварочному аппарату и используемой топологии.

Все эти транзисторы отвечают перечисленным выше требованиям и имеют отличные характеристики [1, 4]:. Серия M предназначена для коммутации напряжений до В и токов до 40 А таблица 2. Отличительной особенностью серии является низкое напряжение насыщения не более 2,2 В и малая энергия на переключения от 1,2 мДж.

Это делает данные транзисторы оптимальным выбором для инверторов, работающих на частотах до 20 кГц. Серия H способна коммутировать напряжения до В и токи до 40 А таблица 3. По этой причине они подходят для более высокочастотных приложений и способны работать на частотах до кГц. Серия HB не является основной для построения сварочных инверторов, однако ее характеристики также на высоте таблица 4.

Энергия переключения, во многих случаях не превышает 0,6 мДж. Рабочая частота для представителей семейства достигает 50 кГц. Серия V, как было сказано выше, является флагманом в номенклатуре STMicroelectronics.

Все это позволяет использовать транзисторы серии V в быстродействующих инверторах с максимальной частотой переключения до кГц. Для наименования IGBT представленных серий используется код, состоящий из восьми позиций таблица 6. Он содержит тип компонента, обозначение корпуса, название семейства, напряжение пробоя, наличие диода и его характеристики. Стоит отметить, что версии транзисторов с диодом с низким падением напряжения индекс DL не подходят для работы в составе сварочных инверторов.

Тип: IGBT. Большинство IGBT представленных семейств выпускается в двух вариантах: со встроенным быстродействующим диодом и без него. Характеристики этих диодов достаточно хороши. Однако в случае необходимости требуется применять внешние диоды, например, в схеме асимметричного моста. При этом следует обратить внимание на мощные быстродействующие диоды серии W производства STMicroelectronics.

Мощные быстродействующие диоды серии W разработаны специально для работы в составе мощных импульсных преобразователей с жесткими условиями переключений. Для этого их характеристики соответствующим образом оптимизированы таблица 7 :. Частота переключений составляла 63 кГц. Схема инвертора MMA В ходе испытаний производились замеры входной мощности, входного тока и температуры корпуса транзисторов.

При увеличении входной мощности от 2 кВт до максимальной мощности в 3,8 кВт происходил разогрев транзисторов и рост энергии на выключение таблица 8.

Инвертор показал устойчивую работу во всем диапазоне мощностей. Максимальное значение энергии на выключение IGBT при этом увеличивалось с мДж до мДж, что является хорошим результатом и соответствует заявленному в документации значению таблица 5.

Рабочая частота составила 63 кГц. Для дополнительной защиты транзисторов были применены снабберные RC-цепочки. Инвертор продемонстрировал устойчивую работу во всех режимах и выключился после срабатывания температурной защиты спустя 8 минут 15 секунд после выхода на мощность 5,8 кВт. При увеличении входных токов происходил рост температуры транзисторов и увеличение энергии на выключение таблица 9. Диапазон изменений энергии на выключение составил … мДж, что соответствует заявленному значению.

Проведенные испытания подтвердили отличные характеристики, заявленные производителем. Данные транзисторы отвечают всем необходимым для этого требованиям. Их основными достоинствами являются:. Кроме IGBT, STMicroelectronics предлагает разработчикам мощные быстродействующие диоды серии W, которые отличаются малым временем восстановления и низким прямым падением напряжения.

Отличные характеристики силовых компонентов производства ST подтверждены практикой. Получение технической информации , заказ образцов , заказ и доставка. Компоненты ST широко представлены в окружающих нас потребительских товарах — от iPhone до автомобилей разных марок. Лидеры индустриального рынка выбирают компоненты ST за их надежность и выдающиеся технические параметры.

В компании ST работает 48 сотрудников в 35 странах. Производственные мощности расположены в 12 странах мира. Более 11 тысяч сотрудников заняты исследованиями и разработками — инновационное лидерство Наши информационные каналы. Новости Статьи Вебинары Все записи.

Поколение технологии. Технология Trench gate Field Stop. Встроенный диод: пусто — нет D — быстродействующий DL — с низким падением. Код напряжения пробоя: 60 — В 65 — В — В.


Выбор свар. инвертора, что лучше igbt или mosfet ?

Сначала рассмотрим различия в целом. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT. Вот собственно в чем и отличие. Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность.

Профессиональное сварочное оборудование ELITECH используется в промышленности и строительной сфере. Соответствует директивам 73/23/ ЕЕС.

Есть ли слабые места у сварочных инверторов?

Многие в таких случаях нанимают профессионалов. Однако есть и те, кто предпочитает самостоятельно выполнять все эти работы. Ведь если делаешь сам, то ни от кого не зависишь, никому не платишь и, к тому же, всегда гарантировано ответственное отношение к работе. Однако такие агрегаты недешевы, поэтому приобретать их надо грамотно, с учетом своих настоящих и будущих потребностей и возможностей. На сегодняшний день существует несколько видов сварочного оборудования: сварочные трансформаторы, сварочные выпрямители и сварочные инверторы. Последнему типу и посвящена данная статья. Содержание статьи Виды сварочных инверторов 1. Бытовой сварочный инвертор 2. Профессиональный сварочный инвертор 3. Промышленный сварочный инвертор Другие полезные советы по выбору сварочного инвертора Как выбрать сварочный инвертор.

Сварочные инверторы

Одним из самых популярных способов неразъемного соединения металлов является сварка. Впервые она появилась в начале прошлого века, но и сегодня остается одной из самых востребованных в бытовой и профессиональной сфере. При помощи этого способа можно выполнить различные работы, связанные с ремонтом и изготовлением металлических конструкций. Но так как сплавы содержат различные элементы, то были разработаны не только специальные технологии для из соединения, но и соответствующие инструменты и оборудование.

Поступили ко мне на ремонт как вы помните два аппарата от одного клиента.

Устройство сварочного инвертора

Вам нужны клиенты? Чтобы добавить товары и услуги в каталог Prom. Подать частное объявление. Мобильное приложение. Каталог товаров.

Полезная информация

От До. Ручная дуговая сварка ММА производится штучным электродом. Применяется для сварки углеродистой и нержавеющей стали. Аргонодуговая сварка TIG — ручная сварка неплавящимся вольфрамовым электродом в среде защитного газа аргона. Требует большого опыта оператора. Для стали и алюминиевых сплавов. Сварка порошковой защитной проволокой FCAW — универсальный тип дуговой сварки.

10 шт. FMh33N50E 23N50E 23N50 В 23A инвертор сварочный mane 60T65PES MBQ60T65 MBQ60T65PES трубчатая мощность IGBT транзистор 10 шт. 75NF75 высокий мощный FET инвертор MOS прибор большой чип.

Транзисторы для сварочных инверторов

Итак полгода назад в результати экспериментов над сварочником ему поплохело выбило два транзистора FGh50N60 и раскололся цементированный ограничивающий ток заряда конденсаторов и ватный резистор. Резистор купил в микронике, транзюки в количестве 4-х штук заказал в Китае, ибо у нас они были только в чипидипе и по неадекватной цене. Почти полгода все это пылилось, как то было не до него, ну а щас решил починить. Первым делом был впаян новый резистор, и заменены все 4-е мосфета несмотря на то что два были живыми.

Время чтения: 6 минут. За последние лет технология сварки претерпела значительные изменения. Классические сварочные аппараты были усовершенствованы, а в продаже появились совершенно новые устройства. Наибольший вклад в развитие домашней и любительской сварки внесло изобретение инверторного сварочного аппарата. А если в сварочном аппарате применяется электроника, значит, используются и транзисторы.

Оформление заказа. Товаров: 0 Ваша учетная запись.

STMicroelectronics выпускает несколько серий IGBT-транзисторов и мощных быстродействующих диодов, идеально подходящих для создания инверторов сварочных аппаратов. Эти замечательные качества были подтверждены на практике при испытании MMA-инверторов мощностью 4 и 6 кВт. Рынок сварочного оборудования представляет собой быстроразвивающуюся отрасль силовой электроники. На сегодня существует множество типов сварочных аппаратов:. Наиболее распространенным типом сварочной технологии является MMA. Она отличается простотой и применяется как в профессиональных, так и в бытовых аппаратах.

Войти через. На AliExpress мы предлагаем тысячи разновидностей продукции всех брендов и спецификаций, на любой вкус и размер. Если вы хотите купить транзистор инвертора и подобные товары, мы предлагаем вам позиций на выбор, среди которых вы обязательно найдете варианты на свой вкус. Если конкретные характеристики говорят вам больше, чем непонятные названия, возможно, следующая информация - для вас: по всему объему продукции, найденной по вашему запросу "транзистор инвертора", Тип может варьироваться в весьма широком диапазоне, есть Триодный транзистор , Полевой транзистор, и каких только еще нет.


all-audio.pro

MOSFET или IGBT? -Статьи

В настоящее время в инверторных сварочных источниках используются мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
В схемах управления применяются специализированные микроконтроллеры и микропроцессоры. Что выбрать? Инвертор, созданный «на» транзисторах изготовленных по технологии MOSFET или инвертор - «на» транзисторах изготовленных по технологии IGBT?

Ответ на этот вопрос будет неоднозначный. Казалось-бы, инверторы с IGBT-транзисторами — это новое поколение инверторов, более прогрессивное, т.к. часто силовые транзисторы собираются в компактные силовые модули, что защищает силовые элементы от внешнего неблагоприятного воздействия пыли и влаги, делает схему аппарата более простой, габариты более компактными, а аппараты более удобными с точки зрения ремонта. Но всё это при условии грамотно составленной электрической принципиальной схемы, а также качественной сборки, когда на выходе такого инвертора мы сможем получать выходное напряжение с частотой до 200-300 кГц (как у инверторов, с MOSFET- транзисторами). Ведь как известно, чем выше частота выходного напряжения, тем лучше и стабильнее сварочный процесс, тем больше пульсация выходного напряжения будет приближаться к прямой выпрямленного тока и качество сварки будет, соответственно выше.
Визуально аппараты, выполненные с IGBT-транзисторами отличаются от MOSFET-транзисторами вертикальным расположением силовых разъёмов (у MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально), хотя, утверждать, что это на 100% верно, не стоит, т.к. из любого правила всегда найдутся исключения.
Хотя конструктивно, в более современных инверторах IGBT-транзисторами для уменьшения габаритов и повышения надежности работы источников используются более новые типы малоиндуктивных электролитических конденсаторов, ферромагнитных материалов с малыми потерями на высоких частотах, а также специальные диоды с малым временем обратного восстановления и проч. Мы бы не стали так подходить к выбору сварочного аппарата, исходя лишь из технологии его изготовления, т.к. в связи со сказанным выше, это еще ни о чем не говорит, поэтому выбор за вами: будете Вы делать детальный анализ схем? Мы думаем, что это никому не нужно, Выбирайте сварочный инвертор по техническим характеристикам!
Технологии изготовления инверторов стремительно меняются, поэтому, возможно и наша статья устареет, а выбор останется за Вами, ведь приобретете Вы аппарат не на один год. Сделайте правильный выбор!!!
Конечно, сварочные аппараты с MOSFET-транзисторами и с IGBT-транзисторами - это разные поколения инверторов, но у каждой технологии свои потребители. Инверторы, изготовленные на базе MOSFET-транзисторов уже зарекомендовали себя как надежные сварочные источники, в особенности для сварки на малых токах с высокими сварочно-техническими характеристиками, а инверторы, с IGBT-транзисторами хоть и являются современными, но не имеют годами отработанных технологий.

tdsvarka.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о